DE2532847A1 - Integrierte zenerdiode - Google Patents

Integrierte zenerdiode

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DE2532847A1 DE19752532847 DE2532847A DE2532847A1 DE 2532847 A1 DE2532847 A1 DE 2532847A1 DE 19752532847 DE19752532847 DE 19752532847 DE 2532847 A DE2532847 A DE 2532847A DE 2532847 A1 DE2532847 A1 DE 2532847A1
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Description

Deutsche ITT Industries GmbH U. Geisler 6
78 Freiburg, Hans-Bunte-Str. 19 Go/kn
22. JuIi 1975
DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG
FREIBURG I. BR.
Integrierte Zenerdiode
Die Erfindung beschäftigt sich mit einer integrierten Zenerdiode. Darunter soll eine integrierte Schaltung verstanden werden, welche die Strom-Spannung-Kennlinie der bekannten pn-Zenerdiode aufweist und die als Zweipol integrierbar ist. Unter einer Zenerdiode soll ferner eine pn-Diode verstanden werden, deren DurchbruchsmechanisiTius vom Zenerdurchbruch und nicht vom sogenannten "avalanche"-Effekt beherrscht wird, also eine pn-Diode mit negativem Temperaturkoeffizienten der Durchbruch spannung unterhalb von etwa 5 V. Dazu wird auf die Zeitschrift "Electronic Industries" (Februar 1959), Seiten 78 bis 83 verwiesen.
Bekanntlich werden Zenerdioden entsprechend von ausgewählten Bereichen der Zenerdurchbruchspannung nach Typen klassifiziert. Ein Problem bei der Massenherstellung ist die Erzielung bestimmter, von Kunden gewünschter Typen. Eine solche Typenzielung erfolgt bei
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der Herstellung herkömmlicher Zenerdioden durch Wahl von Halbleitermaterial bestimmten spezifischen Widerstandes und ist um so schwieriger, je geringere Toleranzen der Durchbruchspannungen gefordert werden.
Aufgabe der Erfindung ist daher, die Typenzielung weniger abhängig von den Toleranzen des spezifischen Widerstandes vom verwendeten Halbleitermaterial zu machen.
Die Erfindung betrifft somit eine integrierte Zenerdiode mit einer Abbruchspannung von weniger als etwa 5 V. Die vorstehend genannte Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des anliegenden Anspruchs 1 angegebene Ausbildung gelöst.
Vorzugsweise wird die integrierte Zenerdiode nach der Erfindung durch eine planare Ausbildung der Transistoren in einer Epitaxschicht des einen Leitungstyps auf einem plattenförmigen Substrat des anderen Leitungstyps realisiert. Dies ermöglicht die Massenherstellung innerhalb einer in die einzelnen integrierten Zenerdioden zu zerteilenden Halbleiterplatte unter Anwendung von photolithographischen Ätzprozessen und Planardiffusionsprozessen, welche von einer Oberflächenseite der Halbleiterplatte erfolgen.
Eine solche planare Ausbildung der integrierten Zenerdiode nach der Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung erläutert, deren
Fig. 1 das Ersatzschaltbild der integrierten Zenerdiode nach der Erfindung und deren
Fig. 2 die Querschnittsansicht senkrecht zur Plattenebene durch die Zonen einer integrierten Zenerdiode in planarer Ausbildung nach der Erfindung
betreffen.
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Bei. der Zenerdiode nach der Erfindung wird gemäß der Schaltung nach der Fig. 1 die Emitter-Kollektor-Strecke E2, B2, C„ eines Lasttransistors verwendet, welcher entsprechend dem Plus-Zeichen und der Verwendung eines pnp-Transistors T2 gemäß der Fig. 1 in Flußrichtung gepolt ist. Die Basis dieses Lasttransistors T2 liegt über dem Widerstand R an seinem eigenen Emitter E2. Parallel zu diesem Widerstand R liegt mit der Kollektorseite an der Basis B2 des Lasttransistors T„ die Emitter-Kollektor-Strecke E.., B.., C. eines weiteren Transistors T1, der als Transistor ohne Basisanschluß oder auch als Transistor mit einem Emitter E... als Basisanschluß aufgefaßt werden kann. Es entfällt also ein ohmscher Basisanschluß, der zusätzliche Halbleiteroberfläche beanspruchen würde.
Die Basis B„ des Lasttransistors T2 ist ferner mit dem Kollektor C des Lasttransistors T2 über eine weitere in Flußrichtung gepolte Emitter-Kollektor-Strecke E2-, B.., C. des weiteren Transistors T1 verbunden.
Während die Grobwahl bei der gezielten Typenherstellung bei der Basisdiffusion erfolgt, ist zur Feinwahl einer Type der integrierten Zenerdiode entsprechend eines verengten Toleranzbereichs der Zenerspannungen in der Basiszone des weiteren Transistors T1 noch mindestens ein weiterer Emitter bzw» eine weitere Emitterzone E^1 vorgesehen, welche wie der Emitter E11 ebenfalls mit dem Emitter E2 des Lasttransistors T2 verbunden werden kann.
Bei der planaren Ausbildung der integrierten Zenerdiode nach der Erfindung gemäß der Fig. 2 werden die Zonen der beiden Transistoren T1 und T? in die Epitaxschicht des einen Leitungstyps durch das bekannte Planardiffusionsverfahren eingebracht. Zu diesem Zweck sind zwei Planarprozesse erforderlich. Beim ersten Planarprozeß wird die Emitterzone E2 des Lasttransistors T_ gleichzeitig mit der Basiszone B1 des weiteren Transistors T1 eindiffundiert, während beim zweiten Planarprozeß die Emitterzonen E11, E21' E31 und 9e<?e~
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benenfalls auch weitere Emitterzonen in die Basiszone B. des weiteren Transistors T1 eingebracht werden.
Die Kollektorzone C1 des weiteren Transistors T1 und die Basiszone B? des Lasttransistors T2 ist bei der planaren Ausbildungsform der integrierten Zenerdiode nach der Erfindung also als zusammenhängende Epitaxschicht 5 ausgebildet. Das plattenförmige Substrat 4 ist unterhalb der Emitterzone E» des Lasttransistors T2 als Kollektorzone C2 dieses Lasttransistors T2 wirksam und ist mit dem ohmschen Kontakt 6 versehen.
Der andere ohmsche Kontakt 7, der bei einer Ausfuhrungsform mit einem pnp-Lasttransistor T2 und einem npn-Transistor T. das positivere Potential erhält, ist mit einer Kontaktschicht 8 verbunden, welche die Emitterzone E3, die Basiszone B2 innerhalb einer rahmenförmigen Emitterzone E2 des Lasttransistors T3 und die Emitterzone sowie entsprechend der getroffenen Typenwahl noch eine oder mehrere weitere Emitterzonen E-.. ... kontaktiert. Der Widerstand R wird dadurch durch einen halbleitenden Kanal 1 als Teilzone der Basiszone des Lasttransistors T5 innerhalb der rahmenförmigen Emitterzone E2 des Lasttransistors T„ und der den Emitter-Basis-Übergang 2 innerhalb der rahmenförmigen Emitterzone E~ kurzschließenden Kontaktierungsschicht 3 realisiert. Als Material für diese Kontaktierungsschicht kann Ippispielsweise ein Metall wie Aluminium verwendet werden.
Bei der integrierten Zenerdiode nach der Erfindung ist ferner noch an der Grenzfläche zwischen der Epitaxschicht 5 und dem Substrat 4 eine vergrabene Schicht auch des anderen Leitungstyps, also des Leitungstyps der Epitaxschicht 5, vorgesehen, die unterhalb des Emitters E~ des Lasttransistors T„ eine Aussparung aufweist. Während die vergrabene Schicht 8 unterhalb der Basiszone B1 des weiteren Transistors T1 den Kollektorbahnwiderstand herabsetzt, fehlt sie unterhalb der Emitterzone E2 des Lasttransistors T2, da sie dort den Minoritätsladungsträgerstrom beeinträchtigen würde.
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Die planare Ausbildung der integrierten Zenerdiode nach der Erfindung gemäß der Fig. 2 weist ferner noch eine sie umgebende Isolationszone 9 vom Leitungstyp des Substrats auf, welche die Epitaxschicht 5 durchdringt. Sie dient einerseits zur Kontaktierung der Emitterzone E31 des weiteren Transistors T.. über die Kontaktschicht 10 mit dem Substrat 4. Andererseits gewährleistet die Isolationszone, daß sämtliche pn-Obergänge der integrierten Zenerdiode durch die Oberflächenschutzschicht 11 geschützt bleiben. Nach Zerteilung der Halbleiterplatte würde nämlich seitlich der Übergang zwischen dem Substrat 4 und der Epitaxschicht 5 an einer im Kristallgitter gestörten Oberfläche enden.
Die integrierte Zenerdiode nach der Erfindung kann natürlich auch insofern mesaförmig realisiert werden, als anstelle der Isolationszone 9 die Umfangsflache eines Mesas zu liegen kommt, der auf einer isolierenden Schutzschicht die Kontaktierungsschicht 10 trägt.
Zur Feinwahl bei der Typenzielung sind bei der integrierten Zenerdiode nach der Erfindung vorzugsweise noch weitere Emitterzonen, beispielsweise E31, des weiteren Transistors T1 vorgesehen, welche mit der Emitterzone E„ des Lasttransistors T~ entsprechend der herzustellenden Type kontaktiert werden. Die Feineinstellung bei der Typenwahl erfolgt über die Einstellung des Flächenverhältnisses der Gesamtfläche sämtlicher mit der Emitterzone E? des Lasttransistors T„ verbundener Emitter im Verhältnis zur Fläche der Emitterzone E31 des weiteren Transistors T-, welcher mit dem Kollektor C„ des Lasttransistors T3 kontaktiert ist. In der Praxis ergibt sich dabei etwa eine Änderung der Zenerspannung von etwa 0,8 V bei einer Änderung dieses Flächenverhältnisses um den Faktor 4. ·
Die Grobeinstellung bei der gezielten Herstellung einer bestimmten Type erfolgt dagegen bei der Basisdiffusion über die Oberflächen-
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konzentration. Diese Oberflächenkonzentration bestimmt nämlich die Durchbruchspannung der mit der Emitterzone E2 des Lasttransistors T~ verbundenen Emitterzonen des weiteren Transistors T1 , die im Gegensatz zu der mit der Kollektorzone C~ des Lasttransistors T2 verbundenen Emitterzone E2- in Sperrichtung betrieben werden.
Von Vorteil ist, daß der differentielle Widerstand der integrierten Zenerdiode nach der Erfindung vorwiegend von der Stromabhängigkeit des Stromverstarkungsfaktors der Transistoren und praktisch nicht von der "Zenerspannung" von in Sperrichtung betriebenen pn-übergängen abhängt. Aufgrund dieses Sachverhalts ergibt sich der Vorteil eines bis um den Faktor 3 verminderten differentiellen Widerstandes im Vergleich zu herkömmlichen, nicht integrierten Zenerdioden.
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Claims (6)

  1. Fl 858 U. Geisler 6
    Patentansprüche
    Λ . ) Integrierte Zenerdiode mit einer Äbbruchspannung von weniger als etwa 5 V, dadurch gekennzeichnet, daß als Zenerdiode die Emitter-Kollektor-Strecke (E2, B2, C2) eines in Flußrichtung gepolten Lasttransistors (T2) verwendet wird, dessen Basis (B2) über einen Widerstand (R) und eine dazu parallel und kollektorseitig an der Basis (B2) geschaltete Emitter-Kollektor-Strecke (E--, B1, C1) eines weiteren Transistors (T1) mit seinem Emitter (E2) und über eine weitere in Flußrichtung betriebene Emitter-Kollektor-Strecke (E2, B1, C1) des weiteren Transistors (T1) mit seinem Kollektor (C3) verbunden ist.
  2. 2. Integrierte Zenerdiode nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die planare Ausbildung der Transistoren (T1, T2) in einer Epitaxschicht (5) des einen Leitungstyps auf einem plattenförmigen Substrat (4) des anderen Leitungstyps.
  3. 3. Integrierte Zenerdiode nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß an der Grenzfläche zwischen der Epitaxschicht (5) und dem plattenförmigen Substrat (4) eine vergrabene Schicht (8) des einen Leitungstyps angeordnet ist, die unterhalb des Emitters (E2) des Lasttransistors (T2) eine Aussparung aufweist.
  4. 4. Integrierte Zenerdiode nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand (R) durch einen halbleitenden Kanal (1) als Teilzone der Basiszone (B3) des Lasttransistors (T2) innerhalb einer rahmenförmigen Emitterzone (E2) des Lasttransistors (T3) und einer den Emitter-Basis-pn-übergang (2) innerhalb der rahmenförmigen Emitterzone (E3) kurzschließenden Kontaktschicht (3) realisiert ist.
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  5. 5. Integrierte Zenerdiode nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der weitere Transistor (T.) mindestens eine weitere Emitterzone (E^1 .-.) aufweist, welche mit dem Emitter (E0) des Lasttransistors (T9) zur Typenauswahl verbunden ist.
  6. 6. Integrierte Zenerdiode nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch eine die Transistoren (T1, T9) umgebende und die Epitaxschicht (5) durchdringende Isolationszone (9) vom Leitungstyp des Substrats (4).
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4646427A (en) * 1984-06-28 1987-03-03 Motorola, Inc. Method of electrically adjusting the zener knee of a lateral polysilicon zener diode
US4775643A (en) * 1987-06-01 1988-10-04 Motorola Inc. Mesa zener diode and method of manufacture thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1589707B2 (de) * 1967-12-09 1971-02-04 Deutsche ITT Industries GmbH 7800 Freiburg Temperaturkompensierte Z Diodenanord nung
DE1638144A1 (de) * 1968-01-18 1971-06-16 Heinz Guenther Schaltungsanordnung zur Nachbildung der Strom-Spannungscharakteristik einer Zenerdiode
DE2325552A1 (de) * 1973-05-19 1974-12-05 Itt Ind Gmbh Deutsche Zweipolige monolithisch integrierte schaltung mit z-diodenkennlinie
US3996115A (en) * 1975-08-25 1976-12-07 Joseph W. Aidlin Process for forming an anodic oxide coating on metals

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3482111A (en) * 1966-03-04 1969-12-02 Ncr Co High speed logical circuit
DE1538440B2 (de) * 1966-11-23 1972-03-16 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Schaltungsanordnung zur gleichspannungsstabilisierung nach art einer z diode
DE1614799A1 (de) * 1967-04-08 1970-12-23 Telefunken Patent Halbleiteranordnung
US3633052A (en) * 1970-05-13 1972-01-04 Nat Semiconductor Corp Low-noise integrated circuit zener voltage reference device including a multiple collector lateral transistor
DE2038983A1 (de) * 1970-08-05 1972-02-10 Siemens Ag Elektrischer Zweipol

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1589707B2 (de) * 1967-12-09 1971-02-04 Deutsche ITT Industries GmbH 7800 Freiburg Temperaturkompensierte Z Diodenanord nung
DE1638144A1 (de) * 1968-01-18 1971-06-16 Heinz Guenther Schaltungsanordnung zur Nachbildung der Strom-Spannungscharakteristik einer Zenerdiode
DE2325552A1 (de) * 1973-05-19 1974-12-05 Itt Ind Gmbh Deutsche Zweipolige monolithisch integrierte schaltung mit z-diodenkennlinie
US3996115A (en) * 1975-08-25 1976-12-07 Joseph W. Aidlin Process for forming an anodic oxide coating on metals

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Publication number Publication date
DE2532847C2 (de) 1982-08-19
FR2319200A1 (fr) 1977-02-18
FR2319200B1 (de) 1983-06-17
US4028563A (en) 1977-06-07
IT1068569B (it) 1985-03-21

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