DE2538831A1 - Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen - Google Patents
Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzenInfo
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- 238000004857 zone melting Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 10
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 abstract description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012771 pancakes Nutrition 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B13/16—Heating of the molten zone
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Description
- Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen Die Erfindung betrifft eine Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes, mit einer einzigen, den Stab ringförmig umgebenden Windung.
- Beim tiegeifreien Zonenschmelzen werden als Induktionsheizspulen neben Zylinderspulen und mehrwindigen Flachspulen heute bevorzugt einwindige Flachspulen eingesetzt, die es gestatten, den Stab lediglich an einer sehr schmalen Stelle aufzuschmelzen. Die hierdurch erhöhte Stabilität der Schmelzzone ist besonders bei großen Stabdurchmessern von Bedeutung. Mit derartigen einwindigen Flachspulen gelingt es, Stäbe in versetzungsfreie Einkristalle mit bis zu 7,5 cm Durchmesser zu überführen.
- Der an den Stromzuführungen derartiger einwindiger Flachspulen ausgebildete Schlitz wirkt sich bei größeren Stabdurchmessern jedoch sehr ungünstig aus. Die starke Feldkonzentration am Spulenschlitz kann bei Stäben mit größerem Durchmesser am Außenrand nahe der Erstarrungsfront zu Rückschmelzungen führen, die Versetzungen im Stab bedingen.
- Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Induktionsheizspule zu entwickeln, die ein homogeneres elektromagnetisches Feld erzeugt als bekannte einwindige Flachspulen.
- Gelöst wird diese Aufgabe mit liner Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes, mit einer einzigen, den Stab ringförmig umgebenden Windung, die dadurch gekennzeichnet ist, daß die Spulenenden der Flachspule überlappend ausgebildet sind.
- Die Überlappung kann dabei von ea. 1 mm bis zu einigen Zentimetern reichen, wobei eine vom Innen- zum Außenrand zunehmende Überlappung meist vorteilhaft ist. Besonders günstig ist es auch, die'beiden rohrförmigen Stromzuführungen zumindest weitgehend übereinander liegend auszuführen, um auch hier eine Feldasymmetrie durch Schlitzwirkung auszuschalten oder zumindest einzuschränken. Der Innendurchmesser der erfindungsgemäßen, beispielsweise aus Silber gefertigten Induktionsheizspule beträgt etwa 20 bis 40 mm, bevorzugt 25 bis 35 mm, der Außendurchmesser etwa 110 bis 180 mm, bevorzugt 130 bis 150 mm.
- Der Hohlquerschnitt der von einem geeigneten Kühlmittel durchströmten Flachspulekann dabei beispielsweise weitgehend rechteckig, angenähert dreieckig beziehungsweise konusförmig sein, wobei der spitze Winkel respektive Öffnungswinkel im Innenrand der Spule liegt.
- Die starke Feldkonzentration am Schlitz der Stromzuführung der herkömmlichen einwindigen Flachspulen wird durch die Überlappung des Schlitzes stark abgeschwächt. In dem durch die erfindungsgemäße Flachspule erzeugten, weitgehend homogenen elektromagnetischen Feld können Stäbe mit beispielsweise 10 cm Durchmesser und mehr versetzungsfrei gezogen werden, da Rückschmelzungen der Erstarrungsfront nicht mehr auftreten.
- Die erfindungsgemäße Induktionsheizspule läßt sich bei den üblichen Zonenziehverfahren unter Schutzgas, wie auch unter Vakuum, beispielsweise auch beim Dünnhalsziehen d.h. beim Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes unter seitlicher Verschiebung des wiedererstarrenden Stabteiles, einsetzen.
- In den Figuren 1 und 2 sind zwei Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Induktionsheizspule dargestellt.
- Figur 1 zeigt eine Flachspule 1 mit den beiden Stromzuführungen 2 in der Draufsicht und im Querschnitt. Die Flachspule 1 weist einen weitgehend rechteckigen Hohlquerschnitt 3 mit abgerundeten Kanten auf. Die Spulenenden, die in die beiden rohrförmigen Stronzuführungen 2 übergehen, sind vom Innenrand 4 zum Außenrand 5 der Spule 1 gleichmäßig überlappend ausgebildet, wobei sich die Überlappung in die Stromzuführungen 2 fortsetzt.
- Figur 2 zeigt eine andere erfindungsgemäße Induktionsheizspule, wiederum in Draufsicht und Querschnitt. Bei dieser einwindigen Flachspule 1 ist die Überlappung der Spulenenden vom Innenrand 4 zum Außenrand 5 der Flachspule 1 von wenigen Millimetern bis auf über 2 cm ansteigend ausgebildet. Die Breite der einander ebenfalls überlappenden rohrförmigen Stromzuführungen 2 entspricht bei dieser Ausführungsform fast der Breite der Überlappung der Spulenenden am Außenrand 5 der Spule 1. Der Hohlquerschnitt 3 der Flachspule 1 entspricht wiederum einem Rechteck mit abgerundeten Ecken.
Claims (1)
- Patent anspruch:Induktionsheizspule zum tiegel freien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes1 insbesondere Halbleiterstabes, mit einer einzigen, den Stab ringförmig umgebenden Windung, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß die Spulenenden der Flachspule einander überlappend ausgebildet sind.L e e r s e i t e
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19752538831 DE2538831A1 (de) | 1975-09-01 | 1975-09-01 | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen |
| JP9546976A JPS5229644A (en) | 1975-09-01 | 1976-08-12 | Band fusing device using no crucible |
| DK366176A DK366176A (da) | 1975-09-01 | 1976-08-13 | Apparat til digelfri zonesmeltning |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19752538831 DE2538831A1 (de) | 1975-09-01 | 1975-09-01 | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2538831A1 true DE2538831A1 (de) | 1977-03-03 |
Family
ID=5955327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19752538831 Pending DE2538831A1 (de) | 1975-09-01 | 1975-09-01 | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5229644A (de) |
| DE (1) | DE2538831A1 (de) |
| DK (1) | DK366176A (de) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3603766A1 (de) * | 1986-02-06 | 1987-08-13 | Wacker Chemitronic | Induktionsheizspule fuer das tiegelfreie zonenziehen von kristallstaeben |
| EP0288880A1 (de) * | 1987-04-27 | 1988-11-02 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Einwindige-Induktionsheizspule für tiegelfreie Zonenschmelzverfahren |
| EP0725168A3 (de) * | 1995-01-31 | 1996-10-23 | Shinetsu Handotai Kk | Hochfrequenzinduktionsheizgerät und Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen mit diesem Heizgerät |
| WO2014075650A1 (de) * | 2012-11-19 | 2014-05-22 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Vorrichtung für das tiegelfreie zonenziehen von kristallstäben |
| EP3034658A1 (de) | 2014-12-18 | 2016-06-22 | Siltronic AG | Verfahren zum züchten eines einkristalls durch kristallisieren des einkristalls aus einer fliesszone |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS426992Y1 (de) * | 1966-01-14 | 1967-03-31 |
-
1975
- 1975-09-01 DE DE19752538831 patent/DE2538831A1/de active Pending
-
1976
- 1976-08-12 JP JP9546976A patent/JPS5229644A/ja active Pending
- 1976-08-13 DK DK366176A patent/DK366176A/da unknown
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3603766A1 (de) * | 1986-02-06 | 1987-08-13 | Wacker Chemitronic | Induktionsheizspule fuer das tiegelfreie zonenziehen von kristallstaeben |
| EP0288880A1 (de) * | 1987-04-27 | 1988-11-02 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Einwindige-Induktionsheizspule für tiegelfreie Zonenschmelzverfahren |
| EP0725168A3 (de) * | 1995-01-31 | 1996-10-23 | Shinetsu Handotai Kk | Hochfrequenzinduktionsheizgerät und Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen mit diesem Heizgerät |
| US5792258A (en) * | 1995-01-31 | 1998-08-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | High-frequency induction heater and method of producing semiconductor single crystal using the same |
| WO2014075650A1 (de) * | 2012-11-19 | 2014-05-22 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Vorrichtung für das tiegelfreie zonenziehen von kristallstäben |
| EP3034658A1 (de) | 2014-12-18 | 2016-06-22 | Siltronic AG | Verfahren zum züchten eines einkristalls durch kristallisieren des einkristalls aus einer fliesszone |
| DE102014226419A1 (de) | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Siltronic Ag | Verfahren zum Züchten eines Einkristalls durch Kristallisieren des Einkristalls aus einer Fließzone |
| US9932691B2 (en) | 2014-12-18 | 2018-04-03 | Siltronic Ag | Method for growing a single crystal by crystallizing the single crystal from a float zone |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DK366176A (da) | 1977-03-02 |
| JPS5229644A (en) | 1977-03-05 |
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