DE2656158C2 - - Google Patents

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DE2656158C2
DE2656158C2 DE2656158A DE2656158A DE2656158C2 DE 2656158 C2 DE2656158 C2 DE 2656158C2 DE 2656158 A DE2656158 A DE 2656158A DE 2656158 A DE2656158 A DE 2656158A DE 2656158 C2 DE2656158 C2 DE 2656158C2
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Germany
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polycrystalline silicon
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DE2656158A
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DE2656158A1 (de
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Toshio Yokosuka Jp Yonezawa
Takashi Tokio/Tokyo Jp Ajima
Kiyoshi Takaoki
Masato Yokohama Jp Uchida
Toshio Oita Jp Mitsuno
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Toshiba Corp
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    • H10D64/0113—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
    • H10D62/133—Emitter regions of BJTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/40—Crystalline structures

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DE19762656158 1975-12-10 1976-12-10 Halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung Granted DE2656158A1 (de)

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JP50146360A JPS5270761A (en) 1975-12-10 1975-12-10 Semiconductor device
JP797276A JPS5291654A (en) 1976-01-29 1976-01-29 Semiconductor device
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DE2656158A1 DE2656158A1 (de) 1977-06-23
DE2656158C2 true DE2656158C2 (enExample) 1987-10-08

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7713051A (nl) * 1977-11-28 1979-05-30 Philips Nv Halfgeleiderinrichting met een permanent geheu- gen en werkwijze ter vervaardiging van een der- gelijke halfgeleiderinrichting.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE2656158A1 (de) 1977-06-23
GB1572703A (en) 1980-07-30

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