DE2518529C2

DE2518529C2 - Schaltungsanordnung zum Verstärken

Info

Publication number: DE2518529C2
Application number: DE2518529A
Authority: DE
Inventors: Hideki Tokyo Miura
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1974-04-25
Filing date: 1975-04-25
Publication date: 1983-08-18
Also published as: FR2332658B1; ES437016A1; NL7504881A; FR2332658A1; DE2518529A1; GB1499007A; AT374974B; US4012643A; JPS5714064B2; ATA316875A; AU8037975A; CA1012613A; JPS50140014A

Description

55 Die Erfindung betrifft eine Schauungsanordnung entsprechend dem Oberbegriff des Anspruches 1.

Eine derartige Schaltungsanordnung ist durch die DE-AS 12 79 196 bekannL Ihre Funktion entspricht der eines üblichen, in Emitterschaltung betriebenen Transistors, wobei sich jedoch durch Wahl einer geeigneten Vorspannung zwischen der zusätzlichen Steuerelektrode und der Emitterelektrode eine verbesserte Linearität des Stromverstärkungsfaktors Aff-erzielen läßt.

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zuyunde, eine Schaltungsanordnung der im Oberbegriff des Anspruches 1 genannten Art dahin weiterzuentwickeln, daß eine Verringerung von Störsignalspannungen (Rauschen), die in einer Eingangssignalspannung neben der Nutzsignalspannung auftreten, erreicht wird.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im Kennzeichen des Anspruches 1 genannten Merkmale gelöst.

Zweckmäßige Ausgestaltungen der Schaltungsanordnung nach der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.

Einige Ausführungsbeispiele der Schaltungsanordnung nach der Erfindung sind in der Zeichnung veranschaulicht. Es zeigt

F i g. 1 ein Transistor mit drei Elektroden, der die Grundlage für den in F i g. 3 dargestellten Transistor mit vier Elektroden darstellt.

F i g. 2 eine dem Transistor nach der F i g. 1 ähnliche weitere Ausführung eines Transistors mit drei Elektroden,

Fig. 3 ein erfindungsgemäß in der Schaltungsanordnung nach der Erfindung zu v\.-wendender Transistor mit vier Elektroden (darunter einer zusätzlichen Steuerelektrode).

Fig.4 eine Meßschaltung zur Ermittlung der in Fig. 5 veranschaulichten Stromverstärkungskennlinie,

Fig. 5 die mit der Meßschaltung gemäß Fig.4 ermittelte Stromverstärkungskennlinie.

Fig. 6 ein vereinfachtes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung unter Verwendung des Transistors nach F i g. 3.

Fig. 7 die Stromverstärkungskennlinie der Schaltungsanordnung nach F i g. 6.

F i g. 8 ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung,

F i g. 9 die Stromverstärkungskennlinie der Schaltungsanordnung gemäß F i g. 8.

Der Stromverstärkungsfaktor hn: eines in Emitterschaltung betriebenen Transistors läßt sich durch folgende Gleichung (1) wiedergeben, wobei der Stromverstärkungsfaktor be> geerdeter Basis (d. h. in Basisschaltung) des Transistors mit tx bezeichnet wird:

IlFE

\-a

■(!)■

Der Faktor α ergibt sich dabei zu

a = a*ßy, (2)

wobei a* der Kollektorwirkungsgrad,β der Basisträns-

portfaktor und y der Emitterwirkungsgrad isLDerEmitterwirkungsgratf γ eines N PN-Transistors läßt sich durch folgende Gleichung (3) ausdrucken:

y =

Λ+Λ

(3)

wobei J_n die Stromdichte der vom Emitter-in den Basisbereich injizierten Elektronen und J_n die Stromdichte der von dem Basis-in den Emitterbereich injizierten Löcher ist.

J_n und J₁, können somit durch folgende Gleichungen (4) und (5) dargestellt werden:

(4)

(5)

20

Das Verhältnis δ von J_n zu J_n ergibt sich folgendermaßen:

25

(6)

Hierbei bedeuten

L_n die Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger in dem Basisbereich des Transistors,
L_p die Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger im Emitterbereich des Transistors,
die Diffusionskonstante der Minoritätsladungsträger in dem Basisbereich,

die Diffusionskonstante der Minoritätsladungsträger im Emitterbereich,

die Konzentration der Minoritätsladungsträger in dem Basisbereich während des Gleichgewichtszustandes,

die Konzentration der Minoritätsladungsträger im Emitterbereich während des Gleichgewichtszustandes,

eine an den Emitterübergang des Transistors angelegte Spannung,
die Boltzmann-Konstante,
die Temperatur,

den Absolutwert der Elektronenladung.
Bezeichnet man die Störstellenkonzentration im Emitterbereich des Transistors mit Np und die Störstellenkonzentration in dem Basisbereich des Transistors mit Na, so läßt sich der Ausdruck p„/n_p durch Νλ/Np ersetzen. Da außerdem L_n durch die Basisbreite Wbegrenzt und somit L_n- Wist, läßt sich δ wie folgt ausdrücken:

6 =

ä±

D_n

(7)

4)

Die Diffusionskonstanten D_n und D_p werden im &o folgenden als konstant angesehen.
i Aus den obigen Gleichungen ergibt sich, daß es zur ^Erhöhung des Stromverstärkungsfaktors hpE eines Transistors genügt, das Verhältnis <5 klein zu machen. Aus diesem Grunde wird die Störstellenkonzentration Np des Emitterbereichs eines üblichen bekannten Transistors ausreichend hoch gewählt. Beträgt jedoch die Störstellenkonzentration des Emitterbereichs mehr als etwa 10¹⁹ Atome/cm³, so ergeben sich im Kristall des Halbleiterkörpers Gitterfehler. Außerdem wird durch die hohe Stcrstellenkonzentration des Emitterbereichs die Lebensdauer τ_ρ der von dem Basisbereich in den Emitterbereich injizierten Minontätsladungsträger klein.

Die Diffusionslänge L_p kann durch folgende Gleichung (8) wiedergegeben werden:

L_n = VD_nT_n. (8)

Bei einer kleinen Lebensdauer v_p wird daher die Diffusionslänge L_p der aus dem Basisbereich in den Emitterbereich injizierten Minontätsladungsträger kurz.

Aus Gleichung (7) ergibt sich, daß δ nicht sehr klein gemacht und infolgedessen γ nicht über einen bestimmten Wert vergrößert werden kann. Der Strom verstärkungsfaktor Λρε ist daher begrenzt.

Der Transistor nach F i g. 1 enthält einen Emitterbereich 1 mit N--Leitung, der im HaIbI' '.ersubstrat 5mit N+ -Leitung gebildet ist, ferner einen Basi bereich 2 mit P-Leitung, der im Halbleitersubstrat S neben dem Emitterbereich 1 liegt, weiterhin einen Kollektorbereich 3 mit N--Leitung, der neben dem Basisbereich 2 angeord· et ist. Ein erster PN-Übergang ]_E ist zwischen dem Emitter- und dem Basisbereich 1, 2 vorhanden, ferner ein zweiter PN-Übergang Jczwischen dem Basis- und dem Kollektorbereich 2,3.

In dem Transistor nach F i g. 1 wird — dem PN-Übergang Je gegenüberliegend und von diesem um einen Abstand entfernt, der kleiner als die Diffus'nn^länge Lp der vom Basisbereich 2 in den Emitterbereich 1 injizierten Minoritätsladungsträger ist — eine Potentialdifferenz im Emitterbereich 1 erzeugt, die eine höhere Energie als die der Minoritätsladungsträger oder wenigstens die Wärmeenergie aufweist. Die Dotierungskonzentration im Emitterbereich 1 wird genügend niedrig gewählt und liegt beispielsweise in der Größenordnung von 10¹⁵ Atome/cm⁵. Im Emitterbereich 1 wird ein Teilbereich la mit N+ -Leitung und einer Dotierungskonzentration von etwa ΙΟ¹⁹ Atome/cm³ erzeugt, wodurch sich ein LH-Übergang Jn ergibt. Die Dotierungskonzentration des Basisbereiches 2 liegt in der Größenordnung von 10¹⁵ bis 10" Atome/cm³. Die Dotierungskonzentration im Kollektorbereich 3 wird ausreichend niedrig gewählt und liegt beispielsweise in der Größenordnung von 10" Atome/cm'. Im Halbleitersubstrat S wird neben dem Kollektorbereich 3, jedoch in Abstand vom Übergang Jc ein Teilbereich 3a mit N+ -Leitung und eip.er Dotierungskonzentration von etwa 10^lqAtome/cm³gebildet.

Auf dem Emitterteilbereich la mit hoher Dotierungskorzei..ration befindet sich eine Emitterelektrode 4E Eine Basiselektrode 4ß ist auf dem Basisbereich 2 in Ohmschen Kontakt mit diesem Bereich vorgesehen. Eine Kollektorelektrode 4C befindet sich auf dem Kollektorbereich Za hoher Dotierungskonzentration in Ohmschen Kontaxt mit diesem. Diese Elektroden 4EAB bzw.4Csind mit Anschlüssen E, Bbzw. Cversehen. Auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats 5 ist eine [Isolierschicht 5, beispielsweise aus S1O2, vorgesehen.

Zum Betrieb des Transistors nach F i g. 1 wird am Emitterübergang Je eine Durchlaßvorspannung und am Kollektorübergang 7ceine Sperrspannung angelegt.

Die vom Basisbereich 2 in den Emitterbereiäi 1 injizierten MinoriEätsladungsträger haben eine lange Lebensdauer, da der Emitterbereich 1 eine niedrige

Dotierungskonzentration und gute Kristalleigenschaften besitzt; die Diffusionslänge L_p der Minoritätsladungsträger ist daher im Emitterbereich 1 groß. Infolgedessen kann entsprechend den Gleichungen (6) und (3) der Emittervvirkungsgrad γ groß sein. Da im > Transistor nach Fig. 1 die Potentialdifferenz im Emitterbereich 1 gebildet wird, die dem Emitterübergang /fin einem Abstand kleiner als die Diffusionslänge Lpder Minoritätsladungsträger gegenüberliegt, wird der Einfluß der Oberflächenrekombination reduziert und t» die große Diffusionslänge Lpkann ausgenutzt werden.

Da die Stromdichte /,, der vom Basisbereich 2 in den Emitterbereich 1 injizierten Minoritätsladungsträger reduziert wird, wird am LH-Übergang /«im Emitterbereich 1 eine elektrische Potentialdifferenz erzeugt, die i> eine Verminderung der Diffusion der Minoritätsladungsträger hervorruft. Wenn der Wert der Potentialdifferen7 ausreichend hoch ist. heben sich der durch den Kon/entrationsgradienten der rwinoricäiMauungsiräger hervorgerufene Diffusionsstrom und der durch die 2" Potentialdifferenz verursachte Driftstrom am LH-Übergang gegenseitig auf. wodurch der vom Basisbereich 2 durch den Emitterbereich I niedriger Dotierungskonzentration injizierte Strom J_p von Minoritätsladungsträgern reduziert wird. Dadurch wird das Verhältnis i~> zwischen dem am Kollektorbereich 3 ankommenden Elektronenstrom zu dem durch den Emitterübergang /,, fließenden Strom erhöht und der Emitterwirkungsgrad γ vergrößert, wodurch der Stromverstärkungsfaktor hrt hoch wird (vgl. Gleichung 3).

Die obengenannte Potentialdifferenz muß größer als die Energie der Minontätsladungsiräger oder wenigstens gleich der Wärmeenergie sein. Die Wärmeenergie kann näherungsweise mit Arrangenommen werden; die genannte Potentialdifferenz beträgt zweckmäßig mehr als 0.1 eV. Zu beachten ist. daß die Diffusionslänge L_p

enden soll: die Diffusionslänge L„ soll vielmehr größer als die Breite des Übergangsbereiches sein.

Wenn der LH-Übergang in der in Fig. 1 gezeigten -to Anordnung gebildet wird, läßt sich durch entsprechende Wi.hl der Dotierungskonzentration in den Emitterbereichen 1 und la eine Potentialdifferenz von 02 eV erzeugen.

F ι g. 2 veranschaulicht einen dem Transistor nach F ι g. 1 ähnlichen Transistor mit drei Elektroden, wobei für die gleichen Teile dieselben Bezugszeichen wie in Fig. I verwendet sind.

Um einen PN-Übergang Js zu erzeugen, der dem Emitterubergang Jt gegenüberliegt, wird bei der so Ausführung des NPN-Transistors nach Fig. 2 im ersten Emitterbereich 1 ein zusätzlicher Bereich 6 mit P-Leitung gebildet. Die Entfernung zwischen den Übergängen /s und Je wird kleiner als die Diffusionslänge Lp der Minoritätsladungsträger im Emitterbereich 1 gewählt, im übrigen entspricht die Ausführung des Transistors nach F i g. 2 dem Beispiel gemäß F i g. 1.

Da die Diffusionslänge L_pder in den Emitterbereich 1 injizierten Minoritätsladungsträger beim Ausführungsbeispiei nach F i g. 2 groß ist. erreichen die Minoritätsladungsträger tatsächlich den zusätzlichen P-Ieitenden Bereich 6 und werden dort gesammelt Wenn der zusätzliche Bereich 6 auf schwebendem Potential liegt, nimmt sein Potential durch die den Bereich 6 erreichenden Minoritätsiadungsträger zu. Der PN- ^ Übergang Js wird auf diese Weise in Durchlaßrichtung vorgespannt; daraufhin werden Minoritätsladungsträger vom Bereich 6 in den Emitterbereich 1 zurückinjiziert. Auf diese Weise wird die Konzentration der Minoritätsladungsträger im Emitterbereich 1 nahe dem Bereich 6 erhöht; die Konzentrationsi/erteilung der Minoritätsladungsträger zwischen den Übergängen Je und Js im Emitterbereich 1 wird gleichmäßig, so daß sich der Diffusionsstrom J_P vom Basisbereich 2 in den Eniilterbereich ί verringert.

Anhand von Fig. 3 wird nun ein mit einer zusätzlichen Steuerelektrode zur Steuerung des Stromverstärkungsfaktors versehener, in der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung verwendbarer Transistor erläutert. Soweit dieser Transistor gleiche Teile wie die Ausführungen nach den Fig. I und 2 enthält, sind hierfür dieselben Bezugszeichen verwendet.

Eine Steuerelektrode 4G besteht beispielsweise aus Aluminium und befindet sich über einem Teil des Emitterbereiches 1. Dazwischen ist eine Isolierschicht 7 vorhanden, die eine Dicke von beispielsweise 1Ox nm

UCMtli lirHj uci5pici5WCiSC «US *ji\j; uCSiCtti \αιιΓιΰ€ίί uCf

Isolierschicht 5). Die Steuerelektrode 4G ist mit einem Anschluß C versehen. Der Steuerelektrode 4C liegt ein Teilbereich 8 des Emitterbereiches 1 gegenüber.

Wird zwischen die Steuerelektrode G und die Emitterelektrode E eine Vorspannung angelegt, so ändert sich der Stromverstärkungsfaktor hft des in Emitterschaltung betriebenen Transistors in Abhängigkeit von dieser Vorspannung längs einer Kurve entsprechend Fig. 5. Der ftromverstärkungsfaktor besitzt bei einem bestimmten Wert der Vorspannung ein ausgeprägtes Minimum und steigt bei kleineren und größeren Werten der Vorspannung symmetrisch an. Wird die zwischen der zusätzlichen Steuerelektrode C und der Emitterelektrode E angelegte Spannung Vat gegenüber der Spannung, bei der das Minimum des Stromverstärkungsfaktors vorhanden ist, zum Positiven hin verschoben, so bildet sich im Teilbereich 8 des Emitterbereiches I eine Anreicherungsschicht CC aus. die eine dem LH-Übergang //; ähnliche Funktion besitzt. Die Stromdichte J_p der vom Basisbereich 2 in den Emitterbereich 1 injizierten Minoritätsladungsträger nimmt infolgedessen ab; der Stromverstärkungsfaktor Areerhöhtsich.

Wird demgegenüber die zwischen der zusätzlichen Steuerelektrode C und der Emitterelektrode fangelegte Spannung V_Ce mehr ins Negative hin verschoben, so bildet sich im Teilbereich 8 des Emitterbereiches 1 eine Verarmungsschicht /Λ/aus; es werden daher Minoritätsladungsträger von der Verarmungsschicht IN in den Emitterbereich 1 zurückinjiziert Die Stromdichte /_pder vom Basisbereich 2 in den Emitterbereich 1 injizierten Minoritätsladungsträger nimmt ab; der Stromverstärkungsfaktor hpE nimmt zu (linker Zweig der Kurve gemäß Fig.5).

Die Stromverstärkungskurve gemäß Fig.5 wurde mit der Meßschaltung gemäß F i g. 4 aufgenommen. In dieser Schaltung ist Q der vier Elektroden aufweisende Transistor nach F i g. 3. Mit Rl ist ein Kollektor-Lastwiderstand bezeichnet, mit Vcc die Kollektorspannungsquelle, mit Ic der Kollektorstrom, mit Ib der Basisstrom und mit Vge die zwischen der zusätzlichen Steuerelektrode G und der Emitterelektrode Eangeleg-Ie Spannung.

Wird die Kollektor-Emitter-Spannung Vce gleich 3 V und der Basisstrom h gleich 1 μΑ gewählt, so ergibt sich die in F i g. 5 dargestellte Abhängigkeit zwischen der Spannung Vc£(in V) und dem Kollektorstrom /_c(in μΑ); der Stromverstärkungsfaktor hps bezieht sich auf einen Betrieb in Emitterschaltung.

Das Ausfiihrungsbeispiel nach Fig.3 zeigt einen NPN-Transistor; statt dessen kann die erfindungsgemä-■ße Schaltungsanordnung jedoch auch mit einem PNP-Transislor realisiert werden.

F i g. 6 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel der * ,erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung. Es dient zur Verstärkung einer Nutzsignalspannung S,-(beispielswcise t>fies Videosignals), dem unerwünschte Störsignalspannungen S_n überlagert sind, Eine Kollektorspaninungsquelle Kccist übe:reinen Widersland 25 mit dem ^l(l 'Kollektor Cverbundent-der Ausgang 26 sieht gleichfalls mit dem Kollektor Cin Verbindung. Der Emitter fliegt über einen Widerstand 24 an Masse. Die Nutzsignalspannung Sv mit der überlagerten Störsignalspannung S_n wird über einen Anschluß 21 zugeführt, der '"» unmittelbar mit der Basis B des Transistors Q in Verbindung steht und über einen Kondensator 22 an die zusätzliche Steuerelektrode G angeschlossen ist. Die Steuerelektrode G ist ferner über einer. Widerstand 32 mit einer Vorspannungsquelle 23 verbunden, deren ^3Ü anderer Pol an Masse liegt.

Zur Erläuterung der Funktion der Schaltungsanordnung nach Fig.6 wird auf Fig.7 Bezug genommen. Fig.7 zeigt den Stroinverstärkungsfaktor Λ«· des in Emitterschaltung betriebenen Transistors in Abhängig- ²' keit von der zwischen Steuerelektrode G und Emitterelektrode E liegenden Spannung Vcε· Der Kurvenverlauf des Stromverstärkungsfaktors ist mit dem Bezugszeichen 14 versehen. Fig.7 zeigt, daß der Nullpunkt der Spannung Vge auf der rechten Seite des ^i(l Min /num liegt. Die Spannung der Vorspannungsquelle 23 ist mit — E1 bezeichnet. Das Eingangssignal am Anschluß 21 (bestehend aus der Nulzsignalspannung S₁ und der Störsignalspannung S_n) wird dieser Vorspannung — El überlagert. Dadurch verschiebt sich der ^r> Arbeitspunkt auf der Stromverstärkungskennlinie von einem Wert eines konstanten Bereiches über eine steil geneigte Flanke der Kurve bis in das Minimum.

Wie Fig. 7 erkennen läßt, ist die Größe der Vorspannung — El so gewählt, daß sich für die Nutzsignalspannung S_r ein hoher und konstanter Wert des Stromverstärkungsfaktors hpE ergibt, während sich bei einer Störsignalspannung S_n, der Amplitude, die der Nutzsignalspannung S₁.übersteigt, ein wesentlich verringerter Wert des Stromverstärkungsfaktors Λ/έ, nämlich im Bereich des Minimum, einstellt. Beim Auftreten großer Störsignale wird also der Arbeitspunkt des Transistors in den Bereich des Minimum des Stromverstärkungsfaktors verschoben und damit das Störsignal unterdrückt.

Bei dem in Fig.8 dargestellten abgewandelten Ausfiihrungsbeispiel der erfindungsgemäßen Schaltung ist der Eingangsanschluß 21 einerseits über einen Kondensator 22 mit der Steuerelektrode G und andererseits über einen Kondensator 27 und einen Widersland 33 mit der Basiselektrode ödes Transistors Q verbunden. Zwischen dem Kondensator 22 und der zusätzlicher. Steuerelektrode G ist die Vorspannungsquelle 23 über einen Widerstand 32 angeschlossen. Die Emitterelektrode E liegt direkt an Masse. Die Basiselektrode B ist mit dem Abgriff eines von Widerständen 28, 29 gebildeten Spannungsteilers verbunden.

F i g. 9 veranschaulicht die Abhängigkeit des Stromverstärkungsfaktors /irevonderSpannung Vcfbeieiner Schaltungsanordnung nach Fig.8 sowie die Verlagerung des Arbeitspunktes auf dieser Kennlinie beim Auftreten großer Störsignalspannungen S_n. Durch Wahl einer ausreichend großen negativen Vorspannung — £2 der Vorspannungsquelle 32 liegt der Arbeitspunkt für die Nutzspannungssignale S* auf dem links an das Minimum anschließenden Zweig der Kennlinie, und zwar im Bereich eines hohen und konstanten Wertes des Stromverstärkungsfaktors. Beim Auftreten einer hohen Störsignalspannung S_n wird der Arbeitspunkt nach rechts in den Bereich des Minimum der Kennlinie verschoben.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims

IO Patentansprüche:

1. Schaltungsanordnung zum Verstärken, enthaltend einen in Emitterschaltung betriebenen Transistor mit einer zusätzlichen Steuerelektrode zur Steuerung des Stromverstärkungsfaktors durch eine zwischen der zusätzlichen Steuerelektrode und der Emitterelektrode angelegte Spannung, dadurch gekennzeichnet, daß

a) bei diesem Transistor (Q) der Emitterbereich (1) und der Kollektorbereich (3) eine Dotierungskonzentration gleicher Größenordnung haben, im Emitterbereich (1) ein Teilbereich (\a) mit größerer Dotierungskonzentration als im übri- :* gen Emitterbereich gebildet ist, der von dem PN-Übergang (Je) zwischen dem Emitterbereich (1) und dem Basisbereich (2) um eine Strecke entfernt ist, die kleiner als die Dii iüsionslänge (L_P) der aus dem Basisbereich (2) :n den Emitierbereich (1) injizierten Minoritätsladungsträger ist, und die zusätzliche Steuerelektrode (G) auf einer Isolierschicht (7) über dem Emitterbereich (1) angebracht ist, so daß die Kennlinie des Stromverstärkungsfaktors (hFE) in Abhängigkeit der zwischen der zusätzlichen Steuerelektrode (G) und der Emitterelektrode (E) angelegten Steuerspannung (Vge) zwischen zwei Bereichen eines hohen und konstanten Wertes des Stromverstärk"iigsfaktors ein sich über steile Flanken anschließendes Minimum des Stromverstärkungsfaktors aufweist.

b) und daß ferner zur Verringerung von Störsignalspannungen (Sn), die iü einer Eingangssignalspannung neben der Nutzsignalspannung (S,) auftreten und größere Spannungswerte als dieses aufweisen, das Eingangssignal außer an der Basiselektrode (B) auch an der zusätzlichen Steuerelektrode (G) anliegt, und daß an der ίο zusätzlichen Steuerelektrode (G) außerdem eine Vorspannung (- Ei) anliegt, deren Größe so gewählt ist, daß sich für die der Vorspannung (- Ei) überlagerte Nutzsignalspannung (S,) ein hoher und konstanter Wert des Stromverstär- ίϊ kungsfaktors (hn:)und für die der Vorspannung (-Ei) überlagerten Störsignalspannung (S_n) ein Wert im Bereich des Minimum des Stromverstärkungsfaktors (hu)erg\b\.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch l.dadurcn gekennzeichnet, daß der das Eingangssignal führende Anschluß (21) direkt mit der Basiselektrode (B) und über einen Kondensator (22) mit der zusätzlichen Steuerelektrode (G) verbunden ist, zwischen diesem Kondensator (22) und der zusätzlichen Steuerelektrode (G) die Vorspannungsquelle (23) über einen Widerstand (32) angeschlossen ist und daß die F.mitterelektrode (E^über einen Widerstand (24) an Masse liegt.

3.Schaltungsanordnung nach Anspruch !.dadurch f>o .gekennzeichnet, daß die Basiselektrode (B) mit dem "Abgriff eines zwischen die Kollektofspannungszu-■führung (Vcc) und Masse geschalteten Spannungsteilers (28, 29) und über einen Kondensator (27) und einen Widerstand (33) mit dem die Eingangssignalspannung führenden Anschluß (21) verbunden ist, der über einen Kondensator (22) mit der zusätzlichen Steuerelektrode (G) in Verbindung steht, an die eine die Vorspannung erzeugende Vorspannungsquelle (23) über einen Widerstand (32) angeschlossen ist, und daß die Emitterelektrode (E)an Masse liegt.