DE2730687A1 - Magnetische anordnung mit domaenen - Google Patents

Magnetische anordnung mit domaenen

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DE2730687A1
DE2730687A1 DE19772730687 DE2730687A DE2730687A1 DE 2730687 A1 DE2730687 A1 DE 2730687A1 DE 19772730687 DE19772730687 DE 19772730687 DE 2730687 A DE2730687 A DE 2730687A DE 2730687 A1 DE2730687 A1 DE 2730687A1
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DE19772730687
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Frederik Ate De Jonge
Antonius Gerardus Hen Verhulst
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Koninklijke Philips NV
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure

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  • Magnetic Heads (AREA)

Description

PHN. 8475-Ur ΪΙΤ·:γ,Γ!·;:τ SCHOLZ DEEN/EVH.
N.V Wl-: r,.·1 .·-...,: Mekee 2.6.1977.
"Magnetische Anordnung mit Domänen"
Die Erfindung betrifft eine magnetische Anordnung mit mindestens einer dünnen Schicht aus magnetisierbarem Material, das eine bevorzugte Magnetisierungsrichtung
aufweist, die ungefähr senkrecht auf der Oberfläche
der Schicht steht, welche Schicht mit einem Muster aus
magnetisierbarem Material und mit einem Muster aus
Magnetowiderstandsmaterial versehen ist, und weiter mit
Mitteln zum Fortbewegen magnetischer Domänen in der Schicht und Mitteln zum Detektieren magnetischer Domänen.
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ΓΗΝ. 8475·
2.6.77.
In einer derartigen Anordnung, die aus AIP Conference Proceedings Nr. 2k Magnetism an Magnetic Materials, 1974, S. 556 und 557 bekannt ist, ist die Konfiguration des Musters aus magnetisierbarem Material derart, dass in Zusammenarbeit mit den Mitteln für die Fortbewegung magnetischer Domänen in der Schicht die Fortbewegung der magnetischen Domänen verwirklicht wird. Dazu entspricht die Konfiguration der eines Fortbewegungselements für magnetische Domänen. Die Konfiguration des Musters aus Magnetowiderstandsmaterial ist derart, dass in Zusammenarbeit mit den Mitteln zum Detektieren magnetischer Domänen die Detektion der magnetischen Domänen verwirklicht wird. Dazu entspricht die Konfiguration der eines Detektionselements für magnetische Domänen, was u.a. bedeutet, dass dieses Muster im Zusammenhang mit der Magnetowiderstandsdetektion Strom führen können muss. Die zwei Muster sind von der Schicht aus magnetisierbarem Material durch eine Schicht SiO„ getrennt.
Bei der Herstellung der Anordnung werden mit Hilfe der Maskentechnologie nacheinander zwei Muster angebracht. Dies bedeutet, dass beim Anbringen des zweiten Musters die betreffende Maske sehr genau in bezug auf das erste Muster ausgerichtet sein muss. Im Artikel ist erwähnt, dass hierdurch Beschränkungen bei abnehmender Grosse der Domänen auf einen Durchmesser von 1 /urn auftreten.
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PHN. 8475·
2.6.77.
Bei der erfindungsgemässen Anordnung tritt diese Beschränkung nicht auf, ausserdem können Domänen mi't einem Durchmesser unter 1 /um verbindet werden. Dazu besitzen die Muster zumindest im Teil der Anordnung, in dem die Detektion der magnetischen Domänen erfolgt, nahezu die gleiche Konfiguration, wobei sich das eine Muster zwischen der Schicht aus magnetisierbarem Material und dem anderen Muster befindet. Ausser weiteren noch zu erwähnenden Vorteilen ermöglicht es diese Konfiguration der Muster die Herstellung der Muster mit einer einzigen Maske.
Im Teil der Anordnung, in dem die Detektion der magnetischen Domänen erfolgt, ist die Konfiguration der Muster die eines stromführenden Musters, weil dies für das Muster aus Magnetowiderstandsmaterial im Zusammenhang mit der Magnetowiderstandsdetektion erforderlich ist. Die Bedingung, dass die Konfiguration auch die eines Fortbewegungsmusters ist, bleibt selbstverständlich aufrechterhalten. Hinsichtlich der gegenseitigen elektrischen Leitfähigkeit der Muster sei noch folgendes bemerkt.
ZO Bei zwei Mustern, die über ihre ganze Oberfläche elektrischleitend miteinander verbunden sind, wird die Detektion nicht unvorteilhaft beeinflusst, wenn der Parallelwiderstand der zwei Muster nicht zu sehr vom Widerstand des Magnetowiderstandsmusters abweicht; der Parallel widerstand der zwei Muster im Teil, in dem die Detektion
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PHN. 8^4
& 2.6.77.
erfplgt, ist vorzugsweise mehr als zehnmal kleiner als der Widerstand des Musters aus Magnetowiderstandsmaterial. Dies lässt sich durch die Vahl der Widerstände der zwei Muster oder durch Trennung der zwei Muster voneinander durch ein zumindest teilweise elektrisch isolierendes nahezu nicht magnetisches Material verwirklichen.
Im Teil der Anordnung, in dem keine Detektion der magnetischen Domänen erfolgt, ist es möglich, dass die beiden Muster die gleiche Konfiguration aufweisen, und zwar die eines Fortbewegungselements. Das Muster aus Magnetowiderstandsmaterial erfüllt in diesem Teil keine Funktion. Es ist weiter möglich, dass in diesem Teil kein Muster aus Magnetowiderstandsmaterial vorhanden ist.
Insbesondere befindet sich das Muster aus Magnetowiderstandsmaterial zwischen der Schicht aus ■agnetisierbarem Material und dem Muster aus magentisierbaren Material ν Dies bedeutet, dass das Muster aus Material, mit dessen Hilfe die magnetischen Domänen detektiert werden, sich zwischen der Schicht aus magnetisierbarem Material, in dem sich die magnetischen Domänen befinden, und dem Muster aus magnetisierbarer!] Material befindet, mit dessen Hilfe die magnetischen Domänen transportiert werden. In diesem Falle befindet sich das .25 Detektionsmuster näher bei den magnetischen Domänen, was für die Detektion vorteilhaft ist. Die Tatsache der
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PHN. 8475-
h 2.6.77.
- r-
nahezu gleichen Konfiguration der Muster bietet weiterhin die Möglichkeit, das vom Messtrom durch das Detektionsmuster herrührende Streufeld, das auf die magnetischen Domänen einwirkt, auszugleichen. Dazu ist das Muster aus * magnetisierbarem Material elektrisch leitend. Beim Detektieren wird dabei durch das Fortbewegungsmuster ist Teil, in dem die Detektion erfolgt, ein Strom gesandt, der dem Strom im Detektionsmuster entgegengesetzt fliesst. Durch"die Wahl der Grosse des Stromes durch das Fortbe wegungsmuster ist es möglich, zu bewirken, dass nahezu kein oder gar kein Streufeld auf die magnetischen Domänen einwirkt. Die Grosse des Stromes durch das Fortbewegungsmuster ist vom Messtrom durch das Detektionsmuster und von der gegenseitigen Position des Fortbewegungsmusters und des Detektionsmusters in bezug auf die magnetisierbare Schicht abhängig.
Der Messtrom durch das Detektionsmuster veranlasst nicht nur ein Streufeld, das auf die magnetischen Domänen einwirkt, sondern auch ein Streufeld, das auf das Fortbewegungsmuster einwirkt und auf diese Weise
j
die Fortbewegung der magnetischen Domänen beeinflusst.
Dies lässt sich fördern, wenn zwischen dem Muster aus Magnetowiderstandsmaterial und dem Muster aus magnetisierbarem Material ein Muster elektrisch leitenden, nahezu nicht magnetischen Materials nahezu der gleichen
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PHN. 8*475-2.6.77.
Konfiguration vorhanden ist, das von einem Muster zumindest teilweise elektrisch isolierenden, nahezu nicht magnetischen Materials des Musters aus Magnetowiderstandsmaterial getrennt ist. Beim Detektieren wird dabei durch das Muster aus elektrisch leitendem, nahezu nicht magnetischem Material ein Strom gesandt, der dem im Detektionsmuster entgegengesetzt verläuft. Durch die Wahl der Grosse des Stromes durch das Muster elektrisch leitenden Materials ist es möglich, zu bewirken, dass nahezu kein oder gar kein Streufeld auf die magnetischen Domänen einwirkt, während das Streufeld, das aus dem Messtrom durch das Detektionsmuster herrührt und auf das Fortbewegungsmuster einwirkt, wenigstens teilweise ausgeglichen wird.
Wird im Teil der Anordnung, in dem die Detektion erfolgt, das Detektionsmuster an einem Ende elektrisch mit dem Muster magnetisierbaren, elektrisch leitenden Materials oder mit dem Muster elektrisch leitenden, nicht magnetischen Materials verbunden, so ist kein gesonderter Strom Tür den Ausgleich der Streufelder erforderlich, denn dabei fliesst der gleiche Strom in einem Muster dem in anderem Muster entgegengesetzt,
infolgedessen nahezu kein Streufeld im einen Fall auf die magnetischen Domänen und im anderen Fall auf die magnetischen Domänen und das Fortbewegungsmuster einwirkt. Insbesondere sind dabei im einen Fall das Muster aus
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PHN
Magnetowiderstandsmaterial und das Muster aus magnetisierbarem Material im Teil der Anordnung, in dem die Detektion erfolgt, an einem Ende elektrisch miteinander verbunden. Im anderen Fall sind das Muster aus Magnetowiderstandsmaterial und das Muster aus elektrisch leitendem, nahezu nicht magnetischem Material im Teil der Anordnung, in dem die Detektion erfolgt, an einem Ende elektrisch miteinander verbunden.
Εε gibt mehrere Weisen zum Herstellen der Anordnung.
In allen Fällen wird zunächst auf einem nicht magnetischen Substratkörper eine dünne Schicht aus magnetisierbarem Material angebracht. Es ist die Schicht, in der sich die magnetischen Domänen befinden werden. In einem ersten Fall wird diese Schicht aus magnetisierbarem Material mit Hilfe einer einzigen Maske auf jenen Teilen mit einem löslichen Lack versehen, an denen sich die Muster aus magnetisierbarem Material und aus Magnetowiderstandsmaterial nicht befinden dürfen. Danach wird auf der " . stellenweise mit Lack versehenen Schicht aus magnetisierbarem . , Material eine Schicht aus magnetisierbarem Material und «ine Schicht aus Magnetowiderstandsmaterial in der gewünschten Reihenfolge angeordnet und '.gegebenenfalls auch noch zwischen diesen zwei Schichten eine Schicht aus mindestens teilweise elektrisch isolierendem, nahezu ' nicht magnetischem Material. Schliesslich wird der Lack
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PHN. 8475.
gelöst, wodurch die stellenweise vorhandenen Teile der angebrachten Schichten entfernt werden.
In einem zweiten Fall wird auf der Schicht aus magnetisierbarem Material eine Schicht aus magnetisierbarem Material und eine Schicht aus Magnetowiderstandsmaterial in der gewünschten Reihenfolge angebracht, und gegebenenfalls auch noch zwischen diesen zwei Schichten eine Schicht aus zumindest teilweise elektrisch isolierendem, nahezu nicht magnetischem Material. Danach wird das Ganze mit Hilfe einer einzigen Maske auf jenen Teilen mit einem löslichen Lack versehen, an denen sich die Muster aus magnetisierbarem Material und aus Magnetowiderstandsmaterial befinden müssen. Durch Sputterätzen werden die nicht mit Lack bedeckten Teile von den Schichten entfernt und schliesslich wird der Lack gelöst.
Es sei bemerkt, dass aus IEEE Transactions on Magnetics, Vol. MAG-9, No. 3, Sept. 1973, S.474 ... 480, eine magnetische Anordnung bekannt ist, bei der die Schicht aus magnetisierbarem Material mit einem einzigen Muster aus Magnetowiderstandsmaterial versehen ist, welches Muster derartige magnetisierbare Eigenschaften aufweist, dass in Zusammenarbeit mit den Mitteln für das Fortbewegen magnetischer Domänen die Fortbewegung verwirklicht wird, während in Zusammenarbeit mit den Mitteln zum Detektieren magnetischer Domänen die
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-Jt*
PHN. 8*175. 2.6.77.
Detektion verwirklicht wird. Diese Anordnung bietet zwar den Vorteil, dass das Muster mit einer einzigen Maske hergestellt wird, aber da dieses eine Muster sowohl den Anforderungen hinsichtlich der Fortbewegung als auch denen hinsichtlich der Detektion entsprechen muss, ist Verwirklxchung nur mit einem Kompromis hinsichtlich der Dicke des Musters und der Eigenschaften des Materials möglich.
Die Erfindung wird beispielsweise an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 schematisch die Anordnung;
Fig. 2 schematisch einen Teil der Anordnung in Draufsicht;
Fig. 3 einen schematischen Schnitt längs der Linie III-III in Fig. 2;
Fig. h einen schematischen Schnitt längs der Linie IV-IV in Fig. 2;
Fig. 5 schematisch einen anderen Aufbau als den hach Fig. k}
Fig. 6-a und 6b schematisch einen anderen Aufbau als den nach Fig. 2 und 3;
Fig. 7a und 7b schematisch einen anderen Aufbau als den nach Fig. 2 und 3·
Fig. 1 stellt schematisch eine erfindungsgemässe Anordnung dar, von der ein Teil 1 zumindest eine dünne
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PHN. 8'»75· 2.6.77.
Schicht aus magnetisierbarem Material enthält, welche Anordnung weiterhin einen Teil 2 mit Mitteln zum Fortbewegen magnetischer Domänen in der Schicht und einen Teil 3 mit Mitteln zum Detektieren magnetischer Domänen J enthält.
Fig. 2 stellt einen Teil 11 einer Draufsicht des Teiles 1 dar, und zwar einen Teil, in dem magnetische Domänen weitertransportiert und detektiert werden. In Fig. 2 sind eine magnetisierbare Schicht 12 und weiterhin Muster 13f 1^» 15 und 16 sichtbar, von denen die obere Schicht aus magnetisierbarem Material besteht. Die Muster 13i 1** und 15 enthalten je sogenannte Chevronstreifen 17. Das Muster 16 enthält eine Einheit aus einem Streifen 18 und aus Chevronstreifen 19t die auf diese Weise miteinander verbunden sind. Die Konfiguration
des Musters 16 ist die eines Fortbewegungsmusters, weil die Chevronstreifen 19 vorhanden sind, und die eines stromleitenden Musters durch den Streifen 18.
Fig. 3 zeigt einen schematischen Schnitt längs der Linie III-III nach Fig. 2. Die magnetisierbare Schicht 12 befindet sich auf einem Substrat 20 und hat eine bevorzugte Magnetisierungsrichtung, die ungefähr senkrecht auf der Oberfläche der Schicht steht. Das Muster 15 enthält die Chevronstreifen 17 und ist aus einem unteren Teil 21 aus Magnetowiderstandsmaterial, einem Teil■22 aus elektrisch isolierendem, nicht magnetischem
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PHN.
ill 2.6.77-
Material und einem oberen Teil 23 aus magnetisierbarem Material aufgebaut, das auch in Fig. 2 dargestellt ist. Fig. k zeigt einen schematischen Schnitt längs der Linie IV-IV in Fig. 2. Die magnetisierbare Schicht befindet sich auf dem Substrat 20. Das Muster 16 enthält den Streifen 18 und die Chevronstreifen 19 und ist aus einem unteren Teil 2k aus Magnetowiderstandsmaterial, einem Teil 25 aus elektrisch isolierendem, nicht magnetischem Material und einem oberen Teil 26 aus magnetisierbarem Material aufgebaut, das auch in Fig. 2 dargestellt ist. Die Enden des unteren Teils 2k des Streifens 18 sind ausserhalb des in Fig. 2 dargestellten Teiles mit einer Stromquelle verbunden, die zum Teil 3 gehört.
Unter dem Einfluss eines vom Teil 2 erzeugten, in der Ebene der Schicht 12 drehenden Magnetfeldes, das mit den oberen Teilen der Chevronstreifen zusammenarbeitet, werden magnetische Domänen des Musters 13
zum Muster 14, darauf zum Muster 15 und anschliessend zum Muster 16 weitertransportiert. Im Muster 16 werden die' magnetischen Domänen mit Hilfe eines vom Teil 3 gelieferten Stromes detektiert, der durch den unteren Teil 2k des Streifens 18 fliesst.
Fig. 5 zeigt einen schematischen Schnitt des
Aufbaus des Musters 16, der von dem in Fig. k abweicht. Die magnetisierbare Schicht 12 befindet sich auf dem
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ΓΗΚ. 8^75· 2.6.77-
Substrat 20. Das Muster 16 enthält den Streifen 18 und die Chevronstreifen 19 und ist aus einem unteren Teil 27 aus Magnetowiderstandsmaterial, einem Teil 28 aus elektrisch isolierendem, nicht magnetischem Material S ■ und einem oberen Teil 29 aus magnetisierbarera Material aufgebaut, das in diesem Falle ebenfalls elektrisch leitend ist. Am einen Ende des Streifens 18 sind die Teile 27 und 29 mit Hilfe elektrisch leitenden Materials miteinander verbunden. In diesem Fall sind die anderen, nicht dargestellten Enden der Teile 27 und 2^ des Streifens 18 mit einer Stromquelle verbunden, die zum Teil 3 gehört. Diese Konfiguration bietet den Vorteil, dass nahezu kein Streufeld aus dem bei der Detektion benutzten Messtrom auf die magnetischen Domänen einwirkt. Ausserdem bietet diese Konfiguration den Vorteil, dass die zwei Stromanschlüsse an einer Seite des Musters 16 liegen, so dass ein Stromanschluss zur anderen Seite, der den Bewegungspfad· der Domänen kreuzen würde, unterbleiben kann.
Fig. 6a zeigt einen schematischen Schnitt mit Chevronstreifen 31* die anders«aufgebaut sind als die nach Fig. 3· Auf einem Substrat 32 ist eine magnetisierbare Schicht 33 vorhanden, die eine bevorzugte Magnetisierungsrichtung aufweist, die etwa senkrecht auf der Oberfläche der Schicht steht. Auf dieser Schicht befindet sich eine Distanzschicht Jk. Die Chevronstreifen 31 sind aus einem
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PHN. 8475.
unteren Teil 35 aus Magnetowiderstandsmaterial, einem darauf angebrachten Teil 36 aus elektrisch isolierendem, nicht magnetischem Material, einem Teil 37 aus elektrisch leitendem, nicht magnetischem Material und einem Teil aus magnetisierbarem Material aufgebaut.
Fig. 6b zeigt einen schematischen Schnitt durch den Teil mit Streifen und Chevronstreifen, der den Chevronstreifen 31 nach Fig. 6a antspricht' und selbstverständlich einen anderen Aufbau aufweist als der nach Fig. h. Auf dem Substrat 32 ist die magnetisierbare Schicht und darauf die Distanzschicht "}h vorgesehen. Der Streifen und die Chevrons sind aus einem unteren Teil 39 aus Magnetowiderstandsmaterial, einem darauf angebrachten Teil kO aus elektrisch isolierendem, nicht magnetischem Material, einem Teil hl aus elektrisch leitendem, nicht magnetischem Material und einem Teil kZ aus magnetisier-. barem Material aufgebaut. Die Enden des unteren Teiles des Streifens sind mit einer nicht dargestellten Stromquelle verbunden. Die Enden des Teiles Ή des Streifens sind ebenfalls mit einer nicht dargestellten Stromquelle verbunden. Die magnetischen Domänen werden mit Hilfe eines Messtromes" detektiert, die durch den unteren Teil des Streifens fliesst. Das von diesem Messtrom erzeugte Streufeld, das auf die magnetischen Domänen in der Schicht 33 und auf die Fortbewegungsschicht k3 einwirkt,
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PHN. 8*175· Jt 2.6.77.
wird durch einen entgegengesetzt gerichteten Strom ausgeglichen, der durch den Teil 41 des Streifens fliesst.
In einem bestimmten Fall besteht das Substrat aus Gadolinium-Gallium-Granat und die magnetisierbare Schicht 33 mit einer Dicke von 5/um aus Smn „Υ~ -Ga1 „Fe„ „0,o.
o Die Distanzschicht 33 hat eine Dicke von 4000 A und
besteht aus SiO , wobei χ etwa 2 ist. Die Teile 35 und
haben eine Dicke von 4θΟ A und bestehen aus Nickeleisen mit 80 At.# Ni und 20 At.# Fe . Die Teile 36 und 4θ
haben eine Dicke von 4000 A und bestehen aus SiO , wobei χ etwa den Wert 2 hat. Die Teile 37 und 41 haben
eine Dicke von 2000 A und bestehen aus Aluminium.
ο Die Teile 38 und 42 haben eine Dicke von 4000 A und
bestehen aus Nickeleisen mit 80 At.% Ni und 20 At.# Fe.
Fig. 7a zeigt einen schematischen Schnitt mit Chevronstreifen 43, die anders aufgebaut sind als die nach Fig. 3 und 6a. Auf einem Substrat 44 ist eine magnetisierbare Schicht 45 vorhanden, die eine bevorzugte Magnetisierungsrichtung aufweist, die etwa senkrecht auf der Schichtoberfläche steht. Auf dieser Schicht befindet sich eine Distanzschicht 46. Die Chevronstreifen sind aus einem unteren Teil 47 aus magnetisierbarem Material und einem oberen Teil 48 aus Magnetowiderstandsmaterial aufgebaut. Die Distanzschicht 46 dient zum Erzeugen des Abstandes zwischen der magnetisierbaren Schicht 45 und
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-3HN. 84/5.
dem Muster 47 des magnetisierbaren Materials zum einwandfreien Funktionieren der Anordnung.
Fig. 7b zeigt einen schematischen Schnitt durch den Teil mit Streifen und Chevronstreifen, der den Chevronstreifen nach Fig. 7a entspricht und selbstverständlich einen anderen Aufbau als der nach Fig. 4 und 6b hat. Auf dem Substrat 44 ist die magnetisierbare Schicht 45 vorgesehen und darauf die Distanzschicht 46. Der Streifen und die Chevronstreifen sind aus einem unteren Teil 49 aus magnetisierbarem Material und einem oberen Teil 50 aus Magnetowiderstandsmaterial aufgebaut. Die Enden des oberen Teiles 50 des Streifens sind mit einer nicht dargestellten Stromquelle verbunden. Wenn die Zusammensetzung des magnetisierbaren Materials des unteren Teiles 49 derart ist, dass die Teile 49 und 50 über ihre ganze Oberfläche elektrisch leitend miteinander verbunden sind, sind die Teile beispielsweise durch die Wahl ihrer Zusammensetzungen derart ausgeführt, dass der Parallelwiderstand der Teile 49 und 50 zwischen den Anschlüssen der Stromquelle nicht mehr als zehnmal kleiner ist als der Widerstand des Teiles 50 zwischen den Anschlüssen.
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Claims (2)

  1. PHN. 8475.
  2. 2.6.77^730687
    PATENTANSPRÜCHE:
    Λ.) Magnetische Anordnung mit mindestens einer dünnen Schicht aus einem magnetisierbaren Material, das eine bevorzugte Magnetisierungsrichtung aufweist, die ungefähr senkrecht auf der Oberfläche der Schicht steht, welche Schicht mit einem Muster aus magnetisierbarem Material und. mit einem Muster aus Magnetowiderstandsmaterial versehen ist, und weiter mit Mitteln zum Fortbewegen magnetischer Domänen in der Schicht und Mitteln zum Detektieren magnetischer Domänen, dadurch gekennzeichnet, dass die Muster im Teil der Anordnung, in dem die Detektion der magnetischen Domänen erfolgt, nahezu die gleiche Konfiguration besitzen, wobei sich das eine Muster zwischen der Schicht aus magnetisierbarem Material und dem anderen Muster, befindet. 2. Magnetische Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Parallelwiderstand der zwei Muster im Teil, in dem die Detektion erfolgt, nicht mehr als zehnmal kleiner ist als der Widerstand des Musters aus Magnetowiderstandsmaterial.
    3· Magnetische Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die zwei Muster durch ein zumindest teilweise elektrisch isolierendes, nahezu nicht magnetisches Material voneinander getrennt sind.
    709885/0819
    ORIGINAL INSPECTED
    PHN.
    2.6.77.
    U. Magnetische Anordnung nacli einem der Ansprüche 1,2 und 31 dadurch gekennzeichnet, dass das Muster aus magnetisierbarem Material elektrisch leitend ist. 5· Magnetische Anordnung nach einem der Ansprüche I1 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, dass sich zwischen dem Muster aus Magnetowiderstandsmaterial und dem Muster aus magnetisierbar ein Material ein Muster elektrisch leitenden, nahezu nicht magnetischen Materials nahezu der gleichen Konfiguration vorhanden ist, das von einem Muster zumindest teilweise elektrisch isolierenden, nahezu nicht magnetischen Materials des Musters aus Magnetowiderstandsmaterial getrennt ist.
    6. Magnetische Anordnung nach Anspruch k, dadurch gekennzeichnet, dass die Muster im Teil der Anordnung, in den die Detektion erfolgt, an einem Ende elektrisch Miteinander verbunden sind.
    7· Magnetische Anordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Muster aus Magnetowiderstands— ■aterial und das Muster aus elektrisch leitendem, nahezu nicht magnetischem Material im Teil der Anordnung, in den die Detektion erfolgt, an einem Ende elektrisch Miteinander verbunden sind.
    709886/0619
DE19772730687 1976-07-20 1977-07-07 Magnetische anordnung mit domaenen Withdrawn DE2730687A1 (de)

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Also Published As

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GB1581607A (en) 1980-12-17
JPS5731234B2 (de) 1982-07-03
NL7608003A (nl) 1978-01-24
JPS5312237A (en) 1978-02-03
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