DE2555187C2 - - Google Patents
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- DE2555187C2 DE2555187C2 DE2555187A DE2555187A DE2555187C2 DE 2555187 C2 DE2555187 C2 DE 2555187C2 DE 2555187 A DE2555187 A DE 2555187A DE 2555187 A DE2555187 A DE 2555187A DE 2555187 C2 DE2555187 C2 DE 2555187C2
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- Expired
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- H10W20/065—
-
- H10P14/6314—
-
- H10P14/6322—
-
- H10P32/30—
-
- H10W72/01515—
-
- H10W72/075—
-
- H10W72/536—
-
- H10W72/59—
-
- H10W72/934—
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19752555187 DE2555187A1 (de) | 1975-12-08 | 1975-12-08 | Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19752555187 DE2555187A1 (de) | 1975-12-08 | 1975-12-08 | Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2555187A1 DE2555187A1 (de) | 1977-06-16 |
| DE2555187C2 true DE2555187C2 (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1987-12-10 |
Family
ID=5963815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19752555187 Granted DE2555187A1 (de) | 1975-12-08 | 1975-12-08 | Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2555187A1 (cg-RX-API-DMAC10.html) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5937591B2 (ja) * | 1979-05-21 | 1984-09-11 | インターナシヨナルビジネス マシーンズ コーポレーシヨン | 電気的にプログラム可能な電界効果トランジスタ装置 |
| JPS57113264A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-14 | Fujitsu Ltd | Manufacture of mis type capacitor |
| US4526629A (en) * | 1984-05-15 | 1985-07-02 | International Business Machines Corporation | Catalytic oxidation of solid materials |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3237271A (en) * | 1963-08-07 | 1966-03-01 | Bell Telephone Labor Inc | Method of fabricating semiconductor devices |
| DE1910736C3 (de) * | 1969-03-03 | 1978-05-11 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen von gegeneinander elektrisch isolierten, aus Aluminium bestehenden Leiterbahnen und Anwendung des Verfahrens |
| US3632436A (en) * | 1969-07-11 | 1972-01-04 | Rca Corp | Contact system for semiconductor devices |
| FR2076208A5 (en) * | 1970-01-06 | 1971-10-15 | Sescosem | Multilevel inter connections for integrated circuits - using oxidised metal insulating layers |
-
1975
- 1975-12-08 DE DE19752555187 patent/DE2555187A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2555187A1 (de) | 1977-06-16 |
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