DE2538563A1 - Schichtschaltung mit gekreuzten leiterbahnen - Google Patents
Schichtschaltung mit gekreuzten leiterbahnenInfo
- Publication number
- DE2538563A1 DE2538563A1 DE19752538563 DE2538563A DE2538563A1 DE 2538563 A1 DE2538563 A1 DE 2538563A1 DE 19752538563 DE19752538563 DE 19752538563 DE 2538563 A DE2538563 A DE 2538563A DE 2538563 A1 DE2538563 A1 DE 2538563A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- insulator
- screen
- lacquer
- sepd
- phenoplast
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4685—Manufacturing of cross-over conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
- H01L27/016—Thin-film circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
- Schichtschaltung mit gekreuzten Leiterbahnen Die Erfindung betrifft eine Schichtschaltung, insbesondere Dünnschichtschaltung, mit gekreuzten Leiterbahnen.
- Mit zunehmender Integration und Miniaturisierung der elektrischen i>ünnschichtschaltungen steigt die Notwendigkeit, elektrische Leiterbahnen zu überkreuzen. Durch "2hin solid films" 13, 1972, 51-55, ist es bereits bekannt, die sich kreuzenden Leiterbahnen durch einen Luftspalt zu isolieren. Die Entwicklung einer kombinierten Dickschicht-Dünnschicht-Technik unter Verwendung von hoch einzubrennenden Dickschichtpasten in Dünnschichtschaltkreisen, die gleichfalls zur Isolierung sich kreuzender Leiterbahnen geeignet sind, ist z.B. in "Proc. Elektron. Comp. Conf." 1973, I.E.E.E. Washington D.C., 1973, Seiten 198 - 203, abgehandelt. Eine weitere, z.B. in "I.E.E.E.
- ransact. on Comp. Parts" CP-11 (März 1964) 1, Seiten 48 - 53, beschriebene Möglichkeit der Isolation sich kreuzender Leiterbahnen besteht in der Verwendung anorganischer Isolierstoffe, z.B. aus der Gasphase abgeschiedenen oder aufgestäubten Quarzes bzw. aufgedampften Glases. Die Erzielung hinreichend dicker Schichten erweist sich hierbei problematisch.
- Wegen ihrer einfacheren Herstellung wurden, wie dies aus Proc.
- Elektron. Comp. Oonf." 1971, I.E.E.E., Seiten 310 - 313, entnehmbar ist, sogenannte hybridierte Kreuzungen entwickelt, die ähnlich gestaltet sind wie die erstgenannten luftspaltisolierten Leiterbahnkreuzungen. Die Brücken werden dabei nicht auf dem Substrat unmittelbar hergestellt, sondern das Überkreuzungsmuster auf kaschierten Xunststoffolien gesondert erzeugt und in den Lünnschichtschaltkreis eingesetzt bzw. hybridiert.
- Zweifelsfrei sind die vorstehend genannten bekannten Ereusungsmöglichkeiten für Leiterbahnen in der einen oder anderen Hinsicht vorteilhaft, sie vermögen jedoch nicht sämtliche Wünsche, insbesondere hinsichtlich einer hohen Ausbeute bei niedrigen Kosten und hinsichtlich einer weitgehenden Automatisierung bzw. Rationalisierung, gleichzeitig zu befriedigen.
- Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine "Ereuzungsmöglichkeit für Leiterbahnen11 einer Duflnschichtschaltung aufzuzeigen, die sämtlichen Bedürfnissen gerecht wird.
- Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung vor, daß die Leiterbahnen in ihren Kreuzungsbereichen durch einen in Siebdrucktechnik aufgebrachten, siebdruckfähigen organischen Isolierstoff, z.3.
- Phenolharzlack, Epoxidharzlack oder Silikonharzlack, getrennt sind, wobei vorteilhafterweise ausschließlich der organische Isolierstoff in Siebdrucktechnik aufgebracht ist, während alle anderen Verfahrensschritte zur Herstellung der D~unnschichtschaltung wie Bestäubung und Bedampfung in DRnnschichttechnik durchgeführt werden.
- Die Erfindung wird nachstehend an Hand eines Beispiels zur Herstellung einer Iünnschichtschaltung mit gekreuzten Leiterbahnen näher erläutert.
- Auf den für die Herstellung der Leiterbahnen vorbereiteten, ebenen, gut gereinigten Schaltungsträgern von z.B. 100 x 100 mm2 Fläche wird eine erste leitende ganzflächige Schicht aus z.B. NiCr-Au aufgedampft und foto- und ätztechnisch daraus das erste Leiterbahnsystem hergestellt. Anschließend werden in Siebdrucktechnik auf die beabsichtigten Kreuzungsbereiche sogenannte Isolierflecken aus Phenolharzlack aufgedruckt und bei 140 oO 30 Minuten getrocknet.
- Dabei ergibt sich im Ausführungsbeispiel eine Schichtdicke von 20 t 3 ~um. Aus der folgenden zweiten, ganzflächig aufgedampften NiOr-An-Schicht wird ebenfalls foto- und ätztechnisch das kreuzende Leiterbahnsystem erzeugt.
- An derart hergestellten Du~nnschichtschaltungen durchgeführte Untersuchungen haben gezeigt, daß die gekreuzten Leiterbahnen sämtlichen Forderungen genügen.
- So ist beispielsweise eie mechanisnhe Festigkeit und Haftung bei geringer Sprödigkeit der Isolierflecken auf dem Substrat und dem Gold sehr gut. Gleiches gilt für die Haftung der darübergeführten Leiterbahn. Pinholes und Kurzschlüsse sind nicht feststellbar. Bedingt durch den günstigen Böschungsverlauf, d.h. durch das Vorhandensein eines mittleren Böschungswinkels zur leichten Überwindung der Höhenstufe für die kreuzende Leiterbahn, sind keine Leiterbahnunterbrechungen vorhanden. Die verschieden großen Überkreuzungsstellen weisen für z.B. Phenolharzlack nur kleine Kapazitäten auf, die zwischen 0,1 pF.bei 0,01 mm2 Kreuzungsfläche und 1,6 PF bei 0,25 mm2 Kreuzungsfläche im Mittel schwanken.
- 2 Der Isolationsstrom beträgt bei einer Fläche von 500 x 500 1um = 0,25 mm2 und einer #rüfspannung von 100 V weniger als 0,1 nA. Die Spannungsfestigkeit des hier verwendeten organischen Isolierstoffes, nämlich Phenolharzlack, ist sehr gut. Auch die Temperaturschockbehandlung führte zu keinen Ausfällen.
- 5 Patentansprüche
Claims (5)
- Pat entans#ru#he 1. Schicht Schaltung, insbesondere #ünnschichtschaltung, mit gekreuzten Ileiterbahnen, d a d u r c h g e k e n n z e i c h -n e t, daß die Leiterbahnen in ihren Kreuzungsbereichen durch einen in Siebdrucktechnik aufgebrachten, siebdruckfähigen organischen Isolierstoff getrennt sind.
- 2. Schichtschaltung nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß ausschließlich der organische Isolierstoff in Siebdrucktechnik aufgebracht ist.
- 3. Schichtschaltung nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß der organische Isolierstoff ein Phenolharzlack ist.
- 4. Schichtschaltung nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß der organische Isolierstoff ein Epoxidharzlack ist.
- 5. Schichtschaltung nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß der organische Isolierstoff ein Silikonharzlack ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19752538563 DE2538563A1 (de) | 1975-08-29 | 1975-08-29 | Schichtschaltung mit gekreuzten leiterbahnen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19752538563 DE2538563A1 (de) | 1975-08-29 | 1975-08-29 | Schichtschaltung mit gekreuzten leiterbahnen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2538563A1 true DE2538563A1 (de) | 1977-03-10 |
Family
ID=5955174
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19752538563 Pending DE2538563A1 (de) | 1975-08-29 | 1975-08-29 | Schichtschaltung mit gekreuzten leiterbahnen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2538563A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3041859A1 (de) * | 1980-11-06 | 1982-06-03 | Preh Elektro Feinmechanik | Tastatur |
-
1975
- 1975-08-29 DE DE19752538563 patent/DE2538563A1/de active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3041859A1 (de) * | 1980-11-06 | 1982-06-03 | Preh Elektro Feinmechanik | Tastatur |
US4527030A (en) * | 1980-11-06 | 1985-07-02 | Preh Elektrofeinmechanische Werke, Jakob Preh Nachf., Gmbh & Co. | Keyboard |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0008359B1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Dünnfilmstruktur | |
DE19645854A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten | |
EP0334084A2 (de) | Verwendung einer siebdruckfähigen Paste zur Herstellung elektrisch leitender Ueberzüge auf flexiblen Kunststoffolien | |
EP1144968B1 (de) | Platintemperatursensor und herstellungsverfahren für denselben | |
DE1640457B1 (de) | Elektrische Verbindungen in Schaltkreisanordnungen und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2709933A1 (de) | Verfahren zum herstellen durchgehender metallischer verbindungen zwischen mehreren metallisierungsebenen in halbleitervorrichtungen | |
DE2326314A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer passivierenden schicht mit wenigstens einer kontaktoeffnung | |
DE1910736C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von gegeneinander elektrisch isolierten, aus Aluminium bestehenden Leiterbahnen und Anwendung des Verfahrens | |
DE1539769A1 (de) | Elektrischer Kondensator | |
EP0167732B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Basismaterials für eine Hybridschaltung | |
DE2823881C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Dünnschichtschaltungen für die Herstellung integrierter Leiterbahnüberkreuzungen | |
DE3907004A1 (de) | Verfahren zum herstellen von duennschichtschaltungen | |
DE2538563A1 (de) | Schichtschaltung mit gekreuzten leiterbahnen | |
DE2146328A1 (de) | Leiterplatte | |
DE2548060C2 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1590682A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Duennfilm-Schaltvorrichtungen | |
DE2340170C3 (de) | Hochohmwiderstand für Gleichstrom-Hochspannungsschaltungen | |
DE4136198A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines strukturierten duennfilm-widerstandsschichtsystems sowie schaltungsanordnung mit einem insbesondere nach diesem verfahren hergestellten duennfilm-widerstandsschichtsystem | |
DE2647946B2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer magnetischen Blasendomänenanordnung | |
EP0474176A2 (de) | Dünnfilm-Mehrlagenschaltung und Verfahren zur Herstellung von Dünnfilm-Mehrlagenschaltungen | |
DE2549670A1 (de) | Duennfilmtransformator | |
EP0209776A2 (de) | Emaillierungen mit heterogenem Gefüge | |
DE2303158A1 (de) | Verfahren zur herstellung von anschlussplatten | |
DE19955975A1 (de) | Lithographisches Verfahren zur Herstellung von Mikrobauteilen | |
DE3132452C2 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OHW | Rejection |