DE2753245C3 - Kurzschluß- und Überlastungsfester Transistorschalter - Google Patents

Kurzschluß- und Überlastungsfester Transistorschalter

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DE2753245C3
DE2753245C3 DE19772753245 DE2753245A DE2753245C3 DE 2753245 C3 DE2753245 C3 DE 2753245C3 DE 19772753245 DE19772753245 DE 19772753245 DE 2753245 A DE2753245 A DE 2753245A DE 2753245 C3 DE2753245 C3 DE 2753245C3
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DE
Germany
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transistor
output
circuit
voltage
base
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DE19772753245
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English (en)
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DE2753245A1 (de
DE2753245B2 (de
Inventor
Hans-Peter 1000 Berlin Daum
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Publication of DE2753245B2 publication Critical patent/DE2753245B2/de
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K7/00Modulating pulses with a continuously-variable modulating signal
    • H03K7/08Duration or width modulation ; Duty cycle modulation
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0826Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in bipolar transistor switches

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  • Electronic Switches (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen kurzschluß- und überlastungsfesten Transistorschalter gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs.
Ein derartiger Transistorschalter ist aus der DE-AS 27 310 bekannt. Im Kurzschlußfall wird der Ausgangstransistor des Transistorschalters beim Überschreiten des zulässigen Laststromes gesperrt und der Laststrom dann durch einen, mittels eines zweiten Transistors zugeschalteten ohnischen Widerstand begrenzt. Das führt zu Verlusten in diesem Widerstand. Auch wird der maximal mögliche Laststrom durch den Ausgangstransistor wegen des instabilen Betriebspunktes nicht gewährleistet.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltung für den eingangs angegebenen Transistorschalter anzugeben, mit der bei einer geringen Verlustleistung im Kurzschlußfall der maximal mögliche Laststrom aufrechterhalten werden kann.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch die im Patentanspruch gekennzeichneten Merkmale gelöst.
Der Ausgangstransistor des Transistorschalters geht nach seiner Sperrung beim Überschreiten des zulässigen Laststromes vorteilhafterweise in einen stromgeregelten Schaltbetrieb mit einem Tastverhältnis über, das eine Funktion des an den Ausgang des Transistorschalters angeschlossenen Lastwiderstandes bei maximal zulässigem Laststrom ist. Der Ausgangstransistor übernimmt bei Überlast nur die reine Schaltverlustleistung, die nicht wesentlich größer als seine Beiriebsverlustleistungisl.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert. Es zeigt F i g. 1 die Grundschaltung eines Transistorschalter,
F i g. 2 die Schaltung eines Ausl'ührungsbeispieles von einem kurzschluß- und überlastungsfesten Transistorschalter.
In der F i g. 1 ist eine F.ingangsklemnic n des Transistorschalters über einen Vorwiderstand R, mit der Basis eines Transistors 71 verbunden, dessen Emitter auf Bezugspotential liegt und dessen Kollektor über eine Reihenschaltung zweier Widerstände Ry und Ri mit der Versorgungsspannung Uo verbunden ist. Zwischen Basis des Transistors 7Ί und dem Bezugspotential liegt ein Widerstand Re- Zwischen die Widerstände R2 und /?j ist die Basis eines Transistors Ti angeschlossen, der mit einem Transistor Ti eine Darlington Schaltung bildet.
Der Emitter des Transistors T] ist über einen Widerstand Rb mit dem Bezugspotential, mit einer Klemme b, die für Fig. 1 den Ausgang des Transistorschalters darstellt und einem Anschluß eines Widerstandes /?4, der andererseits zum Kollektor des Transistors
r> Γ2 führt, verbunden. Die Versorgungsspannung der Darlington Schaltung mit den Transistoren Tz und Tj ist Uo.
In der F i g. 2 ist innerhalb des umrandeten Teiles die Fig. 1 dargestellt, die durch weitere Bauelemente erweitert ist So ist zwischen die Verbindung der Widerstände R2 und R3 außerdem der Kollektor eines Transistors Ts angeschlossen, dessen Emitter zusammen mit der Kathode einer Diode Dx auf dem Potential der Versorgungsspannung Uo liegt, und dessen Basis mit der
r> Anode der Diode D1 und über einen Widerstand R] mit dem Kollektor eines Transistors 7} und dem Belag eines Kondensators C dessen anderer Belag zum Kollektor des Transistors Ti bzw. zu der Basis des Transistors Ts führt, verbunden ist. An die Klemme b ist ein Anschluß
JH eines Widerstandes Rj und eines Widerstandes Rs, der mit einem Widerstand Rb in Reihe liegt, angeschlossen. Der andere Anschluß des Widerstandes 6 liegt auf Bezugspotential. In der Verbindung der Widerstände /?s und Rb liegt die Basis des Transistors 7}, dessen Emitter
iri zu einer Klemme C, die den Ausgang der erfindungsgemäßen Schaltung darstellt, führt.
Die Wirkungsweise des Transistorschalters nach F i g. 1 ist nun folgende:
Beim Anlegen einer positiven Spannung Uc an die Klemme a wird der Transistor 7Ί leitend und steuert den Transistor 7} auf. Dieser liefert den Basisstrom für den Transistor Tj, wodurch dieser leitend wird und sich an Klemme b eine Ausgangsspannung Ua=Uo-Uces ergibt. Bei Kurzschluß am Ausgang der Schaltung bleibt
4r> Transistor Ts im leitenden Zustand und es besteht die Gefahr seiner Zerstörung.
Im nicht überlasteten Betriebsfall ergeben sich bei dem erfindungsgemäßen Transistorschalter nach F i g. 2 die gleichen Verhältnisse, wie in Fig. 1, wenn an
μ Klemme a eine positive Eingangsspannung Uc angeschlossen ist. Die Transistoren Ti, T2 und Ts sind dann leitend. Durch Wahl der Widerstände /?s und Rb wird die Spannung U] an der Basis des Transistors T4 so eingestellt, daß sie kleiner als die Ausgangsspannung U1, an der Klemme c ist. Der Transistor 7} ist somit gesperrt, ebenso der Transistor Γ5. Die Spannung über dem Kondensator Ci ist annähernd Null Volt, da dieser über dem Transistor T2 und der Emitter-Basisstrecke des Transistors 7s und dem Widerstand R] an der
fco Versorgungsspannung Unliegt.
Die Ausgangsspannung U1, an der Klemme eist
U11= Ui,-(Uri:t i + ii ■ Ri)-
Erhöht sich nun der Ausgangsstrom ;'/. durch hri überlastung so weit, bis durch den Spannungsabfall
er Rj die Ausgangsspannung U1, um den Basis-Emitterschwellwert des Transistors T4 kleiner als U\ wird, so schallet der Transistor Tt durch. Damit wird
gleichzeitig die Spannung Ui <als die Versorgungsfoannung Up und der Transistor Tj wird leitend, so daß der Transistor T2 gesperrt wird. Damit erhält der Transistor Tj keinen Basisstrom mehr und sperrt ebenfalls. Die Ausgangsspannung LA, an Klemme c wird Null Volt und damit auch die Spannung LA· und Us.
Der Ausgangstransistor 7Ί bleibt nun so lange gesperrt, bis sich der Kondensator C\ über die Basis-Emitterstrecke des Transistors Ts und die Wider stände Äi, A4, >°i und Ri. auf nahezu + Uo aufgeladen hat.
Bei Uj=:+ Uo sperrt der Transistor 7? und 7VTj werden wieder leitend. Hierbei erhöht sich die Spannung Uj auf 2 Up. Durch die Diode D\ wird die Basisspannung von T5 auf
damit ist:
U„=t/i-i/ee = Konst. τ*
U11 = R1-Jf =Konst.
Hieraus folgt für
- u„
=Konst.
= Konst.
begrenzt, so daß an der Basis-Emitterstrecke von T5 kein Zenereffekt auftritt Der AusgangstransMor bleibt nun so lange leitend, bis sich der Kondensator C\ über den Transistor T4 auf eine Spannung LA5 < Uo entladen hat. Zu diesem Zeitpunkt wird der Transistor T5 wieder leitend und der Ausgangstransistor T3 gesperrt. Während dieser Zeit arbeitet der Transistor T4 als Konstantstromquelle, so daß /;. auf den maximal zulässigen Wert begrenzt wird.
Der Teilerstrom über die Widerstände Zf5, Rb ist U11 = /* ■ RL = Konst.
Somit ist
und
ΊιιιΙ,ι,Ι,- ~
C1t/,
d. H.,
stand
bleibt.
die Einschaltzeit von T, im überlasteten Zuist eine Funk.ion von R1, wobei /, konstant
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Kurzschluß- und überlastungsfester aus einer Versorgungsgleichspannung gespeister Transistorschalter, der beim Überschreiten des zulässigen Laststromes seines Ausgangstransistors gesperrt wird, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zur Basis-Emitter-Strecke des Ausgangstransistors (Tj) die Reihenschaltung eines Kondensators (C) und eines weiteren Transistors (Ta) vorgesehen ist,
    daß der Basisanschluß dieses weiteren Transistors (Ta) an einen Teilabgriff der Ausgangsspannung des Ausgangstransistors (Ti) angeschlossen ist, daß zwischen dem Verbindungspunkt zwischen Kondensator (C) und weiterem Transistor (Ta) sowie der Versorgungsspannung (Uo) eine Widerstands-Dioden-Serienschaltung (D] R]) mir zur Versorgungsspannung (Up) gepolter Diode (Di) vorgesehen ist und
    daß zwischen Diode (Di) und Widerstand (R]) der Basisanschluß eines Transistors (Ts) angeschlossen ist, dessen Kollektor-Emitter-Strecke zwischen der Versorgungsspannung (Uo) und der Basisansteuerung (Transistor Ti) des Ausgangstransistors (Tj) liegt.
DE19772753245 1977-11-25 1977-11-25 Kurzschluß- und Überlastungsfester Transistorschalter Expired DE2753245C3 (de)

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DE2753245A1 DE2753245A1 (de) 1979-06-07
DE2753245B2 DE2753245B2 (de) 1981-03-26
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2027310B2 (de) * 1970-06-03 1972-03-30 Siemens AG, 1000 Berlin u 8000 München Schaltungsanordnung zum elektronischen schutz einer ausgangs schaltung im empfaenger einer datenuebertragungsanlage

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DE2753245A1 (de) 1979-06-07
DE2753245B2 (de) 1981-03-26

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