DE2725833C2 - Auskopplungsspiegel eines Gasentladungslasers - Google Patents
Auskopplungsspiegel eines GasentladungslasersInfo
- Publication number
- DE2725833C2 DE2725833C2 DE2725833A DE2725833A DE2725833C2 DE 2725833 C2 DE2725833 C2 DE 2725833C2 DE 2725833 A DE2725833 A DE 2725833A DE 2725833 A DE2725833 A DE 2725833A DE 2725833 C2 DE2725833 C2 DE 2725833C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layers
- refractive index
- film
- substrate
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000011195 cermet Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08059—Constructional details of the reflector, e.g. shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/034—Optical devices within, or forming part of, the tube, e.g. windows, mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/2222—Neon, e.g. in helium-neon (He-Ne) systems
Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Auskopplungsspiegel nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Ein solcher Auskopplungsspiegel ist aus dem Buch von H. Weber und G. Herziger: »Laser, Grundlagen
und Anwendungen«, Physik Verlag, Weinheim 1972, Seiten 230 bis 232, bekannt. Hierbei sind auf einem Glassubstrat abwechselnd Schichten mit niedriger und hoher
Brechungszahl aufgedampft. Ein Problem bei diesen Spiegeln ist die Reflexion des von der Substratseite in
den Spiegel zurückkommenden Laserlichtes.
Gasentladungslaser haben einen großen Anwendungsbereich. Sie werden häufig in Meßvorrichtungen,
wie lnterferometern, und dgl, verwendet. Auch finden
sie Anwendung in Vorrichtungen zum Auslesen von Aufzeichnungsträgern, auf die Information, z. B. BiId-
und/oder Toninformation, in einer optisch auslesbaren Informationsstruktur, aufgezeichnet ist. Sie bilden darin
eine monochromatische Strahlungsquelle, die ein Lichtbündel emittiert, das auf den Aufzeichnungsträger fällt
und von diesem in einem Detektionssystem reflektiert
wird. Eine derartige Vorrichtung ist u.a. in »Philips
Technische Rundschau«, VoL 33. 1973/74 Nr. 7,
S. 198—201 beschrieben. Darin wird bemerkt, daß es
notwendig ist, dafür zu sorgen, daß nicht eine zu große
Menge des an der Plattenoberfläche reflektierten und modulierten Lichtes in den Laser zurückkehren kann.
Diese Rückkopplung würde nämlich unerwünschte Schwankungen in der Ausgangsleistung des Lasers herbeiführen.
Falsches licht, das an Einzelteilen der Vorrichtung,
wie dem Auskopplungsspiegel, reflektiert wird, kann an
der Stelle des Detektors mit dem primären Bündel interferieren und dabei zu sehr tiefer Modulation des Detekt^rsignals führen. Derartige Schwankungen der Ausgangsleistung und eine derartige Modulation sind in vielen Fällen auch bei anderen Anwendungen, wie in lnterferometern, unerwünscht
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Auskopplungsspiegel für einen Gasentladungslaser zu
schaffen, der auf seiner Außenseite (Substratseite) eine sehr geringe Reflexion falschen Lichtes aufweist, während die Reflexion auf seiner Innenseite groß und die
Verlustleistung minimal sind.
Diese Aufgabe wird bei einem Auskopplungsspiegel eingangs erwähnter Art gemäß der Erfindung durch die
im kennzeichnenden'*?eil des Anspruchs 1 angegebenen
Merkmale gelöst
Mit »optischer Impedanz« Z= E/Hist dabei der Quotient aus elektrischer Feldstärke E und magnetischer
Feldstärke H zu verstehen; vgl. dazu das Buch von C. Zwikker »Fysische materiaalkunde«, Wetenschappelijke Uitgeverij, Amsterdam/1968.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß in dem Auskoppelspiegel auf diese Weise ein Hohlraumresonator gebildet wird, in dem das falsche reflektierte
Licht eingefangen und von dem strahlungsschwächenden Film geschwächt wird. Das zurückkommende Laserlicht wird daher nicht wieder abgestrahlt
Eine bevorzugte Ausführungsform eines derartigen Auskopplungsspiegels nach der Erfindung ist dadurch
gekennzeichnet, daß auf das Substrat nacheinander eine
Schicht mit einer hohen Brechungszahl, eine Schicht mit einer niedrigen Brechungszahl, der strahlungsschwächende Film, eine Schicht mit einer niedrigen Brechungszahl und eine Anzahl von Schichten mit abwechselnd hoher und niedriger Brechungszahl aufgebracht
sind.
Der Strahlungsschwächende Film ist vorzugsweise ein Metallfilm mit einer optischen Dicke zwischen 0,01 A
und 0,03 A, wobei A die Wellenlänge des erzeugten Laserlichtes ist. Dieser Film kann aber auch aus einem
Cermet bestehen. Bei einem Metallfilm mit einer optischen Dicke von 0,02 A wurden optimale Ergebnisse erzielt.
Ein derartiger Metallfilm kann vorzugsweise aus einem oder mehreren Metallen aus der durch Ti, Ag, Cr,
Al, Mg und Ni gebildeten Gruppe bestehen.
Ein Gasentladungslaser mit einem Auskopplungsspiegel der beschriebenen Art eignet sich besonders gut
zur Anwendung in einer Vorrichtung zum Auslesen eines Aufzeichnungsträgers, weil dabei die genannten
Schwankungen und Modulationen, die bei Verwendung bekannter Spiegel auftreten, die Wirkung beeinträchtigen würden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nunmehr anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 schematisch einen üblichen Gasentladungslaser, in dem der erfindungsgemäße Auskopplungsspiegel
verwendet werden kann,
Fl g. 2 einen Aufbau eines bekannten Auskoppelspiegels
mit 21 Schichten,
F i g. 3 einen Auskopplungsspiegel nach einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung.
Bei dem Gasentladungslaser nach F i g. 1 sind unmittelbar auf dem vorzugsweise zylindrischen Teil einer
Gasentladungsröhre, die das Laserrohr t bildet, Mehrschichtenspiegel
2 und 3 mit Hilfe eines Zweikomponentenkitts 26 befestigt Diese Mehrschichtenspiegel 2 und
3 bestehen aus Substraten 4 und 5, auf die Mehrschichtenpakete 6 und 7 z. B. durch Aufdampfen aufgebracht
sind. Mit Hilfe der in Seitenrohren liegenden Elektroden 24 und 25 wird eine Entladung in dem Laserrohr 1 erzeugt
Durch stimulierte Emission wird ein Laserstrahl erhalten, der über einen der Mehrschichtenspiegel, den
Auskoppk.ngsspiegel, den Laser verläßt Der beschriebene
Laser weist folgende Parameter auf:
Länge Laserrohr
Länge
der aktiven Entladung
Strom
durch die Entladung
Innendurchmesser
Laserrohr
Gasfüllung
Gasdruck
Resonatorkonfiguration
Ausgangsleistung
250 mm
205 mm
6,4 mA
205 mm
6,4 mA
±1,8 mm
15% Ne, 85% He
300Pa
nahezu
hemisphärisch
1-2 mW
bei 632,8 nm
10
15
20
25
30
Es versteht sich, daß sich die Verwendung des erfindungsgemäßen Auskopplungsspiegels nicht auf He—
Ne-Laser vom obenbeschriebenen Seitenrohrtyp beschränkt.
F i g. 2 zeigt schematisch einen Aufbau eines bekannten Auskopp-Mungsspiegels mit 21 Schichten. Die erste
Schicht 9 auf dem Giassubstrat 8 (S) ist im allgemeinen eine Schicht mit einer hohen Brechungszahl (H). Die
nächstfolgenden Schichten weisen abwechselnd eine niedrige (L) und eine hohe (H) Brechungszahl auf. Da
die letzte Schicht auch meistens eine hohe Brechungszahl aufweist, ergibt sich, daß derartige Reflektoren oft
aus einer ungeraden Anzahl von Schichten bestehen, z. B. aus 21 Schichten. In der Regel werden Glas- oder
Quarzsubstrate verwendet Wenn zwei parallele Oberflächen 10 und 11 betrachist werden und wenn es erforderlich
ist, daß die an diesen Oberflächen reflektierten Lichtstrahlen gleichphasig *ind, um einander durch Interferenz
zu verstärken, muß die optische Dicke der dazwischenliegenden Schicht 12 vorzugsweise ein Viertel
der Wellenlänge in der betreffenden Schicht sein. Bei Anwendung einer Vielzahl von Schichten werden die
aufeinanderfolgenden Oberflächen Licht reflektieren und je die erste Reflexion verstärken. Die Höchstanzahl
von Schichten wird durch die Absorption und die Streuung in dem Materia! der Schichten bestimmt. Ein derartiger
Auskoppelungsspiegel mit 21 Schichten kann kurz wie folgt bezeichnet werden: S(HL)10H, wobei S das
Substrat, H die Schichten mit einer hohen Brechnungszahl und L die Schichten mit einer niedrigen Brechungszahl darstellen. In diesem Falle bestehen die Schichten
mit einer hohen Brechungszahl aus TiO2 und die Schich- 6->
ten mit einer niedrigen Bmhungszahl aus SiO2 und weisen
die Schichten eine optische Dicke auf, die gleich einem Viertel der Wellenlänge des Lichtes eines He-Ne-Lasers
ist, und zwar
η ■ d=-^ ■ 6328 A,
η ■ d=-^ ■ 6328 A,
wobei π die Brechungszahl des Materials der betreffenden
Schicht und d die mechanische Dicke darstellt
In F i g. 3 ist eine bevorzugte Ausführungsform eines Auskopplungsspiegels eines Gasentladungslasers dargestellt
Auf ein Glassubstrat 8 (S) ist eine Schicht mit einer hohen Brechungszahl (H) aus T1O2 aufgebracht,
auf der zwei durch einen Ti-Fihn 13 voneinander getrennte Schichten mit einer niedrigen Brechungszahl
aus SiO2 (L M L) und anschließend ein Schichtenpaket der üblichen Zusammensetzung aufgebracht sind. Die
TiO2- und SiO2-Schichten in der Nähe des Ti-Filmes
weisen eine derartige optische Dicke auf, daß die optische Impedanz, von der Substratseite her gesehen, angepaßt
ist so daß von der Substratseite her eine minimale Reflexion auftritt Der Ti-FiIm fvsist eine optische
Dicke von 0,02 λ auf, wobei λ wieder dk; Wellenlänge
des Laserlichtes darstellt Die komplexen Brechungszahlen der genannten für den Metallfilm geeigneten
Metalle sind derart verschieden voneinander, daß zur Anpassung der optischen Impedanz in der Nähe des
Metallfilms die Schichten, die in der Nähe des Metallfilms liegen, eine optische Dicke aufweisen, die in Abhängigkeit
von der komplexen Brecbungszahl des verwendeten Metalls sehr verschieden ist Die zwei durch
den Ti-FiIm voneinander getrennten SiOrSchichten bilden
zusammen einen Hohlraumresonator, in dem das über das Substrat zurückgekehrte Licht eingefangen
und geschwächt wird. Dadurch nimmt die Reflexion des Auskopplungsspiegels auf der Außenseite erheblich
(z. B. um einen Faktor 10) ab, während die Durchstrahlung
durch den Auskoppelspiegel nur wenig (weniger als 20%) abnimmt und die Reflexion auf der Innenseite,
wie Berechnungen zeigen, sogar noch etwas zunimmt
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Auskopplungsspiegel eines Gasentladungslasers mit einem Substrat (8), auf dem auf der dem
Inneren des Gasentladungslasers zugewandten Seite eine Anzahl von ersten Schichten (H) mit einer hohen Brechungszahl und eine Anzahl von zweiten
Schichten (L) mit einer niedrigen Brechungszahl angebracht sind, dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen den Schichten (H, L) in der Nähe des Substrates (8) ein strahlungsschwächender Film (13)
aus Metall oder Cermet angeordnet ist, wobei zwischen diesem Film (13) und dem Substrat (8) mindestens eine Schicht und höchstens fünf Schichten lie-
gen und die Schichten in der Nähe des strahlungs-Echwächenden Films (13) und zwischen dem Film
(13) und dem Substrat (8) eine derartige optische Dicke aurwet>en, daß die optische Impedanz — von
der Subsiratseite her gesehen — für das Laserücnt
so angepaßt ist, daß für von der Substratseite in den Spiegel zurückkommendes Laserlicht eine minimale
Reflexion auftritt
2. Auskopplungsspiegel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf das Substrat (8) nacheinander eine der ersten Schichten (H) mit einer hohen
Brechungszahl, eine der zweiten Schichten (L) mit einer niedrigen Brechungszahl, der stiahlungsschwächende Film (13), eine der zweiten Schichten
(L) mit einer niedrigen Brechungszahl und eine Anzahl von Schichten (H L) mii abwechselnd hoher
und niedriger Brechungszahl aufgebracht sind.
3. Auskopplungsspicgel nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß der strahlungsschwächende Film (13) ein Metallfiim mit einer optischen
Dicke zwischen 0,01 A und 0,03 A ist, wobei A die Wellenlänge des erzeugten Laserlichtes ist.
4. Auskopplungsspiegel nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Metallfiim eine optische
Dicke von 0,02 A aufweist.
5. Auskopplungsspiegel nach Anspruch 3 oder 4,
dadurch gekennzeichnet, daß der Metallfilm aus einem oder mehreren Metallen aus der durch Ti, Ag,
Cr, Al, Mg und Ni gebildeten Gruppe besteht.
45
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL7606693A NL7606693A (nl) | 1976-06-21 | 1976-06-21 | Gasontladingslaser en weergmefinrichting voor het uitlezen van informatie voorzien van een dergelijke gasontladingslaser. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2725833A1 DE2725833A1 (de) | 1977-12-29 |
DE2725833C2 true DE2725833C2 (de) | 1985-04-18 |
Family
ID=19826412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2725833A Expired DE2725833C2 (de) | 1976-06-21 | 1977-06-08 | Auskopplungsspiegel eines Gasentladungslasers |
Country Status (16)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4132959A (de) |
JP (1) | JPS5316596A (de) |
AT (1) | AT370918B (de) |
AU (1) | AU506554B2 (de) |
BE (1) | BE855887A (de) |
CA (1) | CA1081352A (de) |
CH (1) | CH616029A5 (de) |
DE (1) | DE2725833C2 (de) |
ES (1) | ES459907A1 (de) |
FR (1) | FR2356295A1 (de) |
GB (1) | GB1557362A (de) |
IT (1) | IT1085238B (de) |
NL (1) | NL7606693A (de) |
NZ (1) | NZ184421A (de) |
SE (1) | SE422128B (de) |
ZA (1) | ZA772910B (de) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5390316A (en) * | 1977-01-20 | 1978-08-09 | Nippon Chemical Ind | Reflectionnproof film |
US4187475A (en) * | 1978-01-05 | 1980-02-05 | Analytical Radiation Corp. | Continuously variable laser output coupler |
NL7802454A (nl) * | 1978-03-07 | 1979-09-11 | Philips Nv | Gasontladingslaser voor het opwekken van lineair gepolariseerde straling. |
JPS57134981A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-20 | Toshiba Corp | Helium neon laser device |
JPS6037631B2 (ja) * | 1981-06-08 | 1985-08-27 | 株式会社東芝 | アルゴン・イオン・レ−ザ装置 |
JPS5981297A (ja) * | 1982-11-02 | 1984-05-10 | Niigata Eng Co Ltd | 船舶の操縦装置 |
US4615034A (en) * | 1984-03-30 | 1986-09-30 | Spectra-Physics, Inc. | Ultra-narrow bandwidth optical thin film interference coatings for single wavelength lasers |
US4672625A (en) * | 1984-03-30 | 1987-06-09 | Spectra-Physics, Inc. | Methods and apparatus for maximizing the power output of a gas laser |
JP2629693B2 (ja) * | 1987-02-26 | 1997-07-09 | 松下電器産業株式会社 | エキシマレーザ用ミラー |
US5127018A (en) * | 1989-08-08 | 1992-06-30 | Nec Corporation | Helium-neon laser tube with multilayer dielectric coating mirrors |
US5274661A (en) * | 1992-12-07 | 1993-12-28 | Spectra Physics Lasers, Inc. | Thin film dielectric coating for laser resonator |
US5600487A (en) * | 1994-04-14 | 1997-02-04 | Omron Corporation | Dichroic mirror for separating/synthesizing light with a plurality of wavelengths and optical apparatus and detecting method using the same |
GB2352050A (en) * | 1999-07-13 | 2001-01-17 | Coherent Optics | Interference filters |
US7065109B2 (en) * | 2002-05-08 | 2006-06-20 | Melles Griot Inc. | Laser with narrow bandwidth antireflection filter for frequency selection |
US8175126B2 (en) * | 2008-10-08 | 2012-05-08 | Telaris, Inc. | Arbitrary optical waveform generation utilizing optical phase-locked loops |
WO2011103480A2 (en) | 2010-02-19 | 2011-08-25 | California Institute Of Technology | Swept-frequency semiconductor laser coupled to microfabricated biomolecular sensor and methods related thereto |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL156273B (nl) * | 1967-06-01 | 1978-03-15 | Philips Nv | Inrichting voor het opwekken van gestimuleerde infraroodemissie, iraser. |
US3649359A (en) * | 1969-10-27 | 1972-03-14 | Optical Coating Laboratory Inc | Multilayer filter with metal dielectric period |
GB1529813A (en) * | 1974-10-16 | 1978-10-25 | Siemens Ag | Narrow-band interference filter |
US4233568A (en) * | 1975-02-24 | 1980-11-11 | Xerox Corporation | Laser tube mirror assembly |
-
1976
- 1976-06-21 NL NL7606693A patent/NL7606693A/xx not_active Application Discontinuation
- 1976-08-11 US US05/713,515 patent/US4132959A/en not_active Expired - Lifetime
-
1977
- 1977-05-16 ZA ZA00772910A patent/ZA772910B/xx unknown
- 1977-06-08 DE DE2725833A patent/DE2725833C2/de not_active Expired
- 1977-06-14 CA CA280,519A patent/CA1081352A/en not_active Expired
- 1977-06-15 AU AU26100/77A patent/AU506554B2/en not_active Expired
- 1977-06-17 NZ NZ184421A patent/NZ184421A/xx unknown
- 1977-06-17 GB GB25430/77A patent/GB1557362A/en not_active Expired
- 1977-06-17 SE SE7707040A patent/SE422128B/xx not_active Application Discontinuation
- 1977-06-17 IT IT24822/77A patent/IT1085238B/it active
- 1977-06-18 JP JP7274777A patent/JPS5316596A/ja active Granted
- 1977-06-18 ES ES459907A patent/ES459907A1/es not_active Expired
- 1977-06-20 BE BE178597A patent/BE855887A/xx not_active IP Right Cessation
- 1977-06-20 AT AT0433077A patent/AT370918B/de not_active IP Right Cessation
- 1977-06-20 CH CH754177A patent/CH616029A5/de not_active IP Right Cessation
- 1977-06-21 FR FR7718959A patent/FR2356295A1/fr active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL7606693A (nl) | 1977-12-23 |
FR2356295B1 (de) | 1980-06-13 |
AU506554B2 (en) | 1980-01-10 |
ATA433077A (de) | 1982-09-15 |
DE2725833A1 (de) | 1977-12-29 |
JPS5424276B2 (de) | 1979-08-20 |
FR2356295A1 (fr) | 1978-01-20 |
ZA772910B (en) | 1978-12-27 |
US4132959A (en) | 1979-01-02 |
JPS5316596A (en) | 1978-02-15 |
ES459907A1 (es) | 1978-05-16 |
AT370918B (de) | 1983-05-10 |
NZ184421A (en) | 1980-05-27 |
SE7707040L (sv) | 1977-12-22 |
CA1081352A (en) | 1980-07-08 |
AU2610077A (en) | 1978-12-21 |
IT1085238B (it) | 1985-05-28 |
GB1557362A (en) | 1979-12-05 |
SE422128B (sv) | 1982-02-15 |
BE855887A (fr) | 1977-12-20 |
CH616029A5 (de) | 1980-02-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2725833C2 (de) | Auskopplungsspiegel eines Gasentladungslasers | |
DE2312659C3 (de) | Flüssigkristallzelle | |
DE112008000450B4 (de) | Lichtquellenvorrichtung, Beobachtungsvorrichtung und Bearbeitungsvorrichtung | |
DE1597803A1 (de) | Photomaske zum Belichten ausgewaehlter Teile einer lichtempfindlichen Schicht | |
DE3639580A1 (de) | Laseranordnung | |
DE1489979B1 (de) | Optischer Resonator | |
DE102004019993A1 (de) | Halbleiterlaservorrichtung | |
DE2105752A1 (de) | Vorrichtung zur Verbesserung der opti sehen Eigenschaften eines Laserstrahls | |
DE3305675C2 (de) | ||
DE2337810A1 (de) | Wellenfrequenzwandler | |
DE3531373A1 (de) | Verfahren und geraet zur steuerung der transmission von strahlungsenergie | |
DE10341596A1 (de) | Polarisationsstrahlteiler | |
DE3105934C2 (de) | ||
DE19512984A1 (de) | Abstimmbarer optischer parametrischer Oszillator | |
DE102005020944A1 (de) | Diffraktive Elemente mit Antireflex-Eigenschaften | |
DE102017120540B4 (de) | Selektiver verstärker | |
DE2700020C2 (de) | ||
DE102008027264A1 (de) | Optisch parametrischer Oszillator | |
DE1941921C3 (de) | Laser | |
DE2039952C3 (de) | Festkörper- Ringlaser | |
DE2445775A1 (de) | Polarisator | |
DE4412254A1 (de) | Optisches Koppelglied und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE3324059C2 (de) | ||
DE2608619C3 (de) | Gasentladungslaser | |
DE10017614A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Reflexionsmaske |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |