DE2712216C2 - Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von heißen Gasen - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von heißen GasenInfo
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Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf die Weiterentwicklung eines Verfahrens (bekannt aus DT-AS 22 36 389/A 565), bei welchem die Schadstoffe chemisch an kontinuierlich auf rotierenden Platten gebildeten und entfernten Feststoffschichten gebunden werden. Die Neuigkeit besteht darin, dass die die Feststoffschicht bildende Loesung auf die Plattenoberflaeche oder zumindest auf Teile derselben aufgesprueht wird und die gebildete Feststoffschicht nach Reaktion mit den Gasen zumindest teilweise innerhalb des Gasraumes entfernt wird. Durch Aufspruehnen der Loesung wird eine starke Abkuehlung der gesamten Platte beim Auftragen des Loesungsmittelfilms vermieden und die Beschichtungszone relativ zur Gesamtoberflaeche der Platten verkleinert. Dies fuehrt zu einer Verringerung der mittleren Temperaturunterschiede auf den Platten, wobei jeweils die oertlichen mittleren Temperaturen der Platten gebildet werden durch Mittelung der Temperaturverteilung ueber der Plattendicke. Darueber hinaus wird die fuer die Reaktion mit den Gasen zur Verfuegung stehende Gesamtoberflaeche der Feststoffschicht vergroessert, was der Wirtschaftlichkeit der Anlage zugute kommt. Die Feststoffschicht wird ganz oder teilweise im Gasraum entfernt, wobei gegebenenfalls noch verwertbare Feststoffanteile auf den Platten verbleiben. Das Verfahren und die Vorrichtung sind gut geeignet zur Abtrennung von molekulardispersen Schadstoffen und Verunreinigungen aus der Luft oder CO2-haltigem Abgas, insbesondere fuer Stof...U.S.W
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Reinigen von heißen Gasen, insbesondere von industriellen
Abgasen. Das Verfahren, von dem die Erfindung ausgeht, ist im Oberbegriff des Patentanspruches
1 angegeben. Gegenstand der Erfindung ist auch eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
Zur Abtrennung von Verunreinigungen und Schadstoffen aus industriellen Abgasen sind zahlreiche
Verfahren und Vorrichtungen bekanntgeworden. Die dabei angewandten Maßnahmen richten sich nach der
chemischen Beschaffenheit und dem Dispersionsgrad der abzutrennenden Verunreinigungen. Soweit es sich
um die Abtrennung molekulardisperser Verunreinigungen von Gasen handelt, sind bisher häufig Naßreinigungsverfahren
angewendet worden. Dabei wurden die zu reinigenden Gase abgekühlt und mit Feuchtigkeit
beladen. Das hat den Nachteil, daß zusätzliche Maßnahmen getroffen werden mußten, um den Gasen
den für die Emission in die Atmosphäre erforderlichen Auftrieb zu erteilen. Nachteilig <var außerdem die
Beladung mit Ärosolen, die durch die bei der Naßreinigung verwendeten Flüsiigwäscher im allgemeinen
eintritt, da dies zu einer unerwünschten Beeinträchtigung der Umgebung führt.
Zum Stande der Technik gehören Verfahren zum Ausscheiden von in Rauchgasen enthaltenen Nutzstoffen
oder von Beimischungen, bei denen die Gase an Platten entlang geführt werden, die zum Teil in Wasser
oder in eine chemische Flüssigkeit eintauchen und mit geringer Geschwindigkeit so rotieren, daß sie dauernd
mit Flüssigkeit benetzt bleiben. Bei diesem Verfahren sollen die in den Gasen suspendierten Partikeln an den
Scheiben haften bleiben (DE-PS 34 324, DE-OS 15 46 649). Diese Verfahren sind jedoch auf die
Verwendung flüssiger Sorptionsmittel (Naßreinigung) beschränkt.
Es sind auch Verfahren zur Gasreinigung mit Hilfe von Feststoffen bekannt. So ist aus der DE-PS 4 99 652
ein Verfahren zur Reinigung kohlendioxidhaltiger Gase von flüchtigen Eisenverbindungen durch Überleiten der
Gase über Kalk oder Bariumoxid bekannt, bei den die zur Reinigung eingesetzten Feststoffe diskontinuierlich
erneuert werden. Dieser Nachteil wird vermieden bei einem aus der DE-AS 22 36 389 bekannten Verfahren.
Bei diesem Verfahren werden die Schadstoffe chemisch an kontinuierlich auf rotierenden Platten gebildeten und
entfernten Feststoffschichten gebunden. Dabei bewegen sich die rotierenden Platten durch ein Bad einer die
Platten benetzenden Lösung und der anhaftende Lösungsfilm wird oberhalb der Flüssigkeitsoberfläche
durch Aufheizen getrocknet Zur Trocknung des Lösungsmittelfilms lassen sich die zu reinigenden heißen
Gase ausnutzen. Die Temperaturunterschiede zwischen den die Feststoffschichten tragenden Oberflächenbereichen
der Platten und den Bereichen der Platten, die in das Flüssigkeitsbad eintauchen, dürfen dabei nicht
beliebig groß sein.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Reinigung heißer Gase mittels an
rotierenden Platten gebildeten Feststoffschichten zu schaffen, bei denen die Temperaturunterschiede zwischen
den Bereichen der Platten, die sich in der Reaktionszone befinden, und den Plattenbereichen in
der Beschichtungszone reduziert sind.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der oben genannten Art gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß
die die Feststoffschicht bildende Flüssigkeit auf die Plattenoberfläche oder gesprüht wird. Durch Aufsprühen
der Flüssigkeit wird eine starke Abkühlung der gesamten Platte beim Auftragen des Flüssigkeitsfilms
vermieden und die Beschichtungszone rehtiv zur Gesamtoberfläche der Platten verkleinert Dies führt zu
einer Verringerung der mittleren Temperaturunterschiede auf den Platten, wobei jeweils die örtlichen
mittleren Temperaturen der Platten gebildet werden durch Mitteilung der Temperaturverteilung über der
Plattendicke. Darüber hinaus wird die für die Reaktion mit den Gasen zur Verfügung stehende Gesamtoberfläche
der Feststoffschicht vergrößert was der Wirtschaftlichkeit der Anlage zugute kommt Die Feststoffschicht
wird ganz oder teilweise im Gasraum entfernt wobei gegebenenfalls noch verwertbare Feststoffanteile auf
den Platten verbleiben.
Vorteilhaft ist ferner, daß die Plattenoberfläche mit
mehreren, jeweils mit zumindest einer der aus den Gasen abzutrennenden Komponente eine Verbindung
bildenden Flüssigkeit zu besprühen ist. Es ist so möglich, Lösungen, die als Flüssigkeiten nicht miteinander
verträglich sird, die beispielsweise koagulieren wurden,
gleichzeitig als Feststoffschicht aufzubringen und gleichzeitig unterschiedliche Komponenten des zu
reinigenden Gases abzutrennen, die sonst in mehreren hintereinandergeschalteten Reinigungsanlagen entfernt
werden müßten.
Günstige Oberflächenstrukturen 'n der Feststoffschicht
werden dadurch erzielt, daß die eingesetzte Flüssigkeit oder zumindest eine der eingesetzten
Flüssigkeiten zusätzliche Stoffe enthält, die beim Eindampfen und gegebenenfalls bei der gasreinigenden
Reaktion ein Gel mit porenreicher Struktur oder eine Gerüststrufctur bilden. Ein typischer Vertreter solcher
Stoffe ist Wasserglas. Zur Einstellung der gewünschten Reaktionstemperatur werden die Platten ganz oder zum
Teil beheizt oder gekühlt. Eine Temperaturregulierung
ist insbesondere im Bereich der Beschichtungszone der Platten von Vorteil. Die Bildung einer Feststoffschicht
durch Aufsprühen der Flüssigkeit auf die Platten gelingt nämlich nicht, wenn nach Überschreiten einer Grenztemperatur
auf der Plattenoberfläche bei Auftreffen der Flüssigkeitstropfen infolge übermäßiger Dampfbildung
kein Flüssigkeitsfilm entsteht (l-eidenfrost-Phänomen).
Gemäß der Erfindung ist deshalb vorgesehen, die Oberflächentemperatur der Platten unterhalb der für
die Benetzung der Plattenoberfläche mit der Flüssigkeit oder der am leichtesten siedenden Flüssigkeit erforderlichen
Grenztemperatui :u halten. Die Grenztemperatur liegt oberhalb der Siedetemperatur der verwendeten,
am leichtesten siedenden Flüssigkeit und ist unter anderem auch abhängig von der Oberflächenbeschaf-
. fenheit des Materials. Die Grenztemperatur wird empirisch ermittelt
Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung des Verfahrens besteht darin, daß die Flüssigkeit oder zumindest
eine der Flüssigkeiten zeitlich intermittierend auf die Platten aufgesprüht wird Dabei wird die jeweils zu
versprühende Flüssigkeitsmenge bemessen nach der sich auf den Platten bildenden Feststoffschicht Bevorzugt
ist die Flüssigkeitsmenge zugleich so eingestellt daß die abzutrennende Feststoffschicht in leicht
befeuchtetem Zustand von der Plattenoberfläche entfernbar ist
Zur Durchführung des Verfahrens ist eine Vorrichtung geeignet die auf einem Hohlrohr, das in einem
behälterförmigen Gehäuse drehbar angeordnet ist in axialer Richtung im Abstand von wenigen mm
hintereinander befestigte kreisringförmige Platten aufweist und öei der eine sich parallel zur Achse des
Hohlrohres erstreckende Gaszuleh^igskammer und
eine Gasableitungskammer vorgesehen ist und zum Säubern der Platten Schaber angeordnet sind, die in die
Zwischenräume zwischen den Platten hineinragen und die Plattenoberfläche berühren. Die Vorrichtung zeichnet
sich jemäß der Erfindung dadurch aus, daß ortsfest im Gehäuse zwei an einer zur Achse des Hohlrohres
parallel verlegten Zuführung für eine Flüssigkeit angeschlossene Gruppen von Sprühdüsen derart angeordnet
sind, daß die Platten innerhalb einer in Drehrichtung der Platten den Schabern folgenden
Sprühzone mit Flüssigkeit benetzbar sind, und daß die Schaber bis auf einen geringen Abstand an das Hohlrohr
herangeführt und an einer Halterung befestigt sind, die eine die Gasströmung behindernde, bis zur Wandung
des Gehäuses ausgedehnte Trennfläche bildet In der Flüssigkeit sind solche löslichen Verbindungen enthalten,
die die in den Gasen enthaltenden Schadstoffe an einer festen Oberflächenschicht chemisch bindeü. Die
auf die Platten gesprühte Flüssigkeit trocknet durch die
"to Restwärme der Platten, spätestens jedoch beim Kontakt
mit den heißen zu reinigenden Gasen. Die feste Oberflächenschicht reagiert mit den aus den Gasen zu
entfernenden Schadstoffen und erschöpft sich dabei. Die erschöpfte Schicht wird unter Zuhilfenahme der
■»5 Schaber abgekratzt. Anschließend werden die rotierenden
Platten wieder mit frischer Flüssigkeit besprüht. Das Entfernen der Feststoffschicht geschieht üblicherweise
kontinuierlich durch die Drehung der Platten, wobei die verbrauchten und abgekratzten Feststoffe an
den Schabern nach unten rieseln und vom Boden des Gehäuses ausgetragen werden.
Eine bevorzugte Ausiührungsform der Vorrichtung be^telu darin, daß die Zuführung in einer mit Flüssigkeit
gefüllten Wanne derart verlegt ist, daß die Sprühdiisen von der Flüssigkeic in der Wanne überdeckt sind.
Hierdurch wird ein Verkrusten der Düsenmündungen vermieden. In vorteilhafter Weise lassen sich im Rohr
und in der Wanne Flüssigkeiten unterschiedlicher
Zusammensetzung einbringen. Die Wanne kann beispielsweise mit Wasser gefüllt sein.
In der Zuführung für die Flüssigkeit zu den
Sprühdüsen befinden sich bevorzugt intermittierend zu öffnende und zu schließende Durchflußventile. Die
Sprühdüsen können :n Gruppen zusammengefaßt sein, wobei jeder Gruppe ein Durchflußventil zugeordnet
wird, das unabhängig von den übrigen Durchflußventilen regelbar ist.
Günstige Verhältnisse für das Aufsprühen der
Günstige Verhältnisse für das Aufsprühen der
Flüssigkeit werden dadurch erreicht, daß der Durchmesser des Hohlrohres größer als ein Drittel des
Durchmessers der Platten beträgt. Um eine übermäßige Belastung des zu reinigenden Gases mit verdunsteter
Flüssigkeit zu vermeiden, ist es vorteilhaft, im Bereich ' der Sprühzone gekühlte Dampfkondensatoren anzuordnen.
Eine Kühlung der Platten wird vom äußeren Rand her dadurch erreicht, daß die Platten mit ihrem äußeren
Randbereich in ein am Boden des Gehäuses vorhandenes Flüssigkeitsbad eintauchen. Bevorzugt wird auch die '"
Halterung der Schaber gekühlt.
Verfahren und Vorrichtung gemäß der Erfindung sind gut geeignet zur Abtrennung von molekulardispersen
Schadstoffen und Verunreinigungen aus Luft oder CC>2-haltigem Abgas, insbesondere für Stoffe mit '>
typisch saurem Charakter, wie HCI, SO2 und Stickoxide.
Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispieicfi
und einer in der Zeichnung schcmäiisch wicdcrgcgcbenen
Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens näher erläutert. Es zeigt im einzelnen '°
Fig. 1 eine perspektivische Darstellung einer Vorrichtung,
Fig.2 einen teilweisen Querschnitt durch eine Vorrichtung gemäß Fig. 1, jedoch mit zusätzlichen
Hilfsvorrichtungen. ->
Wie aus der Zeichnung hervorgeht, sind in einem Gehäuse 1 auf einem im Gehäuse drehbar gelagerten
Hohlrohr 2 im Abstand von wenigen mm zueinander kreisringförmige Platten 3 angeordnet. Hohlrohr 2 und
Platten 3 bilden eine starre Einheit und drehen sich mit J0
einer Drehzahl von beispielsweise 10 U/h. Mittels im unteren Bereich des Gehäuses 1 angeordneten Sprühdüsen
4 werden die Platten 3 innerhalb einer Sprühzone 5 mit einer Flüssigkeit besprüht, die den Düsen über eine
Zuführung 6 zufließt. Auf den benetzten Platten >!>
trocknet die Flüssigkeit infolge Berührung mi? dem heißen Gasstrom rasch ein. Auf den Platten entsteht so
eine reaktionsfähige Feststoffschicht 8. Das zu reinigende Gas strömt aus einer längsseits der Platten 3 sich im
Gehäuse 1 parallel zur Achse des Hohlrohres 2 erstreckenden Gaszuleitungskammer 9 in den oberen
Bereich der Platten ein und wird entlang der Feststoffschicht 8 geführt, wobei die zu entfernenden
Schadstoffe durch Reaktion mit der Feststoffschicht gebunden werden. Das gereinigte Gas sammelt sich in
einer auf der anderen Seite der Platten 3 angeordneten Gasableitungskammer 10 und strömt ab.
Die Drehbewegung der Platten 3 erfolgt vorzugsweise in einem de·· Richtung des einströmenden Gases
entgegengesetzten Drehsinn, wie dies durch Pfeile mit
gestrichelten Linien für die Drehrichtung der Platten, mit durchgezogenen Linien für die Strömungsrichtung
der Gase in F i g. 1 und 2 angedeutet ist
Die Drehbewegung kann jedoch, falls dies zweckmäßig ist, auch in gleichgerichteten Drehsinn erfolgen.
Antrieb und Lagerung des Hohlrohres 2 sind — wie in der Zeichnung nicht dargestellt ist — außerhalb des
Gehäuses 1 angeordnet. Für den Fall, daB das Hohlrohr
durch die Platten so belastet ist, daß eine unerwünschte Durchbiegung des Hohlrohres entsteht, sind innerhalb M
des Gehäuses zum Abstützen des Hohlrohres zusätzliche Stützrollen angebracht Das Hohlrohr 2 ist
beheizbar oder kühlbar ausgebildet Im Ausfuhrungsbeispie! ist für eine Beheizung beispielsweise eine
Gasleitung 11 mit über deren Länge verteilten °5 Brennstellen vorgesehen. Statt einer Gasheizung kann
aber auch eine elektrische oder eine Heißdampf- oder Warmluftheizung für das Hohlrohr vorgesehen sein.
Die durch Reaktion mit den Schadstoffen der Gase verbrauchte Feststoffschicht wird von den Schabern 12
von den Platten wieder entfernt. Die als Messer oder Kratzer ausgebildeten Schaber sind auf einer Halterung
13 angeordnet und ragen kammartig in den Zwischenraum zwischen den Platten hinein. Der Abstand zum
Hohlrohr ist gering. Die Schaber und die bis zur Wandung des Gehäuses 1 erstreckte Halterung 13
bilden gleichzeitig eine die Gasströmung im unteren Bereich der Platten behindernde Trennfläche. Die
Schaber 12 sind vorteilhaft unmittelbar unterhalb der Sprühzone 5 angeordnet, was ein Entfernen der
Feststoffschicht im feuchten Zustand ermöglicht und störende Staubentwicklung vermeidet. Im Ausführungsbeispiel nach Fig.2 ist zur Kühlung der Halterung 13
ein Kühlwasserrohr 14 vorgesehen.
Um eine übermäßige Befeuchtung des zu reinigenden Gases durch das Versprühen der Flüssigkeit der Lösung
zu verhindern, ist im Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 oberhalb der Sprühzone S ein Dampfkondensator 15
angeordnet, der zweckmäßigerweise mit Wasser gekühlt wird. Die am Dampfkondensator 15 niedergeschlagene
Flüssigkeitsmenge fließt in eine mit einer Flüssigkeit gefüllte Wanne 16 ab. In der Wanne ist ein
die Sprühdüsen 4 aufweisendes Rohr 17 verlegt, das die zu versprühende Flüssigkeit führt. Die Sprühdüsen
mümlsn unterhalb des Flüssigkeitsspiegels in der
Wanne 16, um ein Verkrusten der Düsenmündungen zu vermeiden. In F ί g. 2 ist eine am Boden des Gehäuses 1
verlaufende Wanne 16 zur Aufnahme von Flüssigkeit dargestellt In der Wanne kaiin als Flüssigkeit Wasser
verwendet werden. Je nach Anwendungsfall ist es vorteilhaft, den gesamten Boden des Gehäuses 1 als
Flüssigkeitswanne auszubilden, wobei in das Flüssigkeitsbad die äußeren Randbereiche der Platten zur
Kühlung eintauchen können.
Die in der Zeichnung schematisch wiedergegebene Vorrichtung ist mit 5 mm dicken Platten mit einem
äußeren Plattendurchmesser von 90 mm ausgerüstet Die Platten sind auf einem Hohlrohr von 50 mm
Durchmesser im Abstand von 5 mm fest angeordnet. Platten und Hohlrohr bestehen aus Chrom-Nickel-Stahllegierung.
Die Oberfläche der Platten wurde gebeizt. Die für die Bildung der Feststoffschicht
insgesamt zur Verfügung stehende Oberfläche beträgt 800 cm2. Zum Aufbringen des Flüssigkeitsfilms sind
zehn Düsen vorhanden, die die Lösung intermittierend verspritzen. Bei einer Drehzahl von 6 U/h und einem
Flüssigkeitsbedarf von 1 ml pro 20 cm2 Oberfläche wird die Oberfläche der Platten etwa zehnmal pro Umlauf
eine Sekunde lang besprüht In der Sprühzone wird eine Oberflächentemperatur der Platten von 150° C eingehalten.
Die Grenztemperatur, bei der die Platten nicht mehr beschichtet werden konnten, betrug ca. 180° C. Auf
der Plattenoberfläche bildete sich eine geschlossene Feststoffschicht aus.
Ausführungsbeispiel 1
Es wurde SO2-haltige Luft gereinigt Der Schadstoffgehalt
betrug 1500 ppm SO2. Zur Bildung der Feststoffschicht wurde eine Flüssigkeit verwendet die pro Liter
wäßriger Lösung 100 g NaOH und 100 ml Wasserglas enthielt Zu der oben bezeichneten Vorrichtung wurde
bei einem Durchsatz von 200 I/h zu reinigendem Gas am Gasausgang ein SO2-Gehalt von 15 ppm gemessen. Bei
einem Durchsatz von 500 l/h betrug der SO2-Gehalt im
abströmenden Gas 200 ppm.
Ausführungsbeispiel 2
Es wurde Kohlendioxidgas mit einer Verunreinigung
von 1600 ppm HCI gereinigt. Zur Bildung der Feststoffschicht wurde eine Flüssigkeit verwendet, die auf pro
Liter wäßriger Lösung 53 g Na2CO3 und lOrrl
Was>rglas enthielt. In der gleichen Vorrichtung wurde
bei einem Durchsatz von 100 l/h zu reinigendem Gas am
Gasausgang ein HCI-Gehalt von etwa 10 ppm gemessen.
Bei einem Durchsatz von 200 l/h beuug der HCI-Gehalt im abströmenden Gas 60 ppm.
Ausführungsbeispiel 3
Zur Reinigung von Abgas, das bei Verbrennungsprozessen anfällt und Zn- und Cd-Verunreinigungen
enthielt, wurden die rotierenden Platten mit einer wäßrigen Lösung, die 10 ml Wasserglas pro Liter
enthielt, sowie mit einer NaHSd-Lösung enthaltend 100 g NaHSO<
pro Liter besprüht. Jede der Flüssigkeiten wurde einer der Sprühgruppen 4 über je eine der
Zuführungsleitungen 6 der Vorrichtung zugeführt. Beim Versprühen der Lösungen bildete sich auf der
Plattenoberfläche eine oberflächenreiche sauer reagierende Feststoffschicht.
Bei einem Durchsatz von 200 Liter Abgas pro Stunde konnte eine ausreichende Reinigung des Gases erzielt
werden.
Ausführungsbeispiel 4
Es war Abgas zu reinigen, das Cs-Verunreinigungen enthielt. Zur Bildung einer die Verunreinigung bindenden
Feststoffschicht auf den Platten wurde die Plattenoberfläche sowohl mit einer 10 ml Wassserglas
pro Liter enthaltenden Lösung als auch mit einer 50 g KHSO4 pro Liter enthaltenden Lösung besprüht. Die
Flüssigkeiten wurden in gleicher Weise wie beim vorhergehenden Ausführungsbeispiel je einer der
Sprühdüsengruppen 4 zugeführt.
Auf der sich auf den rotierenden Platten bildenden Feststoffschicht konnte das Abgas bei einem Durchsatz
von 100 Liter pro Stunde in ausreichender Weise gereinigt werden.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (13)
1. Verfahren zum Reinigen von heißen Gasen, bei dem die Gase zwischen um eine Achse rotierenden,
mit einem Abstand zueinander angeordneten Platten mit einer auf deren Oberflächen als Flüssigkeit
aufgebrachten und getrockneten Feststoffschicht hindurchgeführt werden, und daraufhin die Feststoffschicht
entfernt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die die Feststoffschicht bildende
Flüssigkeit auf die Plattenoberfläche gesprühi wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die eingesetzte Flüssigkeit oder zumindest eine der eingesetzten Flüssigkeiten
zusätzliche Stoffe enthält, die beim· Eindampfen ein
Gel mit porenreicher Struktur oder eine Gerüststruktur bilden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Platten ganz oder zum Teil
beheizt oder gekühlt werden.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächentemperatur der
Platten unterhalb der Grenztemperatur gehalten wird, die für die Benetzung der Plattenoberfläche
mit der Flüssigkeit oder mit der am leichtesten siedenden Flüssigkeit erforderlich ist.
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Flüssigkeit oder zumindest
eine der Flüssigkeiten zeitlich intermittierend auf die Platten aufgespritzt wird.
6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Featstoffschicht in leicht
feuchtem Zustand von der Plattenoberfläche entfernt
wird.
7. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Patentanspruch 1 mit auf einem Hohlrohr, das
in einem behälterförmigen Gehäuse drehbar angeordnet ist, in axialer Richtung im Abstand von
wenigen mm hintereinander befestigten kreisringförmigen Platten .und mit einer sich parallel zur
Achse des Hohlrohres erstreckenden Gaszuleitungskammer sowie einer Gasableitungskammer, wobei
zum Säubern der Platten Schaber angeordnet sind, die in die Zwischenräume zwischen den Platten
hineinragen und die Plattenoberflächen berühren, dadurch gekennzeichnet, daß ortsfest im Gehäuse (1)
zwei, je an einer zur Achse des Hohlrohres (2) parallel verlegten Zuführung (6) für eine Flüssigkeit
angeschlossene Gruppen von Sprühdüsen (4) derart angeordnet sind, daß die Platten (3) innerhalb einer
in Drehrichtung der Platten den Schabern (12) folgenden Sprühzone (5) mit Flüssigkeit benetzbar
sind und daß die Schaber (12) bis auf einen geringen Abstand an das Hohlrohr (2) herangeführt und an
einer Halterung (13) befestigt sind, die eine die Gasströmung behindernde, bis zur Wandung des
Gehäuses (1) ausgedehnte Trennfläche bildet.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuführungen (6) in einer mit
Flüssigkeit gefüllten Wanne (16) derart verlegt sind,
daß die Sprühdüsen (4) von der Flüssigkeit in der Wanne überdeckt sind.
9. Vorrichtung nach den Ansprüchen 7 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß in der Zuführung (6) zu
den Sprühdüsen (4) intermittierend zu öffnende und zu schließende Durchflußventile (7) vorgesehen sind.
10. Vorrichtung nach den Ansprüchen 7, 8 und 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Durchmes er des
Hohlrohres (2) größer als ein Drittel des Durchmessers der Platten (3) ist
11. Vorrichtung nach den Ansprüchen? bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß im Bereich der Sprühzone (5) ein Dampfkondensator (15) angeordnet
ist
12. Vorrichtung nach den Ansprüchen? bis 11,
dadurch gekennzeichnet, daß die Halterung (13) der Schaber (12) gekühlt ist
13. Vorrichtung nach den Ansprüchen 7 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Platten (3) mit
ihrem äußeren Randbereich in ein am Boden des Gehäuses (1) vorhandenes Flüssigkeitsbad eintauchen.
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