DE2545717A1

DE2545717A1 - Schaltungsanordnung zur messung bzw. ortung von elektromagnetischen wechselfeldern

Info

Publication number: DE2545717A1
Application number: DE19752545717
Authority: DE
Inventors: Marjan Dipl Ing Sef; Mitja Strbenk
Original assignee: ROMIH MARTA
Current assignee: ROMIH MARTA
Priority date: 1975-10-11
Filing date: 1975-10-11
Publication date: 1977-04-21

Description

Schaltungsanordnung zur It,essung bzw. Grtung
von elektromagnetischen Wechselfeldern Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Messung bzw. Ortung von elektromagnetischen InTechselfeldern, insbesondere Detektor zur Auffindung von unter Verputz verlegten Stromführenden Leitungen.
Bekannte Geräte dieser PLrt haben einen komplexen Aufbau, sind teuer und sind auf Grund ihrer großen Abmessungen unhandlich.
Aufgabe der Erfindung ist es, die Nachteile der bekannten Ausführungen zu beseitigen und ein Gerät zu schaffen, welches rait einer minimalen Anzahl von Schaltungselementen auskommt und eine Miniaturausführung ermöglicht.
Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß ein FET (Feldeffekttransistor@ und ein Transistor lilit denl kanal und der i<ollektor-Enitterstrecke parallel zueinander, vorzugsweise über einen Schalter, an eine Betriebsspannungsquelle angeschlossen sind, wobei der als Vorverstärker wirkende FET mit t der Torelektrode an eine t\Tr£fangseinrichtung gelegt ist, der Eingangskreis des Fr.T eine Parallelschaltun eines Y-Yiderstandes und eines Kondensators einschließt und eine Meß- bzw.
Anzeigeeinrichtung in die Kollektor-Emitterstrecke des Transistors eingeschaltet ist. Eine Ausführungsform der Erfindung besteht darin, daß die Betriebsspannungsquelle über einen weiteren in Serie zum ersten liegenden Schalter unu über einen weiteren Widerstand an die Torelektrode des FET angeschlossen ist, wobei zweckmäßigerweise zwiscilen Dasis und Emitter des Transistors ein regelbarer Widerstand eingeschaltet ist.
Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, daß anstelle der Parallelverbindung des Widerstandes und des Kondensators im Eingangskreis des FET eine zwischen der Torelektrode des FET und einer Klemme der Betriebsspannungsquelle geschaltete in Sperrichtung Vorgespannte Diode vorgesehen ist und der FET, der Transistor, die Diode und der weitere widerstand vorzugsweise in integrierter Technik ausgeführt sind.
Die Erfindung wird nun naher unter Bezugnalmme auf die Zeichnung beschrieben, in welcher in den Fig. 1 und 2 zwei Ausführungsformen der Erfindung dargestellt sind.
Die Schaltungsanordnung gemäß Fig. 1 @esteht aus einem FET 1 als Vorverstärker und einem @ph-Transistor 2 (@@itter negat., Easis positiv und Kollektor positiv) als En@verstärker. Der FET 1 Besitzt einen n-Kanal und ist mit der Quellenelektrode an die Basis des Transistors 2 und über einen REgelwiderstand R2 an den negativen Pol der Batterie B angeschlossen. Der Emitter des Transistors 2 liegt am negativen Pol, wogegen der Rollektor über ein Anzeigeinstrument 3 und einen Schalter 4 am positiven Pol der Batterie @ liegt. Die Torelektrode des FET 1 ist einerseits über eine Parallelschaltung des Widerstandes R1 und des Kondensators C an den negativen Pol der Batterie B und andererseits über den Widerstand R3 an eine Antenne 6 angeschlossen. Der positive Pol der Batterie B ist ferner über den Schalter 4 an die Abflußelektrode des FET 1 und über einen weiteren Schalter 5 und den Widerstand @@ an die Torelektrode des FET 1 gelegt.
Das Gerbt arbeitet wie folgt: Zunächst wird die Betrieusbereitschaft überprüft, indem beide Schalter 4 und 5 betätigt werden. Dadurch wird sowohl der FET 1 als auch der Transistor 2 leitend geschaltet und die Anzeigelampe 3 leuchtet auf. Sodann wird der Schalter 5 freigegeben und das Gerät etwa gegen eine wand gehalten, in welcher eine elektrische Leitung vernutet wird. Die in der Antenne 6, durch die magnetischen Felder der zu ortenden Leitungen induzierten Spannungen, werden der Torelektrode des FET 1 zugeführt, welche bei entsprechender Größe den FET 1 leitend schalten. Überschreitet die am Widerstand @ 2 abfallende Spannung die Schwellenspannung des Transistors 2, wird dieser durchgeschaltet, wobei die Anzeigela@pe 3 aufleuchtet und das Vorhandensein eines entsprechend starken magnetischen Feldes hzw. einer elektrischen Leitung anzeigt. Da der FET 1 einen großen Eingangswiderstand besitzt, ist das Gerät sehr empfindlich. Die Empfindlichkeit kann ferner durch dan Regelwiderstand R2 eingestellt werden.
Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung ist in Fig. 2 dargestellt, welche im wesentlichen nit jener gemäß rig. 1 übereinstinbTt, doch ist die aus den' Widerstand R1 und C gebildete Parallelverbindung durch eine in Sperrichtung vorgespannte Diode 7 ersetzt. Dabei ersetzt die Kapazität des pn-überganges den Kondensator C und der Widerstand der Diode in Sperrichtung den Widerstand R1. Gleichzeitig dient die Diode 7 zum Schutz des FET 1. Durch die Verwendung der Diode 7 ist es möglich, den FET 1, den Transistor 2, den tqiderstand R3 und die Diode 7 in integrierter Technik auszuführen, wodurch eine sehr handliche und billige Ausführungsform erhalten wird.

Claims

P a t e n t a n s p r ü c h e 1. Schaltungsanordnung zur Messung bzw. Ortung von elektro-@@agnetischen Rechselfeldern, insbesondere Detektor zur Auffindung von unter Verputz verlegten stromführenden Leitungen, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß ein FET (1) und ein Transistor (2) mit dem Kanal und der Rollektor-@@itterstrecke parallel zueinander, vorzugsweise über einen Schalter (4), an eine Betriebsspannungsquelle (@) angeschlossen sind, wobei der als Vorverstärker wirkende FET (1) mit der Torelektrode an eine Empfangseinrichtung (6) gelegt ist, der Eingangskreis des FET eine Parallelschaltung eines Widerstandes (R1) und eines Konlensators (c) einschließt und eine Iie3- bzw. Anzigeeinrichtung (3) in die Kollektor-r.r.itterstrecke des Transistors (2) eincjescnaltet ist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dab die Betriebsspannungsquelle (D) über einen weiteren in Serie zum ersten li.egerßen Schalter (5) und über einen weiteren Widerstand (R3) an die Torelektrode des FET anyeschlossen ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen 3asis und Emitter des Transistors (2) ein regelbarer Widerstand (R2) eingeschaltet ist.
4. Sciialtunsanordnunq nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dae anstelle der Parallelverbindung des Widerstandes und das Kondensators im Eingangskreis des FET eine zwischen der Torelektrode des FET und einer Klemme der Betriebsspannungsquelle geschaltete, in Sperrichtung vorgespannte Diode (7) vorgesehen ist und der FET (1), der Transistor (2), die Diode (7) und der weitere Widerstand (23) vorzugsweise in integrierter Technik ausgaführt sind.