DE2656211A1 - Synthetische schaltung zum pruefen der ausschaltleistung von hochspannungs- leistungsschaltern - Google Patents

Synthetische schaltung zum pruefen der ausschaltleistung von hochspannungs- leistungsschaltern

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DE2656211A1
DE2656211A1 DE19762656211 DE2656211A DE2656211A1 DE 2656211 A1 DE2656211 A1 DE 2656211A1 DE 19762656211 DE19762656211 DE 19762656211 DE 2656211 A DE2656211 A DE 2656211A DE 2656211 A1 DE2656211 A1 DE 2656211A1
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DE
Germany
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circuit
series
capacitor
auxiliary
parallel
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DE19762656211
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Eckardt Von Dipl Ing Bonin
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/327Testing of circuit interrupters, switches or circuit-breakers
    • G01R31/333Testing of the switching capacity of high-voltage circuit-breakers ; Testing of breaking capacity or related variables, e.g. post arc current or transient recovery voltage
    • G01R31/3333Apparatus, systems or circuits therefor
    • G01R31/3336Synthetic testing, i.e. with separate current and voltage generators simulating distance fault conditions

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Description

  • Synthetische Schaltung zum Prüfen der Aus-
  • schaltleistung Voll Hochspannungs-Leistungs schaltern Zusatz z. Patent ............. (Patentanmeldung P 24 24 43 407.9 vom 11. 9. 1974) Die Erfindung bezieht sich auf eine synthetische Schaltung zum Prüfen der Ausschaltleistung von Hochspannungs-Leistungsschaltern, wie sie in der Hauptanmeldung P 24 43 407.9 beschrieben ist. Es handelt sich dabei um eine Prüfschaltung mit einem Hochstromkreis, einem von einem vorgeladenen Kondensator gespeisten ersten Hochspannungskreis, einem von einem llilfstransformator versorgten zweiten Hochspannungskreis, zwei Hilfsschaltern und dem Prüfschalter, wobei die zunächst vom Hochstrom durchflossenen Hilfs- und Prüfschalter in Reihe geschaltet sind und der im zweiten Hochspannungskreis liegende Hilfsschalter mit einer Parallelschaltung versehen ist.
  • Die genaue Funktionsweise der Prüfschaltung ist in der Hauptanmeldung erläutert. Der Erfindungsgedanke der Hauptanmeldung besteht darin, den Strom aus dem im zweiten Hochspannungskreis liegenden Hilfsschalter zu einem genau vorbestimmten Zeitpunkt in einen Nebenweg zu kommutieren. Dieser Nebenweg bzw. diese Parallel schaltung zum Hilfsschalten besteht gemäß der Hauptanmeldung aus einer Reihenschaltung einer triggerbaren Funkenstrecke und einem Kondensator.
  • Die Prüfschaltung gemäß der Hauptanmeldung wird erfindungsgemäß nun dadurch weiter verbessert, daß die Parallelschaltung aus mindestens einem triggerbaren Schaltelement, insbesondere einem Halbleiterelement und einem Kommutierungskondensator in Reihe besteht.
  • Der Ersatz der in der Hauptanmeldung vorgesehenen triggerbaren Funkenstrecke durch ein triggerbares Halbleiterelement hat den Zweck, die einer triggerbaren Funkenstrecke im allgemeinen anhaftenden Nachteile, nämlich die ungenaue, von Umwelteinflüssen, wie Luftdruck, Luftfeuchtigkeit und Staub,abhängige Ansteuerung zu vermeiden. Eine Funkenstrecke muß ferner häufig poliert und nachgeeicht werden.
  • Im Gegensatz hierzu ist bei Verwendung eines triggerbaren Halbleiterelementes, z.B. eines Thyristors, eine sehr exakte Ansteuerung möglich, die von Umwelteinflüssen unabhängig ist.
  • In der Zeichnung ist in Fig. 1 die bekannte synthetische PrüS-schaltung nach der Hauptanmeldung dargestellt.
  • In Fig. 2 ist die Funkenstrecke F2 durch einen Thyristor Th ersetzt. Es ist nicht die gesamte Schaltung, sondern nur der Kommutierungszweig für den Hilfsschalter HS2 gezeichnet, der aus dem Kondensator 0z und dem Thyristor Th besteht. Der Kondensator 0z kann auch mittels einer geeigneten Ladeschaltung (nicht dargestellt) vorgeladen sein. Die Prüfschaltung bleibt im übrigen unverändert. Der Einsatz eines Thyristors anstelle der Funkenstrecke F2 ist natürlich auch in den Schaltungen gemäß Fig. 3 und 4 der Hauptanmeldung möglich.
  • In Fig. 3 ist dem Thyristor Th zusätzlich eine entgegengesetzt gepolte Diode D parallel geschaltet. Diese Diode ermöglicht die Wiederentladung des Kondensators C und damit z das Fließen eines Einschwingstromes, der bei der Erzeugung des Einschwingvorganges der Zusatzspannung des zweiten EIS-Kreises zustande kommt.
  • Der Einschwingvorgang dieser Spannung wird in Amplitude, Frequenz und Dämpfung mittels des Kondensators Cz des Widerstandes R und der Induktivität L so geformt, daß die Summe 5 5 der beiden Spannungen aus dem liochspannungskreis den vorschriftsmäßigen Verlauf hat (z. B. nach IEC).
  • Damit sich die Schwingung ungestört ausbilden kann, ist es erforderlich, den Thyristor Th im Anschluß an die erste Triggerung durch weitere Triggerimpulse in ansich bekannter Weise dauernd offen zu halten.
  • Anstelle von Einzeldioden und -thyristoren kann auch eine Reihenschaltung oder Reihenparallelschaltung dieser Elemente je nach der benötigten Spannungsfestigkeit und Stromtragfähigkeit eingesetzt werden.
  • 3 Seiten Beschreibung 3 Patentansprüche

Claims (3)

  1. Patentansprüche ;ynthetischeSchaltung zum Prüfen der Ausschaltleistung von Hochspannungs-Leistungsschalternmit einem Hochstromkreis, einem von einem vorgeladenen Kondensator gespeisten ersten Hochspannungskreis, einem von einem Hilfstransformator versorgten zweiten Hochspannungskreis, zwei Hilfsschaltern und dem Prüfschalter, wobei die zunächst vom Hochstrom durchflossenen Hilfs- und Prüfschalter in Reihe geschaltet sind und der im zweiten Hochspannungskreis liegende Hilfsschaltermit einer Parallel schaltung versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Parallelschaltung aus mindestens einem triggerbaren Schaltelement, insbesondere einem Ralbleiterelement und einem Kommutierungskondensator (Cz) in Reihe besteht.
  2. 2. Synthetische Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleiterelement ein Thyristor (Th) eingesetzt ist (Fig. 2).
  3. 3. Synthetische Schaltung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Thyristor (h)von einer antiparallel geschalteten Diode (D) überbrückt ist (Fig. 3).
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0235389A1 (de) * 1986-01-29 1987-09-09 BBC Brown Boveri AG Prüfkreis für die synthetische Prüfung von Hochspannungs-Leistungsschaltern
DE4337810A1 (de) * 1993-11-05 1995-05-11 Abb Management Ag Prüfkreis für die synthetische Prüfung von Hochspannungsleistungsschaltern
EP1475645A1 (de) * 2003-05-06 2004-11-10 Ernst Slamecka Synthetische Prüfschaltung für Hochspannungs-Wechselstrom-Leistungsschalter

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