SU397993A1 - SOLUTION FOR ELECTORAL EMISSION OF CHROME FILMS - Google Patents
SOLUTION FOR ELECTORAL EMISSION OF CHROME FILMSInfo
- Publication number
- SU397993A1 SU397993A1 SU1732261A SU1732261A SU397993A1 SU 397993 A1 SU397993 A1 SU 397993A1 SU 1732261 A SU1732261 A SU 1732261A SU 1732261 A SU1732261 A SU 1732261A SU 397993 A1 SU397993 A1 SU 397993A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- solution
- electoral
- emission
- chromium
- etching
- Prior art date
Links
Description
Предлагаемый раствор относитс к веществам , используемым при изготовлении, например , хромовых прецизионных фотошаблонов.The proposed solution relates to substances used in the manufacture of, for example, chromium precision photomasks.
Дл изготовлени Х1ромовых шаблонов ИЗ пленки вакуумнапылениого хрома на диэлектрической подложке, например стекле, используют раствор сол ной кислоты, который тра ,вит )поверх«ость хрома после ее пред1варител1 ного контакта (активации) -со стержнем из цинка или с алюминиевой стружкой.For the manufacture of X-edge templates from a film of vacuum-sprayed chromium on a dielectric substrate, for example glass, hydrochloric acid is used, which is traced over the surface of chromium after its preliminary contact (activation) with a zinc rod or with aluminum chips.
ИЗВестны также растворы дл избирательного травлени пленок хрома на основе сол ной кислоты, содержащие -различные доба/вки, например, увеличивающие воспроизводимость процесса.Solutions for the selective etching of chromium films based on hydrochloric acid, containing various additives, for example, increasing the reproducibility of the process, are also known.
Однако извест1ные расиворы не могут быть (Использованы без предварительного активировани поверхности хрома путем контактироваПИЯ ее с активирующим металлом.However, known rasivors cannot be (Used without prior activation of the chromium surface by contacting it with an activating metal.
Цель изобретени - повышение равнол1ерно-сти травлени .The purpose of the invention is to increase the etching equilibrium.
Дл достижени этой цели раствор содержиг восстановитель, например двухлористое олово и ионы йода, например, в виде йодидщелочного одновалентного металла. Компоненты раствора вз ты в следующем количестве:To achieve this goal, the solution contains a reducing agent, for example, tin dichloride and iodine ions, for example, in the form of a mono-iodine alkali metal. The components of the solution are taken in the following quantity:
Сол на кислота (плотность 1,18-1,19 г/см Двухлористое олово, г Йодид кал.и , гHydrochloric acid (density 1.18-1.19 g / cm. Tin dichloride, g iodide cal.i, g
Травитель готов т следующим образом. В концентрированной сол ной кислоте раствор ют 50-150 г йодида щелочного металла (например , кали ), выдерживают не менее суток и фильтруют. В раствор добавл ют 10-150 г хлористого олова ii фильтруют.The etchant is prepared as follows. 50-150 g of an alkali metal iodide (e.g., potassium) are dissolved in concentrated hydrochloric acid, incubated for at least 24 hours and filtered. 10-150 g of tin chloride ii is filtered into the solution.
Пор док операц 1Й технологического процесса при получении микрорельефа хромовых пленок на стекле следующий:The order of the first-stage operations of the technological process for obtaining microrelief of chrome films on glass is as follows:
Нанесение фоторезиста с образованием копировального сло , сушка копировального ,сло , экспонирование копировального слот, про вление, термическа обработка защитного рисунка, химическое травление незащищенных участков хромовой пленки, Промывка и сушка, удаление фоторезистора.Photoresist application with formation of a copying layer, drying of a copying layer, exposure of a copying slot, development, thermal processing of a protective pattern, chemical etching of unprotected areas of a chrome film, Washing and drying, removal of a photoresistor.
Пласти;:у с хромовой пленкой, на которую н насен защитный рисунок, погрул ают в раствор дл травлени и выдерживают в нем до полного стравлива:ни хромовой пленки с незащищенных фоторезистОМ участков.The plaster;: with a chrome film, on which a protective pattern is placed, immerse it in the etching solution and hold it there until it is completely vented: neither the chrome film from the areas unprotected by the photoresist.
В качестве фоторезиста 1используют ФП-ЗЗЗВ.As a photoresist 1 use OP-SZZV.
Ниже даны составы растворов дл тра)влени хромовой пленки: Л°9 1 Кисло га сол на 36-40%, мл 1000 йодистый натр;ий, г100 Двухлористое олово, г40 Врем полного стра-вливани хромовой плен ки толщиной 0,12 мкм составл ет 1 мин 20 сек толщиной 0,3 мкм - 4 мин 20 сек. N 2 Кислота сол на (36-40%), мл 1000 Йодистый калий, г100 Двухлористое олово, г30 Брем полного стравл«ваии хромовой пленки толщиной 0,12 мкм составл ет 2 мин 20 сек, толщиной 0.30 мкм - 4 мин 50 сек. № 3 Кислота сол на (36-40%), мл 1000 Йодистый .аммог.ий, г100 Двухлористое олово, г100 Врем полного стравл1Ичза Н|Н хромовой пленки толщннсй 0,12 составл ет 6 мин 55 сек, толщиной 0,30 мкм- 12 мин 40 сек. № 4 Кислота сол на 36-40%, мл 1000 Йодистый калий, г100 Двухлорнстое олово, г.50 Врем ПОЛНОГО стравливани хромовой пленки толщиной 0,12 мкм - 1 мин 35 сек, толщиной 0,30 мкм - 3 мин 40 сек. № 5 Кислота сол на 36-40, мл 1000 Насыщенный ipacTBop йода металлического в слирте, мл 100 Двухлористое олово, г50 Врем полного стравливани хромовой пленки толщиной 0,12 мкм - I мин 25 сек; толщиной 0,30 мкм - 2 мин 50 сек. При содержании йо-дида менее 100 г/л ок .,рость травле-нй не уменьшаетс , но создаетс п р е с ы щен и е .р а с тв о р а. При содержании хлористого олова менее 10 г/л, также как и выше 100 г/л, скорость травлени уменьшаетс . Наибольша скорость травлени хрома Обеспечиваетс трашггслсм, содержащим 50 г/л двухлористого олова. Раствор N° 5 годен к работе почти сразу же после приготовлени , однако он быстро тер ет свои трав щие свойства. Предмет изобретени 1.Раствор дл избирательного травлени пленок хрома на основе сол ной кислоты, отличающийс тем, что, с целью повышени равномерности травлени , он содержит восстановитель , .например Двухлористое олово, и ионы йода, иаюример, в виде йодида щелочного металла . 2.Раствор по п. 1, отличающийс тем, чта омпоненты вз ты в следующем количестве: ол на -кислота (плотность 1,18-1,19 г/см) 1000 мл, Двухлористое олово 10-15Q г, йодлд кали 50-150 г.The following are the compositions of solutions for traction of chromium film: L ° 9 1 Acid salt 36-40%, ml 1000 iodide soda; iy, g 100 Tin dichloride, g40 The total absorption time of chromium film 0.12 µm thick is em 1 min 20 sec with a thickness of 0.3 microns - 4 min 20 sec. N 2 Acid sol (36–40%), ml 1000 Potassium iodide, g 100 Tin dichloride, g 30 Brem of a full ethereal chromium film 0.12 µm thick is 2 minutes 20 seconds, 0.30 microns thick - 4 minutes 50 seconds. No. 3 Acid salt per (36-40%), ml 1000 Iodide. Ammog., G 100 Tin dichloride, g 100 The time for complete discharge of H | H chromium film with a thickness of 0.12 is 6 minutes 55 seconds, 0.30 µm thick 12 min 40 sec № 4 Acid salt 36-40%, ml 1000 Potassium iodide, g100 Tin two-chlorine, g.50 Time of complete etching of chromium film 0.12 µm thick - 1 min 35 sec, 0.30 µm thick - 3 min 40 sec. № 5 Acid salt 36-40, ml 1000 Saturated ipacTBop metal iodine in oil, ml 100 Tin dichloride, g50 Chrome film thickness 0.12 µm - I min 25 sec; 0.30 microns thick - 2 min 50 sec. When the content of yo-dyda is less than 100 g / l approx., The etching rate does not decrease, but an impediment is created. When the content of tin chloride is less than 10 g / l, as well as above 100 g / l, the etching rate decreases. Maximum chromium pickling rate Trashgsl containing 50 g / l of tin dichloride is provided. Solution No. 5 is suitable for use almost immediately after preparation, but it quickly loses its etching properties. The subject of the invention is 1. A solution for selectively etching chromium films based on hydrochloric acid, characterized in that, in order to improve etching uniformity, it contains a reducing agent, for example tin dichloride, and iodine ions, iaurimer, in the form of an alkali metal iodide. 2. The solution according to claim 1, characterized in that the components are taken in the following quantity: ol per -acid (density 1.18-1.19 g / cm) 1000 ml, tin dichloride 10-15Q g, potassium iodide 50- 150 g
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1732261A SU397993A1 (en) | 1971-12-31 | 1971-12-31 | SOLUTION FOR ELECTORAL EMISSION OF CHROME FILMS |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1732261A SU397993A1 (en) | 1971-12-31 | 1971-12-31 | SOLUTION FOR ELECTORAL EMISSION OF CHROME FILMS |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU397993A1 true SU397993A1 (en) | 1973-09-17 |
Family
ID=20498453
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1732261A SU397993A1 (en) | 1971-12-31 | 1971-12-31 | SOLUTION FOR ELECTORAL EMISSION OF CHROME FILMS |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU397993A1 (en) |
-
1971
- 1971-12-31 SU SU1732261A patent/SU397993A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3567443A (en) | Diffusion transfer production of printing plates with lioh as alkalizing agent | |
GB718525A (en) | Improvements in or relating to photographically presensitized metal plates | |
GB728183A (en) | Aluminium photographic surfaces | |
US3838023A (en) | Sealing anodized aluminum | |
GB1210949A (en) | Processes for making photomasks | |
SU397993A1 (en) | SOLUTION FOR ELECTORAL EMISSION OF CHROME FILMS | |
US4242438A (en) | Photomask material | |
US3383211A (en) | Lithographic printing plates | |
US3212895A (en) | Stability of rapid-processed photographic materials | |
US1973466A (en) | Photographic developing solutions | |
US2572228A (en) | Etch for offset plate making | |
Crabtree et al. | The removal of hypo and silver salts from photographic materials as affected by the composition of the processing solutions | |
US2437441A (en) | Coloring metal surfaces | |
US2091689A (en) | Photographic hardening developer | |
SU366227A1 (en) | METHOD OF ELECTORAL CHEMICAL Etching | |
US3017296A (en) | Process for making photoconductive lead sulfide films | |
EP0002105B1 (en) | Process for increasing the solubility rate ratio of a positive-working resist | |
US3395015A (en) | Silver complex diffusion transfer process using 3-hydroxy-propylene sulphite | |
JPS6365620B2 (en) | ||
SU566866A1 (en) | Etching solution for aluminum | |
Hurlen | Film growth on copper in acidified cupric chloride solutions | |
US1992169A (en) | Coloring photographic images | |
US2962364A (en) | Process and composition for developing images and designs on metal | |
CA1061159A (en) | Method of etching a pattern in glass | |
US3232757A (en) | Photographic colloid transfer process |