DE2712216A1

DE2712216A1 - Verfahren zum reinigen von heissen gasen

Info

Publication number: DE2712216A1
Application number: DE19772712216
Authority: DE
Inventors: Peter Dr Filss
Original assignee: Kernforschungsanlage Juelich GmbH
Current assignee: Forschungszentrum Juelich GmbH
Priority date: 1977-03-19
Filing date: 1977-03-19
Publication date: 1978-09-21
Also published as: FR2383693B1; DE2712216C2; FR2383693A1; US4214881A; US4278645A

Description

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Kernforschungsanlage Jülich Gesellschaft mit beschränkter Haftung

Verfahren zum Reinigen von heißen Gasen

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Reinigen von heißen Gasen, insbesondere von industriellen Abgasen, bei dem die Gase zwischen um eine Achse rotierenden, mit einem Abstand von wenigen mm zueinanderangeordneten Platten hindurchgeführt werden, wobei zumindest eine aus den Gasen abzutrennende Komponente mit einer auf die Oberfläche der Platten als Flüssigkeit, insbesondere als wässrige Lösung aufgebrachten und getrockneten Feststoffschicht eine Verbindung bildet und die Feststoffschicht nach Reaktion mit den Gasen von den Platten entfernt wird.

Zur Abtrennung von Verunreinigungen und Schadstoffen aus industriellen Abgasen sind zahlreiche Verfahren und Vorrichtungen bekanntgeworden. Die dabei angewandten Maßnahmen richten sich nach der chemischen Beschaffenheit und dem Dispersionsgrad der abzutrennenden Verunreinigungen. Soweit es sich um die Abtrennung molekulardisperser Verunreinigungen von Gasen handelt, sind bisher häufig Naßreinigungsverfahren angewendet worden. Dabei wurden die zu reinigenden Gase abgekühlt und mit Feuchtigkeit beladen. Das hat den Nachteil, daß zusätzliche Maßnahjaee-'getroffen werden mußten, um den Gasen den für die Emission in die Atmosphäre erforderlichen Auftrieb zu erteilen. Nachteilig war außerdem die Be-

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ladung mit Ärosolen, die durch die bei der Naßreinigung verwendeten Flüssigwäscher im allgemeinen eintritt, da dies zu einer unerwünschten Beeinträchtigung der Umgebung führt.

Zum Stande der Technik gehören Verfahren zum Ausscheiden von in Rauchgasen enthaltenen Nutzstoffen oder von Beimischungen, bei denen die Gase an Platten entlang geführt werden, die zum Teil in Wasser oder in eine chemische Flüssigkeit eintauchen und mit geringer Geschwindigkeit so rotieren, daß sie dauernd mit Flüssigkeit benetzt bleiben. Bei diesem Verfahren sollen die in den Gasen suspendierten Partikeln an den Scheiben haften bleiben (DT-PS 34 324, DT-OS 1 546 649). Diese Verfahren sind jedoch auf die Verwendung flüssiger Sorptionsmittel (Naßreinigung) beschränkt.

Es sind auch Verfahren zur Gasreinigung mit Hilfe von Feststoffen bekannt. So ist aus der DT-PS 499 652 ein Verfahren zur Reinigung kohlendioxidhaltiger Gase von flüchtigen Eisenverbindungen durch Überleiten der Gase über Kalk oder Bariumoxid bekannt, bei den die zur Reinigung eingesetzten Feststoffe diskontinuierlich erneuert werden. Dieser Nachteil wird vermieden bei einem aus der DT-AS 2 236 389 bekannten Verfahren. Bei diesem Verfahren werden die Schadstoffe chemisch an kontinuierlich auf rotierenden Platten gebildeten und entfernten Feststoffschichten gebunden. Dabei bewegen sich die rotierenden Platten durch ein Bad einer die Platten benetzenden Lösung und der anhaftende Lösungsfilm wird oberhalb der Flüssigkeitsoberfläche durch Aufheizen getrocknet. Zur Trocknung des Lösungsmittelfilms lassen sich die zu reinigenden heißen Gase ausnutzen. Die

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Temperaturunterschiede zwischen den die Feststoffschichten tragenden Oberflächenbereichen der Platten und den Bereichen der Platten, die in das Flüssigkeitsbad eintauchen, dürfen dabei nicht beliebig groß sein.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Reinigung heißer Gase mittels an rotierenden Platten gebildeten Feststoffschichten zu schaffen, bei denen die Temperaturunterschiede zwischen den Bereichen der Platten, die sich in der Reaktionszone befinden, und den Plattenbereichen in der Beschichtungszone reduziert sind.

Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der oben genannten Art gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß die die Feststoffschicht bildende Lösung auf die Plattenoberfläche oder zumindest auf Teile derselben aufgesprüht wird und die gebildete Feststoffschicht nach Reaktion mit den Gasen zumindest teilweise innerhalb des Gasraumes entfernt wird. Durch Aufsprühen der Lösung wird eine starke Abkühlung der gesamten Platte beim Auftragen des Lösungsmittelfilms vermieden und die Beschichtungszone relativ zur Gesamtoberfläche der Platten verkleinert. Dies führt zu einer Verringerung der mittleren Temperaturunterschiede auf den Platten, wobei jeweils die örtlichen mittleren Temperaturen der Platten gebildet werden durch Mitteilung der Temperaturverteilung über der Plattendicke. Darüber hinaus wird die für die Reaktion mit den Gasen zur Verfügung stehende Gesamtoberfläche der Feststoffschicht vergrößert, was der Wirtschaftlichkeit der Anlage zugute kommt. Die Feststoffschicht wird ganz oder

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teilweise im Gasraum entfernt, wobei gegebenenfalls noch verwertbare Feststoffanteile auf den Platten verbleiben.

In weiterer Ausgestaltung des Verfahrens ist vorgesehen, die Plattenoberfläche mit mehreren, jeweils mit zumindest einer der aus den Gasen abzutrennenden Komponente eine Verbindung bildenden Lösungen zu besprühen. Es ist so möglich, Lösungen, die als Flüssigkeiten nicht miteinander verträglich sind, die beispielsweise koagulieren würden, gleichzeitig als Feststoffschicht aufzubringen und gleichzeitig unterschiedlichen Komponenten des zu reinigenden Gases abzutrennen, die sonst in mehreren hintereinandergeschalteten Reinigungsanlagen entfernt werden müßten.

Günstige Oberflächenstrukturen in der Feststoffschicht werden dadurch erzielt, daß die verwendete Lösung oder zumindest eine der verwendeten Lösungen zusätzliche Stoffe enthält, die beim Eindampfen und gegebenenfalls bei der gasreinigenden Reaktion ein Gel mit porenreicher Struktur oder eine Gerüststruktur bilden. Ein tjlpischer Vertreter solcher Stoffe ist Wasserglas. Zur Einstellung der gewünschten Reaktionstemperatur werden die Platten ganz oder zum Teil beheizt oder gekühlt. Eine Temperaturregulierung ist insbesondere im Bereich der Beschichtungszone der Platten von Vorteil. Die Bildung einer Feststoffschicht durch Aufsprühen der Lösung auf die Platten gelingt nämlich nicht, wenn nach überschreiten einer Grenztemperatur auf der Plattenoberfläche bei Auftreffen der Lösungsmitteltropfen infolge übermäßiger Dampfbildung kein Lösungsmittelfilm entsteht (Leidenfrost-Phänomen). Gemäß der Erfindung ist deshalb vorgesehen, die Oberflächentemperatur der Platten im Bereich des Aufsprühens der Lösung oder der Lösungen

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unterhalb der für die Benetzung der Plattenoberfläche mit der Lösung oder der am leichtesten siedenden Lösung erforderlichen Grenztemperatur zu halten. Die Grenztemperatur liegt oberhalb der Siedetemperatur des verwendeten, am leichtesten siedenden Lösungsmittels und ist unter anderem auch abhängig von der Oberflächenbeschaffenheit des Materials. Die Grenztemperatur wird empirisch ermittelt.

Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung des Verfahrens besteht darin, daß die Lösung oder zumindest eine der Lösungen zeitlich intermittierend auf die Platten aufgesprüht wird. Dabei wird die jeweils zu versprühende Flüssigkeitsmenge bemessen nach der sich auf den Platten bildenden Feststoffschicht. Bevorzugt ist die Flüssigkeitsmenge zugleich so eingestellt, daß die abzutrenndende Feststoffschicht in leicht befeuchtetem Zustand von der Plattenoberfläche entfernbar ist.

Zur Durchführung des Verfahrens ist eine Vorrichtung geeignet, die auf einem Hohlrohr, das in einem behälter förmigen Gehäuse drehbar angeordnet ist, in achsialer Richtung im Abstand von wenigen mm hintereinander befestigte kreisringförmige Platten aufweist und bei der eine sich parallel zur Achse des Hohlrohres erstreckende Gaszuleitungskammer und eine Gasableitungskammer vorgesehen ist und bei der zum Säubern der Platten Schaber angeordnet sind, die in die Zwischenräume zwischen den Platten hineinragen und die Plattenoberfläche berühren. Die Vorrichtung zeichnet sich gemäß der Erfindung dadurch aus, daß ortsfest im Gehäuse mehrere, an einer Zuführung für eine Flüssigkeit, insbesondere für eine wässrige Lösung angeschlossene Sprühdüsen derart angeordnet

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sind, daß die Platten innerhalb einer in Drehrichtung der Platten den Schabern nachgeordneten Sprühzone ganz oder zum Teil mit der Flüssigkeit oder Lösung benetzbar sind, und daß die Schaber bis auf einen geringen Abstand an das Hohlrohr herangeführt sind, und an einer Halterung befestigt sind, die eine die Gasströmung behindernde, bis zur Wandung des Gehäuses ausgedehnte Trennfläche bildet. In der Flüssigkeit oder wässrigen Lösung sind solche löslichen Verbindungen enthalten, die die in den Gasen enthaltenden Schadstoffe an einer festen Oberflächenschicht chemisch binden. Die auf den Platten gesprühte Lösung trocknet durch die Restwärme der Platten, spätestens jedoch beim Kontakt mit den heißen zu reinigenden Gasen. Die feste Oberflächenschicht reagiert mit den aus den Gasen zu entfernenden Schadstoffen und erschöpft sich dabei. Die erschöpfte Schicht wird unter Zuhilfenahme der Schaber abgekratzt. Anschließend werden die rotierenden Platten wieder mit frischer Lösung besprüht. Das Entfernen der Feststoffschicht geschieht üblicherweise kontinuierlich durch die Drehung der Platten, wobei die verbrauchten und abgekratzten Feststoffe an den Schabern nach unten rieseln und vom Boden des Gehäuses ausgetragen werden.

Eine bevorzugte Ausführungsform der Vorrichtung besteht darin, daß die Sprühdüsen auf einem zur Achse des Hohlrohres parallel verlegten, die zu versprühende Flüssigkeit oder Lösung führenden Rohr angeordnet sind, das in einer ebenfalls mit Flüssigkeit gefüllten Wanne derart verlegt ist, daß die Sprühdüsen von der Flüssigkeit in der Wanne überdeckt sind. Hierdurch wird ein Verkrusten der Düsenmündungen vermieden. In vorteilhafter Weise lassen

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sich im Rohr und in der Wanne Flüssigkeiten oder Lösungen unterschiedlicher Zusammensetzung einbringen. Die Wanne kann beispielsweise mit Wasser gefüllt sein.

In der Zuführung für die Flüssigkeit zu den Sprühdüsen befinden sich bevorzugt intermittirend zu öffnende und zu schließende Durchflußventile. Die Sprühdüsen können in Gruppen zusammengefaßt sein, wobei jeder Gruppe ein Durchflußventil zugeordnet wird, das unabhängig von den übrigen Durchflußventilen regelbar ist.

Günstige Verhältnisse für das Aufsprühen der Lösung werden dadurch erreicht, daß der Durchmesser des Hohlrohres größer als ein Drittel des Durchmessers der Platten beträgt. Um eine übermäßige Belastung des zu reinigenden Gases mit verdunstetem Lösungsmittel zu vermeiden, ist es vorteilhaft, im Bereich der Sprühzone gekühlte Dampfkondensatoren anzuordnen. Eine Kühlung der Platten wird vom äußeren Rand her dadurch erreicht, daß die Platten mit ihrem äußeren Randbereich in ein am Boden des Gehäuses vorhandenes Flüssigkeitsbad eintauchen. Bevorzugt wird auch die Halterung der Schaber gekühlt.

Verfahren und Vorrichtung gemäß der Erfindung sind gut geeignet zur Abtrennung von molekulardispersen Schadstoffen und Verunreinigungen aus Luft oder COj-haltigem Abgas, insbesondere für Stoffe mit typisch saurem Charakter, wie HCl, SO- und Stickoxide.

Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen und einer in der Zeichnung schematisch wiedergegebenen

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Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens näher erläutert. Es zeigen im einzelnen

Figur 1 eine perspektivische Darstellung einer Vorrichtung

Figur 2 einen teilweisen Querschnitt durch eine Vorrichtung gemäß Figur 1, jedoch mit zusätzlichen Hilfsvorrichtungen

Wie aus der Zeichnung hervorgeht, sind in einem Gehäuse 1 auf einem im Gehäuse drehbar gelagerten Hohlrohr 2 im Abstand von wenigen mm zueinander kreisringförmige Platten 3 angeordnet. Hohlrohr 2 und Platten 3 bilden eine starre Einheit und drehen sich mit einer Drehzahl von beispielsweise 10 U/h. Mittels im unteren Bereich des Gehäuses 1 angeordneten Sprühdüsen 4 werden die Platten 3 innerhalb einer Sprühzone 5 mit einer Lösung besprüht, die den Düsen über eine Zuführung 6 zufließt. Auf den benetzten Platten trocknet die Lösung infolge Berührung mit dem heißen Gasstrom rasch ein. Auf den Platten entsteht so eine reaktionsfähige Feststoffschicht 8. Das zu reinigende Gas strömt aus einer längsseits der Platten 3 sich im Gehäuse 1 parallel zur Achse des Hohlrohres 2 erstreckenden Gaszuleitungskammer 9 in den oberen Bereich der Platten ein und wird entlang der Feststoffschicht 8 geführt, wobei die zu entfernenden Schadstoffe durch Reaktion mit der Feststoffschicht gebunden werden. Das gereinigte Gas sammelt sich in einer auf der anderen Seite der Platten 3 angeordneten Gasableitungskammer 10 und strömt ab.

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DIe Drehbewegung der Platten 3 erfolgt vorzugsweise in einem der Richtung des einströmenden Gases entgegengesetzten Drehsinn, wie dies durch Pfeile mit gestrichelten Linien für die Drehrichtung der Platten, mit durchgezogenen Linien für die Strömungsrichtung der Gase in Figur 1 und 2 angedeutet ist.

Die Drehbewegung kann jedoch, falls dies zweckmäßig ist, auch in gleichgerichtetem Drehsinn erfolgen. Antrieb und Lagerung des Hohlrohres 2 sind - wie in der Zeichnung nicht dargestellt ist - außerhalb des Gehäuses 1 angeordnet. Für den Fall, daß das Hohlrohr durch die Platten so belastet ist, daß eine unerwünschte Durchbiegung des Hohlrohres entsteht, sind innerhalb des Gehäuses zum Abstützen des Hohlrohres zusätzliche Stützrollen angebracht. Das Hohlrohr 2 ist beheizbar oder kühlbar ausgebildet. Im Ausführungsbeispiel ist für eine Beheizung beispielsweise eine Gasleitung 11 mit über deren Länge verteilten Brennstellen vorgesehen. Statt einer Gasheizung kann aber auch eine elektrische oder eine Heißdampf- oder Warmluftheizung für das Hohlrohr vorgesehen sein.

Die durch Reaktion mit den Schadstoffen der Gase verbrauchte Feststoffschicht wird von den Schabern 12 von den Platten wieder entfernt. Die als Messer oder Kratzer ausgebildeten Schaber sind auf einer Halterung 13 angeordnet und ragen kammartig in den Zwischenraum zwischen den Platten hinein. Der Abstand zum Hohlrohr ist gering. Die Schaber und die bis zur Wandung des Gehäuses 1 erstreckte Halterung 13 bilden gleichzeitig eine die Gasströmung im unteren Bereich der Platten behindernde Trennfläche. Die Schaber 12 sind vorteilhaft unmittelbar

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unterhalb der Sprühzone 5 angeordnet, was ein Entfernen der Feststoffschicht im feuchten Zustand ermöglicht und störende Staubentwicklung vermeidet. Im Ausführungsbeispiel nach Figur 2 ist zur Kühlung der Halterung 13 ein Kühlwasserrohr 14 vorgesehen.

Um eine übermäßige Befeuchtung des zu reinigenden Gases durch das Versprühen der Flüssigkeit der Lösung zu verhindern, ist im Ausführungsbeispiel nach Figur 2 oberhalb der Sprühzone 5 ein Dampfkondensator 15 angeordnet, der zweckmäßigerweise mit Wasser gekühlt wird. Die am Dampfkondensator 15 niedergeschlagene Lösungsmittelmenge fließt in eine mit einer Flüssigkeit gefüllte Wanne 16 ab. In der Wanne ist ein die Sprühdüsen 4 aufweisendes Rohr 17 verlegt, das die zu versprühende Flüssigkeit führt. Die Sprühdüsen münden unterhalb des Flüssigkeitsspiegels in der Wanne 16, um ein Verkrusten der Düsenmündungen zu vermeiden. In Figur 2 ist eine am Boden des Gehäuses 1 verlaufende Wanne 16 zur Aufnahme von Flüssig keit dargestellt. Als Flüssigkeit kann Wasser verwendet werden. Je nach Anwendungsfall ist es vorteilhaft, den gesamten Boden des Gehäuses 1 als Flüssigkeitswanne auszubilden, wobei in das Flüssigkeitsbad die äußeren Randbereiche der Platten zur Kühlung eintauchen können.

Die in der Zeichnung schematisch wiedergegebene Vorrichtung ist mit 5 mm dicken Platten mit einem äußeren Plattendurchmesser von 90 mm ausgerüstet. Die Platten sind auf einem Hohlrohr von 50 mm Durchmesser im Abstand von 5 mm fest angeordnet. Platten und Hohlrohr bestehen aus Chrom-Nickel-Stahllegierung. Die Oberfläche der Platten wurde gebeizt. Die für die Bildung der Fest-

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Stoffschicht insgesamt zur Verfügung stehende Oberfläche beträgt 800 cm . Zum Aufbringen des Lösungsmittelflms sind zehn Düsen vorhanden, die die Lösung intermittierend verspritzen. Bei einer Drehzahl von 6 U/h und einem

2 Lösungsmittelbedarf von 1 ml pro 20 cm Oberfläche wird die Oberfläche der Platten etwa zehnmal pro Umlauf eine Sekunde lang besprüht. In der Sprühzone wird eine Oberflächentemperatur der Platten von 150° C eingehalten. Die Grenztemperatur, bei der die Platten nicht mehr beschichtet werden konnten, betrug ca. 180 C. Auf der Plattenoberfläche bildete sich eine geschlossene Feststoffschicht aus.

Ausführungsbeispiel 1

Es wurde SO^-haltige Luft gereinigt. Der Schadstoffgehalt betrug 1500 ppm S0_. Zur Bildung der Feststoffschicht wurde eine Lösung verwendet, die pro Liter wässriger Lösung 100 g NaOH und 100 ml Wasserglas enthielt. Zu der oben bezeichneten Vorrichtung wurde bei einem Durchsatz von 200 l/h zu reinigendem Gas am Gasausgang ein SO₂-Gehalt von 15 ppm gemessen. Bei einem Durchsatz von 500 l/h betrug der SO₂-Gehalt im abströmenden Gas 200 ppm.

Ausführungsbeispiel 2

Es wurde Kohlendioxidgas mit einer Verunreinigung von 1600 ppm HCl gereinigt. Zur Bildung der Feststoffschicht wurde eine Lösung verwendet, die auf pro Liter wässriger Lösung 53 g Na₃CO₃ und 10 ml Wasserglas enthielt. In der gleichen Vorrichtung wurde bei einem Durchsatz von 100 l/h zur reinigendem Gas am Gasausgang ein HCl-Gehalt von etwa

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10 ppm gemessen. Bei einem Durchsatz von 200 l/h betrug der HCIGehalt im abströmenden Gas 60 ppm.

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Claims

2/122i6 Patentansprüche

1. Verfahren zum Reinigen von heißen Gasen, insbesondere von industriellen Abgasen, bei dem die Gase zwischen um eine Achse rotierenden, mit einem Abstand von wenigen mm zueinander angeordneten Platten hindurchgeführt werden, wobei zumindest eine aus den Gasen abzutrennende Komponente mit einer auf die Oberfläche der Platten als Flüssigkeit, insbesondere als wässrige Lösung aufgebrachten und getrockneten Feststoffschicht eine Verbindung bildet, worauf die Feststoffschicht von den Platten entfernt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die die Feststoffschicht bildende Lösung auf die Plattenoberfläche oder zumindest auf Teile derselben aufgesprüht wird und daß die Feststoffschicht nach Reaktion mit den Gasen zumindest teilweise innerhalb des Gasrauemes wieder entfernt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Plattenoberfläche mit mehreren, jeweils mit zumindest einer der aus den Gasen abzutrennenden Komponente eine Verbindung bildenden Lösung besprüht wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die verwendete Lösung oder zumindest eine der vewendeten Lösungen zusätzlich Stoffe enthält, die beim Eindampfen ein Gel mit porenreicher Struktur oder eine Gerüststruktur bilden.

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4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet , daß die Platten ganz oder zum Teil beheizt oder abgekühlt werden.

5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächentemperatur der Platten im Bereich des Aufsprühens der Lösung oder der Lösungen unterhalb der für die Benetzung der Plattenoberfläche mit der Lösung oder der am leichtesten siedenden Lösung erforderlichen Grenztemperatur gehalten wird.

6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung oder zumindest eine der Lösungen zeitlich intermittierend auf die Platten aufgespritzt wird.

7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Feststoffschicht in leicht befeuchtetem Zustand von der Plattenoberfläche entfernt wird.

8. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Patentanspruch 1 mit auf einem Hohlrohr, das in einem behälterförmigen Gehäuse drehbar angeordnet ist, in achsialer Richtung im Abstand von wenigen mm hintereinander befestigten kreisringförmigen Platten und mit einer sich parallel zur Achse des Hohlrohres erstreckenden Gaszuleitungskammer sowie einer Gasableitungskammer, wobei zum Säubern der Platten Schaber angeordnet sind, die in die Zwischenräume zwischen den Platten hineinragen und die Plattenoberfläche berühren, dadurch gekennzeichnet

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daß ortsfest im Gehäuse (1) mehrere, an einer Zuführung (6) für eine Flüssigkeit, insbesondere für eine wässrige Lösung angeschlossene Sprühdüsen (4) derart angeordnet sind, daß die Platten (3) innerhalb einer in Drehrichtung der Platten den Schabern (12) nachgeordneten Sprühzone (5) ganz oder zum Teil mit der Flüssigkeit oder Lösung benetzbar sind und daß die Schaber (12) bis auf einen geringen Abstand an das Hohlrohr (2) herangeführt sind und an einer Halterung (13) befestigt sind, die eine die Gasströmung behindernde, bis zur Wandung des Gehäuses (1) ausgedehnte Trennfläche bildet.

9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß die Sprühdüsen (4) auf einer zur Achse des Hohlrohres (2) parallel verlegtenpuführung (6) für die zu versprühende Flüssigkeit oder Lösung angeordnet sind, wobei die Zuführung (6) in einer ebenfalls mit Flüssigkeit gefüllten Wanne (16) derart verlegt ist, daß die Sprühdüsen (4) von der Flüssigkeit in der Wanne überdeckt sind.

10.Vorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet , daß in der Zuführung (6) für die Flüssigkeit zu den Sprühdüsen (4) intermittierend zu öffnende und zu schließende Durchflußventile (7) vorgesehen sind.

11.Vorrichtung nach Anspruch 8, 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet , daß der Durchmesser des Hohlrohres (2) größer als ein Drittel des Durchmessers der Platten (3) eträgt.

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12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß im Bereich der Sprühzone ein Dampfkondensator (15) angeordnet ist.

13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 12, dad ure h gekennzeichnet, daß die Halterung (13) der Schaber (12) gekühlt ist.

14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Platten (3) mit ihrem äußeren Randbereich in eine am Boden des Gehäuses (1) vorhandenes Flüssigkeitsbad eintauchen.

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