SU366227A1

SU366227A1 - METHOD OF ELECTORAL CHEMICAL Etching

Info

Publication number: SU366227A1
Application number: SU1655464A
Authority: SU
Priority date: 1971-05-10
Filing date: 1971-05-10
Publication date: 1973-01-16

Description

1one

Изобретение относитс к радиоэлектронике, а именно к технологии изготовлени приборов электронной техники и может быть -ирименено при изготовлении фотошаблонов с микронными и субмикронными размерами.The invention relates to electronics, in particular, to the technology of manufacturing electronic devices and can be made in the manufacture of photomasks with micron and submicron dimensions.

Известен способ избирательного травлени плеаОК хрома, заключающийс в том, что пленку хрома, нанесенную на какую-либо стойкую в травителе подлож-ку (стекло, кварц), подвергают обработке в растворе сол ноИ кислоты в контакте с металлом, активирующим процесс травлени . Б качестве так1их металлов примен ют цинк или алюминий в виде стержн , который контактирует с пленкой хрома. Однако известный спосоо не позвол ет примен ть дл формировани рисунка ллеаок хрома фоторезисты с низкой кислотостойкостью и, кроме того, приводит к большо1му растравливанию краев пленки хрома.The known method of selective etching of a chromium cell is that a chromium film applied on any substrate (glass, quartz) that is resistant in the etchant is treated in a solution of hydrochloric acid in contact with the metal that activates the etching process. Zinc or aluminum in the form of a rod, which is in contact with a chromium film, is used as such metals. However, the known method does not allow photoresists with low acid resistance to form a chromium lleak pattern, and, moreover, leads to a large etching of the edges of the chromium film.

Цель изобретени -обеспечение возможности использовани фоторезистов различной кислотостойкости и уменьшение растравливани краев пленки.The purpose of the invention is to ensure the use of photoresists of various acid resistance and reduce etching of the edges of the film.

Дл этого по предлагаемому способу в качестве добавки введен водный раствор полиамфолита при следуюш.ем содержании исходных компонентов, г:To do this, according to the proposed method, an aqueous solution of polyampholyte is introduced as an additive with the following content of the starting components, g:

Сол на кислота концентри рованна )115U-1190Hydrochloric acid concentrated) 115U-1190

Иолиамфолит5-50Ioliampholit5-50

Водао-50Water-50

Предлагаемый спосОб осуш.ествл ют следующим ооразом.The proposed method of drying is described as follows.

Подложку с хромовой пленкой, па которую нанесен защитный рисунок фоторезиста, ногрулч .ают в раствор, содерл ащий наэ г сол ной концентрированной (dU-о) кислоты, 2U г полиамфолита и 20 г воды, и привод т алюминиевый или цинковый стержень в соприкосновение с незащищенным фоторезистом участком хромовой лленки. Ио истечении о-Ь сек, стержень убирают, а пластину выдерживают в растворе до полного стравливани хрома.A substrate with a chrome film, which is applied to a protective photoresist pattern, is wrapped in a solution containing the highest concentration of salt (dU-o) acid, 2U g of polyampholyte and 20 g of water, and the aluminum or zinc rod is brought into contact with unprotected photoresist area of chrome llenka. After the flow of o-b sec, the rod is removed, and the plate is kept in solution until chrome is completely vented.

Процесс травлени протекает равномерно и поддаетс регулировке путем изменени концентрации кислоты и добавки.The etching process proceeds evenly and is adjustable by changing the concentration of the acid and the additive.

Спосоо предусматривает использование раз личных разновидностей полиамфолитов: сополимера акриловой кислоты с р-аминоэтилакрилатом; сополимера акриловой кислоты с 2,5-метилвинилпиридином; осмола, образующегос при дегидратации этиленциангидрина при производстве акрилопитрила.Sposoo provides for the use of different types of polyampholytes: copolymer of acrylic acid with p-aminoethyl acrylate; copolymer of acrylic acid with 2,5-methylvinylpyridine; the osmol formed during the dehydration of ethylene cyanohydrin in the production of acrylopitrile.

Предлагаемый способ позвол ет при изготовлении хромового микрорельефа расширить номенклатуру примен емых фоторезистов, непользовать фотО)резисты с более широким диапазоном свойств, например фоторезисты на основе резольных смол, которые, облада меньшей юислотостойкостью по сравнению с новолачными, наход т, однако, широкое применение в электронной технике в силу «х высокой разрешающей способности, высокой адгезии к диффузионным стеклам и, в отличие от новолачных фоторезистов, способности сохран ть размеры элементов при термообработке . Предмет изобретени Способ избирательного химического травлени пленок хрома, рисунок которых формируют методом фотолитографии, в растворе, содержащем сол ную кислоту и добавки, с использованием металлического активатора, отличающийс тем, что, с целью обеспечени возможности использовани фоторезистов различной кислотостойкости и уменьщени растравливани краев пленки, в качестве добавки введен водный раствор полиамфолита при следующем содержании исходных компонентов , г: Сол на кислота (концентрированна )1150-1190 Полиамфолит5-50 Вода 5-50The proposed method allows for expanding the range of photoresists used in the manufacture of chromic microrelief, not using photo-resists with a wider range of properties, such as photoresists based on resole resins, which are less resistant than novolacs, but are widely used in electronic due to its high resolution, high adhesion to diffusion glasses and, in contrast to novolac photoresists, the ability to preserve the dimensions of elements during thermal processing Otke. The subject of the invention is a method of selectively chemical etching of chromium films, the pattern of which is formed by photolithography, in a solution containing hydrochloric acid and additives, using a metal activator, characterized in that, in order to allow the use of photoresists of various acid resistance and reduce etching of the edges of the film, as an additive, an aqueous solution of polyampholyte was added with the following content of the starting components, g: Solic acid (concentrated) 1150-1190 Polyampholyte 5-50 V 5-50