DE2653271A1 - Substrat mit waermeableitung - Google Patents
Substrat mit waermeableitungInfo
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 35
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 29
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 28
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 25
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 21
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 2
- 101100379077 Burkholderia cepacia andAc gene Proteins 0.000 description 1
- 101710164303 N-succinylamino acid racemase Proteins 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 101710125387 o-succinylbenzoate synthase Proteins 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
- Y10T428/12826—Group VIB metal-base component
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- Power Engineering (AREA)
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Description
Patentanwalt
Dipl.Phys. Leo Thul
Stuttgart
Dipl.Phys. Leo Thul
Stuttgart
J.Gernitis-B.Butti 1-1
International Standard Electric Corporation, New York
Substrat mit Wärmeableitung
Die Erfindung bezieht sich auf eine Wärmeableitung, insbesondere eine aus mehreren Metallschichten zusammengesetzte
Anordnung mit einem vorbestimmten Wärmeausdehnungskoeffizienten zur Verwendung bei keramischen Dickfilm-Hybridanordnungen
hoher Leistung.
Es ist bekannt, metallische Wärmeableitungen mit keramischen Substraten zu verbinden. Damit während der nachfolgenden
Temperaturbehandlung das Substrat nicht zerbricht, mußte der Wärmeausdehnungskoeffizient des keramischen
Substrats an den der damit verbundenen, metallischen Wärmeableitung angepaßt sein. Es wurde eine als"Kovar" bekannte
Legierung mit einer Wärmeausdehnungscharakteristik
ähnlich der von Glas als Material für eine Wärmeableitung bei keramischen Substraten verwendet. Solche keramischen
Substrate waren jedoch normalerweise ziemlich klein (in der Größenordnung von 2,5 χ 2,5 cm), so daß die geringe
Wärmeleitfähigkeit von Kovar keine Schwierigkeiten bereitete, weil die kleinen Keramikhybridanordnungen nur für
Rg/pr - 22.11.1976
709828/0588
J.Gernitis-B.Butti 1-1
geringere Leistungen vorgesehen waren und daher keine großen Wärmemengen erzeugten. Der Trend zur Großflächenintegration
(LSI), wo ganze Mikro-Prozesseinheiten auf einem einzigen keramischen Substrat angeordnet sind, hat
es erforderlich gemacht, zu größeren keramischen Anordnungen überzugehen. Es ist notwendig, daß die mit Anordnung
festhaftend verbundene Wärmeableitung einen Wärmeausdehnungskoeffizienten
aufweist, der etwa an den der Keramik angepaßt ist, um ein Zerbrechen zu vermeiden und
daß bessere Wärmeleiteigenschaften vorhanden sind, die an die Hybridanordnung für höhere Leistungen angepaßt ist.
Für größere Vorrichtungen mit höheren Leistungen hat sich Kovar als ungeeignet erwiesen.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine geeignete metallische Wärmeableitung für keramische Dickfilm-Hybridanordnungen
höherer Leistung und größerer Ausdehnungs zu schaffen.
Die Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Wärmeableitung gemäß der Erfindung eine aus einem ersten Material mit
einem ersten Wärmeausdehnungskoeffizienten gebildete erste
Schicht und aus jeweils einem zweiten Material mit einem zweiten Wärmeausdehnungskoeffizienten gebildete zweite und
dritte Schicht besitzt, wobei die zweite und dritte Schicht jeweils auf gegenüberliegenden Oberflächen der ersten
Schicht angeordnet und mit dieser verbunden sind.
Gemäß der Erfindung sind weiterhin für eine dreischichtig zusammengesetzte Metallplatte zur Wärmeableitung bei einem
zerbrechlichen Material mit einem vorbestimmten Wärmeausdehnungskoeffizienten
eine aus einem ersten Material mit
709828/OSBS
J.Gernitis-B.Butti 1-1
einem ersten Wärmeausdehnungskoeffizienten gebildete
erste Schicht und eine aus einem zweiten Material mit einem zweiten vorbestimmten Wärmeausdehnungskoeffizienten
gebildete zweite und dritte Schicht vorgesehen, wobei die zweite und dritte Schicht jeweils mit gegenüberliegenden
Oberflächen der ersten Schicht verbunden sind. Der Wärmeausdehnungskoeffizient des zerbrechlichen
Materials liegt zwischen dem des ersten und dem des zweiten Materials und die Dicke X. der ersten Schicht und die
Dicke X„ der zweiten und dritten Schicht sind bestimmt durch die Gleichung
Xl = 0S - *3 . E2
Ll
X2 (X1 - OC3
mit OC als Wärmeausdehnungskoeffizienten des ersten Materials,
CC als Wärmeausdehnungskoeffizienten des zweiten
Materials, E1 als Elastizitätsmodul des ersten Materials
und S„ als Elastizitätsmodul des zweiten Materials.
Weitere Merkmale und Ausführungsformen der Erfindung sind
durch die Unteransprüche gekennzeichnet.
Die Erfindung ist nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen in der Zeichnung näher erläutert; es zeigen
Figur la eine dreischichtige Platte im Schnitt;
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J.Gernitis-B.Butti 1-1
Figur Ib eine Variante zur Figur la; Figur 2 eine Wärmeableitung im Grundriß;
Figur 3a ein mit der Wärmeableitung gemäß der Figur 2 festhaftend verbundenes Keramiksubstrat im
Grundr iß;
Figur 3b ein mit der Wärmeableitung fest haftend verbundenes
Keramiksubstrat im Seitenriß.
Es hat sich gezeigt, daß durch eine fest haftende Verbindung ungleicher Metalle die physikalischen Eigenschaften
der zusammengesetzten Struktur beeinflußt werden können.
So wird beispielsweise durch die fest haftende Verbindung eines Metalles mit einem höheren Wärmeausdehnungskoeffizienten
mit einem Metall mit einem niedrigeren Wärmeausdehnungskoeffizienten
eine zusammengesetzte Struktur erhalten, deren WarmeausdehnungsCharakteristika zwischen
denen der einzelnen Metalle liegen. Wenn eine Metallplatte als Unterlage für ein Substrat und zur guten Wärmeabgabe fest
haftend mit dem Keramiksubstrat verbunden ist, so ist es erforderlich, daß die Metallplatte eine an die des Substrats
angepaßte Wärmeausdehnungscharakteristik aufweist. Werden zwei Metalle mit unterschiedlichen Ausdehnungscharakteristiken
miteinander fest verbunden, so erhält man eine bimetallische Struktur, die mechanische Spannungen in dem Substrat
verursacht. Es läßt sich aber, wie nachfolgend noch näher erläutert wird, eine dreischichtige Struktur mit geeigneten
709828/0566
- tr
J.Gerηitis-B.Butti 1-1
Metallen, deren Schichtdicken in einem vorbestimmten Verhältnis zueinander stehen, herstellen, so daß zwischen
den Schichten lediglich Scherkräfte hervorgerufen werden und die bimetallische Wirkung eliminiert ist.
Verwendet man beispielsweise eine Schichtenanordnung aus Kupfer und Molybdän und wählt die beiden Schichtdicken
in einem zweckmäßigen Verhältnis zueinander, so kann der Wärmeausdehnungskoeffizient der Schichtenanordnung
dem der Keramik angepaßt werden.
Tafel I zeigt die Werte für den Wärmeausdehnungskoeffizienten, das Elastizitätsmodul und die Wärmeleitfähigkeit
von Kupfer, Molybdän und Keramik.
Material
Wärmeausdehnungskoeffizient
(Grad"1)
Elastizitätsmodul
cm
Wärmeleitfähigkeit
, ckal
m.h.Grad
Kupfer
Molybdän
Keramik
17,6 χ 10 4,9 χ 10 6,4 χ 10
-6 -6 -6
1 195 217 3 304 724 3 304 724
320 119,7 28,3
Es ist ersichtlich, daß Kupfer einen Wärmeausdehnungskoeffizienten
hat, der größer ist als der von Keramik, wohingegen Molybdän einen Wärmeausdehnungskoeffizienten
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J.Gernitis-rB.Butti 1-1
hat, der kleiner ist als der von Keramik. Kupfer und ^
Molybdän haben eine höhere Wärmeleitfähigkeit als Keramik, die des Kupfers ist. größer als die des Molybdäns..
Werden zwei Metalle mit unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten
erhitzt, so wird :eine bimetallische Wirkung hervorgerufen, weil die Ausdehnung des Metalls
mit dem größeren Wärmeausdehnungskoeffizienten größere
sein wird als die des Metalls mit dem kleineren Wärme* . ausdehnungskoeffizienten. Zur Kompensation der unterschiedlichen Ausdehnungen muß das erste Metall zusammengepreßt werden, um die Wärmeausdehnung zu verringern,
und/oder das zweite Metall muß gedehnt werden, um. die . =
Wärmeausdehnung zu vergrößern. Die Formel zur Bestimmung der Materialverschiebung als Resultat einer von außen
angewendeten Kraft geht aus der Gleichung (1) hervor:
(1)
worin (F die Materialverbiegung, P die Kraft,Mdie Länge,
A die Querschnittsfläche (Dicke χ Breite) und E das Elastizitätsmodul,
bedeuten. Die Wärmeausdehnung ist durch die Gleichung (2) gegeben:
<<* χΛ t (2)
worin *+ die Länge, o£ den Wärmeausdehnungskoeffizienten,
At die Temperaturänderung undAc die Wärmeausdehnung in
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J.Gernitis-B.Butti 1-1
Abhängigkeit von der Temperaturänderung bedeuten. Wenn
das Kupfer, festhafte.nd mit der Keramik verbunden ist,
muß die Wärmeausdehnung des Kupfers begrenzt werden, um
die Keramik nicht zu zerbrechen, weil der Wärmeausdehnungskoeffizient
von Kupfer,größer ist als der von Kerämik.
Deshalb muß auf das Kupfer eine Kraft zur Begrenzung
der Einwirkung seiner Ausdehnungskräfte auf die Keramik ausgeübt werden. Dies geht aus der Gleichung (3) hervor:
) Durch das Einsetzen geeigneter Werte aus der Tabelle I in
die Gleichung (4) kann die zur Ausdehnungsbegrenzung von Kupfer notwendige Kraft ermittelt werden,.wobei Xp die
Dicke des Kupfers mit der Breite von einer Einheit dar-
. stellt .· ·
PKupfer s n'2 x 10~6 (1 195 217) * XCu
Auf die gleiche Weise kann nach Gleichung (5) die Kraft bestimmt werden, die notwendig ist, um die Wärmeausdehnung
von Molybdän zu erhöhen :
Molybdän = 1^ x 10"6 (3 ZOk m) XMo #Δ* (5)
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J.Gernitis-B.Butti 1-1
Betrachtet man einen zusammengesetzten Körper, so muß die zur Begrenzung der Wärmeausdehnung von Kupfer notwendige
Kraft gleich der Kraft zur Erhöhung der Wärmeausdehnung von Molybdän sein. Werden diese beiden Werte
zueinander gleichgesetzt, so läßt sich das Verhältnis der Dicke des Kupfers zu der des Molybdäns nach der
Gleichung (6) berechnen :
XCu _ 0,3703 XMo
Dieses Verhältnis muß erhalten bleiben, damit der gesamte
Wärmeausdehnungskoeffizient der Schichtanordnung gleich ist dem der Keramik. Setzt man beispielsweise eine Gesamtdicke
der Schichtanordnung von 1,58 mm voraus, so muß in Übereinstimmung mit dem oben genannten Verhältnis die
Dicke des Molybdäns 1,17 mm und die des Kupfers 0,41 mm betragen.
Um jegliche bimetallische Wirkung zu vermeiden, ist das Kernmaterial (Molybdän) zwischen zwei Schichten des äußeren
Materials (Kupfer) angeordnet. Die zwei Schichten des äußeren Materials sind gleich dick ausgebildet. Dies ist
in der Figur la. dargestellt. Eine Schicht 1 aus Molybdän mit einer Dicke von 1,17 mm ist zwischen zwei Schichten
2 und 3 aus Kupfer angeordnet. Jede Schicht aus Kupfer weist eine Dicke von 0,201 mm auf; die Zusammensetzung
weist eine Gesamtdicke von 1,58 nun auf.
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Αϊ
J.Gernitis-B.Butti 1-1
In einem anderen Ausführungsbeispiel gemäß der Figur Ib
ist das Kupfer zwischen zwei Schichten aus Molybdän angeordnet. Der Kern 4 aus Kupfer ist 0,41 mm dick und zwischen
zwei äußeren Schichten 5 und 6 aus Molybdän angeordnet. Jede Schicht aus Molybdän weist eine Dicke von
0,585 mm auf. Die Schichtanordnung ist so aufgebaut, daß nur Scherkräfte auftreten und sich keine Biegung ergibt.
Die Schichtanordnungen können mittels an sich bekannter Techniken, wie beispielsweise Schweißen, Plattieren,
Galvanisieren u.a., hergestellt sein.
Das Substrat aus Aluminium-Oxid-Keramik kann mit der Schichtanordnung zur Wärmeableitung durch Auflöten auf
eine metallisierte Schicht auf dem Substrat verbunden werden. Der sich hieraus ergebende Hybridaufbau stellt
einen kompakten Modul mit extrem guten Wärmeableiteigenschaften dar, die bisher nicht zu erreichen waren.
Der Gegenstand der Erfindung kann überall dort angewendet werden, wo wechselnde Wärmebelastungen unerwünschte Biegebeanspruchungen
hervorrufen, und wo zwei Materialien festhaftend miteinander zu verbinden sind und eines dieser Materialien
nicht mit dei/infolge der bimetallischen Wirkung
auftretenden mechanischen Spannung beaufschlagt werden kann.
Die Metalle Kupfer und Molybdän sind lediglich als Beispiele genannt. Es können auch andere Metalle zur Anpassung
an die Charakteristika von Keramik oder von anderen leicht zerbrechlichen Substanzen verwendet sein«
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λ"
J.Gernitis-B.Butti 1-1
Die Figur 2 zeigt eine bevorzugte Ausbildung der Wärmeableitung mit dem Substrat 7 und gemäß der obigen Beschreibung.
Zur Befestigung und Justierung sind aus dem Umfang ragende Teile 8, 10, 12 und 14 vorgesehen.
Substratanordnung 7 weist Öffnungen 16, 18, 20, 22 und 24 zur Befestigung auf einer gedruckten Schaltungsplätte
auf.
Die Figuren 3a und 3b zeigen die Anordnung 7 von miteinander verbundenen keramischem Substrat und Wärmeableitung.
Hierbei ist beispielsweise die Wärmeableitung auf eine metallisierte Schicht 28 auf dem Keramiksubstrat 26 gelötet und so mit diesem festhaftend verbunden.
Zur Besehaltung von außen sind Kontakte 30 vorgesehen.
Verzeichnis der Bezugszeichen
1 | 3, 4 | ΐ. | Molybdänschicht |
2, | ff | i | Kupferschicht |
5, | 24J | Molybdänschicht | |
7 | 10 | Substrat mit Wärmeableitung | |
8, | 14 | Montage- bzw. Justierteil | |
12, | 18 22, |
||
16, 20, |
Befestigungsöffnung | ||
26 | Substrat | ||
28 | Metallisierungsschicht | ||
30 | Kontakt | ||
11 Patentansprüche
1 Blatt Zeichnung
1 Blatt Zeichnung
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Leerseite
Claims (11)
- J.Gernitis-B.Butt! 1-1AnsprücheMit einem Substrat verbundene Wärmeableitung, dadurch gekennzeichnet, daß eine aus einem ersten Material mit einem ersten Wärmeausdehnungskoeffizienten gebildete erste Schicht und aus einem zweiten Material mit einem zweiten Wärmeausdehnungskoeffizienten gebildete zweite und dritte Schicht vorgesehen sind, und daß die zweite und dritte Schicht jeweils mit der gegenüberliegenden Oberfläche der ersten Schicht verbunden ist.
- 2.) Wärmeableitung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie festhaftend mit einem Substrat verbunden ist, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient zwischen dem des ersten und dem des zweiten Materials liegt.
- 3.) Wärmeableitung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus Keramik besteht.
- 4.) Wärmeableitung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Material aus Kupfer und das zweite Material aus Molybdän besteht.
- 5.) Wärmeableitung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Material aus Molybdän und das zweite Material aus Kupfer besteht.709828/0588J.Gernitis-B.Butti 1-1
- 6.) Wärmeableitung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die dritte Schicht gleich dick sind.
- 7.) Wärmeableitung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß sie mit einer gedruckten Schaltungsplatte verbunden ist.
- 8.) Wärmeableitung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der resultierende Wärmeausdehnungskoeffizient der Schichtanordnung etwa gleich ist dem des keramischen Substrates.
- 9J) Wärmeableitung nach Anspruch ι+, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht eine Dicke von 0,41 mm und die zweite und dritte Schicht eine Dicke von je 0,58 5 mm hat.
- 10.) Wärmeableitung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht eine 'Dicke von 0,201 mm hat.
- 11.) Dreischichtige metallische Wärmeableitung, die mit einem Substrat aus einem zerbrechlichen Material mit einem vorbestimmten Wärmeausdehnungskoeffizienten verbunden ist nach Anspruch 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß eine aus einem ersten Material mit einem ersten Wärmeausdehnungskoeffizienten gebildete erste Schicht und aus einem zweiten Material mit einem zweiten Wärmeausdehnungskoeffizienten gebildete zweite und dritte709828/0566J.Gernitis-B.Butti 1-1Schicht vorgesehen sind, daß die zweite und dritte Schicht jeweils mit der gegenüberliegenden Oberfläche der ersten Schicht verbunden ist, daß der Wärmeausdehnungskoeffizient des zerbrechlichen Materials zwischen dem des ersten und dem des zweiten Materials liegt, und daß die Dicke X1 der ersten Schicht und die Dicke X2 der zweiten und dritten Schicht bestimmt sind durch die GleichungX2in der °C -, den Wärmeausdehnungskoeffizienten des ersten Materials, OC den Wärmeausdehnungskoeffizienten des zweiten Materials, E1 das Elastizitätsmodul des ersten Materials und E„ das Elastizitätsmodul des zweiten Materials bedeuten.Rg/ki - 22.11.1976709828/0566
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/643,740 US4025997A (en) | 1975-12-23 | 1975-12-23 | Ceramic mounting and heat sink device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2653271A1 true DE2653271A1 (de) | 1977-07-14 |
Family
ID=24582083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19762653271 Pending DE2653271A1 (de) | 1975-12-23 | 1976-11-24 | Substrat mit waermeableitung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4025997A (de) |
DE (1) | DE2653271A1 (de) |
ES (1) | ES454530A1 (de) |
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