DE2555462A1 - Verfahren zur herstellung von duesen fuer tintenstrahldrucker - Google Patents

Verfahren zur herstellung von duesen fuer tintenstrahldrucker

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DE2555462A1 DE19752555462 DE2555462A DE2555462A1 DE 2555462 A1 DE2555462 A1 DE 2555462A1 DE 19752555462 DE19752555462 DE 19752555462 DE 2555462 A DE2555462 A DE 2555462A DE 2555462 A1 DE2555462 A1 DE 2555462A1
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Description

Böblingen, den 25. November 1975 ; ki/se
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N. Y. 10504
Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung
!Aktenzeichen der Anmelderin: YO 974 035
Verfahren zur Herstellung von Düsen für Tintenstrahldrucker
Die Erfindung betrifft eine im Oberbegriff des Anspruches 1 angegebene Art eines Verfahrens zur Herstellung von in Halbleiterplättchen angeordneten Düsen.
Es ist hinreichend bekannt, Halbleitermaterialien mittels anisotroper oder bevorzugter Ätzmittel zu ätzen.
Es ist bekannt, einzelne für den Ausstoß von Flüssigkeit vorgesehene Düsen oder Düsengruppen, wie sie beispielsweise in
Tintenstrahldruckern verwendet werden, aus Kanälen von einheitlichem Aufbau zu bilden. Diese Düsen werden durch Bohren von
Löchern in Platten hergestellt, wobei das Bohren mechanisch,
elektromechanisch oder mittels Elektronen- oder Laserstrahlen
erfolgen kann. Die Platten können aus Edelstahl, Glas oder Quarz, glasartigen Kohlenstoff, Edelsteinen, wie Saphir und ähnlichem, ι bestehen. Den erwähnten Verfahren haften wenigstens einige
I der folgenden Nachteile an, nämlich wird gewöhnlich eine einzige Düse hergestellt, es wird die Größe der einzelnen Düse nur relativ mager gesteuert und es wird die Herstellung von Feldern derartiger Düsen noch schwieriger mit begleitender Nichtgleichförmigkeit der Größe der Löcher und räumlicher Streuung des Feldes»
In Tintenstrahldruckern wird ein Strahl von Tinte durch eine j
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vibrierende Düse gepresst, wodurch der Strahl in Tropfen gleicher
Größe zerfällt. Das Drucken wird erzielt durch Steuerung der
gegen das zu beschriftende Papier gerichteten Flugbahn der Tropfen* Wichtige Daten für Tintenstrahlanwendungen sind die Größe der
Düsen, die räumliche Verteilung der Düsen in einem Feld und die
Mittel für das Vibrieren der einzelnen Düsen. Diese Faktoren
beeinflussen die Gleichförmigkeit der Geschwindigkeit der aus
den einzelnen Düsen ausgestoßenen Flüssigkeit, die Richtung der i Tropfen und die Auflöseentfernung der einzelnen Tropfen, d.h. die
Entfernung zwischen dem Düsenausgang und der Stelle der Tropfenbildung.
Der im Anspruch 1 angegebenen Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde; ein Verfahren zur Herstellung mehrerer in einem Halbleiterplättcheri angeordneter Düsen anzugeben, deren Querschnitt eine vorherbestimmt te Form und Größe aufweisen soll, ohne daß eine permanente Ver- : einigung einer zusätzlichen Schicht mit dem Halbleiterplättchen ! erforderlich ist.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht eine einfache Massenher-> stellung einzelner Düsen oder von Düsenfeldern infolge der kristalt lographischen Perfektion des Ausgangsmateriales, nämlich des
verwendeten Halbleiters, der beispielsweise Silizium sein kann , und infolge der Trennschärfe des Ätzmittels. Es ergibt sich eine
hohe Steuerungsgenauigkeit für die Größe der Düse, die aus der , präzisen Kontrolle des Fabrikationsvorganges resultiert, nämlich
aus der Bildung diffundierter Schichten mit erforderlicher Dotier ungsmi tte !konzentration der Steuerung der Ätzgeschwindigkeit
des Halbleitermateriales als Funktion seiner kristallographischen
Orientierung und seines Leitfähigkeitstyps und der Dotierungs-
mittelkonzentration. Zusätzlich wird die Ätzgeschwindigkeit von
anisotropen Ätzlösungen gesteuert, als eine Funktion ihrer
Zusammensetzung und Temperatur und der Umgebungscharakteristika
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des Verfahrens. Bei der Herstellung von Düsenfeldern wird die gleiche Steuerungsgenauigkeit erzielt wie bei einer einzigen Düse, da die Steuerung der räumlichen Verteilung und der Gleichförmigkeit der Lochgröße gesteuert wird mittels einer genauen Steuerung des photolithographischen Prozesses. Die Mündungsöffnung der erfindungsgemäßen Düse ist besser als jene von rohrförmigen, da die Wandeffekte weit möglichst herabgesetzt sind.
Ein weiterer Vorteil der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Düsen liegt in der Möglichkeit der visuellen Kontrolle einer Düse, d.h., die Düsengröße und die Richtigkeit des Aufbaues kann ohne einer Überprüfung der Wirkungsweise der Düse innerhalb eines Tintenstrahldruckers festgestellt werden.
Da gemäß einer vorteilhaften Ausbildung der Erfindung nach Anspruch IO die Düsen sich vom Eingang zum Ausgang hin verjüngen, sind die Wandeffekte wesentlich gemindert. Eine derartige Düse ermöglicht auch einen Durchfluß von Flüssigkeit in beiden Richtungen, wobei jedoch die bevorzugte Strömungsrichtung der Flüssigkeit vom großen zum kleinen Düsenquerschnitt hin erfolgt, da hierdurch ein Niederdrucktropfen entsteht,
Weitere Merkmale der Erfindung sind den Unteransprüchen zu
Einzelheiten der Erfindung sind nachstehend anhand von in den figuren veranschaulichten Ausführungsbeispielen beschrieben.
Es zeigen:
Fign. 1 bis 4 Querschnitte eines Siliziumplättchens, das entsprechend der Erfindung bearbeitet wurde»
Fign. 5 u. 6 Vorderansicht und Querschnitt einer entsprechend YO 974 O35
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den in den Fign. 1 bis 4 dargestellten Arbeits- : schritte hergestellten Düse und
Fign. 7 bis 9 Querschnitte eines Siliziumplättchens zur ; Veranschaulichung aufeinanderfolgender Arbeits-
I schritte eines anderen Ausführungsbeispieles
; des erfindungsgemäßen Verfahrens.
Für eine Vielzahl von Verwendungszwecken ist es wünschenswert, eine oder mehrere präzise reproduzierbare öffnungen in oder durch ein monokristallines Siliziumplättchen zu erhalten. Es ist ein Verfahren zum chemischen Bohren eines Loches durch monokristallines Silizium beschrieben, das ein anisotropes Ätzmittel verwendet .
Anisotrope oder bevorzugte Ätzmittel greifen feste Materialien in verschiedenen Richtungen mit verschiedenen Geschwindigkeiten an. Zahlreiche anisotrope Ätzmittel sind für monokristallines Silizium bekannt, die alkalische Flüssigkeiten oder Mischungen derselben enthalten. Als Einkristall-Silizium anisotrope Ätzmittel sind zu erwähnen, wässriges Ätznatron, wässriges Ätzkali, wässriges Hydrazin, Tetramethylammon^umhydroxid, Mischungen von Phenolen und Aminen, wie Mischungen aus Brenzcatechin und Äthylendiamin mit Wasser und einer Mischung aus Ätzkali, n-Propanol und Wasser. Diese und andere bevorzugte !Ätzmittel für monokristallines Silizium sind in dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung von Flüssigkeitsdüsen verwendbar.
Obwohl es bekannt ist, daß die Geschwindigkeit des bevorzugten 'Ätzens variiert im Hinblick auf die chemischen Bestandteile des Ätzmittels, die Arten des Siliziums und seiner spezifischen !Verunreinigungen, die Temperatur und Konzentration des Ätzmittels, besonderer kristallographischer Orientierungen des Einkristall-Siliziums und anderer Faktoren, ist es bekannt, daß das Ätzen !praktisch an einer ρ Sperrschicht endet. Somit wird bei der Bildung von ρ Typ-p+ Typ, p~ Typ- p+Typ, η Typ-p+ Typ, n+ Typ-p+
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j Typ oder n-Typ-p Typ Verbindung in monokristallinem Silizium die jÄtzwirkung des anisotropen Reagenz verlangsamt oder an der Verbindung vollständig gestoppt.
Im Hinblick auf die drei gebräuchlichen untersten Kristallebenen eines Einkristall-Siliziums ist die anisotrope Ätzgeschwindigkeit am größten für (100) orientiertes Silizium, etwas geringer für (110) und am geringsten für (111) orientiertes Silizium. Fer-
jner wird mit einem η-Typ Silizium oder mit einem p-Typ Silizium mit einer Verunreinigungsdotierungskonzentration von weniger als .etwa 10 cm die Ätzgeschwindigkeit nicht wesentlich verändert l\xnä andere Paktoren bleiben konstant. Jedoch mit einer p-Typ-
19 —3 Dotierungsmittelkonzentration von > 10 cm , würde das p-Typ-Silizium dem Fachmann bekannt sein als ρ Typ Silizium. Vom praktischen Standpunkt aus gesehen wird für die Sicherstellung einer genügenden ρ Schicht zur Regulierung der Ätzgeschwindigkeit die p-Verunreinigung auf den Sättigungspunkt des Oberflächenfeldes des Siliziumkörpers gebracht.
In den Fign. 1 bis 4 ist eine beispielsweise Folge von Verfahrensschritten zur Herstellung eines Loches in einem Einkristall-Siliziumplättchen veranschaulicht. Es ist zu betonen, daß die einzelnen Verfahrensschritte auch in einer anderen Reihenfolge verwendbar sind. Auch andere Filmmaterialien zur Durchführung der gleichen, weiter unten beschriebenen Funktion, sind verwendbar. Ferner kann der Filmaufbau, seine Größe und Dicke und ähnliches verändert werden. Das Plättchen 1 besteht aus einem Einkristall-Silizium, (100) orientiert, vom p-Typ und mit einer Dicke von 0,18 bis 0,21 mm. Die Vorder- und Rückflächen 3, 5 sind mechanisch oder chemisch mittels bekannter Verfahren poliert. Auf der Vorderfläche 3 ist eine erste Siliziumnitridschicht 7 von 500 S ! Dicke abgelagert, auf der eine zweite Schicht 9 aus Siliziumdioxid mit einer Stärke von 4000 8 aufgebracht ist. Das Siliziumdioxid ist weglaßbar, wenn das Siliziumnitrid dicker gemacht j ,wird, um als Maske für die Akzeptortyp-Verunreinigungen wirken ! zu können. Hierauf wird das Plättchen thermisch oxidiert, beispiels
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weise in Dampf von 1000 °C zum Zwecke des Wachsens einer Siliziumdioxidschicht 11 von 5000 8 Dicke auf der Rückseite des Plättchens, (Das Plättchen ist in dieser Arbeitsstufe in Fig. 1 dargestellt.
Mittels eines photolithographischen Prozesses wird auf der Oberfläche der zweiten Schicht 9 ein Muster hergestellt, um ίdas Entfernen des Siliziumdioxid und des Siliziumnitrid von
Ider Vorderfläche zu erlauben, mit Ausnahme der Bereiche, in denen Löcher erforderlich sind für die Düsen. In Übereinstimmung mit dem genannten Muster wird der Bereich der Siliziumdioxid- und Siliziumnitridschichten auf der Vorderfläche 3 entfernt durch übliche Ätztechnik, mit der Ausnahme derjenigen Bereiche 13, die in Obereinstimmung mit dem genannten Muster abgedeckt sind. Das Plättchen 1 ist in dieser Herstellungsstufe in Fig. 2 veranschaulicht.
Hierauf werden in die Vorderfläche 3 Akzeptortyp-Verunreinigungen, wie Bor, Gallium, Aluminium oder ähnliches eingeführt, um eine ρ Schicht zu erzeugen. Diese Schicht ist so nahe wie möglich am Sättigungspunkt. Ein bequemer Weg zur Erzielung einer ρ Schicht bildet die Verwendung einer Bortribromidquelle. Das Eindringen der Dotierungsverunreinigung wird verzielt in bekannter Weise durch Erhitzen in einer Stickstoffatmosphäre bei einer Temperatur von mehr als 1000 0C gefolgt von einer Oxidation bei 1000 0C. In Fig. 3 ist sichtbar, daß die p+ Schicht 15 auf der Oberfläche des Ausgangs!liziumplättchens 1 gebildet ist. Die Oxidation hat eine Siliziumdioxidschicht 17 über der gesamten Vorderfläche 3 gebildet. j
ι Ein zweiter photolithographischer Schritt wird nun auf der Rück- | j 5 des Plättchens 1 ausgeführt, mit der Absicht des Beiich- ; [tens der Siliziumoberfläche in Gebieten, die dem Bereich 13 [ gegenüberliegen und mit demselben ausgerichtet sind. Ein Ausricht- ! ^werkzeug ist für diesen Schritt erforderlich. Dann wird ein drei-dimensionaler Tunnel durch das Silizium geätzt, bei Verwendung eines der zuvor beschriebenen anisotropen Ätzmittel, i
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wobei das litzen von der Rückseite her bis zurSiliziumnitrid- ' ι schicht 7 erfolgt, da die Schicht 7 tinter ihr die Bildung eines ρ Gebietes entsprechend dem Bereich 13 verhütet hat. Das Platt- ; chen ist in diesem Zustand in Fig. 4 veranschaulicht. Hierauf > wird der Rest der Schicht 7 und der hiermit verbundenen Schicht 17 entfernt, mittels eines geeigneten Ätzmittels. Angenommen, daß i das ausgerichtete Muster ausgewählt war für die Erzeugung einer i kreisförmigen Siliziumnitridmaske vor der Bildung der ρ Ober- j flächenschicht, ergibt sich ein kreisrundes Loch 20, das innerhalb ides quadratischen Siliziumfensters 22 innerhalb des (100) orientierten Silizium zentrisch angeordnet ist. Dieser Zustand ist in den Fign. 5 und 6 dargestellt. Der Tunnel 21 hat die Form eines geraden Pyramidenstumpfes von quadratischem Querschnitt.
Eine in einem aus (10O) orientiertem Einkristall-Silizium bestehenden Plättchen erzeugte Düse ist 200 μ dick an der Eingangsöffnung, wobei die Grundfläche des Pyramidenstumpfes eine Seitenlänge von 325 μ aufweist und die Deckfläche des Pyramidenstumpfes die Membran 22 bildet mit einer Seitenlänge von ungefähr 50 tu Die Dicke der Membran ist variabel in der Größenordnung von 1 bis 10 u. Der Durchmesser des Loches 20 in der Membran beträgt ungefähr 25 Ji.
,Typische Charakteristika der beschriebenen Düse für die Anwendung in Tintenstrahldruckern sind nachfolgend angeführt. Bei einem
Flüssigkeitsdruck von 36,3 kg pro 6,45 cm ist die Gleichförmigkeit eines Düsenfeldes von beispielsweise δ Düsen geringer als eine halbe Wellenlänge. Die Geschwindigkeits-Gleichförmigkeit ist besser als + 1 % und die Richtungsgenauigkeit, d.h. die Parallelität der Achsen der einzelnen Flüssigkeitsstrahlen liegt innerhalb + 1%. Die Leistungsfähigkeit dieser zugespitzten Düsen ist höher als die von röhrenförmigen Düsen, da sie sich auszeichnet durch einen minimalen Abfall des Flüssigkeitsdruckes jvom Eingang zum Ausgang der Düse hin.
Ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung, das im Prinzip
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(Fig. 7 bis 9) veranschaulicht ist, ist nachfolgend beschrieben. Dem in Verbindung mit Fig. 1 beschriebenen Anfangsverfahren folgt die Bildung der Siliziumdioxidschicht 25 auf der Rückfläche des (100) orientierten Einkristall-Siliziumplättchens 27. Hierauf wird die ρ Oberflächenschicht 29 bis zur Sättigung gebildet, beispielsweise durch eine ρ Diffusion, Ionenimplantation oder durch Epitaxie auf der Vorderfläche des Siliziumplättchens. Das letztere ist in diesem Verfahrensschritt in Fig. 7 dargestellt.
Der Bildung der ρ Schicht folgt das Wachsen oder Niederschlagen eines Maskenfilmes, wie Siliziumdixid oder Siliziumnitrid auf der ρ Schicht. Solch ein Film 35 ist in Fig. 8 gezeigt.
Hierauf werden in den Bereichen des Maskenfilmes 25 öffnungen geätzt, wonach sich ein Ätzen der Tunnel 31 mit einem anisotropen Ätzmittel bis zur ρ Verbindung anschließt, um das Siliziumfenster 33 zu bilden. Das Plättchen ist nun in Fig. 8 veranschaulicht. Jetzt erfolgt das Ätzen der öffnungen in den Bereichen des Maskenfilmes 35, in denen die öffnungen zu bilden sind, beispielsweise in den Bereichen 37, worauf das Belichten der ρ Schicht an diesen Stellen erfolgt (Fig. 9). Solche öffnungen 37 müssen mit den Bereichen 33 (Fig. 9) ausgerichtet sein, durch Verwendung eines Ausrichtwerkzeuges.
Um das Verfahren zu vervollständigen ist die ρ Schicht durchzuätzen, um das Loch 39 in dem Siliziumfenster mittels einer bekannten Technik zu bilden, beispielsweise mittels eines isotropischen Ätzmittels (z.B. einer Mischung aus Fluorwasserstoffsäure, Salpetersäure und Essigsäure), elektrolythischen Ätzens, Ionenätzens oder Zerstäuben im Unterdruck, Laser- oder Elektronenstrahlätzens, η Diffusion oder η Ionenimplantation, gefolgt von einem anisotropen Ätzen oder einem ähnlichen Verfahren. Dieser Ätzvorgang wird ausgeführt nach einem Schützen der Innenfläche des Tunnels 31, einschließlich der Fläche 33.
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Ein bevorzugtes anisotropes Ätzmittel, das im obigen Beispiel verwendbar ist, ist folgendermaßen zusammengesetzt:
Brenzcatechin 4 gr.
Äthylendiamin 25 ml, Wasser 8 ml
bei 118 + 1 0C.
Obwohl die Erfindung mit (100) orientiertem Silizium beschrieben ist, kann auch ein Einkristall-Silizium oder eine andere Orientierung benutzt werden, jedoch die drei-dimensionale Geometrie des geätzten Hohlraumes wird sich unterscheiden, bleibt jedoch gleichförmig für ein gegebenes Material. Wenn gewünscht, kann der drei-dimensionale Aufbau auf verschiedene Weise gesteuert werden, wie durch die Kegelform, durch die Form des inneren Fensters und der Düsenöffnung, durch die Verwendung einer Mehrzahl von Tunnels, die zu einer einzigen Düsenöffnung führen, usw. Eine Mehrzahl von öffnungen kann in einem quadratischen oder rechteckförmigen Fenster erzeugt werden. Im Falle von Silizium sind L-förmige, ü-förmige und rechteckrahmenförmige Fenster verwendbar. Ferner sind Mesa-Strukturen und verschiedene Höhen erzeugbar, wobei jede Mesa gekennzeichnet ist durch ihre eigene Düsenöffnung oder ihr Feld von Düsenöffnungen. Auch andere Halbleitermaterialien, welche die gleichen kristallographischen Eigenschaften aufweisen, und andere Auswahlätzeigenschaften sind verwendbar. Solch andere Halbleitermaterialien schließen Germanium und Verbindungen von Halbleitern, wie solche der Gruppen III und V des periodischen iSystems der Elemente ein, z.B. Galliumarsenid. Wie weiter oben erwähnt, ist es ein Zweck der Erfindung, eine Düsenplatte von präzise geformten Düsenöffnungen zu erzeugen, um einen Gas- oder Flüssigkeitsstrom, insbesondere für das Tintenstrahldrucken, zu steuern.
Obwohl die Erfindung im Detail mit der Verwendung von Siliziumnitrid und Siliziumdioxid als Maskenschichten beschrieben wurde, sind andere äquivalente Schichten, wie Aluminiumoxid, anwendbar. YO 974 035
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Phosphorsäure wird oft verwendet, um Siliziumnitrid aufzulösen, während gepufferte Fluorwasserstoffsäure die obigen Oxidmaskenschichten auflöst. Andere isotropische Ätzmittel für ρ Silizium für eine Verwendung der Ausführungsform nach den Fign. 7 bis 9 sind Mischungen von oxidierenden Mitteln, wie Wasserstoffperoxid, Salpetersäure oder Kaliumpermanganat und Fluorwasserstoffsäure.
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Claims (1)

  1. ; 25bb462
    - ii -
    PATENTANSPRÜCHE
    11. Verfahren zur Herstellung von Düsen in einem Halbleiterplättchen, insbesondere für Tintenstrahldrucker, dadurch gekennzeichnet, daß ein dünnes monokristallines Siliziumplättchen (1) vom nicht-p Typ auf einer Seite (3) eine P+Typ Oberflächenschicht (29 bzw. 15) erhält und von der anderen Seite (5) des Plättchens (1) her mittels anisotropen Ätzens ein Tunnel (31 bzw. 21) bis zur genannten ρ Typ Oberflächenschicht (29 bzw. 15) gebildet wird und daß der mit dem Tunnel (31 bzw. 21) ausgerichtete Teil der ρ Typ Oberflächenschicht entsprechend der gewüschten Düsenform (39 bzw. 20) entfernt wird.
    :. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Seite (3) des Halbleiterplättchens (1), an der die Düse (20) gebildet werden soll, eine Maske %7, 9) abgelagert wird, worauf die ρ Typ Oberflächenschicht (15) gebildet wird, und zwar an den von der Maske (7, 9) nicht abgedeckten Stellen.
    Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die p+Typ Oberflächenschicht (15 bzw. 29) gebildet wird durch Diffusion oder Ionenimplantation eines ρ Dotierungsmittels in die Oberfläche des Siliziumplättchens (1) oder durch epitaktisches Wachsen einer ρ Schicht auf der Oberfläche (3) des Siliziumplättchens (1).
    :. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ρ Schicht (15 bzw. 29) eine p-Typ Dotierungsmittel-Atom-
    19 -3
    konzentration von > 10 cm aufweist.
    i» Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die genannte p-Typ Dotierungs-Atomkonzentration gleich oder größer als 7 χ 1019cnf3 ist.
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    6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das monokristalline Silizium entlang der (100), (110) oder (111) Ebenen orientiert ist.
    7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das anisotrope Ätzmittel ausgewählt wird aus wässrigem Ätznatron, wässrigen Ätzkali, einer Mischung aus Hydrazin und Wasser, aus einer wässrigen Mischung von Phenolen und Aminen und aus einer wässrigen Mischung von Ätzkali und n-Propanol.
    :8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
    das anisotrope Ätzmittel eine Mischung aus Brenzcatechin, ' Äthylendiamin und Wasser ist.
    9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Maskenschicht (7, 9) ausgewählt wird aus Siliziumdioxid, Aluminiumoxid oder Siliziumnitrid.
    10. Düse für das Aufstoßen von Flüssigkeit, dadurch gekenn-
    i zeichnet, daß der Düsenkörper aus einem Halbleitermaterial ' (1) besteht, in dem sich eine pyramidenstumpfförmige öff-I nung (21 bzw. 31) befindet, die mit ihrer kleinen Parallelfläche (22 bzw. 33 im Halbleiterplättchen (1) eine Membran ! bildet, durch die hindurch die Düsenöffnung (20 bzw. 39) i sich erstreckt, deren Querschnitt kleiner als die genannte
    Pyramidenfläche (29 bzw. 33) ist und eine von der letzteren ', abweichende Querschnitts form aufweist.
    SA 973 053
    609828/0553
DE2555462A 1974-12-31 1975-12-10 Verfahren zur Herstellung von Düsen für Tintenstrahldrucker Expired DE2555462C2 (de)

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US (1) US3921916A (de)
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GB (1) GB1492465A (de)
IT (1) IT1054354B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4522893A (en) * 1981-10-30 1985-06-11 International Business Machines Corporation Contact device for releasably connecting electrical components

Families Citing this family (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4007464A (en) * 1975-01-23 1977-02-08 International Business Machines Corporation Ink jet nozzle
US4014029A (en) * 1975-12-31 1977-03-22 International Business Machines Corporation Staggered nozzle array
US4047184A (en) * 1976-01-28 1977-09-06 International Business Machines Corporation Charge electrode array and combination for ink jet printing and method of manufacture
US4106976A (en) * 1976-03-08 1978-08-15 International Business Machines Corporation Ink jet nozzle method of manufacture
US4035812A (en) * 1976-07-12 1977-07-12 The Mead Corporation Ink jet recorder and charge ring plate therefor with reduced deplating current
US4169008A (en) * 1977-06-13 1979-09-25 International Business Machines Corporation Process for producing uniform nozzle orifices in silicon wafers
US4146899A (en) * 1977-10-13 1979-03-27 The Mead Corporation Formed orifice plate for ink jet printing apparatus
US4184925A (en) * 1977-12-19 1980-01-22 The Mead Corporation Solid metal orifice plate for a jet drop recorder
US4239586A (en) * 1979-06-29 1980-12-16 International Business Machines Corporation Etching of multiple holes of uniform size
US4229265A (en) * 1979-08-09 1980-10-21 The Mead Corporation Method for fabricating and the solid metal orifice plate for a jet drop recorder produced thereby
US4282533A (en) * 1980-02-22 1981-08-04 Celanese Corporation Precision orifice nozzle devices for ink jet printing apparati and the process for their manufacture
US4430784A (en) * 1980-02-22 1984-02-14 Celanese Corporation Manufacturing process for orifice nozzle devices for ink jet printing apparati
JPS5764563A (en) * 1980-10-07 1982-04-19 Fuji Xerox Co Ltd Ink particle jet apparatus of multi-nozzle ink jet printer
JPS57182449A (en) * 1981-05-07 1982-11-10 Fuji Xerox Co Ltd Forming method of ink jet multinozzle
JPS57208262A (en) * 1981-06-18 1982-12-21 Ibm Drop-on demand type ink jet printing method
US4583690A (en) * 1983-04-05 1986-04-22 Hewlett-Packard Company Anti-wetting in fluid nozzles
US4555062A (en) * 1983-04-05 1985-11-26 Hewlett-Packard Company Anti-wetting in fluid nozzles
CA1210067A (en) * 1983-12-08 1986-08-19 Ronald D. Baxter Isfet sensor and method of manufacture
EP0355862B1 (de) * 1984-09-28 1993-01-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Tintenstrahldrucker
CA1237020A (en) * 1984-10-13 1988-05-24 Herbert A. Waggener Silicon nozzle structure and method of manufacture
US4733823A (en) * 1984-10-15 1988-03-29 At&T Teletype Corporation Silicon nozzle structures and method of manufacture
US4756508A (en) * 1985-02-21 1988-07-12 Ford Motor Company Silicon valve
US4628576A (en) * 1985-02-21 1986-12-16 Ford Motor Company Method for fabricating a silicon valve
US4647013A (en) * 1985-02-21 1987-03-03 Ford Motor Company Silicon valve
US4768751A (en) * 1987-10-19 1988-09-06 Ford Motor Company Silicon micromachined non-elastic flow valves
WO1989008787A1 (en) * 1988-03-14 1989-09-21 Baxter International Inc. Systems having fixed and variable flow rate control mechanisms
US5176360A (en) * 1988-03-14 1993-01-05 Baxter International Inc. Infusor having fixed and variable flow rate control mechanisms
US5014750A (en) * 1988-03-14 1991-05-14 Baxter International Inc. Systems having fixed and variable flow rate control mechanisms
US5009251A (en) * 1988-11-15 1991-04-23 Baxter International, Inc. Fluid flow control
SG45171A1 (en) * 1990-03-21 1998-01-16 Boehringer Ingelheim Int Atomising devices and methods
DE4112150C2 (de) * 1990-09-21 1998-11-19 Bosch Gmbh Robert Lochkörper und Ventil mit Lochkörper
IL100224A (en) * 1990-12-04 1994-10-21 Dmw Tech Ltd Spray nozzle
DE4104019C1 (de) * 1991-02-09 1992-04-23 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De
ATE173197T1 (de) * 1992-08-31 1998-11-15 Canon Kk Tintenstrahlkopfherstellungsverfahren mittels bearbeitung durch ionen und tintenstrahlkopf
US6007676A (en) 1992-09-29 1999-12-28 Boehringer Ingelheim International Gmbh Atomizing nozzle and filter and spray generating device
IL107120A (en) * 1992-09-29 1997-09-30 Boehringer Ingelheim Int Atomising nozzle and filter and spray generating device
DE69415362T2 (de) * 1993-02-17 1999-06-10 DENSO CORPORATION, Kariya-city, Aichi-pref. Flüssigkeiteinspritzventil
US5569187A (en) * 1994-08-16 1996-10-29 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for wireless chemical supplying
US5908414A (en) * 1995-05-03 1999-06-01 Tricumed Gmbh Implantable infusion pump
DE19515722C1 (de) * 1995-05-03 1996-07-25 Tricumed Gmbh Implantierbare Infusionspumpe
US5992769A (en) * 1995-06-09 1999-11-30 The Regents Of The University Of Michigan Microchannel system for fluid delivery
GB2302842B (en) * 1995-07-03 1998-12-30 Seiko Epson Corp A nozzle plate, ink-jet head and manufacturing method thereof
JP3386099B2 (ja) * 1995-07-03 2003-03-10 セイコーエプソン株式会社 インクジェット式記録ヘッド用ノズルプレート、これの製造方法、及びインクジェット式記録ヘッド
US5658471A (en) * 1995-09-22 1997-08-19 Lexmark International, Inc. Fabrication of thermal ink-jet feed slots in a silicon substrate
US5757400A (en) * 1996-02-01 1998-05-26 Spectra, Inc. High resolution matrix ink jet arrangement
US6352209B1 (en) 1996-07-08 2002-03-05 Corning Incorporated Gas assisted atomizing devices and methods of making gas-assisted atomizing devices
EP0910478A4 (de) * 1996-07-08 1999-09-01 Corning Inc Nach dem prinzip der rayleigh-auflösung in tropfen arbeitende zerstäubungsvorrichtung und deren herstellungsverfahren
BR9710223A (pt) 1996-07-08 2000-01-18 Spraychip Systems Dispositivo de atomização auxiliado por gás.
US5901425A (en) * 1996-08-27 1999-05-11 Topaz Technologies Inc. Inkjet print head apparatus
WO1998047712A1 (en) * 1997-04-18 1998-10-29 Topaz Technologies, Inc. Nozzle plate for an ink jet print head
EP0985534A4 (de) * 1997-05-14 2001-03-28 Seiko Epson Corp Verfahren zur bildung einer spritzdüse und verfahren zur herstellung eines tintenstrahlkopfes
JP3530744B2 (ja) * 1997-07-04 2004-05-24 キヤノン株式会社 インクジェット記録ヘッドの製造方法
DE19742439C1 (de) * 1997-09-26 1998-10-22 Boehringer Ingelheim Int Mikrostrukturiertes Filter
EP1044172A4 (de) * 1997-12-19 2005-01-19 Corning Inc Brenner und verfahren zum herstellen von metaloxid russ
WO2000015321A1 (en) * 1998-09-17 2000-03-23 Advanced Bioanalytical Services, Inc. Integrated monolithic microfabricated electrospray and liquid chromatography system and method
US6363606B1 (en) * 1998-10-16 2002-04-02 Agere Systems Guardian Corp. Process for forming integrated structures using three dimensional printing techniques
US6633031B1 (en) 1999-03-02 2003-10-14 Advion Biosciences, Inc. Integrated monolithic microfabricated dispensing nozzle and liquid chromatography-electrospray system and method
JP2001179987A (ja) * 1999-12-22 2001-07-03 Samsung Electro Mech Co Ltd ノズルプレート及びその製造方法
CN1237572C (zh) 1999-12-30 2006-01-18 阿德维昂生物科学公司 多电雾化装置、系统和方法
JP2003520962A (ja) 2000-01-18 2003-07-08 アドビオン バイオサイエンシーズ インコーポレーティッド 分離媒体、複式電気噴霧ノズルシステム、および方法
KR100499118B1 (ko) 2000-02-24 2005-07-04 삼성전자주식회사 단결정 실리콘 웨이퍼를 이용한 일체형 유체 노즐어셈블리 및 그 제작방법
DE10101875B4 (de) * 2001-01-16 2006-05-04 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit aufeinander gestapelten Halbleiterchips und Verfahren zu seiner Herstellung
JP3881985B2 (ja) * 2001-12-04 2007-02-14 株式会社アトック 石英ガラス製流体送給用単穴ノズル及び石英ガラス製流体送給用多穴バーナヘッド
JP3975272B2 (ja) * 2002-02-21 2007-09-12 独立行政法人産業技術総合研究所 超微細流体ジェット装置
EP1665353A4 (de) * 2003-09-09 2006-11-29 Csg Solar Ag Verbessertes verfahren zum ätzen von silicium
WO2005024920A1 (en) * 2003-09-09 2005-03-17 Csg Solar, Ag Improved method of forming openings in an organic resin material
WO2005024959A1 (en) * 2003-09-09 2005-03-17 Csg Solar, Ag Adjustment of masks by re-flow
WO2005039696A1 (en) * 2003-10-21 2005-05-06 The Regents Of The University Of Michigan Intracranial neural interface system
US7347532B2 (en) * 2004-08-05 2008-03-25 Fujifilm Dimatix, Inc. Print head nozzle formation
US9014796B2 (en) 2005-06-14 2015-04-21 Regents Of The University Of Michigan Flexible polymer microelectrode with fluid delivery capability and methods for making same
EP1931419B1 (de) * 2005-10-07 2016-08-10 NeuroNexus Technologies, Inc. Modulares mehrkanal-mikroelektrodenarray
US8195267B2 (en) 2006-01-26 2012-06-05 Seymour John P Microelectrode with laterally extending platform for reduction of tissue encapsulation
JP4881126B2 (ja) * 2006-10-25 2012-02-22 株式会社東芝 ノズルプレートの製造方法、および液滴吐出ヘッドの製造方法
US8731673B2 (en) 2007-02-26 2014-05-20 Sapiens Steering Brain Stimulation B.V. Neural interface system
US20100276505A1 (en) * 2007-09-26 2010-11-04 Roger Earl Smith Drilling in stretched substrates
US8958862B2 (en) 2007-10-17 2015-02-17 Neuronexus Technologies, Inc. Implantable device including a resorbable carrier
US8565894B2 (en) * 2007-10-17 2013-10-22 Neuronexus Technologies, Inc. Three-dimensional system of electrode leads
US8224417B2 (en) 2007-10-17 2012-07-17 Neuronexus Technologies, Inc. Guide tube for an implantable device system
US8498720B2 (en) 2008-02-29 2013-07-30 Neuronexus Technologies, Inc. Implantable electrode and method of making the same
US20090240314A1 (en) * 2008-03-24 2009-09-24 Kong K C Implantable electrode lead system with a three dimensional arrangement and method of making the same
US9289142B2 (en) 2008-03-24 2016-03-22 Neuronexus Technologies, Inc. Implantable electrode lead system with a three dimensional arrangement and method of making the same
JP2012507417A (ja) * 2008-10-31 2012-03-29 フジフィルム ディマティックス， インコーポレイテッド ノズル噴出口成形
US8197029B2 (en) 2008-12-30 2012-06-12 Fujifilm Corporation Forming nozzles
EP2488098B1 (de) * 2009-10-16 2014-03-19 Neuronexus Technologies Neuralschnittstellensystem
CN102686147B (zh) 2009-11-05 2016-01-20 格雷特巴奇有限公司 波导神经接口装置
US9155861B2 (en) 2010-09-20 2015-10-13 Neuronexus Technologies, Inc. Neural drug delivery system with fluidic threads
JP6901446B2 (ja) 2018-09-03 2021-07-14 株式会社東芝 無線通信装置、無線通信システム、無線通信方法及びプログラム

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2665946A (en) * 1951-05-29 1954-01-12 Arthur E Broughton Spray nozzle
US2834635A (en) * 1955-06-22 1958-05-13 Muellermist Irrigation Co Liquid spray device
US2987262A (en) * 1959-11-24 1961-06-06 Lodding Engineering Corp Removable and replaceable shower device
US3125295A (en) * 1960-12-30 1964-03-17 Crystal
US3211088A (en) * 1962-05-04 1965-10-12 Sperry Rand Corp Exponential horn printer
JPS5040616B1 (de) * 1970-03-18 1975-12-25
US3655530A (en) * 1970-06-15 1972-04-11 Mead Corp Fabrication of orifices
US3742230A (en) * 1972-06-29 1973-06-26 Massachusetts Inst Technology Soft x-ray mask support substrate

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
US-Z: IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol. 6, Nov. 1973, S. 1834 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4522893A (en) * 1981-10-30 1985-06-11 International Business Machines Corporation Contact device for releasably connecting electrical components

Also Published As

Publication number Publication date
IT1054354B (it) 1981-11-10
GB1492465A (en) 1977-11-23
JPS5516070B2 (de) 1980-04-28
DE2555462C2 (de) 1982-06-03
FR2296504A1 (fr) 1976-07-30
JPS5184641A (de) 1976-07-24
US3921916A (en) 1975-11-25
FR2296504B1 (de) 1978-05-12
CA1037519A (en) 1978-08-29

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