DE2750805A1 - Verfahren zur herstellung metallhaltiger schichten auf oberflaechen von halbleiterbauelementen - Google Patents

Verfahren zur herstellung metallhaltiger schichten auf oberflaechen von halbleiterbauelementen

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Bugnara Raymond Di
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    • H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
    • H10P32/19—Diffusion sources
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
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    • C30B31/02—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the solid state
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