DE2733147C2 - Verfahren zum Beseitigen störender Streueffekte bei der Elektronenstrahlbelichtung - Google Patents

Verfahren zum Beseitigen störender Streueffekte bei der Elektronenstrahlbelichtung

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.
In jüngster Zeit wird die Elektronenstrahlbelichtung zur Strukturierung der Oberfläche bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen verwendet.
Mit Hilfe eines solchen Verfahrens werden Masken hergestellt, um die erforderlichen Diffusions-, Ätz- und Metallisierungsprozesse vornehmen zu können. Bei der Elektronenstrahlbelichtung wird so vorgegangen, daß die zu strukturierende Oberfläche einer Halbleiteranordnung mit einer als Elektronenresist-Schicht bezeichneten Maskierungsschicht bedeckt wird. Als Material für die Maskierungsschicht eignet sich beispielsweise PMMA (Polymethyl-Methacrylat). Die mit der Maskierungsschicht bedeckte Halbleiteranordnung wird zunächst erhitzt und dann mit dem Elektronenstrahl belichtet. In einem geeigneten Entwicklungsbild wird dann die belichtete MaskierungsKchicht entwickelt und geätzt, wodurch die belichteten Teile entfernt werden. Die Belichtung mit dem Elektronenstrahl h;\t erhebliche Vorteile. So können sehr sehmale und konturenscharfe Strukturen erzeugt werden, wobei der Elektronenstrahl mit Hilfe eines vorgegebenen Programms automatisch über die Maskierungsschicht gesteuert wird. Bei diesem Verfahren wirkt sich allerdings nachteilig der sogenannte »Proximity-Effekt« aus. Dieser Effekt beruht darauf, daß ein Teil der Elektronen unter der Maskierungsschicht in den Halbleiterkörper eindringt und aus die- sem Streukegel langsame Elektronen wieder aus dem Inneren des Halbleiterkörpers in nicht belichtete Bereiche der Maskierungsschicht eindringen. Wenn belichtete Teile der Maskierungsschicht sehr eng benachbart sind, addiert sich in dem zwischen den belichteten Bereichen liegenden Teil der Maskierungsschicht der Belichtungseffckt durch Streuelektronen. Durch diese Addition der Belichtungswirkung gestreuter Elektronen werden auch unerwünschte Teile der Maskierungsschicht ausreichend belichtet und später entwickelt.
Dieser Proximity-Effekt beschränkt daher an sich den kleinstmöglichen Abstand zwischen zwei belichteten Bereichen auf eine bestimmte Größe, die nicht ohne weiteres unterschritten werden konnte. Um trotzdem zu kleineren Strukturabständen zu gelangen, wurde bereits versucht, die Energie des Elektronenstrahls so zu variieren, daß bei eng benachbarten Strukturen die Belichtungsdosis möglichst klein bleibt. Die Belichtungsdosis kann auch durch Variation der Schreibgeschwindigke't verändert werden. Diese Verfahren sind jedoch relativ kompliziert, da die Energie des Elektronenstrahls bzw. seine Schreibgeschwindigkeit mit Hilfe eines Computers gesteuert werden muß, wobei ab zusätzlicher Steuerpa; ameier der jeweilige Abstand zwischen benachbarten Strukturen heranzuziehen ist. Außerdem konnte mit diesen Verfahren der Proximity-Effekt nicht in einem zufriedenstellenden Maß beseitigt werden.
Ein Verfahren der im Oberbegriff des Anspruches 1 angegebenen Art ist aus der GB-PS 13 63 386 bekannt. Dabei wird zur Verminderung des Proximity-Effekts ein
3r> extrem dünnes Substrat mit einer Dicke von 30—1000 nm verwendet. Dieses Verfahren kann nur dann eingesetzt werden, wenn derart dünne Substrate oder Substralbereiche zur Verfügung stehen und wird in erster Linie zur Strukturicrung von Metallschichten
«to auf der hochohmigen Schicht verwendet. Dabei ist es technisch sehr aufwendig.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, mit dessen Hilfe der Proximity-Effekt weitgehend vermieden wird und das außerdem einfach ist. Diese Aufgabe wird durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 1 angegebenen Maßnahmen gelöst.
Aus der US-Anmeldung B 5 18 226 ist es bekannt, auf einer einen Halbleiterkörper bedeckenden Elektroncnresist-Schichi einen leitfähigen Belag aufzubringen, und den Halbleiterkörper mit Hilfe eines an der leitfahigen Belag angebrachten Potentials auf einer leitfähigen Unterlage durch elektrostatische Anziehung festzuspannen. Außerdem ist über der Halbleiteranordnung in ei-
Yt nem gewissen Abstand eine Elektrode angeordnet, durch die verhindert werden soll, daß bei der Ionenimplantation aus dem Halbleiterkörper austretende Sekundärclektronen den Ionenstrahl beeinträchtigen.
Bei der Erfindung wird zur Erzeugung des eleklri-
bo sehen Feldes die Elektronenresist-Schicht mit einer an der Oberfläche angeordneten leitenden Schicht versehen, an die ein gegenüber dem Halbleiterkörper negatives Potential angelegt wird. Dieses Potential wird zweekmäßigerwcise so gewählt, daß die erzeugte Feldstärke im kritischen Bereich nahezu die Durchschlagsfeldstärke der Elektronenrcsist-Schicht bzw. die einer unter tier F.lcktronenrcsist-Sehicht liegenden hochohmigen Schicht aufweist. Die maximal möglichen Fcldstär-
ken werden in der Größenordnung von 1 bis 10 MV/cm liegen.
Die Potentialverhältnisse können so gewählt werden, daß das Potential der Halbleiteranordnung mit dem der Anode übereinstimmt und das Potential des leitfähigen Belags auf der Elektronenresist-Schicht negativer gewählt wird als das Potential des Halbleiterkörper. Andererseits kann das Potential der leitfähigen Schicht auf der Elektronenresist-Schicht mit dem der Anode übereinstimmen. Dann ist das Potential des Halbieiterkörpers positiv gegenüber dem Potential der !eitfähigen Schicht auf der Elektronenresist-Schicht.
Das beanspruchte Verfahren ist zur Strukturierung von Halbleiteranordnungen bestimmt, die auf der Oberfläche eines Halbleiterkörpers unter der Elektronenresist-Schicht eine möglichst hochohmige Schicht aufweisen. Diese hochohmige Schicht kann beispielsweise eine zu strukturierende Isolierschicht auf dem Halbleiterkörper sein. Geeignete Isolierschichten bestehen aus Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid. Die hochohinlgc Schicht kann aber auch aus einer dünnen Halbleiter-Oberflächenschicht bestehen, die beispielsweise durch Inversion oder durch einen Grenzschichteffekt zustande kommt.
Die Erfindung und ihre weitere vorteilhafte Ausgestaltung soll im folgenden noch anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert werden.
In der Figur ist eine Elektronenstrahlkanone angedeutet. Hierbei handelt es sich in der Regel um eine Dreielektrodenanlage, wobei mit 1 die Kathode, mit 2 die Wehneltelektrode und mit 3 die Anode bezeichnet ist. Der mit einer Oberflächenstruktur zu versehende Halbleiterkörper ist mit 5 bezeichnet. Seine Oberfläche ist mit einer zu strukturierenden Isolierschicht 10 bedeckt. Diese Isolierschicht besteht beispielsweise aus Siliziumdioxid und hat beispielsweise eine Dicke von 0,3 μηι. Auf der Isolierschicht befindet sich eine Elektronenresist-Schicht 11, die beispielsweise aus PMMA (Polymethyl-Methacrylai) besteht. Hierbei handelt es sich um einen sogenannten Positivresist. Diese Elektronenresist-Schicht ist mit einem dünnen Metallbelag 9 beispielsweise aus Aluminium beschichtet, an den ein Potential über die Anschlußklemme 13 angelegt werden kann. Der Halbleiterkörper selbst ist mit einem Anschlußkontakt 12 versehen, der über einen Koniakt 14 gleichfalls an ein geeignetes Potential gelegt werden kann.
Der Elektronenstrahl 4, dessen Elektronen dnc Energie von ca. 15—20 KeV haben, trifft nun beispielsweise auf das zu belichtende Gebiet 6 der Elektronenresist-Schicht 11 auf. Die in den Halbleiterkörper gelangenden Elektronen bilden einen Streukegel, der mit 8ii bezeichnet ist. Von diesem Streukegel gehen energiearme langsame Elektronen in allen Richtungen aus und können so auch, wie dies durch Pfeile angedeutet ist, durch die Oxidschicht in die Elektronenresist-Schicht 11 gelangen. Der Streukegel hat in der Regel eine maximale Eindringtiefe'zwischen 0,3 bis 1 μπι.
i In der-Figur ist ein zweiter zu belichtender Oberflächenbereich der Elektronenresist-Schicht limit der Ziffer 7 bezeichnet. Wenn mit dem Elektronenstrahl auch dieser Oberflächenbereich belichtet wird, bildet sich auch unter ihm ein Streukcgel Sb, von dem gleichfalls langsame und energiearme Elektronen in die Llektronenresist-Schicht 11 gelangen können. Die Belichtungswirkung dieser Streuelektronen addiert sich im Bereich zwischen den beiden zu belichtenden Teilen 6 und 7, so daß in dem mit 16 bezeichneten Zwischcnbcrcich eine unerwünschte Belichtung Zustandekommen kann, die in diesem Bereich zu einer Abätzung der Elektronenresist-Schicht Il beim Entwickeln dieser Schicht führt.
Nach der Erfindung geht es nun darum, diese störenden Streuelektronen durch ein geeignetes Feld davon abzuhaken, in die Elektronenresist-Schicht 11 einzudringen bzw. diese zu durchdringen. Dies geschieht am erfolgreichsten dann, wenn die unmittelbar unter der Elektronenresist-Schicht 11 liegende Schicht des HaIbleiterkörpers sehr hochohmig ist, so daß bei Anlegen eines entsprechenden Potentials an den Belag 9 in dieser Schicht 10 eine hohe Feldstärke erzeugt wird. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel, bei dem der Halbleiterkörper mit einer Isolierschicht 10 bedeckt ist, ist dies der Fall. Die hochohmige Schicht 10 muß jedoch nicht unbedingt eine Isolierschicht sein, sondern der gewünschte Effekt tritt auch dann auf, wenn der Halbleiterkörper zumindest an der Oberfläche hochohmig ist. Solche hochohmigen Oberflächenbereiche können beispielsweise durch Inversion, durch geeignete Dotierung oder durch Grenzschichieffekte Zustandekommen. Wenn über der hochohmigen Schicht eine Feldstärke von 1 MV/cm bei einer Schichtdicke von 0,2 μΐπ liegt, so werden von diesem Feld Streuelektronen mit einer Energie von 20 eV sicher abgelenkt. Da gerade diese energiearmen und langsamen Elektronen am weitesten streuen, ist ihi e Beseitigung von erheblichem Vorteil.
In der Figur ist eine geeignete Potentialaufteilung angedeutet. Beispielsweise liegt die Kathode auf einem Potential von —20 kV und die Anode auf Erdpotential. Der Metallbelag 9 wird über den Anschluß 13 zweckmäßigerweise gleichfalls mit Massepotential verbunden, während der Anschluß 12 des Halbleiterkörpers über die Verbindung 14 mit positivem Potential verbunden
J5 wird, das so groß ist, daß in der hochohmigen Schicht 10 des Halblciterkörpcrs eine geeignete Feldstärke entsteht.
Hs ist jedoch auch möglich, den Halbleiterkörper über den Anschlußkontakl 14 mit Massepotential zu verbinden und der dünne leitfähige Belag 9 über den Anschluß 13 mit negativem Potential zu verbinden. Wesentlich ist, daß das Potential der leitenden Schicht 9 stets negativ ist gegenüber dem Potential des Substrats bzw. des Halbleiterkörpers 5.
4r) Nur die sehr schnellen Streuelektronen tragen noch zur Belichtung des Spaltbereichs zwischen zwei belichteten Oberflächenbereichen der Elektronenresist-Schicht bei, doch ist die Anzahl dieser Elektronen so gering, daß sich ihre Wirkung bei der Entwicklung der
r>o Photoresist-Schicht nicht auswirkt. Durch die Beseitigung des Proximity-Effektes wird der Rechenaufwand bei der Elektronenstrahlbelichtung von Halbleiteroberflächen gering, da nun der Abstand zwischen den Strukturen von untergeordneter Bedeutung ist und extrem
γ-, klein gewählt werden kann.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Beseitigen störender Streueffekte bei der Elektronenstrahlbelichtung eines mit einer Elektronenresist-Schicht bedeckten Halbleiterkörpers, wobei die Elektronenresist-Schicht auf eine hochohmige Schicht an der Oberfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Elcktronenrcsist-Schicht (11) mit einem dünnen, leitfähigen Belag (9) bedeckt wird, der mit einem Anschlußkontakt (13) verbunden ist. an den ein gegenüber dem Halbleiterkörper negatives Potential derart angelegt wird, daß zumindest in der unmittelbaren Umgebung des Grenzbereichs zwischen der hochohmigen Schicht (10) und der Elektronenresist-Schicht (11) eine so hohe elektrische Feldstärke erzeugt wird, daß aus dem Halbleiterkörper in den Grenzbereich oder gar die Elektronenresist-Schicht (11) gelangende Streuelektronen ins Innere des Halbleiterkörpers abgelenkt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Feldstärke nahezu die Durchschlagsfeldstärke der Elektronenresist-Schicht (H) bzw. die der unter der Elektronenresist-Schicht liegenden hochohmigen Schicht (10) erreicht.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die hochohmige Schicht (10) eine Isolierschicht aus Siliziumdioxyd oder Siliziumnitrid ist.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die hochohmige Schicht (10) eine dünne Halbleiter-Oberflächenschicht ist.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Halblciter-Obcrfläehcnschicht eine Inversionsschicht ist.
6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Elektronenresist-Schicht PMMA (Polymethyl-Methacrylat) verwendet wird.
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