DE2725833C2 - Auskopplungsspiegel eines Gasentladungslasers - Google Patents

Auskopplungsspiegel eines Gasentladungslasers

Info

Publication number
DE2725833C2
DE2725833C2 DE2725833A DE2725833A DE2725833C2 DE 2725833 C2 DE2725833 C2 DE 2725833C2 DE 2725833 A DE2725833 A DE 2725833A DE 2725833 A DE2725833 A DE 2725833A DE 2725833 C2 DE2725833 C2 DE 2725833C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layers
refractive index
film
substrate
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2725833A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2725833A1 (de
Inventor
Gijsbertus Bouwhuis
Johannes van der Eindhoven Wal
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2725833A1 publication Critical patent/DE2725833A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2725833C2 publication Critical patent/DE2725833C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08059Constructional details of the reflector, e.g. shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/03Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/034Optical devices within, or forming part of, the tube, e.g. windows, mirrors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22Gases
    • H01S3/2222Neon, e.g. in helium-neon (He-Ne) systems

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Auskopplungsspiegel nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Ein solcher Auskopplungsspiegel ist aus dem Buch von H. Weber und G. Herziger: »Laser, Grundlagen und Anwendungen«, Physik Verlag, Weinheim 1972, Seiten 230 bis 232, bekannt. Hierbei sind auf einem Glassubstrat abwechselnd Schichten mit niedriger und hoher Brechungszahl aufgedampft. Ein Problem bei diesen Spiegeln ist die Reflexion des von der Substratseite in den Spiegel zurückkommenden Laserlichtes.
Gasentladungslaser haben einen großen Anwendungsbereich. Sie werden häufig in Meßvorrichtungen, wie lnterferometern, und dgl, verwendet. Auch finden sie Anwendung in Vorrichtungen zum Auslesen von Aufzeichnungsträgern, auf die Information, z. B. BiId- und/oder Toninformation, in einer optisch auslesbaren Informationsstruktur, aufgezeichnet ist. Sie bilden darin eine monochromatische Strahlungsquelle, die ein Lichtbündel emittiert, das auf den Aufzeichnungsträger fällt und von diesem in einem Detektionssystem reflektiert wird. Eine derartige Vorrichtung ist u.a. in »Philips Technische Rundschau«, VoL 33. 1973/74 Nr. 7, S. 198—201 beschrieben. Darin wird bemerkt, daß es notwendig ist, dafür zu sorgen, daß nicht eine zu große Menge des an der Plattenoberfläche reflektierten und modulierten Lichtes in den Laser zurückkehren kann. Diese Rückkopplung würde nämlich unerwünschte Schwankungen in der Ausgangsleistung des Lasers herbeiführen.
Falsches licht, das an Einzelteilen der Vorrichtung, wie dem Auskopplungsspiegel, reflektiert wird, kann an der Stelle des Detektors mit dem primären Bündel interferieren und dabei zu sehr tiefer Modulation des Detekt^rsignals führen. Derartige Schwankungen der Ausgangsleistung und eine derartige Modulation sind in vielen Fällen auch bei anderen Anwendungen, wie in lnterferometern, unerwünscht
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Auskopplungsspiegel für einen Gasentladungslaser zu schaffen, der auf seiner Außenseite (Substratseite) eine sehr geringe Reflexion falschen Lichtes aufweist, während die Reflexion auf seiner Innenseite groß und die Verlustleistung minimal sind.
Diese Aufgabe wird bei einem Auskopplungsspiegel eingangs erwähnter Art gemäß der Erfindung durch die im kennzeichnenden'*?eil des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst
Mit »optischer Impedanz« Z= E/Hist dabei der Quotient aus elektrischer Feldstärke E und magnetischer Feldstärke H zu verstehen; vgl. dazu das Buch von C. Zwikker »Fysische materiaalkunde«, Wetenschappelijke Uitgeverij, Amsterdam/1968.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß in dem Auskoppelspiegel auf diese Weise ein Hohlraumresonator gebildet wird, in dem das falsche reflektierte Licht eingefangen und von dem strahlungsschwächenden Film geschwächt wird. Das zurückkommende Laserlicht wird daher nicht wieder abgestrahlt
Eine bevorzugte Ausführungsform eines derartigen Auskopplungsspiegels nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß auf das Substrat nacheinander eine Schicht mit einer hohen Brechungszahl, eine Schicht mit einer niedrigen Brechungszahl, der strahlungsschwächende Film, eine Schicht mit einer niedrigen Brechungszahl und eine Anzahl von Schichten mit abwechselnd hoher und niedriger Brechungszahl aufgebracht sind.
Der Strahlungsschwächende Film ist vorzugsweise ein Metallfilm mit einer optischen Dicke zwischen 0,01 A und 0,03 A, wobei A die Wellenlänge des erzeugten Laserlichtes ist. Dieser Film kann aber auch aus einem Cermet bestehen. Bei einem Metallfilm mit einer optischen Dicke von 0,02 A wurden optimale Ergebnisse erzielt.
Ein derartiger Metallfilm kann vorzugsweise aus einem oder mehreren Metallen aus der durch Ti, Ag, Cr, Al, Mg und Ni gebildeten Gruppe bestehen.
Ein Gasentladungslaser mit einem Auskopplungsspiegel der beschriebenen Art eignet sich besonders gut zur Anwendung in einer Vorrichtung zum Auslesen eines Aufzeichnungsträgers, weil dabei die genannten Schwankungen und Modulationen, die bei Verwendung bekannter Spiegel auftreten, die Wirkung beeinträchtigen würden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nunmehr anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 schematisch einen üblichen Gasentladungslaser, in dem der erfindungsgemäße Auskopplungsspiegel
verwendet werden kann,
Fl g. 2 einen Aufbau eines bekannten Auskoppelspiegels mit 21 Schichten,
F i g. 3 einen Auskopplungsspiegel nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Bei dem Gasentladungslaser nach F i g. 1 sind unmittelbar auf dem vorzugsweise zylindrischen Teil einer Gasentladungsröhre, die das Laserrohr t bildet, Mehrschichtenspiegel 2 und 3 mit Hilfe eines Zweikomponentenkitts 26 befestigt Diese Mehrschichtenspiegel 2 und 3 bestehen aus Substraten 4 und 5, auf die Mehrschichtenpakete 6 und 7 z. B. durch Aufdampfen aufgebracht sind. Mit Hilfe der in Seitenrohren liegenden Elektroden 24 und 25 wird eine Entladung in dem Laserrohr 1 erzeugt Durch stimulierte Emission wird ein Laserstrahl erhalten, der über einen der Mehrschichtenspiegel, den Auskoppk.ngsspiegel, den Laser verläßt Der beschriebene Laser weist folgende Parameter auf:
Länge Laserrohr
Länge
der aktiven Entladung
Strom
durch die Entladung
Innendurchmesser
Laserrohr
Gasfüllung
Gasdruck
Resonatorkonfiguration
Ausgangsleistung
250 mm
205 mm
6,4 mA
±1,8 mm
15% Ne, 85% He
300Pa
nahezu
hemisphärisch
1-2 mW
bei 632,8 nm
10
15
20
25
30
Es versteht sich, daß sich die Verwendung des erfindungsgemäßen Auskopplungsspiegels nicht auf He— Ne-Laser vom obenbeschriebenen Seitenrohrtyp beschränkt.
F i g. 2 zeigt schematisch einen Aufbau eines bekannten Auskopp-Mungsspiegels mit 21 Schichten. Die erste Schicht 9 auf dem Giassubstrat 8 (S) ist im allgemeinen eine Schicht mit einer hohen Brechungszahl (H). Die nächstfolgenden Schichten weisen abwechselnd eine niedrige (L) und eine hohe (H) Brechungszahl auf. Da die letzte Schicht auch meistens eine hohe Brechungszahl aufweist, ergibt sich, daß derartige Reflektoren oft aus einer ungeraden Anzahl von Schichten bestehen, z. B. aus 21 Schichten. In der Regel werden Glas- oder Quarzsubstrate verwendet Wenn zwei parallele Oberflächen 10 und 11 betrachist werden und wenn es erforderlich ist, daß die an diesen Oberflächen reflektierten Lichtstrahlen gleichphasig *ind, um einander durch Interferenz zu verstärken, muß die optische Dicke der dazwischenliegenden Schicht 12 vorzugsweise ein Viertel der Wellenlänge in der betreffenden Schicht sein. Bei Anwendung einer Vielzahl von Schichten werden die aufeinanderfolgenden Oberflächen Licht reflektieren und je die erste Reflexion verstärken. Die Höchstanzahl von Schichten wird durch die Absorption und die Streuung in dem Materia! der Schichten bestimmt. Ein derartiger Auskoppelungsspiegel mit 21 Schichten kann kurz wie folgt bezeichnet werden: S(HL)10H, wobei S das Substrat, H die Schichten mit einer hohen Brechnungszahl und L die Schichten mit einer niedrigen Brechungszahl darstellen. In diesem Falle bestehen die Schichten mit einer hohen Brechungszahl aus TiO2 und die Schich- 6-> ten mit einer niedrigen Bmhungszahl aus SiO2 und weisen die Schichten eine optische Dicke auf, die gleich einem Viertel der Wellenlänge des Lichtes eines He-Ne-Lasers ist, und zwar
η ■ d=-^ ■ 6328 A,
wobei π die Brechungszahl des Materials der betreffenden Schicht und d die mechanische Dicke darstellt
In F i g. 3 ist eine bevorzugte Ausführungsform eines Auskopplungsspiegels eines Gasentladungslasers dargestellt Auf ein Glassubstrat 8 (S) ist eine Schicht mit einer hohen Brechungszahl (H) aus T1O2 aufgebracht, auf der zwei durch einen Ti-Fihn 13 voneinander getrennte Schichten mit einer niedrigen Brechungszahl aus SiO2 (L M L) und anschließend ein Schichtenpaket der üblichen Zusammensetzung aufgebracht sind. Die TiO2- und SiO2-Schichten in der Nähe des Ti-Filmes weisen eine derartige optische Dicke auf, daß die optische Impedanz, von der Substratseite her gesehen, angepaßt ist so daß von der Substratseite her eine minimale Reflexion auftritt Der Ti-FiIm fvsist eine optische Dicke von 0,02 λ auf, wobei λ wieder dk; Wellenlänge des Laserlichtes darstellt Die komplexen Brechungszahlen der genannten für den Metallfilm geeigneten Metalle sind derart verschieden voneinander, daß zur Anpassung der optischen Impedanz in der Nähe des Metallfilms die Schichten, die in der Nähe des Metallfilms liegen, eine optische Dicke aufweisen, die in Abhängigkeit von der komplexen Brecbungszahl des verwendeten Metalls sehr verschieden ist Die zwei durch den Ti-FiIm voneinander getrennten SiOrSchichten bilden zusammen einen Hohlraumresonator, in dem das über das Substrat zurückgekehrte Licht eingefangen und geschwächt wird. Dadurch nimmt die Reflexion des Auskopplungsspiegels auf der Außenseite erheblich (z. B. um einen Faktor 10) ab, während die Durchstrahlung durch den Auskoppelspiegel nur wenig (weniger als 20%) abnimmt und die Reflexion auf der Innenseite, wie Berechnungen zeigen, sogar noch etwas zunimmt
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Auskopplungsspiegel eines Gasentladungslasers mit einem Substrat (8), auf dem auf der dem Inneren des Gasentladungslasers zugewandten Seite eine Anzahl von ersten Schichten (H) mit einer hohen Brechungszahl und eine Anzahl von zweiten Schichten (L) mit einer niedrigen Brechungszahl angebracht sind, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Schichten (H, L) in der Nähe des Substrates (8) ein strahlungsschwächender Film (13) aus Metall oder Cermet angeordnet ist, wobei zwischen diesem Film (13) und dem Substrat (8) mindestens eine Schicht und höchstens fünf Schichten lie- gen und die Schichten in der Nähe des strahlungs-Echwächenden Films (13) und zwischen dem Film (13) und dem Substrat (8) eine derartige optische Dicke aurwet>en, daß die optische Impedanz — von der Subsiratseite her gesehen — für das Laserücnt so angepaßt ist, daß für von der Substratseite in den Spiegel zurückkommendes Laserlicht eine minimale Reflexion auftritt
2. Auskopplungsspiegel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf das Substrat (8) nacheinander eine der ersten Schichten (H) mit einer hohen Brechungszahl, eine der zweiten Schichten (L) mit einer niedrigen Brechungszahl, der stiahlungsschwächende Film (13), eine der zweiten Schichten (L) mit einer niedrigen Brechungszahl und eine Anzahl von Schichten (H L) mii abwechselnd hoher und niedriger Brechungszahl aufgebracht sind.
3. Auskopplungsspicgel nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der strahlungsschwächende Film (13) ein Metallfiim mit einer optischen Dicke zwischen 0,01 A und 0,03 A ist, wobei A die Wellenlänge des erzeugten Laserlichtes ist.
4. Auskopplungsspiegel nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Metallfiim eine optische Dicke von 0,02 A aufweist.
5. Auskopplungsspiegel nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Metallfilm aus einem oder mehreren Metallen aus der durch Ti, Ag, Cr, Al, Mg und Ni gebildeten Gruppe besteht.
45
DE2725833A 1976-06-21 1977-06-08 Auskopplungsspiegel eines Gasentladungslasers Expired DE2725833C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7606693A NL7606693A (nl) 1976-06-21 1976-06-21 Gasontladingslaser en weergmefinrichting voor het uitlezen van informatie voorzien van een dergelijke gasontladingslaser.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2725833A1 DE2725833A1 (de) 1977-12-29
DE2725833C2 true DE2725833C2 (de) 1985-04-18

Family

ID=19826412

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2725833A Expired DE2725833C2 (de) 1976-06-21 1977-06-08 Auskopplungsspiegel eines Gasentladungslasers

Country Status (16)

Country Link
US (1) US4132959A (de)
JP (1) JPS5316596A (de)
AT (1) AT370918B (de)
AU (1) AU506554B2 (de)
BE (1) BE855887A (de)
CA (1) CA1081352A (de)
CH (1) CH616029A5 (de)
DE (1) DE2725833C2 (de)
ES (1) ES459907A1 (de)
FR (1) FR2356295A1 (de)
GB (1) GB1557362A (de)
IT (1) IT1085238B (de)
NL (1) NL7606693A (de)
NZ (1) NZ184421A (de)
SE (1) SE422128B (de)
ZA (1) ZA772910B (de)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5390316A (en) * 1977-01-20 1978-08-09 Nippon Chemical Ind Reflectionnproof film
US4187475A (en) * 1978-01-05 1980-02-05 Analytical Radiation Corp. Continuously variable laser output coupler
NL7802454A (nl) * 1978-03-07 1979-09-11 Philips Nv Gasontladingslaser voor het opwekken van lineair gepolariseerde straling.
JPS57134981A (en) * 1981-02-16 1982-08-20 Toshiba Corp Helium neon laser device
JPS6037631B2 (ja) * 1981-06-08 1985-08-27 株式会社東芝 アルゴン・イオン・レ−ザ装置
JPS5981297A (ja) * 1982-11-02 1984-05-10 Niigata Eng Co Ltd 船舶の操縦装置
US4615034A (en) * 1984-03-30 1986-09-30 Spectra-Physics, Inc. Ultra-narrow bandwidth optical thin film interference coatings for single wavelength lasers
US4672625A (en) * 1984-03-30 1987-06-09 Spectra-Physics, Inc. Methods and apparatus for maximizing the power output of a gas laser
JP2629693B2 (ja) * 1987-02-26 1997-07-09 松下電器産業株式会社 エキシマレーザ用ミラー
US5127018A (en) * 1989-08-08 1992-06-30 Nec Corporation Helium-neon laser tube with multilayer dielectric coating mirrors
US5274661A (en) * 1992-12-07 1993-12-28 Spectra Physics Lasers, Inc. Thin film dielectric coating for laser resonator
US5600487A (en) * 1994-04-14 1997-02-04 Omron Corporation Dichroic mirror for separating/synthesizing light with a plurality of wavelengths and optical apparatus and detecting method using the same
GB2352050A (en) * 1999-07-13 2001-01-17 Coherent Optics Interference filters
US7065109B2 (en) * 2002-05-08 2006-06-20 Melles Griot Inc. Laser with narrow bandwidth antireflection filter for frequency selection
US8175126B2 (en) * 2008-10-08 2012-05-08 Telaris, Inc. Arbitrary optical waveform generation utilizing optical phase-locked loops
WO2011103480A2 (en) 2010-02-19 2011-08-25 California Institute Of Technology Swept-frequency semiconductor laser coupled to microfabricated biomolecular sensor and methods related thereto

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL156273B (nl) * 1967-06-01 1978-03-15 Philips Nv Inrichting voor het opwekken van gestimuleerde infraroodemissie, iraser.
US3649359A (en) * 1969-10-27 1972-03-14 Optical Coating Laboratory Inc Multilayer filter with metal dielectric period
GB1529813A (en) * 1974-10-16 1978-10-25 Siemens Ag Narrow-band interference filter
US4233568A (en) * 1975-02-24 1980-11-11 Xerox Corporation Laser tube mirror assembly

Also Published As

Publication number Publication date
NL7606693A (nl) 1977-12-23
FR2356295B1 (de) 1980-06-13
AU506554B2 (en) 1980-01-10
ATA433077A (de) 1982-09-15
DE2725833A1 (de) 1977-12-29
JPS5424276B2 (de) 1979-08-20
FR2356295A1 (fr) 1978-01-20
ZA772910B (en) 1978-12-27
US4132959A (en) 1979-01-02
JPS5316596A (en) 1978-02-15
ES459907A1 (es) 1978-05-16
AT370918B (de) 1983-05-10
NZ184421A (en) 1980-05-27
SE7707040L (sv) 1977-12-22
CA1081352A (en) 1980-07-08
AU2610077A (en) 1978-12-21
IT1085238B (it) 1985-05-28
GB1557362A (en) 1979-12-05
SE422128B (sv) 1982-02-15
BE855887A (fr) 1977-12-20
CH616029A5 (de) 1980-02-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2725833C2 (de) Auskopplungsspiegel eines Gasentladungslasers
DE2312659C3 (de) Flüssigkristallzelle
DE112008000450B4 (de) Lichtquellenvorrichtung, Beobachtungsvorrichtung und Bearbeitungsvorrichtung
DE1597803A1 (de) Photomaske zum Belichten ausgewaehlter Teile einer lichtempfindlichen Schicht
DE3639580A1 (de) Laseranordnung
DE1489979B1 (de) Optischer Resonator
DE102004019993A1 (de) Halbleiterlaservorrichtung
DE2105752A1 (de) Vorrichtung zur Verbesserung der opti sehen Eigenschaften eines Laserstrahls
DE3305675C2 (de)
DE2337810A1 (de) Wellenfrequenzwandler
DE3531373A1 (de) Verfahren und geraet zur steuerung der transmission von strahlungsenergie
DE10341596A1 (de) Polarisationsstrahlteiler
DE3105934C2 (de)
DE19512984A1 (de) Abstimmbarer optischer parametrischer Oszillator
DE102005020944A1 (de) Diffraktive Elemente mit Antireflex-Eigenschaften
DE102017120540B4 (de) Selektiver verstärker
DE2700020C2 (de)
DE102008027264A1 (de) Optisch parametrischer Oszillator
DE1941921C3 (de) Laser
DE2039952C3 (de) Festkörper- Ringlaser
DE2445775A1 (de) Polarisator
DE4412254A1 (de) Optisches Koppelglied und Verfahren zu dessen Herstellung
DE3324059C2 (de)
DE2608619C3 (de) Gasentladungslaser
DE10017614A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Reflexionsmaske

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee