DE2759763C2

DE2759763C2 - Transistor

Info

Publication number: DE2759763C2
Application number: DE19772759763
Authority: DE
Inventors: John Martin Salfords Redhill Surrey Shannon
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1976-03-24
Filing date: 1977-03-17
Publication date: 1985-02-28

Description

Die Erfindung betrifft einen Transistor mit einem Basisgebiet, durch das der Stromdurchgang durch heiße Ladungsträger stattfindet, und mit einer Emitter-Basis- und einer Basis-Kollektor-Sperrschicht, wobei wenigstens eine dieser Sperrschichten sich zwischen dem Basisgebiet und einem zweiten Gebiet befindet, das ein Halbleitergebiet vom ersten Leitungstyp ist und eine Emitter- bzw. eine Kollektorzone bildet.

Transistoren oben beschriebener Art sind bekannt aus dem Buch von S. M. Sze, mit dem Titel »The Physics of Semiconductor Devices«, New York, 1969, S. 587 bis 613. Bei den dort beschriebenen, als »Heißelektronen«-Transistoren zu bezeichnenden Transistoren werden als heiße Ladungsträger Elektronen verwendet.

Heiße Ladungsträger sind solche, die nicht in Gleichgewicht mit dem Kristallgitter sind. So hat ein heuics Elektron eine Energie von mehreren kT, über der Fermi-Energie (wobei k und T die Boltzmannsche Konstante bzw. die Gittertemperatur sind), und ein heißes Loch eine Energie, die mehrere kT unterhalb der Fermi-Energie liegt.

Verschiedene Ausführungen eines »Heißelektronen«-Transistors sind seit vielen Jahren bekannt; aber keine genügt den Anforderungen der Praxis. Die be-

kannten Ausführungen von »Heißelektronen«-Transistoren bestanden grundsätzlich aus einer Foige abwechselnder Metall- und Isolier- oder Halbleiterschichten, wobei einige dieser Ausführungen Schcttky-Sperrschichten enthielten. Diese bekannten Schichtenanordnungen ließen sich technologisch schwer herstellen.

Im allgemeinen wurde das Basisgebiet durch eine dünne zwischengefügte Metallschicht gebildet Grenzflächenprobleme ergaben sich zwischen den verschiedenen Schichtn.aterialien. Die Ladungsträger müssen eine Anzahl von Grenzflächen zwischen verschiedenen metallischen Materialien, Halbleiter- und/oder Isoliermaterialien mit unterschiedlichen Energiebändern und Energiebandabständen durchlaufen. Dies hatte einen schlechten Ladungsträgertransport und eine geringe Emitter- und Kollektorwirkung zur Folge.

In der US-PS 39 40 783 ist ein Zonenaufbau für eine Halbleiterdiode beschrieben, in der der Hauptstromfluß durch Majoritätsladungsträger erfolgt Die Zonenanordnung enthält eine P-Ieitende Halbleiterschicht zwisehen zwei N-leitenden Halbleiterschichten; die P-Ieitende Halbleiterschicht bildet mit den beiden N-leitenden Halbleiterschichten zwei PN-Übergänge über Elektroden, an den beiden N-leitenden Halbleiterschichten wird eine Spannung zwischen den beiden N-leitenden Halbleiterschichten und somit über der zwischen dieser befindlichen P-leitenden Halbleiterschicht angelegt. Die Dicke der P-leitenden Halbleiterschicht ist so groß, vorzugsweise 1 μίτι, daß die P-leitende Halbleiterschicht bei der Vorspannung Null zu einem erheblichen Teil nid.t an Löchern erschöpft ist. Die Größe der Vorspannung wird beim Betrieb erhöht, um zu bewirken, daß sich eine der Erschöpfungsschichten, die entsprechend der Polung an einem der beiden PN-Übergänge gebildet wird, über die Dicke der P-leitenden Halbleiterschicht ausbreitet, so daß diese Schicht erst ab einem Vorspannungswert nahezu völlig erschöpft wird und dann zwischen den N-leitenden Halbleiterschichten ein Stromfluß von Majoritätsladungsträgern stattfindet.

Abgesehen davon, daß bei diesem Halbleiterbauelement die P-leitende Halbleiterschicht bei der Vorspannung Null nicht erschöpft ist, ist außerdem in der US-PS 39 40 783 von einer Verwendung einer solchen Diodenanordnung für eine Emitter-Basis- oder eine Kollektor-Basis-Sperrschicht gar nicht die Rede.

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, einen Transistor der eingangs angegebenen Art zu schaffen, der technologisch verhältnismäßig leicht herstellbar ist, bei dem der Ladungsträgertransport mit geringeren Verlusten stattfindet und bei dem der Emitter- bzw. der Kollektorwirkungsgrad besser ist als bei den bekannten, oben erwähnten »Heißelektronen«-Transistoren.

Nach der Erfindung wird diese Aufgabe durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst.

Unter Aktivatoren sind hier nicht nur die gebräuchlichen Donator- und Akzeptoratome, sondern auch Kristallgitter-Leerstellen, an dem Kristallgitterfehler, Atome mit tiefliegenden Energieniveau und andere Arten von Zentren zu verstehen, die P- oder N-Leitfähigkeit bewirken können.

Weitere Ausgestaltungen des Transistors nach der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Ein Transistor nach der Erfindung kann sowohl ein »Heißelektronen«- als auch ein »Heißlöcher«-Transistör sein. Da die Emitter-Basis-Sperrschicht, die Kollektor-Basis-Sperrschicht und das Basisgebiet in dem gleichen Halbleiterkörper untergebracht sind, werden die genannten Grenzflächenprobleme verringert oder sogar völlig beseitigt

Bei dem Transistor nach der Erfindung befindet sich wenigstens eine der zwei Sperrschichten in einem Halbleitergebiet des zweiten Leitungstyps und ist bei Vorspannung Null an beweglichen Ladungsträgern beider Leitungstypen erschöpft

Die andere der zwei Sperrschichten kann in bekannter Weise, z. B. von einem Metall-Halbleiter-Obergang einer Schottky-Elektrode, oder ebenfalls von einem bei Vorspannung Null erschöpften Sperrschichthalbleitergebiet gebildet sein.

Die Höhe der Potentialsperre zwischen dem Halbleiterbasisgebiet und dem zweiten Halbleitergebiet (und daher auch der Strom durch das Sperrschichthalbleitergebiet bei einer angelegten Vorspannung) ist von der Aktivatorkonzentration vom zweiten Leitungstyp im Sperrschichthalbleitergebiet abhängig. Diese Aktivatorkonzentration kann z. B. durch Strahlungsschäden mittels Implantation von — m bezug auf den Leitungstyp im Halbleiterkörper — neutralen Ionen erzeugt werden. Vorzugsweise aber wird diese Aktivatorkonzentration durch Dotierung mit Donator- bzw. Akzeptoratomen erzeugt, wodurch eine sehr hohe Aktivatorkonzentration auf reproduzierbare Weise erzielt wird.

Einige Ausführungsbeispiele des Transistors nach der Erfindung werden im folgenden anhand der Figur näher erläutert. Es zeigt

F i g. 1 das Energiebanddiagramm der Transistorgebiete eines Ausführungsbeispiels eines Transistors nach der Erfindung,

Fig.2 einen Querschnitt durch ein Ausführungsbeispiel eines Transistors mit einem Energiebanddiagramm nach Fig. I₁

F i g. 3 einen Querschnitt durch einen Teil einer integrierten Halbleiterschaltung mit einem Ausführungsbeispiel eines Transistors nach der Erfindung, und

F i g. 4 ein Energiebanddiagramm der Transistorgebiete eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Transistors nach der Erfindung.

Es sei bemerkt, daß die Zeichnungen nur schematisch sind und daß, insbesondere in den Querschnitten zeigenden Figuren einzelne Dicken der Deutlichkeit halber übertrieben groß dargestellt sind, während andere Dikken der Einfachheit halber herabgesetzt sind.

F i g. 1 zeigt das Energiebanddiagramm eines Beispiels eines »Heißelektronenw-Transistors nach der Erfindung, mit Basishalbleitergebiet 2, Sperrschichthalbleitergebiet 1, Schottky-Emitterelektrode M und Kollektorgebiet 3.

Die Emitterelektrode mit Schottky-Sperrschichtkontakt injiziert Elektronen in das N-leitende Basishalbleitergebiet 2; dies erfordert selbstverständlich, daß der Schottky-Sperrschichtkontakt unter einer Sperrvorspannung betrieben wird. Es sei bemerkt, daß in dem Basishalbleitergebiet 2 der Strom durch Majoritätsladungsträger, somit durch Elektronen in einem N-leitenden Basishalbleitergebiet 2 geführt wird. Die Potentialsperre der Emitter-Schottky-Sperrschicht soll derart gewählt werden, daß sie höher als die Potentialsperre des Sperrschichthalbleitergebietes 1 ist. Die Energie der Majoritätsladungsträger, die den Strom in dem Basishalbleitergebiet 2 zwischen dem Emitter- und dem Kollektorhalbleitergebiet führen, ist wesentlich höher als die Fermi-Energie, so daß ein Transistor mit diesem Aufbau als ein »Heißeleklronen«-Transistor bezeichnet werden kann.

Bei diesem »Heißelektronen«-Transistor befinden

sich, wie in F i g. 1 dargestellt ist, das Basishalbleitergebiet und die Emitter-Basis- sowie der Basis-Kollektor-Sperrschicht in ein und demselben Halbleiterkörper. Solche »Heißelektronen«-Transistoren können vernachlässigbare Minoritätsladungsträgerspeichereffekte sowohl im Emitter als auch in dem Basishalbleitergebiet aufweisen und eignen sich dann für den Betrieb mit hohen Frequenzen. Sie können auch durch eine hohe Dotierungskonzentration vom ersten Leitungstyp in dem Basishalbleitergebiet 2 einen niedrigen Basiswiderstand erhalten, und sie können für Inhomogenitäten in der Basisdotierung relativ unempfindlich sein. Daher besitzen diese Transistoren wesentliche Vorteile im Vergleich zu üblichen Bipolartransistoren vom NPN-oderPNP-Typ.

Fig.2 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines solchen »Heißelektronen«-Transistors. Das Basishalbleitergebiet 2 weist eine hohe Dotierungskonzentration vom ersten Leitungstyp (vom N-Typ) auf.

Der Emitter-Basis-Übergang wird bei dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 2 durch eine Schottky-Elektrode 40 aus z. B. Gold oder Nickel gebildet, die einen Teil des Basishalbleitergebietes 2 unter Bildung einer Schottkysperrschicht kontaktiert. Der Basiskontakt wird durch eine Elektrodenschicht 22 gebildet, die an dem Basishalbleitergebiet 2 angebracht ist. Das Kollektorhalbleitergebiet wird durch das zweite Halbleitergebiet 3 vom ersten Leitungstyp (vom N-Typ) gebildet und dieses Gebiet 3 kann Teil einer epitaktischen Schicht sein. Die Kollektorelektrodenschicht 2 kontaktiert die verbleibende Oberfläche des hochdotierten Halbleitersubstrats 13 vom ersten Leitungstyp (N-Typ), auf dessen einer Oberfläche die epitaktische Schicht abgelagert ist. Eine Schicht 30 höherer Dotierungskonzentration vom ersten Leitungstyp kann in dem Kollektorhalbleitergebiet 3 benachbart zu dem Sperrschichthalbleitergebiet 1 vom zweiten Leitungstyp vorgesehen sein. Das an beweglichen Ladungsträgern nahezu vollständig erschöpfte Sperrschichthalbleitergebiet 1 vom zweiten Leitungstyp (vom P-Typ) bildet die Basis-Kollektor-Sperrschicht des Transistors. Beim Betrieb ist die Emitterelektrode 40 negativ in bezug auf das N-leitende Basishalbleitergebiet 2 vorgespannt, das seinerseits negativ in bezug auf die Kollektor-Elektrode 23 vorgespannt ist. Zwischen der Basis- und der Kollektor-Elektrode 22 bzw. 23 wird die Sperrvorspannung über dem nahezu erschöpften Sperrschichthalbleitergebiet 1 angelegt. Die Emitter- und die Kollektor-Elektrode definieren in dem Transistor den Hauptstromweg, der durch das Basishalbleitergebiet 2, das Sperrschichthalbleitergebiet t und das Koiiektorhalbleüergebict 3 führt Wie ir. F i g. angegeben ist, kann ein Wechselstromeingangssignal zwischen der Emitter- und der Basis-Elektrode 40 bzw. 22 angelegt und ein verstärktes Ausgangssignal an dem Lastwiderstand R zwischen der Basis- und der Kollektor-Elektrode 22 bzw. 23 abgenommen werden.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform weist die Dotierungskonzentration des Basishalbleitergebietes unter der genannten Schottky-Elektrode 40 in einem Abschnitt bis zu einem Abstand von der Oberfläche des Halbleiterkörpers einen Höchstwert auf. Dies kann dadurch erreicht werden, daß bei der Dotierung durch Implantation höhere Ionenenergien eingesetzt werden. Bei dieser Ausführungsform wird bei Anlage der Sperrvorspannung ein Potentialabfall in dem Basishalbleitergebiet 2 zwischen dem Emitter und der Erschöpfungsschicht in einem Teil des Basishalbleitergebietes 2 eingeführt, so daß das Potential des Sperrschichthalbleitergebietes 1 zwischen Basis- und Kollektorhalbleitergebiet zu niedrigeren Werten in bezug auf den Emitter verschoben wird, wenn die Sperrvorspannung erhöht wird. Auf diese Weise wird eine Energieverteilung erhalten, die die Kollektorwirkung am Sperrschichthalbleitergebiet 1 begünstigt. Ein derartiger Abschnitt hoher Dotierungskonzentration ist in F i g. 1 durch die Zeichen η und η + im Basishalbleitergebiet 2 dargestellt. Die höhere Dotierungskonzentration in der Schicht 30. die im Kollektorhalbleitergebiet 3 gebildet wird, ist in F i g. 1 mit dem Zeichen η in diesem Gebiet 3 angegeben; das Zeichen n- bezeichnet die Dotierung des Hauptteils des Kollektorhalbleitergebiets 3. Diese in der Schicht 30 höhere Dotierungskonzentration des Kollektorhalbleitergebiets 3 begünstigt ebenfalls die Kollektorwirkung. .

Fig.3 zeigt einen Teil einer integrierten Halbleiterschaltung mit einem Beispiel für einen »Heißelektronen«-Transistor nach der Erfindung. In diesem Beispiel wird das zweite Halbleitergebiet 3 durch einen Inselteil einer epitaktischen Schicht vom ersten Leitungstyp (vom N-Typ) auf einem Halbleitersubstrat 13 vom zweiten Leitungstyp (vom P-Typ) gebildet. Der Inselteil 3 ist elektrisch auf bekannte Weise durch die Isolierwände 51 gegen andere Inselteile 53 der epitaktischen Schicht und durch den PN-Übergang 50 zwischen dem Inselteil 3 und denn Halbleitersubstrat 13 isoliert.

Nach der Bildung von Inseln wird der »Heißelektronen«-Transistor in dem Inselteil 3 und andere Schaltungselemente in den anderen Inselteilen 53 gebildet. Die Elektroden der unterschiedlichen Schaltungselemente werden an der Oberfläche der epitaktischen Schicht angeordnet. Die Schaltung kann z. B. eine logische Schaltung sein.

In dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 3 kontaktiert die Kollektor-Elektrode 23 des Transistors die Oberfläche des Inselteiles 3. Um den Kollektorreihenwiderstand herabzusetzen, können bekanntlich eine höher dotierte Oberflächenkontaktzone 54 und eine vergrabene Schicht 55, beide vom ersten Leiturgstyp. vorgesehen werden, wie in F i g. 3 dargestellt ist.

Der »Heißelektronen«-Transistor nach Fig. 3 unterscheidet sich von dem nach F i g. 2 auch darin, daß die Emitter-Basis-Sperrschicht aus einer Anzahl von Teilsperrschichten besteht und diese von einer Anzahl von Schottky-Elektroden 40 auf dem Basishalbleitergebiet 2 gebildet werden. Entsprechend der kammförmigen Ausbildung der Emitter-Schottky-Elektrode 40 erhält auch die Basiselektrode 22 eine Kammform. Auf diese Weise wird eine Anordnung mit herabgesetztem Basiswiderstand erhalten

Die ringförmige Zone 24 vom zweiten Leitungstyp braucht nicht eine Tiefe und eine Dotierungskonzentration aufzuweisen, die von denen des an Ladungsträgern erschöpften Sperrschichthalbleitergebietes 1 verschieden sind; diese Größen können nämlich gleiche Werte erhalten, und diese Zone 24 kann während des Dotierungsschrittes zur Bildung des Sperrschichthalbleitergebietes mit gebildet werden.

Fig.4 zeigt das Energiebanddiagramm eines weiteren Ausführungsbeispieles eines Transistors mit heißen Elektronen. Statt einer Emitter-Schottky-Elektrode enthält dieser Transistor ein drittes Halbleitergebiet 60 das den gleichen, ersten Leitungstyp wie das Basishalbleitergebiet 2 (z. B. den N-Typ) aufweist und das den Emitter des Transistors bildet Das Emitterhalbleitergebiet 60 ist von dem darunterliegenden Basishalbleitergebiet 2 durch ein Sperrschichthalbleitergebiet 61 getrennt

das die Emitter-Basis-Sperrschicht bildet. Dieses Emitter-Basis-Sperrschichthalbleitergebiet 61 ist ein Halbleitergebiet mit einer Dotierung des zweiten Leitungstyps (des P-Typs) und mit einer Dotierungskonzentration, die höher als die Dotierungskonzentration zu dem Emitter — und zu dem Basishalbleitergebiet ist, so daß eine Potentialsperre für den Durchgang von Ladungsträgern vom ersten Leitungstyp gegenüber dem Basishalbleitergebiet 2 sowie dem Emitterhalbleitergebiet 60 erhalten wird und bei Vorspannung sind Erschöpfungsschichten an der Grenze des Sperrschichthalbleitergebietes 61 zu dem Basishalbleitergebiet 2 und zu dem Emitterhalbleitergebiet 60 gebildet werden. Das Emit ter-Basis-Sperrschichthalbleitergebiet 61 ist genügend dünn, datviii diese Erschüpiungsschichicii in dem Sperr- is schichthalbleitergebiet 61 zusammenfließen, um bei Vorspannung Null nahezu vollständig das ganze Sperrschichthalbleitergebiet 61 an beweglichen Ladungsträgern vom ersten und vom zweiten Leitungstyp zu erschöpfen. So enthält ein derartiger Transistor erschöpfte Sperrschichthalbleitergebiete 61 und 1, die die Emitter-Basis- sowie die Kollektor-Basis-Sperrschichten bilden, während die Emitter-, Basis- und Kollektorhalbleitergebiete 60, 2 bzw. 3 alle den gleichen Leitungstyp aufweisen. Diese Gebiete 61 und 60 können selbstverständlich durch Ionenimplantation erzeugt werden.

Eine Ausführung des »Heißelektronen«-Transistors besteht auch darin, daß allein die Emitter-Basis-Sperrschicht durch ein an Ladungsträgern erschöpftes Sperrschichthalbleitergebiet 61 gebildet ist.

Obgleich sich die Ionenimplantation für die Bildung des dünnen Sperrschichthalbleitergebietes 1 und z. B. eines hochdotierten Basishalbleitergebietes 2 besonders eignet, so können jedoch auch andere bekannte Herstellungsverfahren angewandt werden. So eignet sich die Molekularstrahlepitaxie für die Bildung eines dünnen Sperrschichthalbleitergebietes aus einem III-V-Halbleitermaterial, z. B. Galliumarsenid. Die seitlichen Abmessungen von Halbleitergebieten, die durch Molekularstrahlepitaxie angewachsen sind, können z. B. durch örtliches Abätzen, örtliche Überdotierung oder die Bildung von halbisolierenden Zonen unter Verwendung eines örtlichen Protonenbeschusses definiert werden.

Weiterhin kann der Transistor einen Halbleiterzonenaufbau aufweisen, bei dem der Leitungstyp der einzelnen Halbleitergebiete jeweils entgegengesetzt zu dem in den Beispielen angeführter. Leitungstyp ist. So können z. B. das Basishalbleitergebiet 2 und das zweite Halbleitergebiet 3 P-leitend sein und die Dotierungskonzentration des Sperrschichthalbleitergebietes 1 kann durch Donatoratome gebildet werden. Auch ist es einleuchtend, daß Elektroden zum Anlegen einer Vorspannung über dem Sperrschichthalbleitergebiet 1 zwischen dem Basishalbleitergebiet 2 und dem zweiten Halbleitergebiet 3 und damit zum Definieren eines Stromweges, der der von dem Basishalbleitergebiet 2 nach dem zweiten Halbleitergebiet 3 über das Sperrschichthalbleitergebiet 1 verläuft, nicht direkt die Halbleitergebiete 2 und 3 zu kontaktieren brauchen, sondern indirekt mit diesen Halbleitergebieten über weitere Halbleitergebiete — auch solchen, die sogar weitere Halbleiterschaltungselemente bilden können — verbunden werden können.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Transistor mit einem Basisgebiet, durch das der Stromdurchgang durch heiße Ladungsträger stattfindet, und mit einer Emitter-Basis- und einer Basis-Kollektor-Sperrschicht, wobei wenigstens eine dieser Sperrschichten sich zwischen dem Basisgebiet und einem zweiten Gebiet befindet, das ein Halbleitergebiet vom ersten Leitungstyp ist und eine Emitter- bzw. eine Kollektorzone bildet, dadurch gekennzeichnet, daß das Basisgebiet (2) ein Halbleitergebiet vom ersten Leitungstyp ist und eine höhere Dotierungskonzentration vom ersten Leitungstyp als das zweite Gebiet (3) aufweist, daß die Sperrschicht, die sich zwischen dem Halbleiterbasis-.gebiet (2) und dem zweiten Halbleitergebiet (3) be findet, aus einem Halbleitergebiet (1) vom zweiten, zum ersten entgegengesetzten Leitungstyp besteht,

; dessen Aktivatorkonzentration so groß ist, daß eine - Potentialsperre für den Durchgang der Ladungsträger des ersten Leitungstyps zwischen dem Halbleiterbasisgebiet (2) und dem zweiten Halbleitergebiet (3) entsteht, und das außerdem so dünn ist, daß die Erschöpfungsschichten, die das Sperrschichthalbleitergebiet (1) mit dem Halbleiterbasisgebiet (2) und dem zweiten Halbleitergebiet (3) in dem Sperrschichhalbleitergebiet (1) bildet, bei Vorspannung Null das ganze Sperrschichthalbleitergebiet (1) an beweglichen Ladungsträgern beider Leitungstypen erschöpfen, so daß der Stromdurchgang durch dieses Sperrschichthalbleitergebiet (1) durch heiße Ladungsträger des ersten Leitungstyps stattfindet, und daß das zweite Halbleitergebiet (3), das Halbleiterbasisgebiet (2) und das Sperrschichthalbleitergebiet (1) alle aufeinanderfolgende Bereiche eines Halbleiterkörpers bilden.

2. Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Halbleiterg.?biet (3) in dem an das Sperrschichthalbleitergebiet (1) angrenzenden Teil (30) eine höhere Dotierungskonzentration als in dem entfernteren Teil aufweist.

3. Transistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Halbleitergebiet (3) ein Teil einer epitaktischen Schicht vom ersten Leitungstyp ist, die auf einem stark leitenden Halbleitersubstrat (13) vom ersten Leitungstyp liegt, und daß eine Elektrodenschicht (23) auf dem Halbleitersubstrat (13) angebracht ist (F i g. 2).

4. Transistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Halbleitergebiet (3) ein Teil einer epitaktischen Schicht (53) vom ersten Leitungstyp ist. die auf einem Halbleitersubstrat (13) vom zweiten Leitungstyp liegt, und daß eine Elektrodenschicht (23) auf dem zweiten Halbleitergebiet (3)angebracht ist(Fig.3).

5. Transistor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterbasisgebiet (2) mit einer Seite an eine Oberfläche des Halbleiterkörpers grenzt und an der gegenüberliegenden eo Seite durch das Sperrschichthalbleitergebiet (1) von dem dort angrenzenden Teil des zweiten Halbleitergebiets (3) getrennt wird.

6. Transistor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das an die Oberfläche grenzende Halbleiterbasisgebiet (2) seitlich von einer ringförmigen Zone (24) vom ersten Leitungstyp begrenzt wird, die das Halbleiterbasisgebiet (2) seitlich von dem dort angrenzenden Teil des zweiten Halbleitergebietes (3) trennt und sich genügend tief in den Halbleiterkörper erstreckt, um das Sperrschichthalbleitergebiet (t) zu schneiden.

7. Transistor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die ringförmige Zone (24) eine Dotierungskonzentration aufweist, die von der des Sperrschichthalbleitergebietes (1) verschieden ist.

8. Transistor nach einem der Ansprüche 1 bis 7. dadurch gekennzeichnet, daß das Sperrschichthalbleitergebiet (1) vom zweiten Leitungstyp zusätzlich eine Aktivatorkonzentration vom ersten Leitungstyp aufweist, wobei die Konzentration von Aktivatoren vom zweiten Leitungstyp mindestens zwei Größenordnungen höher als die Konzentration von Aktivatoren vom ersten Leitungstyp ist.

9. Transistor nach einem der Ansprüche 1 bis 8. dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Halbleitergebiet (3) vom ersten Leitungstyp ein Kollektorhalbleitergebiet ist, und daß ein drittes Halbleitergebiet (60) vom ersten Leitungstyp ein Emitterhalbleitergebiet des Transistors bildet und von dem Halbleiterbasisgebiet (2) durch ein zweites Sperrschichthalbleitergebiet (61) getrennt ist.

10. Transistor nach einem der Ansprüche 1 bis 8. dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrschicht einer Schouky-Elektrode (40), die auf einem Teil des Halbleiterbasisgebietes (2) angebracht ist. die Emitter-Basis-Sperrschicht bildet.

11. Transistor nach Anspruch 10. dadurch gekennzeichnet, daß die Dotierungskonzentration des Halbleiterbasisgebietes (2) unter der Schottky-Elektrode (40) in einem Abschnitt bis zu einem Abstand von der Oberfläche des Halbleiterkörpers einen Höchstwert aufweist.

12. Transistor nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter-Basis-Sperrschicht (40) oder die Kollektor-Basis-Sperrschicht aus einer Anzahl von Teilsperrschichten bestehen.