DE2809275A1 - Schaltungsanordnung zur erzeugung einer geregelten hohen gleichspannung aus einem drehstrom - Google Patents

Schaltungsanordnung zur erzeugung einer geregelten hohen gleichspannung aus einem drehstrom

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DE2809275A1 DE19782809275 DE2809275A DE2809275A1 DE 2809275 A1 DE2809275 A1 DE 2809275A1 DE 19782809275 DE19782809275 DE 19782809275 DE 2809275 A DE2809275 A DE 2809275A DE 2809275 A1 DE2809275 A1 DE 2809275A1
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    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/02Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal

Description

SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Unser Zeichen Berlin und München VPA 78 P 2 0 1 2
Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer geregelten hohen Gleichspannung aus einem Drehstrom.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer geregelten hohen Gleichspannung aus Drehstrom, bei der an die Leitungen für die drei Phasen des Drehstromes eine Drehstrombrückengleichrichterschaltung angeschlossen ist und parallel zum Ausgang der Drehstrombrückengleichrichterschaltung ein Schaltkreis mit einem Transistor angeordnet ist, dessen Basisanschluß an einem Steuerstrom liegt.
Die Gewinnung einer Gleichspannung aus Drehstrom mit Hilfe einer Drehstrombrückengleichrichterschaltung ist bekannt (s.z.B. S.W.Wagner, Stromversorgung elektronischer Schaltungen und Geräte, R.v.Deckers Verlag G.Schenk, Hamburg 1964, Seite 182). Es ist weiterhin bekannt, eine Spannung mit Hilfe einer Parallelregelschaltung konstant zu halten. Ein Beispiel für einen solchen Parallelregler ergibt sich aus der angegebenen Literaturstelle auf Seite 466.
Il 1 Pe / 28.2.1978
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Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht nun darin, eine Schaltungsanordnung anzugeben, durch die unter Verwendung eines Drehstrombrückengleichrichters aus Drehstrom eine hohe geregelte Gleichspannung für einen Verbraucher gewonnen werden kann. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß in jeder Leitung für eine Phase des Dr.ehstromes vor den Verbindungspunkten der Leitungen mit dem Drehstrombrückengleichrichter ein Widerstand eingefügt ist.
Der dem Transistor zugeführte Steuerstrom kann ein Gleichstrom sein. Zur Erzeugung der hohen Gleichspannung kann hinter den Verbindungspunkten der Drehstromgleichrichterschaltung mit den Leitungen für die drei Phasen eine weitere Drehstromgleichrichterschaltung angeordnet werden. An dem Ausgang dieser zweiten Drehstromgleichrichterschaltung entsteht dann die hohe, geregelte Gleichspannung. Die Regelung der hohen Gleichspannung erfolgt hier mit Hilfe der Widerstände in den Leitungen für die Phasen, in denen ein Spannungsabfall erzeugt wird, der abhängig ist von dem Strom über die Widerstände, die Drehstromgleichrichterschaltung und den Schaltkreis mit dem Transistor»
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann der parallel zu der Drehstrombrückengleichrichterschaltung angeordnete Schaltkreis aus einer Serienschaltung aus einem Widerstand und dem Transistor bestehei. Dann kann der der Basis des Transistors zugeführte Steuerstrom ein impulsförmiger Wechselstrom sein. Zweckmäßig ist es, parallel zu dem Widerstand des Schaltkreises einen Spannungsvervielfacher anzuordnen, an dessen Ausgang die hohe Gleichspannung entsteht. Der Widerstand des Schaltkreises ist dabei ein ohmscher Widerstand. Bei dieser Ausführungsform wird also der Transi-
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stor des Schaltkreises während einer Periodendauer des Steuerstroms leitend gesteuert und anschließend gesperrt. Es unterstützen sich damit die Stabilisierung der hohen Gleichspannung mit Hilfe der Vorwiderstände und zusätzlich mit Hilfe der Parallelreglerfunktion über den Widerstand des Schaltkreises.
Es ist vorteilhaft, an dem Verbindungspunkt des Widerstandes mit dem Transistor des Schaltkreises einen zweiten Schaltkreis anzuordnen. Mit Hilfe dieses zweiten Schaltkreises kann dann eine hohe Gleichspannung gewonnen werden, deren Polarität entgegengesetzt zu der Polarität der Gleichspannung liegt, die nach der oben beschriebenen Schaltung erzeugt wird. Dazu wird der zweite Schaltkreis folgendermaßen aufgebaut: An dem Verbindungspunkt zwischen Widerstand und Transistor des ersten Schaltkreises wird ein erster Kondensator angeschlossen. Die andere Anschlußklemme dieses ersten Transistors ist mit einer ersten, einer zweiten Diode und mit einem dritten Kondensator verbunden. Die erste und die zweite Diode sind dabei entgegengesetzt gepolt. Die andere Anschlußklemme der ersten Diode liegt über einen Widerstand an einem festen Potential. Der andere Anschluß der zweiten Diode ist dagegen über einen zweiten Kondensator mit dem anderen Anschluß der ersten Diode verbunden. Weiterhin ist an den anderen Anschluß der zweiten Diode eine dritte Diode angeschlossen, deren zweiter Anschluß mit der anderen Anschlußklemme des dritten Kondensators verbunden ist und deren zweiter Anschluß den Ausgang des weiteren Schaltkreises bildet. Die zweite und dritte Diode sind dabei gleich gepolt. Am Ausgang des weiteren Schaltkreises wird also eine gegenüber der ersten Ausführungsform gegenpolige Gleichspannung erzeugt, die über einen Spannungsvervielfacher in ihrem Wert erhöht werden kann.
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In einer weiteren Ausführungsform kann der Widerstand des ersten Schaltkreises eine Induktivität sein. Damit wird die Verlustleistung verringert. Bei dieser Ausführungsform kann an dem Verbindungspunkt der Induktivität mit dem Transistor ein Kondensator angeordnet sein, dessen eine Anschlußklemme zusätzlich über eine Diode mit der Induktivität und dessen andere Anschlußklemme mit einer weiteren Spannungsquelle verbunden ist. Auf diese Weise kann mit Hilfe des Kondensators die am Ausgang des Drehstrombrückengleichrichters auftretende Spannung zu der Spannung der Spannungsquelle addiert werden. Zweckmäßigerweise wird die Spannungsquelle durch eine Diodenschaltung mit hintereinander angeordneten Dioden realisiert, bei der die Verbindungspunkte der einzelnen Dioden der Diodenschaltung über Kondensatoren mit den Leitungen für die drei Phasen des Drehstromes verbunden sind. Dann liegt die andere Anschlußklemme des Kondensators an dem Verbindungspunkt zweier in seinegeschalteten Dioden, von denen eine am Ausgang der Diodenschaltung angeordnet ist, und die andere Anschlußklemme, der anderen Diode mit einen-. Kondensator miteinander verbunden sind.
Wird als Steuerstrom für den Transformator des ersten Schaltkreises ein impulsförmiger Wechselstrom verwendet, dann ist es zweckmäßig, entweder die Impulsbreite oder die Frequenz des Wechselstromes in Abhängigkeit der hohen Gleichspannung am Ausgang der Schaltungsanordnung zu ändern. Damit wird die Regelfunktion des Transistors entsprechend dem Wert der hohen Gleichspannung eingestellt.
Anhand von Ausführungsbeispielen, die in den Figuren dargestellt sind, wird die Erfindung weiter erläutert. Es zeigen:
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Fig.l eine erste Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung,
Fig.2 eine zweite Ausführungsform der erfindungsgemäßen S chaltungs anordnung,
Fig.3 eine dritte Ausführungsform der Schaltungsanordnung, Fig.4 eine vierte Ausführungsform der Schaltungsanordnung,
Fig.5 eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung des Steuerstromes für den Transistor des ersten Schaltkreises.
In Figur 1 sind die drei Leitungen für die drei Phasen des Drehstromes mit L1,L2,L3 bezeichnet. Der Eingang der Leitung Ll ist mit R, der Eingang der Leitung L2 ist mit S und der Eingang der Leitung L3 mit T bezeichnet. An die drei Leitungen L1,L2,L3 ist eine Drehstrombrückengleichrichterschaltung DG angeschlossen, deren Aufbau und Zusammenschaltung mit dän Leitungen L bekannt ist und daher nicht weiter erläutert werden muß. Parallel zu den Ausgängen A1,A2 der Brückengleichrichterschaltung DG ist ein erster Schaltkreis SH1 angeordnet, der im Ausführungsbeispiel der Figur 1 nur einen Transistor TR enthält. An der Basis des Transistors TR ist ein Steuerstrom IS angelegt. Die Leitungen L1,L2,L3 für die Phasen des Drehstromes sind weiter verlängert und haben Anschlußpunkte U,V,W. Der an den Ausgang A1 des Brückengleichrichters DG angeschlossene Widerstand R1 dient zur Strombegrenzung.
Zwischen den Anschlüssen R,S,T der Leitungen L1,L2,L3 und Verb-indungspünkten VP1,VP2,VP3 der Leitungen L1,L2,L3 mit dem Brückengleichrichter DG ist jeweils ein Vorwiderstand RR,RS,RT eingefügt. Mit Hilfe dieser Vorwiderstände wird nun die Spannung auf den Leitungen L1,L2.L3 stabilisiert.
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Zur Erläuterung der Schaltungsanordnung nach Figur 1 sei angenommen, daß die Amplitude der Wechselspannung auf der Leitung L1 am positivsten ist. Dann ist die am Verbindungspunkt VP1 angeschlossene Diode des Brückengleichrichters DG leitend gesteuert, während die an den Verbindungspunkten VP2 angeschlossenen Dioden des Brückengleichrichters gesperrt sind. Es fließt somit ein Strom über den Vorwiderstand RR, die Diode des Brückengleichrichters, den'Widerstand R1 und den Transistor TR. Der Wert dieses Stromes hängt auch davon ab, wie durchlässig der Transistor TR ist. Die Spannung am Ausgang U hängt damit von dem Strom ab, der über dem Vorwiderstand RR einen entsprechenden Spannungsabfall erzeugt. Wird nun die Amplitude der Wechselspannung am Eingang R der Leitung Ri größer, so wird auch der Strom über den Brückengleichrichter DG und den Transistor TR größer, es entsteht somit ein größerer Spannungsabfall am Vorwiderstand RR. Die Spannung am Ausgang U der Leitung L1 wird somit stabilisiert. Der für die Spannung auf den Leitungen L1 beschriebene Vorgang tritt in entsprechender Weise auch auf den übrigen Leitungen L2,L3 auf. Somit werden durch die Schaltungsanordnung die an den Ausgängen U,V,W auftretenden Spannungen auf einem Wert gehalten, der von unerwünschten Spannungsschwankungen an den Eingängen R,S,T unabhängig ist.
Zur Erzeugung der hohen Gleichspannung wird nun an die Ausgänge U,V,W ein.Drehstrombruckenglexchrichter entsprechend dem Drehstrombruckenglexchrichter DG angeschlossen. Am Ausgang des Drehstrombrückengleichrichters wird dann eine Gleichspannung abgenommen, deren Wert über einen Spannungsvervielfächer erhöht werden kann. Ein solcher Spannungsvervielfacher ergibt sich z.B. aus U.Tietze, TH.Schenk, Halbleiterschaltungstechnik, Springer-Verlag Berlin, Heidelberg,New York, 1971.Seite 37.
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Bei der Ausführungsform der Figur 1 wird somit eine Spannungsstabilisierung dadurch erreicht, daß durch Variieren des Kollektorstromes durch den Transistor TR ein unterschiedlicher Spannungsabfall an den Vorwiderständen RR, RS, RT erzeugt wird.
Die Stabilisierung gemäß Figur 1 wird mit den Schaltungsanordnungen der Figur 2 bis 4 weiter verbessert. Dabei sind gleiche Bauteile in Figur 1 und den übrigen Figuren gleich bezeichnet.
Bei der Schaltungsanordnung nach Figur 2 ist gegenüber Figur 1 der Widerstand R1 weggelassen, während der erste Schaltkreis SH1 aus einer Serienschaltung eines ohmschen Widerstandes RG und des Transistors TR besteht. Der Basis, des Transistors TR wird ein impulsförmiger Wechselstrom als Steuerstrom IS zugeführt. Parallel zu dem Widerstand RG des ersten Schaltkreises SH1 ist ein Spannungsvervielfacher SP bekannten Aufbaus angeordnet. Am Ausgang AS des Spannungsvervielfachers SP wird die hohe Gleichspannung HV von z.B. 2000 Volt abgenommen. Parallel zu dem Drehstrombrückengleichrichter - DG ist weiterhin ein Kondensator CP angeordnet, der als Puffer für Netzeinbrüche wirkt.
Zusätzlich zu der im Zusammenhang mit Figur 1 besprochenen Stabilisierung der Gleichspannung mit Hilfe der Vorwiderstände RR,RS,RT tritt hier noch eine weitere Stabilisierung durch die Parallelregelfunktion des Schaltkreises SHl im Zusammenhang mit dem Spannungsvervielfacher SP auf. Außerdem wird zur Erzeugung der hohen Gleichspannung HV keine zusätzliche Drehstroinbrückenschaltung erforderlich.
Die Funktion der Schaltungsanordnung nach Figur 2 ist folgende: Es sei wiederum angenommen, daß die Wechselspannung
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am Punkt R den größten positiven Amplitudenwert hat. Dann ist die am Verbindungspunkt VPl angeschlossene Diode des Brückengleichrichters DG leitend gesteuert und am Ausgang Al des Brückengleichrichters DG tritt eine Spannung von z.B. 1000 Volt auf. Diese Spannung liegt auch an dem Kondensator C1 und an dem Kondensator C2 an. Es sei angenommen, daß der Transistor TR leitend gesteuert ist. Damit liegt auf der einen Seite des Kondensators C2 eine Spannung von 1000 Volt, auf der anderen Seite des Kondensators T2 eine Spannung von ungefähr 0 Volt. Wird nun der Transistor TR gesperrt, dann wird die Spannung auf der anderen Seite des Kondensators C2 über den Widerstand RG von ca. 0 auf ca. 1000 Volt erhöht. Die eine Seite des Kondensators C2 folgt diesem Spannungssprung, der sich am Ausgang AS des Spannungsvervielfachers ST zu der bereits gegebenen Spannung von 1000 Volt addiert. Am Ausgang AS des Spannungsvervie." fachers SP tritt somit eine hohe Gleichspannung HV auf, deren Wert doppelt so groß ist, wie der Wert der Spannung am Punkt A1 des Brückengleichrichters DG. Durch Veränderung der Impulsbreite des impulsförmigen Wechselstromes IS1 am Eingang des Transistors TR, bzw. durch Veränderung der Frequenz der Impulse des Wechselstromes IS1 kann nun eine unerwünschte Störung der Wechselspannungen an den Eingängen R,S,T der Schaltungsanordnung ausgeglichen werden. Denn entsprechend dem Wert der Gleichspannung HV wird der Steuerstrom IS1 entweder in der Frequenz oder in der Impulsbreite geändert, und damit die Dauer der Durchlässigkeit des Transistors TR geändert. Zusätzlich zu der eben geschilderten Regelung der Ausgangsspannung HV tritt eine weitere Stabilisierung über die Vorwiderstände RR,RS,RT nach dem zu Figur 1 beschriebenen Prinzip auf.
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Der am Emitter des Transistors TR liegende Widerstand RE dient zur Strombegrenzung, die gestrichelt eingezeichnete Zenerdiode Z dient zum Schutz des Transistors TR.
Figur 3 zeigt eine weitere Ausführungsform der Schaltungsanordnung, wobei nun statt einer positiven Gleichspannung HV eine negative Gleichspannung -HV erzeugt wird. Der erste Schaltkreis SH1 ist entsprechend den ersten Schaltkreis SH1 der Figur 2 aufgebaut, es fehlt lediglich der Widerstand RE zur Strombegrenzung.
Am Verbindungspunkt VP4 zwischen dem Widerstand RG und dem Transistor TR ist ein Kondensator -C5 angeschlossen. An dem anderen Anschluß dieses Kondensators C5 sind zwei Dioden D1,D2 und ein weiterer Kondensator Cl angeschlossen. Die Diode D1 ist mit ihrem anderen. Anschlu3 über einen Widerstand mit einem festen Potential von z.B. Null Volt verbunden. Die Diode D2 ist mit ihrem anderen Anschluß mit einem Kondensator C6- und einer Diode D3 verbunden. Der Kondensator CG ist dabei weiterhin an die Diode D1 angeschlossen. Der andere Anschluß der Diode D3 bildet den Ausgang A3 des Schaltkreises SH2, er ist weiterhin mit dem Kondensator Cl verbunden.
Es sei angenommen, daß der Transistor TR gesperrt ist. Dann liegt an dem Verbindungspunkt VP4 ca. die Spannung an, die auch am Ausgang A1 des Brückengleichrichters DG vorliegt. Die andere Seite des Kondensators C5 liegt etwa auf Null Volt, da in diesem Falle die Diode D1 leitend gesteuert ist. Wird nun der Transistor TR leitend gesteuert, dann ändert sich die Spannung am Verbindungspunkt VP4 von z.B. 1000 Volt auf Null Volt. Dieser Spannungssprung überträgt sich über den Kondensator C5, dessen zweite Seite von Null Volt auf -1000 Volt geändert wird. Diese negative Spannung gelangt
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über die Diode D2?D3 zum Ausgang des Schaltkreises SH2 <, Gleichzeitig wird der Kondensator C7 auf -1000 Volt umgeladen f. so daß die hohe negative Gleichspannung -HV auch bestehen bleibt t wenn die Umladevorgänge der Kondensatoren beendet sind»
Am Ausgang A3 des zweiten Schaltkreises SH2 entsteht somit eine negative Gleichspannung HV0 An den Ausgang A3 des Schaltkreises SH2 kann auf bekannte Weise ein Spannungsvervielfacher angeschlossen werden, um dem Weit der Gleichspannung -HV weiter zu erhöhen»
Auch bei der Schaltungsanordnung der Figur 3 werden durch Stabilisierung der Gleichspannung -HV zwei sich unterstützende Prinzipien herangezogen. Das erste Prinzip beruht auf der Änderung des Spannungsabfall: über den Vorwiderständen RR,RS,RT das andere Prinzip in der Parallelreglerfunktion mit Hilfe des ersten Schaltkreises SH1„
In der vierten Ausfuhrungsform der Schaltungsanordnung ist parallel zu dem Ausgang A1,A2 des Drehstrombrückengleichrichters DG ein erster Schaltkreis SH1 angeordnet, der dieses mal aus einer Serienschaltung einer Induktivität L und dem Transistor TR besteht= Zusätzlich ist zur Strombegrenzung noch ein Emitterwiderstand RE für den Transistor TR eingefügt= Der Vorteil der Induktivität L liegt darin, daß die Verlustleistung bei der Induktivität geringer ist als die Verlustleistung eines ohmschen Widerstandes» Am Kollektor des Transistors TR ist weiterhin ein Kondensator C10 angeschlossen,, dessen andere Anschlußklemme zu einer Spannungsquelle QS führtο Mit Hilfe des Kondensators C10 kann die Spannung der Spannungsquelle QS um den Wert der Spannung am Ausgang Al des Brückengleichrichters DG erhöht werden» Zwischen der Induktivität L und dem Kondensator C10 ist eine Freilaufdiode D10 angeordnet.
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Die Funktion der Schaltungsanordnung ist folgende: Am Ausgang A1 des Brückengleichrichters DG liegt eine Spannung von z.B. 1000 Volt. Der Transistor TR sei leitend gesteuert. Dann liegt das Potential auf der einen Seite des Kondensators C10 auf ungefähr Null Volt. Wird nun der Transistor TR gesperrt, dann gelangt die Spannung am Ausgang A1 über die Induktivität L zu dem Kondensator C10. Die eine Seite des Kondensators C1O ändert sich von Null Volt auf ca. 1000 Volt, ein entsprechender Spannungssprung tritt auch auf der anderen Seite des Kondensators C10 auf. Die am Ausgang der Spannungsquelle QS bestehende Spannung wird dadurch um z.B. 1000 Volt erhöht.
Die Spannungsquelle QS kann mit Hilfe einer Diodenschaltung DS realisiert sein. Die Diodenschaltung DS besteht dabei aus Hintereinander angeordneten Dioden. Ein Teil der Verbindungspunkte jeweils zweier Dioden sind dabei über einen Kondensator CK mit den Verbindungspunkten VP1, VP2,VP3 verbunden. Die Spannung am Ausgang AG der Diodenschaltung DS wird also jeweils aus den Spannungen am Eingang R,S,T gewonnen. Die zusätzliche Spannung über den Kondensator C10 wird der Diodenschaltung DS am Verbindungspunkt VP10 zweier Dioden D12,D14 zugeführt. Am Ausgang AG der Diodenschaltung ist zusätzlich ein Kondensator C12 angeordnet, der außerdem an einem festen Potential z.B. Null Volt liegt.
Bei den Schaltungsanordnungen der Figur 2 bis Figur 4 kann die zusätzliche Stabilisierung der hohen Gleichspannung HL über die Vorwiderstände RR,RS,RT auch weggelassen v/erden. Dann erfolgt die Stabilisierung der Gleichspannung HL nur über die Parallelregelung durch den Schaltkreis SH1. Weiterhin ist es auch nicht erforderlich, zur Erzeu-
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gung der Gleichspannung HL nach dem beschriebenen Prinzip Drehstrom heranzuziehen» Es ist auch möglich, zur Erzeugung der hohen Gleichspannung HL nur eine einzige Wechselspannung zu verwenden. Dann entfällt die Drehstromgleichrichterschaltung DG, sie wird ersetzt durch eine einfache Gleichrichterschaltung.
Aus Figur 5 ergibt sich eine Schaltungsanordnung, mit der der Steuerstrom IS1 erzeugt werdenjkann. Dabei wird von der geregelten hohen Gleichspannung HV ausgegangen. Diese wird über einen Spannungsteiler aus Widerständen R2O, R22 an den Eingang eines Verstärkers VST angelegt. Am anderen Eingang des Verstärkers VST liegt eine Referenzspannung an, die den Sollwert angibt. Die Ausgangsspannung des Verstärkers VST hängt also davon ab, inwieweit die Spannung UT des Spannungsteilers R."'O,R22 von der Spannung UR abweicht. Der Ausgang des Verstärkers VST ist mit einem Taktgeber TG verbunden. Der Taktgeber TG erzeugt dann den Steuerstrom IS1, dessen Frequenz bzw. Impulsdauer von der von dem Verstärker VST abgegebenen Spannung abhängt. Der Steurstrom IS1 wird den Transistoren TR der Figuren 2 und 4 zugeführt.
11 Patentansprüche
5 Figuren
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Claims (1)

  1. ?8P 201 2 BRO Patentansprüche
    1.)Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer geregelten
    n Gleichspannung aus Drehstrom9 bei der an Leitungen für die drei Phasen des Drehstromes eine Drehstrom=- brückengleich richtersehaltung angeschlossen ist und parallel der Drehstrombrückengleichrichtersehaltung ein erster Schaltkreis mit einem Transistor angeordnet ist, dessen Basis ein Steuerstrom zugeführt wird9 dadurch gekennzeichnet^ daß in jeder Leitung (L1, L2, L3) für eine Phase des Drehstromes vor den Verbindungspunkten (VPI9 VP29 ¥P3) der Leitungen (LI9 L2P L3) ait dem Drehstrombrüekengleiehrichter (DG) ein Vor= widerstand (RRj, RS5 Rt) eingefügt ist,
    2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 19 dadurch gekennzeichnet, daß der Steuerstrom (IS) für den Transistor (TR) des ersten Schaltkreises (SH1) ein Gleichstrom ist 9 und daß zur Erzeugung der hohen Gleichspannung (HV) hinter den Verbindungspunkten (VP1, VP2? VP3) der Drehstrombrückengleichriehterschaltung (DG) mit d©n Leitungen (LI5, L29 L3) eine weitere Dreh= strombrückengleichrichterschaltung angeordnet isto
    3 * Schaltungsanordnung insbesondere nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet^ daß der parallel zu der Drehstroabrückengleichrichterschaltung (DG) angeordnete erste Schaltkreis (SH1) aus einer Serienschaltung aua einem Widerstand (RG5, L) und dem Transistor (TR) besteht, und daß der der Basis des Transistors (TR) zugeführte Steuerstrom (IS) ein impuls= förmiger Wechselstrom ist«
    4o Schaltungsanordnung nach Anspruch 3„ dadurch gekennzeichnet s, daß der Widerstand (RG) des ersten Schaltkreises (SH1) ein ohmscher Widerstand isto
    ORiGIMAL INSPECTED
    P 2 0 1 2 9RD
    5 φ Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zu dem Widerstand (RG) des ersten Schaltkreises (SH1) ein Spannungsvervielfacher (SP) angeordnet ist, an dessen AUsS311S (AS) die hohe Gleichspannung (riV) entsteht.
    6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß an dem Verbindungspunkt (VP4) des Widerstandes (RG) mit dem Transistor (TR) des ersten Schaltkreises (SH1) ein zweiter Schaltkreis (SH2) angeordnet ist, daß der zweite Schaltkreis (SH2) aus einem an dem Verbindungspunkt (VP4) angeschlossenen ersten Kondensator (C5), einer an der anderen Anschlußklemme des ersten Kondensators (C5) angeschlossenen ersten Diode (D1), die über einen Widerstand mit einem ersten festen Potential (0 Volt) verbunden ist, einer an der anderen Anschlußklemme des ersten Kondensators (C5) angeschlossenen zweiten Diode (D2), einem zwischen der ersten Diode (D1) und der zweiten Diode (D2) angeordneten zweiten Kondensator (C6), einem an der anderen Anschlußklemme des ersten Kondensators (C5) angeschlossenen dritten Kondensator (C7), dessen andere Anschlußklemme den Ausgang (A3) bildet, und einer zwischen dem Ausgang (A3) und dem Verbindungspunkt zwischen zweiten Kondensator (C6) und zweiter Diode (D2) angeordneten dritten Diode (D3) besteht, und daß von dem ersten Kondensator (C5) aus gesehen die zweite und dritte Diode (D2, D3) gleichgepolt, die erste Diode (D1; entgegengesetzt zu der zweiten und dritten Diode (D2, D3) gepolt ist.
    7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß an dem Ausgang (A3) des zweiten Schaltkreises (SH2) ein Spannungsvervielfacher angeschlossen ist.
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    -3- VPA78 ρ 2 ο 1 ? PRO
    8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Schaltkreis (Sh1) aus der Serienschaltung einer Induktivität (L) und dem Transistor (TR) besteht.
    9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß am Verbindungspunkt der Induktivität (L) mit dem Transistor (TR) ein Kondensator (C1O) angeordnetfist, dessen eine Anschlußklemme zusätzlich über eine Diode (D1O) mit der Induktivität (L) und dessen andere Anschlußklemme mit einer weiteren Spannungsquelle (QS) verbunden ist.
    10. Schaltungsanordnung nach Anspruch 9, dadurch 15gekennzeichnet, daß die Spannunsquelle (QS) eine Diodenschaltung (DS) mit hintereinander angeordneten Dioden enthält, daß ein Teil der Verbindungspunkte der Dioden der Diodenschaltung (DS) über jeweils einen Kondensator (CK) mit einer Leitung (L1, L2, L3) für die Phasen des Drehstromes verbunden sind und daß die andere Anschlußklemme des Kondensators (C1o) zwischen dem Verbindungspunkt (VP10) zweier weiterer in Serie geschalteter Dioden (D12, D14) der Diodenschaltung angeschlossen ist.
    11. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 3 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Steuerstrom (IS1) für den Transistor (TR) in Abhängigkeit der hohen Gleichspannung (HL) in seiner Impulsbreite bzw. Frequenz änderbar ist.
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