DE2541205A1 - PROCEDURE FOR ETCHING A PATTERN IN GLASS - Google Patents
PROCEDURE FOR ETCHING A PATTERN IN GLASSInfo
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Description
PHN 7737PHN 7737
JELM/JV/JBJELM / JV / JB
8-9-1975 25412058-9-1975 2541205
j~ η ν !TVjco i^ DAVIDj ~ η ν! TVjco i ^ DAVID
,„..,,..ν.·. >■ ν y--.J-o \iLO:iLA?/ipLfiFABfllEKEN
Ml=: PHN- 7737 , ".. ,, .. ν. ·. > ■ ν y--.Jo \ iLO: iLA? / IpLfiFABfllEKEN
MI =: PHN-7737
A„me.dunB νο.π. ^. Sept. 1975A "me.dun B νο.π. ^. Sept 1975
"Verfahren zum Atzen eines Musters in Glas"" Method for etching a pattern in glass "
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Atzen eines Musters in Glas und auf durch dieses Verfahren hergestellte Ei'zeugnisse.The invention relates to and to a method of etching a pattern in glass manufactured egg products.
Aus der USA-Patentschrift 3^8962^ ist einFrom U.S. Patent 3 ^ 8962 ^ is a
derartiges Verfahren bekannt, bei dem auf der Glasoberfläche zunächst mittels einer pyrolysierbaren Zinnverbindung bei erhöhter Temperatur eine gleichmässige Zinnoxidschicht und dann eine Schicht aus einem durch Licht modifizierbaren Ätzreservierungslack angebracht, die letztere Schicht belichtet und dann entx/ickelt wird, so dass ein Überzug geniäss dem Negativ eines in dem Glas gewünschten Musters zuiückbleil; r, vonach echliosslicli die freigelegte Glasober-Such a method is known in which on the glass surface first a uniform tin oxide layer by means of a pyrolysable tin compound at elevated temperature and then a layer of a light-modifiable etch reserve lacquer is applied, and the latter layer is exposed and then developed so that a coating can be enjoyed the negative of a pattern desired in the glass fall back; r, vonach echliosslicli the exposed glass surface
609815/1 176 BAD ORIGINAL609815/1 176 ORIGINAL BATHROOM
PHN 7737 - 2 - 8-9-1975PHN 7737-2-8-9-1975
fläche der Einwirkung eines fluorwasserstoffsäurehaltigen Ätzmittels ausgesetzt wird.area exposed to a hydrofluoric acid Is exposed to etchant.
Das Zinnoxid wird dadurch angebracht, dass das Glas auf eine Temperatur zwischen 4OO°C und der Erweichungstemperatur des Glases erhitzt und darauf dann eine flüssige oder gelöste pyrolysierbare Zinnverbinding gespritzt wird. Dieses Zinnoxid, das eine komplexe Struktur aufweist, wobei chemische Bindung mit dem Glas eine Rolle spielt, sichert als Zwisehenschicht die Haftung der durch Licht modifizierbaren Ätzreservierungsschicht an der Glasoberfläche. Keiner der üblichen lichtempfindlichen Lacke haftet nämlich in genügendem Masse an Glas. Es stehen positive und negative Photolacke zur Verfügung, d.h. Lacke, die in einem bestimmten Reagens löslich sind und nach' Belichtung unlöslich werden, bzw. Lacke, die in einem bestimmten Reagens unlöslich sind und nach Belichtung dax"in löslich wex-den. Das Entfernen der löslichen Teile des Lackens in dem dazu geeigneten Lösungsmittel wird als "Entwicklung" bezeichnet.The tin oxide is attached by bringing the glass to a temperature between 400 ° C and the softening temperature The glass is heated and then a liquid or dissolved pyrolysable tin compound is injected onto it will. This tin oxide, which has a complex structure, where chemical bonding with the glass plays a role plays, secures the liability of the through as an intermediate layer Light-modifiable etch reservation layer on the glass surface. None of the usual photosensitive lacquers adheres to glass to a sufficient degree. There are positive and negative photoresists are available, i.e. resists that are soluble in a certain reagent and after 'exposure become insoluble, or varnishes that are insoluble in a certain reagent and after exposure dax "in soluble wex-den. The removal of the soluble parts of the paint in the appropriate solvent is called "development" designated.
Nach Entwicklung ist auf den Teilen ausserhalb des zu ätzenden Musters das Glas über eine Zinnoxidschicht nach wie vor mit der belichteten Ätzreservierungsschicht überzogen. Das Glas in den Musterteilen ist mit einer Zinnoxidschicht überzogen, die zunächst entfernt werden muss. Dazu wird das Zinnoxid einige Zeit mit einer sauren LösungAfter development is on the parts outside of the pattern to be etched, the glass over a tin oxide layer still with the exposed etch reservation layer overdrawn. The glass in the sample parts is coated with a tin oxide layer that must first be removed. To do this, the tin oxide is mixed with an acidic solution for some time
6 0 9 815/11766 0 9 815/1176
PHN 7737 - 3 -'" 8-9-1975PHN 7737-3- '"8-9-1975
unter stark reduzierenden Bedingungen in Berührung gehalten, z.B. eine HCl-Lösung mit Zinkpulver in Berührung mit dem Zinnoxid.kept in contact under strongly reducing conditions, e.g. an HCl solution with zinc powder in contact with the Tin oxide.
In der Praxis stellt sich heraus, dass dieIn practice it turns out that the
Haftung des Ätzreservierungslacks an dem Zinnoxid nicht besonders gut ist; das Endergebnis lässt denn auch oft viel zu wünschen übrig.The adhesion of the etch reserve varnish to the tin oxide is not particularly good; the end result often leaves a lot to be desired.
Die Erfindung schafft ein Verfahren, mit demThe invention provides a method with which
ein Ergebnis erheblich höherer Güte erzielt wird. Ausserdem weist dieses Verfahren in Vergleich mit dem obenbeschriebenen Verfahren noch einige weitere Vorteile auf.a result of significantly higher quality is achieved. In addition, this method has a comparison with the one described above Procedure has a few more advantages.
Das Verfahren zum Ätzen eines Musters in Glas,The procedure for etching a pattern in glass,
bei dem auf der Glasoberfläche zunächst über eine pyrolysierbare Metallverbindung bei erhöhter Temperatur eine gleichmassige Metalloxidschicht und dann eine Schicht aus einem durch Licht modifizierbaren Ätzreservierungslack angebracht wird, dann die letztere Schicht belichtet und entwickelt wird, so dass ein ätzmittelbeständiger Überzug gemäss dem Negativ eines in dem Glas gewünschten Musters zurückbleibt, wonach die freigelegte Glasoberfläche der Einwirkung eines fluorwasserstoffsäurehaltigen Atzmittels ausgesetzt wird, ist nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass die Glasoberfläche bei einer Temperatur zwischen 180 und 2hO°C mit einer pyrolysiorbaren Titanverbindung in Berührung gebracht wji'd.in which a uniform metal oxide layer and then a layer of a light-modifiable etch reserve lacquer is applied to the glass surface first via a pyrolyzable metal compound at elevated temperature, then the latter layer is exposed and developed so that an etchant-resistant coating according to the negative of one in the glass desired pattern remains, after which the exposed glass surface is exposed to the action of an etching agent containing hydrofluoric acid, is characterized according to the invention in that the glass surface is brought into contact with a pyrolysable titanium compound at a temperature between 180 and 2hO ° C.
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PHN 7737 8-9-1975PHN 7737 8-9-1975
Das Titandioxid,· das somit bei einer vielThe titanium dioxide, · that therefore with a lot
niedrigeren Temperatur als das Zinnoxid aufgebracht wird, weist eine amorphe Struktur auf und bildet eine sehr gute Haftzwischenschicht für den Atzreservxerungslack. Die niedrigere Temperatur ist im Zusammenhang mit der Verformung des Glases viel günstiger.lower temperature than the tin oxide is applied, has an amorphous structure and forms a very good Adhesive intermediate layer for the etching reserve varnish. the lower temperature is much more favorable in connection with deformation of the glass.
Das Titandioxid löst sich zwar in dem fluorwasserstoff säurehaltigen Ätzmittel nur langsam. Weil die Titandioxidschicht jedoch nur sehr dünn zu sein braucht (höchstens 0,1 /um) und ausserdem etwas porös ist, wird sie verhältnismässig schnell entfernt. Der Lösungsgeschwindigkeitsunterschied hat aber auch zur Folge, dass eine Unterätzung nahezu völlig vermieden wird. Jedenfalls fällt bei dem Verfahren nach der Erfindung der zusätzliche Behandlungsschritt weg, der bei dem Verfahren unter Verwendung von Zinnoxid erforderlich ist.The titanium dioxide dissolves in the hydrogen fluoride acidic caustic is slow. Because the titanium dioxide layer only needs to be very thin (at most 0.1 / µm) and is also somewhat porous, it is removed relatively quickly. The solution speed difference but also has the consequence that undercutting is almost completely avoided. In any case, it falls into place the method according to the invention removes the additional treatment step that is required in the method using Tin oxide is required.
Als pyrolysierbai'e Titanverbindung, die bei dem Verfahren nach der Erfindung verwendet werden kann, können titanorganischen Verbindungen, wie Titanacetylacetonat oder Isopropyltitanat, gewählt werden. XJm grössere Atztiefen zu erhalten, empfiehlt es sich, das Glas zunächst einer Aufrauhungsbehandlung zu unterwerfen, wie sie in der DT-OS 2362896 beschrieben ist.As a pyrolysable titanium compound that is used in the Process according to the invention can be used, organic titanium compounds such as titanium acetylacetonate or Isopropyl titanate. In order to obtain greater etching depths, it is advisable to first roughen the glass as described in DT-OS 2362896.
Das durch das erfindungsgemässe Verfahren erhalte geätzte Erzeugnis kann für viele Zwecke verwendetThe etched product obtained by the method according to the invention can be used for many purposes
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PHN 7737 - 5 - 8-9-1975PHN 7737-5-8-9-1975
werden, z.B. als Klischee für Druckverfahren, als Mutterplatte für auf optischem Wege aufgezeichnete Informationen oder als Anodenplatte für Wiedergabepaneele.e.g. as a cliché for printing processes, as a mother plate for information recorded optically or as an anode plate for display panels.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand einiger Ausführungsbeispiele näher erläutert. Beispiel 1 The invention is explained in more detail below using a few exemplary embodiments. example 1
Eine Kalkglasplatte wird 5 Minuten lang durch eine Ultraschallbehandlung in einem Bad gereinigt, das:A lime glass plate is cleaned for 5 minutes by ultrasound treatment in a bath that:
1 Liter H2 S0k 1 liter H 2 S0 k
35 nil gesättigte KpCr„O_-Lösung in H„O35 nil saturated KpCr “O_ solution in HO
enthält, und dann 1 Minute in strömendem Wasser gespült. Dann wird die Platte 5 Minuten lang in Isopropanöldampf gereinigt. Nach Abkühlung wird die Platte aus einer 5 gew. ^ Lösung von Txtanacetylacetonat in Isopropanol mit einer Geschwindigkeit von 2,5 cm/min aufgezogen. Die Platte wird 10 Minuten lang auf 2200C getrocknet und dann durch Aufziehen mit einem Photolack versehen, der als Shipley AZ käuflich erhältlich ist. Der Photolack wird 10 Minuten lang bei 70°C getrocknet und dann 1 Minute lang durch ein Negativ mit einer Hochdruck~Quecksilberdampflampe (Typ HPR' 125 W) in einer Entfernung von 30 cm belichtet. Der belichtete Photolack wird mit Shipley AZ-Developer (Zeitdatxer 2 Minuten) gelöst (entwickelt), gespült und getrocknet. Die Glasplatte, die stellenweise mit Photolack versehen ist, wird in einem Ofen 5 Minuten lang auf 1200C nachgetrocknet.contains, and then rinsed in running water for 1 minute. The plate is then cleaned in isopropane oil vapor for 5 minutes. After cooling, the plate is made of a 5 wt. ^ Solution of txtanacetylacetonate in isopropanol drawn up at a speed of 2.5 cm / min. The plate is dried at 220 ° C. for 10 minutes and then provided with a photoresist by mounting, which is commercially available as Shipley AZ. The photoresist is dried for 10 minutes at 70 ° C. and then exposed for 1 minute through a negative with a high pressure mercury vapor lamp (type HPR '125 W) at a distance of 30 cm. The exposed photoresist is dissolved (developed) with Shipley AZ developer (time datator 2 minutes), rinsed and dried. The glass plate, which is provided with photoresist in places, is then dried in an oven at 120 ° C. for 5 minutes.
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PHN 7737 - 6 -' 8-9-1975PHN 7737-6- '8-9-1975
Das Glas wird nun dadiirch geätzt, dass es in eine wässrige HF-Lösung getaucht wird. Die Ätztiefe wird durch die Behandlungszeit und die Konzentration der HP-Lösung bestimmt.. Die Ätzgeschwindigkeiten für die verschiedenen Konzentrationen sind:The glass is now etched by dipping it into an aqueous HF solution. The etching depth is determined by the treatment time and the concentration of the HP solution. The etching speeds for the various concentrations are:
1 O $ HF 1,5 /um/min1 O $ HF 1.5 / µm / min
20 $ HF 5 /um/mi$ 20 HF 5 / um / mi
/um/mxn/ um / mxn
30 $ HF 10 /um/min30 $ HF 10 / µm / min
kO io HF - 30 /um/min. kO io HF - 30 / um / min.
Mit diesem Verfahren ist es möglich, Muster mit einer Tiefe von 20 /um zu ätzen. Der Unterätzungsfaktor ist 0,5· Die Ätztiefen werden mit einem Talysurf 10 gemessen. Beispiel II With this method it is possible to etch patterns with a depth of 20 µm. The undercut factor is 0.5 · The etch depths are measured with a Talysurf 10. In game II
Venn Muster mit grösserer Tiefe geätzt -werden sollen, ist es erforderlich, dass der Photolack besser an dem Glas haftet. Dazu wird das' in der DT-Offenlegungsschrift 2362896 beschriebene Verfahren angewendet. Das Kalkglas wird zunächst auf mechanischem Wege durch eine mechanische Schieifbearbeitung mit Siliciumcarbidpulver (Sie) mit einer Korngrösse von kh /um (Korn 2^0 nach F.E. P.A.-Norm) aufgerauht und dann 10 Sekunden lang chemisch mit 10 ^ HF-Lösung behandelt, gespült und getrocknet. Anschiie53send worden auf die im Beispiel I beschriebene Weise eine amorphe TiOp-Schicht und ein Photolack angebracht. Nach dieser Vorbehandlung ist es möglich, mindestens 200 ,um tiefe Muster zuIf patterns with greater depth are to be etched , it is necessary that the photoresist adheres better to the glass. To this end, the method described in DT Offenlegungsschrift 2362896 is used. The lime glass is first roughened mechanically by mechanical grinding with silicon carbide powder (Sie) with a grain size of kh / µm (grain 2 ^ 0 according to FEPA standard) and then chemically treated with 10 ^ HF solution for 10 seconds, rinsed and dried. An amorphous TiO p layer and a photoresist were then applied in the manner described in Example I. After this pre-treatment it is possible to create at least 200 µm deep patterns
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PHN 7737 8-9-1975PHN 7737 8-9-1975
25A120525A1205
ätzen. Der Unterätzungsfaktor bleibt 0,5· Beispiel III etching. The undercut factor remains 0.5 · Example III
Eine Borosxlikatglasplatte wird auf die im Beispiel- I beschriebene Weise gereinigt und mit einer amorphen TiOp-Schicht und Photolack versehen. Beim Ätzen mit 40 io HF ist die Tiefe als Funktion der Zeit folgende:A borosilicate glass plate is cleaned in the manner described in Example I and provided with an amorphous TiO p layer and photoresist. When etching with 40 io HF, the depth as a function of time is as follows:
1 Minute 12 /um1 minute 12 / um
2 Minuten 17 /um2 minutes 17 / um
3 Minuten 21 /um.3 minutes 21 / um.
Bei einer Vorbehandlung nach Beispiel I ist die maximale Ätztiefe 8 /um und bei einer Vorbehandlung nach Beispiel II
ist die Ätztiefe wieder unbeschränkt. Der Unterätzungsfaktor
ist 0,5.
Beispiel IV In the case of a pretreatment according to Example I, the maximum etching depth is 8 μm, and in the case of a pretreatment according to Example II, the etching depth is again unlimited. The undercut factor is 0.5.
Example IV
Eine Quarzplatte wird auf die im Beispiel IA quartz plate is placed on the in Example I.
beschriebene Weise vorbehandelt. Beim Ätzen in ^O 5° H^ wird als Funktion der Ä'tzzeit folgende Tiefe erhalten:pretreated manner as described. When etching in ^ O 5 ° H ^ becomes get the following depth as a function of etching time:
1 Minute h /um1 minute h / um
2 Minuten 6 /um2 minutes 6 / um
1 /1 /
3 Minuten . 8 /um.3 minutes . 8 / um.
Bei einer Vorbehandlung nach Beispiel I ist die maximale Ätztiefe 3 /um und bei einer Vorbehandlung nach Beispiel II ist die Ätztiefe unbeschränkt. Der Unterätzungsfaktor ist 0*5.In the case of a pretreatment according to Example I, the maximum etching depth is 3 μm and in the case of a pretreatment according to Example II the etching depth is unlimited. The undercut factor is 0 * 5.
609815/1176609815/1176
Claims (2)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL7412384A NL7412384A (en) | 1974-09-19 | 1974-09-19 | METHOD OF ETCHING A PATTERN IN GLASS. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2541205A1 true DE2541205A1 (en) | 1976-04-08 |
Family
ID=19822131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19752541205 Withdrawn DE2541205A1 (en) | 1974-09-19 | 1975-09-16 | PROCEDURE FOR ETCHING A PATTERN IN GLASS |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5156820A (en) |
CA (1) | CA1061159A (en) |
DE (1) | DE2541205A1 (en) |
FR (1) | FR2285639A1 (en) |
GB (1) | GB1506961A (en) |
NL (1) | NL7412384A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3343704A1 (en) * | 1983-12-02 | 1985-06-13 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | METHOD AND DEVICE FOR SETTING HOLE GRID PLATES, ESPECIALLY FOR PLASMA CATHODE DISPLAY |
DE19820754A1 (en) * | 1998-05-08 | 1999-11-11 | Guenter Seidl | Production of a structure in a substrate used as a tile |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102583733B1 (en) * | 2023-03-03 | 2023-09-27 | 백도 | Waterproofing device using Micro-cement of Crack repair material and Method for reinforcing concrete |
-
1974
- 1974-09-19 NL NL7412384A patent/NL7412384A/en not_active Application Discontinuation
-
1975
- 1975-09-16 GB GB3800775A patent/GB1506961A/en not_active Expired
- 1975-09-16 JP JP11103475A patent/JPS5156820A/en active Pending
- 1975-09-16 DE DE19752541205 patent/DE2541205A1/en not_active Withdrawn
- 1975-09-16 CA CA235,541A patent/CA1061159A/en not_active Expired
- 1975-09-18 FR FR7528637A patent/FR2285639A1/en active Granted
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5156820A (en) | 1976-05-18 |
FR2285639A1 (en) | 1976-04-16 |
CA1061159A (en) | 1979-08-28 |
NL7412384A (en) | 1976-03-23 |
GB1506961A (en) | 1978-04-12 |
FR2285639B1 (en) | 1978-05-19 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |