DE2523631B2

DE2523631B2 - Verfahren und Vorrichtung zur Ultraschallreinigung

Info

Publication number: DE2523631B2
Application number: DE2523631A
Authority: DE
Inventors: Alfred Plainfield Mayer; Stanley Somerville Shwartzman
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1974-05-31
Filing date: 1975-05-28
Publication date: 1980-04-03
Also published as: SE418698B; JPS512264A; SE7506134L; CA1034467A; DE2523631C3; AU8153175A; NL7506443A; DE2523631A1; YU135775A; IT1037683B; BE829543A; US3893869B1; YU40887B; GB1499739A; FR2272755A1; FR2272755B1; IN144099B; US3893869A

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Reinigen von dünnen, flächigen Teilen, wie Halbleiterbauplatten, Fotomasken u.dgl., mit Hilfe von Ultraschall in einem Reinigungsbad in einem durch einen Ultraschallsender beaufschlagten Behälter, wobei das zu reinigende Teil in einem Halter in das Reinigungsbad getaucht und der Ultraschallsender erregt und danach das Teil aus dem Behälter entnommen, in einem Spülbad gespült und schließlich getrocknet wird.

In der US-PS 36 40 295 ist ein Stand der Technik beschrieben, der sich mit der Ultraschallreinigung von chirurgischen Instrumenten befaßt, welche in dem Reinigungsbad in ein während des Beschallens um verschiedene Winkel hin- und herzuschwenkendes Gestell gesetzt sind. Die zu reinigenden Teile sind

äußerst unregelmäßig geformt

Aus dem Aufsatz von Benninghoff »Anwendung des Ultraschalls« in der Zeitschrift »Fertigungstechnik«, Heft 5, 1957, kann entnommen werden, daß die Anordnung eines flächigen, zu reinigenden Gegenstandes senkrecht zur Richtung des jeweiligen Ultraschall-Strahls günstig ist Dadurch soll offenbar erreicht werden, daß der zu reinigende Gegenstand in Richtung seiner Flächennormalen hochfrequent erschüttert wird mit der Folge, daß Verunreinigungen abgeschleudert werden. Bei einer massiven und in sich stabilen optischen Linse, für die die bekannte Verfahrensweise vorgesehen ist mag eine solche Erschütterung Schaden nicht hervorrufen. Anders liegen die Verhältnisse jedoch bei einem häufig aus vielen Schichten zusammengesetzten Halbleiterscheibchen. Hierbei besteht erhebliche Gefahr, daß sich aufgrund der in der Flächennormalen erfolgenden, hochfrequenten Erschütterung einzelne Schichten oder Teile lösen.

Das Entfernen von kleinen Staubteilchen und/oder Fett von einer Oberfläche ist im übrigen einer der schwierigsten Vorgänge bei der Herstellung von Halbleiterbauteilen, Fotomasken und dergleichen. Die meisten kleinen Staub-, Schmutz- und Rußteilchen werden auf der Oberfläche hartnäckig festgehalten, so daß für ihr Entfernen relativ große Kräfte erforderlich sind. Anstelle der Ultraschall-Reinigung hat man hierbei, insbesondere beim Herstellen von Halbleiterbauteilen, z. B. von Vidicon-Elektroden, Bürsten aus synthetischem Material benutzt, um Staubteile gegebenenfalls zu entfernen. Dieses manuelle Reinigen ist aber sehr zeitaufwendig, da nur jeweils ein einzelnes Scheibchen gleichzeitig gereinigt werden kann.

Es ist ferner versucht worden, die Oberfläche eines Siliziumscheibchens mit heißer Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid-Lösung durch Tauchen zu reinigen. Diese Methode ist jedoch nur dann erfolgreich, wenn die Staub- oder Schmutzteilchen organischen Ursprungs sind und die zu entfernenden Verbindungen in der Lösung löslich oder durch diese chemisch anzugreifen sind.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren gemäß Oberbegriff des Anspruchs I zu schaffen, mit dessen Hilfe das Reinigen von im wesentlichen dünnen, flächigen Teilen jeglicher Art zuverlässig möglich ist, ohne daß die Gefahr einer Schädigung des Körpers oder der Oberfläche des jeweiligen zu reinigenden Bauelements besteht. Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung eines mit einer Fiequenz zwischen 0,2 und 5,0 MHz schwingenden und in einer bestimmten Richtung strahlenden Ultraschall-Senders die /u reinigende Oberfläche des dünnen, flächigen Teils in dem Reinigungsbad im wesentlichen parallel zu der bestimmten Ultraschall-Strahlrichtung ausgerichtet wird. Verbcsserungen und weitere Ausbildungen des Erfindungsgegenstandes sind in den Unteransprüchen beschrieben.
Da die Ultraschall-Strahlen erfindungsgemäß nicht auf die empfindlichen Flächen der zu reinigenden Teile auftreffen, sondern nur auf deren Kanten, ist einerseits eine Oberflächenkorrosion der zu schützenden Flächen nicht zu befürchten und andererseits werden von den Flächen zu entfernende Partikeln so von den Schallwellen getroffen, daß sie unmittelbar tangential von der Fläche abgeschleudert werden. Da die zu reinigenden Teile bei der Anordnung gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren ihre größte Ausdehnung in der

Fortpflanzungsrichtung der Schallwellen haben, wirken die Bauteile den Schallwellen gegenüber nicht dünn sondern sogar relativ dick; es besteht also nicht die Gefahr, daß die zu reinigenden Teile selbst in Resonanz mit den Schallwellen schwingen.

Im einzelnen sollen zum Durchführen des erfindungsgemäßen Verfahrens demgemäß

a) in einen mit einem Ultraschall-Strahlen in einer bestimmten Richtung aussendenden Energieumwandler versehenen Behälter eine Reinigungsflüssigkeit für das zu reinigende Bauelement gegeben werden;

b) das Bauelement in die Reinigungsflüssigkeit getaucht werden;

c) der Wandler derart erregt werden, daß er bei einer '⁵ Frequenz zwischen ungefähr 0,2 und 5 MHz oszilliert:

d) das Bauelement aus dem Behälter entfernt und in einer Spülflüssigkeit gespült werden; und

e) das Bauelement getrocknet werden. Ein für die Durchführung dieses Verfahrens geeignetes Gerät besteht beispielsweise aus einer staubfreien Kabine mit einer mit der Umgebung in Verbindung stehenden öffnung, der Kabine zugeordneten Drucklufteinrichtungen zum Aufrechterhalten eines zum ^⁵ Einstellen einer laminaren Luftströmung aus der Kabine in die Umgebung hinaus erhöhten Luftdrucks, einem ersten Behälter für Reinigungsflüssigkeit, einem zum Ausstrahlen eines Ultraschallstrahls mit einer Frequenz zwischen 0,2 und 5 MHz in einer bestimmten Richtung -° im Behälter geeigneten Energieumwandler, im Behälter vorgesehenen Einrichtungen zum Anordnen des Bauelements mit der zu reinigenden Oberfläche parallel zum ausgesandten Ultraschallstrahl, einem Becken für Spülflüssigkeit zum Spülen der Oberfläche des Bauelements nach dessen Entfernen aus dem ersten Behälter und aus mit der Kabine in Verbindung stehenden Einrichtungen zum Trocknen des Bauelements nach dessen Entfernen aus der Spülflüssigkeil. Insbesondere sollen an dem ersten Behälter Einrichtungen zum Erzeugen einer Relativbewegung zwischen dem dünnen flächigen Teil und dem Energieumwandler bei parallel zur Richtung des Ultraschallstrahls verbleibender Oberfläche des Teils vorgesehen sein

Besonders vorteilhaft anwendbar ist das erfindungs- ^J5 gemäße Verfahren zum Reinigen der Oberfläche von Halbleiterscheibchen, die für ihre weitere Verarbeitung zu Halbleiterbauteilen vorbereitet werden sollen.

Anhand eines in der Zeichnung dargestellten, bevorzugten Ausführungsbeispiels wird die Erfindung ^Μ nachfolgend näher erläutert. Bei dem auf der Grundlage des erfindungsgemäßen Verfahrens arbeitenden Mcgaschall-Rcinigungssystem werden das Reinigen, Spülen und Trocknen der zu behandelnden Gegenstände bzw. Teile in einer staubfreien Umgebung durchgeführt. Es ^5<> zeigt

Fig. 1 eine perspektivische Teilansicht eines Gerätes zum Durchführen des Verfahrens.

Fi g. 2 einen perspektivisch vergrößert dargestellten, zum Reinigen von Halbleiterscheibchen ausgebildeten «> Teil des Gerätes gemäß F i g. I und

Fig.3 ein Schaltbild für zwei Ultraschall-Energiewandler.

Zu dem in Fig. I dargestellten Megaschall-Reinigung.ssystem 10 gehört sine Haube oder eine Kabine 12 mit einem Boden 14, gegenüberliegenden Seitenwänden 16 und 18 und einer Rückwand 20. Eine Gebläse- und Luftfiltereinrichtung 22 ^:«t mit dem oberen Teil der Kabine 12 verbunden, um den Luftdruck in der Kabine 12 gegenüber dem der Umgebung etwas höher zu halten. Dadurch wird eine laminare Strömung sauberer Luft durch die Frontöffnung 23 der Kabine 12 erzeugt, und zwar aus der Kabine 12 in die Umgebung.

In der Kabine 12 sind Reinigungseinrichtungen vorgesehen. Dazu gehört ein Reinigungsbehälter 24, der auf dem Boden 14 der Kabine 12 nahe der Wand 16 untergebracht ist Der Behälter 24 ist durch eine Trennwand 30 in zwei Teile 26 und 28 unterteilt. Die Trennwand 30 ist nicht so hoch wie die Wände des Behälters 24; in beiden Behälterteilen 26 und 28 befindet sich eine Reinigungsflüssigkeit 32.

Es sind Einrichtungen vorgesehen, mit denen erreicht wird, daß sich Ultraschallenergiestrahlen in der Reinigungsflüssigkeit 32 ausbreiten. Dazu dient ein Paar Wandler 34 und 36, die in öffnungen in der Trennwand 30 in geeigneter Weise gehalten sind. Die Energieumwandler 34 und 36 sind im Haruel erhältlich und bestehen z. B. aus glasüberzogenem KoLalt-Bariuni-Titanatmaterial mit Silberelektroden. Die Wandler 34 und 36 können bei einer Frequenz von zwischen ungefähr 0,2 und 5 MHz oszillieren, wenn sie durch eine geeignet abgestimmte Hochfrequenzenergiequelle erregt werden, beispielsweise eine solche mit einer Eingabeleistung von ungefähr 5 bis 15 Watt/cm² der Wandleroberfläche. Die Wandler 34 und 36 sind scheibenförmig und in der Trennwand 30 so angeordnet, daß die Ultraschallstrahlen sich genau senkrecht zur Trennwand 30 ausbreiten. Da die Trennwand 30 den Behälter 24 in die zwei Behälterteile 26 und 28 unterteilt und die Wandler 34 und 36 mit beiden Teilen 26 und 28 in Verbindung stehen, verbreiten sie die Energiestrahlen in die Reinigungsflüssigkeit 32 in beiden Teilen 26 und 28.

In beiden Teilen 26 und 28 des Behälters 24 sind Halterungen vorgesehen, die die zu reinigenden Gegenstände aufnehmen. Dazu sind in den Teilen 26 und 28 Plattformen 38 bzw. 40 angeordnet, die durch Befestigungsarme 42 bzw. 44 gehalten werden. Die Arme 42 und 44 sind mit bekannten, nicht dargestellten, rotierenden (hin- und hergehend) Antrieben und Nocken verbunden, und zwar durch in der Seitenwand 16 vorgesehene öffnungen 43 bzw. 4"i. so daß die Plattformen 38 und 40 eine genau rechteckige Bewegung durchführen, wie sie durch die rechteckig angeordneten Pfeile 46 verdeutlicht wird. Der Zweck dieser Bewegung wird in der nachfolgenden Beschreibung erläutert.

Benachbart zum behälter 24 ist auf dem Boden 14 der Kabine 12 ein Spülbecken 50 für Spülflüssigkeit 57 vorgesehen. Das Becken 50 ist durch eine Trennwand 58 eb^nf Jl-j in zwei Teile 54 und 56 unterteilt; die Höhe der Trennwand ist geringer als die der Wände des Spülbeckens 50. Die Spülflüssigkeit wird in den Teil 54 des Beckens 50 durch eine Zuführleitung 60 gegeben. Die Spülflüssigkeit fließt in den Teil 56 des Beckens 50 über die Trennwand 58 und wird durch eine Abführleitung 62 dem Teil 56 entnommen. Bei der beschriebenen Anordnung kann die Spülflüssigkeit 52 kontinuierlich in den Teil 54 fließen, in den Teil 56 gelangen und dann durch die Abführleitung 62 abgeführt werden.

Benachbart zum Spülbecken 50 ist auf dem Boden 14 der Kabine 12 ein weiterer Reinigungsbehälter 64 vorgesehen. Der Reinigungsbehälter 64 dient der Aufnahme einer Reinigungsflüssigkeit 66. die sich von der Reinigungsflüssigkeit 32 im Reinigungsbehalter 24 unterscheidet. So kann 1 B. zum Reinigen von

Siliziumscheiben die Reinigungsflüssigkeit 32 im Behälter 24 aus einer Lösung von Wasser, Wasserstoffperoxid und Ammoniak im Volumenverhältnis von 4:1:1 bestehen, während die Reinigungsflüssigkeit 66 im Behälter 64 aus einer Lösung von Wasser, Wasserstoffperoxid und Salzsäure in einem Volumenverhältnis von 4:1:1 bestehen kann. Geeignete, nicht dargestellte Filter für die kontinuierliche Filterung der Reinigungsflüssigkeiten können vorgesehen sein, um eine Anreicherung an Fremdstoffen in den Lösungen zu vermeiden.

Weiterhin ist das Reinigungssystem mit Einrichtungen zum Trocknen der gereinigten Gegenstände versehen. Im dargestellten Ausführungsbeispiel ist hierzu in die Seitenwand 18 der Kabine 12 eine Tür 70 eingehängt, die eine öffnung in der Seitenwand 18 ahrlprWt Di*» Tür 70 cjphört 7ii pinpr TrnrliPnliammpr Ti

die mit erhitzter und gefilterter Luft zum Trocknen der gereinigten Gegenstände versorgt wird. Ein horizontales Fach 73 ist am unteren Teil der Tür 70 befestigt, das der Aufnahme der gereinigten, zu trocknenden Gegenstände dient. Mit Hilfe eines geeigneten Lufterwärmungs-, Filter- und Blasgerätes 74 wird die Kammer 72 mit sauberer Luft von Temperaturen zwischen ungefähr 25°C und 300⁰C versorgt. Das Gerät 74 ist so ausgelegt, daß eine Luftgeschwindigkeit von ungefähr 3 m/sec erreicht wird. Bei dieser Geschwindigkeit bläst die Luft Flüssigkeitströpfchen sehr schnell von den Scheibchen ab. Die Oberflächenfeuchtigkeit wird durch erhitzte Luft, vorzugsweise über 100⁰C, getrocknet. Bei Scheibchen von einem Durchmesser von 75 mm und einem gegenseitigen Abstand von 3 mm in geeigneten Haltern dauert der gesamte Trockenvorgang zwischen 1,5 und 3 Minuten. Aus Fig. 1 wird ersichtlich, daß das Reinigen, Spülen und Trocknen der Gegenstände in der Kabine 12 durchgeführt werden kann, während sie durch eine laminare Luftströmung aus der Kabine in die Umgebung sauber und staubfrei gehalten wird.

Das Trocknen kann auch mit einem nicht dargestellten, in der Kabine 12 angeordneten Schleudertrockner durchgeführt werden.

Die Arbeitsweise des Megaschall-Reinigungssystems 10 wird nachfolgend am Beispiel der Reinigung der Oberflächen mehrerer gleichartiger Gegenstände, wie Siliziumscheibchen, erläutert. In Fig. 2 sind Siliziumscheibchen 76, 78 und 80 dargestellt, deren Oberflächen 82, 84 bzw. 86 gereinigt werden sollen. Die Scheibchen 76 bis 80 werden in einem Scheibenhalter 87 parallel zueinander gehalten. Der Halter 87 kann aus geeignetem Kunststoff, Quarz, Glas oder einem inerten Metall hergestellt sein, wobei seine gegenüberliegenden Innenwände mit mehreren Nuten versehen sind, um die Scheibchen 76 bis 80 in paralleler Ausrichtung zueinander zu halten. Um ein gründliches Reinigen der Scheibchenoberflächen sicherzustellen, sollte die Strömung der Reinigungsflüssigkeit (oder Trocknungsluft) so wenig wie möglich durch den Scheibchenhalter 87 behindert werden. Dazu kann der im Handel erhältliche Scheibchenhalter 87 durch Entfernen gewisser Teile seiner Seitenwand geringfügig umgerüstet werden, um Flüssigkeit (und Luft) frei durchfließen zu lassen. Wenngleich in der Zeichnung nur drei Scheibchen im Halter 87 dargestellt sind, ist es selbstverständlich, daß eine wesentlich größere Anzahl aufgenommen werden kann. Der Abstand, in dem die Siliziumscheibchen im Halter 87 voneinander gehallen werden, beträgt zwischen ungefähr 0,125 und 0,625 cm, wie er bei der Herstellung elektronischer Bauteile üblich und mit Scheibchenbeförderungssystcmen vereinbar ist.

Der Haller 87 befindet sich auf der Plattform 40 des Teils 28 des Reinigungsbehälters 24. Die zu reinigenden Schcibchenoberflächen 82 bis 86 sind genau parallel zueinander und parallel zur Richtung der von den Wandlern 34 und 36 erzeugten Ultraschallstrahlen ausgerichtet.

Ebenfalls auf der Plattform 40 befindet sich ein weiterer Scheibchenhalter 88 für mehrere Scheibchen

ίο 90, 92, 94 und 96. deren Oberflächen 98, 100, 102 bzw. 104 gereinigt werden sollen. Die Oberflächen 98 bis 104 sind parallel zu den Oberflächen 82 bis 86 ausgerichtet und so aufgestellt, daß die von den Wandlern 34 und 36 kommenden Ultraschallstrahlen zwischen den Schcibchen passieren können. Der Teil 28 des Behälters 24 wird mit der Reinigungsflüssigkeit 32 gefüllt und die

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entsprechend den Pfeilen 46 verletzt. Auf diese Weise werden alle Scheibchen in den Haltern 87 und 88 den Ultraschallstrahlen der erregten Wandler 34 und 36 ausgesetzt.

Die Scheibchen 76 bis 80 und 90 bis % werden den Ultraschallstrahlen bei Frequenzen im Bereich von ungefähr 0,2 bis 5 MHz für zwischen 3 Sekunden und 60 Minuten ausgesetzt, was von der Erregungsenergie der Wandlp- 34 und 36 abhängt. Zum Reinigen von Siliziumscheiben hat sich eine Frequenz von ungefähr 0,8 MHz als vorteilhaft herausgestellt. Da die Wandler 34 und 36 hinsichtlich ihrer Größe limitiert sind, sorgt die rechteckig verlaufende Bewegung der Plattform 40 während des Reinigungsvorgangs dafür, daß alle Scheibchen in den Haltern 87 und 88 gereinigt werden.

Ein Satz Scheibchenhalter ähnlich denen im Behälterteil 28 kann im Teil 26 des Reinigungsbehälters 24 während des Reinigungsvorgangs vorgesehen sein. Dies ist deshalb möglich, weil die Wandler 34 und 36 mit beiden Teilen 26 und 28 des Reinigungsbehälters 24 in Verbindung stehen. Entgegen der Erwartung können die Scheibchen sehr gut gereinigt werden, wenn der Ultraschallstrahl parallel zu den Hauptoberflächen der Scheibchen gerichtet ist. Da die Ultraschallstrahlen während ihres reinigenden Passierens zwischen den Siliziumscheiben aufgrund der Ausrichtung der Scheibchen außerordentlich gering abgeschwächt werden.

können somit zwei oder mehr beladene Scheibchenhalter auf jeder Plattform 38 und 40 in der beschriebenen Weise untergebracht werden, so daß eine relativ große Anzahl an Scheibchen gleichzeitig gereinigt werden kann.

In F i g. 3 ist schematisch dargestellt, wie die Wandler 34 und 36 betrieben werden können, um Relativbewegung zwischen einem Ultraschallstrahl und den im Reinigungsbehälter 24 untergebrachten Gegenständen zu bewirken. Jeder Wandler 34 und 36 ist mit einem Schrittschalter verbunden, der, wenn er erregt und mit Energie von einer geeigneten Energiequelle 108 versorgt wird, dafür sorgt, daß Ultraschallstrahlen abwechselnd von den Wandlern 34 und 36 ausgesandt werden. Somit brauchen Gegenstände, deren Oberflächen gereinigt werden sollen, lediglich im Reinigungsbehälter 24 mit ihren Oberflächen parallel zur Richtung der Ausbreitung der von den Wandlern 34 und 36 ausgesandten Energiestrahlen angeordnet zu werden. Die Relativbewegung zwischen den alternierenden Strahlen und den zu reinigenden Oberflächen macht die Notwendigkeit einer Hin- und Herbewegung der Plattformen 38 und 40 überflüssig.
Nach Beendigung der Reinigung im Reinigungsbehäl-

ter 24 werden die belaclenen Scheibchenhalter 87 und 88 aus der Reinigungsflüssigkeit 32 mittels geeigneter, nicht dargestellter Zangen oder Griffe entfernt und in der Spülflüssigkeit 52 im Teil 54 des Beckens 50 gespült.

Unter bestimmten Bedingungen, wenn beispielsweise ■; organische Stoffe von den zu reinigenden Oberflächen ennernt werden müssen, können die Gegenstände in die Reinigungsflüssigkeit 66 im Behälter 64 getaucht werden, bis sie gesäubert sind. Nach diesem Vorgang werden die gereinigten Gegenstände nochmals im Teil m 54 des Beckens 50 gespült.

Die gesäuberten Gegenstände werden getrocknet, indem sie in die mil erhitzter und gefilterter Luft beschickte Trockenkammer 72 gegeben werden. Die immer noch in ihren Haltern befindlichen Gegenstände, π beispielsweise Scheibchen in den Haltern 87 und 88. können auf das Fach 73 in der Kammer 72 gestellt werden, bis sie getrocknet sind. Die Temperatur der gefilterten Luft kann zwischen 25'C und JOOC gesteuert werden, was von der Art der zu trocknenden ;n Gegenstände abhängt.

Vorstehend wurde anhand der beigefügten Zeichnungen ein Megaschall-Reinigungssystem zum Säubern von Oberflächen beschrieben, wobei das Gerät es erlaubt, eine Vielzahl von Oberflächen gleichzeitig zu reinigen und die Reinigungs-, Spül- und Trockenvorgänge in einer staubfreien Kabine durchzuführen. Sobald die gereinigten Gegenstände getrocknet sind, können sie in geeigneten Behältern aufbewahrt werden, bis sie für die Weiterbearbeitung benötigt werden. Obwohl das erfindunpsgemäüe Megaschall-Reinigungssystem am Beispiel des Säuberns von Halbleiterscheibchen beschrieben worden ist, kann es in ebenso vorteilhafter Weise zum Reinigen von Oberflächen einer großen Anzahl andersartiger Gegenstände eingesetzt werden, zu denen beispielsweise streifenförmige Fotolacke von Fotomasken u. dgl. gehören. Selbstverständlich können auch andere Reinigungsflüssigkeiten zur Anwendung kommen, was von der Art der von den Oberflächen der zu reinigenden Gegenstände zu entfernenden Materialien abhängt.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Reinigen von dünnen, flächigen Teilen, wie Halbleiterbauplatten, Fotomasken und dergleichen, mit Hilfe von Ultraschall in einem Reinigungsbad, in einem durch einen Ultraschallsender beaufschlagten Behälter, wobei das zu reinigende Teil in einem Halter in das Reinigungsbad getaucht, und der Ultraschallsender erregt wird und danach das Teil aus dem Behälter entnommen, in einem Spülbad gespült und schließlich getrocknet wird, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung eines mit einer Frequenz zwischen 0,2 und 5.0 MHz schwingenden und in einer einzigen bestimmten Richtung strahlenden Ultraschallsenders (34.36) die zu reinigende Oberfläche (82,84,86) des dünnen, flächigen Teils (76, 78, 80) in dem Reinigungsbad (32) im wesentlichen parallel zur Ultraschall-Strahlrichtung ausgerichtet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Ultraschallsender für eine Zeitdauer zwischen ungefähr 3 Sekunden und 60 Minuten mit einer Frequenz von etwa 0,8 MHz erregt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zum gleichzeitigen Reinigen einer Vielzahl von dünnen, flächigen Teilen diese mit parallel zueinander und zur Richtung Jes Ultraschall-Strahls ausgerichteten Oberflächen in die Reinigungsflüssigkeit eingeh jcht und relativ zum Strahl bewegt werden.

4. Vorrichtung zum Durchfü,' ^-en des Verfahrens nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch einen bei Betrieb mit einer Frequenz zwischen 0,2 und 5,0MHz oszillierenden, einen Ultraschall-Strahl in einer einzigen, bestimmten Richtung in dem Behälter (24) ausstrahlenden Energieumwandler (34, 36) und im Behälter (24) vorgesehene Einrichtungen zum Ausrichten der dünnen, flächigen Teile mit der zu reinigenden Oberfläche parallel zum ausgesandten Ultraschall-Strahl.

5. Vorrichtung nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch dem Behälter (24) zugeordnete Einrichtungen zum Erzeugen einer Relativbewegung zwischen dem dünnen flächigen Teil und dem Energieumwandler bei parallel zur Richtung des Ultraschall-Strahls verbleibender Oberfläche des Teils.