DE2453608C2 - Eingangsschaltung für Berührungs- oder Annäherungsschalter - Google Patents
Eingangsschaltung für Berührungs- oder AnnäherungsschalterInfo
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- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
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- H03K17/96—Touch switches
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Description
Die Erfindung betrifft eine Eingangsschaltung für Berührungs- oder Annäherungsschalter nach dem
Oberbegriff des Anspruchs 1.
Aus der DE-OS 22 19 289 ist eine derartige Eingangsschaltung
bekannt. Sowohl bei dieser als auch bei den aus den DE-OS 23 17 415 und 23 17 414 bekannten
Schaltungen wird als Schaltkriterium der vom Benutzer, der als hochohmiger Widerstand wirkt, in die Betätigungsplatte
fließende Strom verwendet
Die bekannten elektronischen Berührungsschalter werden üblicherweise in Wechselstromnetzen eingesetzt. Sie verwenden als Schaltverstärker ein Schaltelement, beispielsweise einen Transistor, das eingangsseitig über einen hochohmigen Schutzwiderstand mit der Betätigungsplatte und über eine Diode, die den Eingangsstrom gleichrichtet, mit der Phasenleitung des Netzes und ausgangsseitig mit der Steuerelektrode eines weiteren, stärkeren Schaltelementes, beispielsweise eines Thyristors, verbunden ist Dieses zweite Schaltelement betätigt dann entweder ein Stromstoßrelais oder schaltet direkt die Nutzlast.
Die bekannten elektronischen Berührungsschalter werden üblicherweise in Wechselstromnetzen eingesetzt. Sie verwenden als Schaltverstärker ein Schaltelement, beispielsweise einen Transistor, das eingangsseitig über einen hochohmigen Schutzwiderstand mit der Betätigungsplatte und über eine Diode, die den Eingangsstrom gleichrichtet, mit der Phasenleitung des Netzes und ausgangsseitig mit der Steuerelektrode eines weiteren, stärkeren Schaltelementes, beispielsweise eines Thyristors, verbunden ist Dieses zweite Schaltelement betätigt dann entweder ein Stromstoßrelais oder schaltet direkt die Nutzlast.
Diese Berührungs- oder Annäherungsschalter haben die in sie gesetzten Erwartungen voll erfüllt Ihre Empfindlichkeit
ist so groß, daß sie auch bei sehr geringen, für den Menschen völlig ungefährlichen, Eingangsströmen
sicher schalten. Werden diese Schalter jedoch in Räumen eingesetzt, in denen ein hoher Grad an Feuchtigkeit
oder Schmutz auftritt, so können sie durch die dadurch bedingte Verringerung des Isolationswider-Standes
der Berührungsplatte ungewollt ansprechen. Dieser unerwünschte Effekt ließe sich durch ein Verringern
der Empfindlichkeit vermeiden. Dieser naheliegende Weg ist jedoch nicht gangbar, da dadurch der
zum sicheren Schallen benötigte Eingangsstrom gefährlieh
hohe Werte erreichen könnte.
Aus der DE-OS 22 22 704 ist ein Annäherungsschalter bekannt, bei dem Schwierigkeiten, die sich aus der
Anlagerung von Schmutz, Fett usw. auf dem als Sensor dienende Teil des Schalters ergeben, und die unter Umständen
zu ungewollter Auslösung von Schaltvorgängen durch den Schalter führen können, durch einen erheblichen
schaltungstechnischen Aufwand beseitigt werden sollen. Bei diesem bekannten Annäherungsschalter
ist die als isolierte Elektrode ausgebildete Be-
ίο tätigungsplatte mit einer sich selbst verzögert abgleichenden
Brückenschallung verbunden, die von zwei Eingangssignalen gleicher Frequenz und entgegengesetzter
Phasenlage gespeist wird. Die Ausgangssignale der Brückenschaltung werden summiert, verstärkt und
einem Phasendetektor zugeführt Bei langsamer Änderung einer Phasendifferenz dient die dabei erzeugte
Regelspannung zur Kompensation dieser Phasendifferenz, wobei ein automatischer Abgleich der Brücke bei
langsamer Änderung der Eingangsbedingungen erzielt
wirci Bei rascher Änderung der Eingangsbedingungen,
die durch Änderung der Kapazität der isolierten Elektrode gegenüber einem Bezugspotential sich äußert,
kann ein Schaltsignal gewonnen werden. Zusätzlich zur Brückenschaltung wird bei der bekannten Schaltung
ein Verstärker. Oszillator. Phasendelektor, ein Verzögerungsglied und ein Phasenschieber benötigt, die zusammen
mit der Brückenschaltung den Regelkreis bilden.
Schließlich ist aus der DE-OS 21 30 634 eine Kompensationsanordnung
bekannt, mit der beispielsweise durch Verunreinigungen hervorgerufene Abweichungen
von Ausgangsgrößen eines Meßorgans von einem ursprünglichen Bezugswert ausgeglichen werden sollen.
Hierzu wird das Meßorgan, welches zusammen mit Widerständen einen Spannungsteiler bildet und an
einer Gleichspannung liegt, an den invertierenden Eingang eines Operationsverstärkers angeschlossen, dessen
Ausgang ein gegebenenfalls eine Schaltfunktion
auslösendes Signal liefert und über eine Parallel-ÄC-Kombination
mit der über einen Kondensator an den Emitter angekoppelten Basis eines Transistors verbunden
ist Der Transistor ist kollektorseitig an den nichtinvertierenden Eingang des Operationsverstärkers und
emitterseitig über einen Widerstand ebenfalls an den
nichtinvertierenden Eingang des Operationsverstärkers angeschlossen. Wenn sich beispielsweise infolge
von Verschmutzung der ursprüngliche Einstellwert am Meßorgan ändert, ergibt sich eine Spannungsdifferenz
zwischen dem invertierenden und nichtinvenierendcn Eingang. Diese Spannungsdifferenz wird dadurch aufgehoben,
daß der zwischen der Basis des Transistors und dem Emitter liegende Kondensator aufgeladen
wird und dadurch der Kollektor-Emitter-Widerstand des Transistors und somit auch die Spannung am nichtinvertierenden
Eingang des Operationsverstärkers so geändert wird, daß die Spannungsdifferenz wieder
gegen Null zurückgeht Um diese Kompensationswirkung zu erzielen, benötigt man bei der bekannten Schaltungsanordnung
einen kostenaufwendigen Operationsverstärker sowie neben dem an den invertierenden Eingang
des Operationsverstärkers angeschlossenen Spannungsteiler und neben dem an den Ausgang des Operationsverstärkers
angeschlossenen Parallel-/?C-GIied zusätzlich den Transistor, den zwischen der Basis des
Transistors und dem Emitter liegenden Kondensator und außerdem den zwischen dem Emitter des Transistors
und dem nichlinvertierenden Eingang des Operationsverstärkers vorgesehenen Widersland. Das bedeutet,
daß auch hier ein relativ hoher schaltungstechnischer Aufwand notwendig ist.
Aufgabe der Erfindung ist es demgegenüber, eine Eingangsschaltung der eingangs genannten Art zu
schaffen, bei der langsame Änderungen des Isolations-Widerstandes der Betätigungsplatte, die durch Umwelteinflüsse
bedingt sind, den Schalter nicht ansprechen lassen, während schnelle, gewollte Änderungen zu
einem sicheren Schaltvorgang führen, und die nur wenige zusätzliche Schaltungselemente benötigt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im Kennzeichen des Anspruches 1 angegebenen Merkmale
gelöst.
Damit ergeben sich die Vorteile, daß ein mit der erfindungsgemäßen
Eingangsschaltung ausgerüsteter Berührungs- oder Annäherungsschalter durch die langsamen,
durch Umwelteinflüsse bedingten Änderungen des Isolationswiderstandes zwischen der Betätigungsplatte
und ihrer Gegenplatte bzw. der Erde nicht mehr durchschalten kann, daß aber bei einem gewellten Antippen
der Betätigungsplatte, beispielsweise mit dem Finger, der Schalter sicher anspricht, ohne daß ein großer
Schaltungsaufwand erforderlich ist.
Vorzugsweise ist der Spannungsteiler so eingestellt, daß bei konstanter Größe des von der Betatigungsplatte
kommenden Stromes die abgegriffenen Momentanwei tspannungsmaxima die gleiche Größe haben wie
der sich an dem Integrierkondensator einstellende Spannungsmittelwert. Durch diese Dimensionierungsmaßnahme
wird der Unterschied im Sparnungswert zwischen der Amplitude der Wechselspannungshalbwellen
und dem durch die Integrierung am Integrierkondensator gebildeten arithmetischen Mittelwert ausgeglichen.
Als Steuerstrecke für das Schaltelement dient entweder die Gitter-Kathoden-Strecke einer Elektronenröhre,
die Basis-Emitter-Strecke eines bipolaren Transistors, die Gate-Source-Strecke eines Feldeffekttransistors
oder die Gate-Kathode;>Slrerke eines Thyristors oder Triacs. Bei Verwendung eines bipolaren Transistors
als Schaltelement ist vorzugsweise die Mittelwertspannung an den Emitter, die Momentanwertspannung
an die Basis geführt.
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausführung der Erfindung besitzen die am Integrierglied gebildete
Mittelwertspannung und die am Spannungsteiler gebildete Momentanwertspannung unterschiedliche Polarität,
und die arithmetische Summe dieser beiden Spannungen liegt an der Eingangselektrode des Schaltelementes.
Diese Schaltungsvariante ist besonders dann angezeigt, wenn eine Elektrode der Steuerstrecke an
einer bestimmten Bezugsleilung liegen muß. Dabei ist eine Diode vorgesehen, die die eine Halbwelle des von
der Berührungsplatte kommenden Stromes in das Integrier^lied,
die andere Halbwelle an den Spannungsteiler führt; für die Summenbildung ist ein ohmscher
Widerstand vorgesehen, der gleichzeitig die Summenspannung an den Steuereingang des Schaltelementes
legt. Auch bei dieser Schaltungsvariante muß wieder durch eine geeignete Dimensionierung des Spannungsteilers
dafür gesorgt werden, daß bei gleichbleibendem Eingangsstrom die Amplitude der Momentanwertspannung
nicht größer wird als die sich am Integrierkondensator einstellende Mittelwertspannung.
Anhand der Zeichnungen soll die Erfindung beispielsweise erläutert werden.
F i g. 1 zeigt als Bespiel eine bislang benutzte Eingangsschaltung
für Berührungsschalter, die am Lichtnetz arbeiten, wie sie aus der eingangs genannten
DE-OS 22 19 28S bekannt ist. Mit P ist die Netzphasenleitung
bezeichnet. Die Basis des Schalttransistors Γ ist über einen hochohmigen Schutzwiderstand Rs mit der
Betätigungsplatte 13 verbunden. Durch den Isolationswiderstand
Ru zwischen der Betätigungsplatte B und
Erde wird ein Wechselstrom /' hervorgerufen, der an einem zwischen Basis und Emitter des Transistors T
geschalteten Widerstand R\ eine Spannung erzeugt. Die negativen Halbwellen des Eingangsstrome? / fließen
über eine Diode D direkt zur Netzphasenle'tung. während
die positiven Halbwellen die gewünschte Steuerspannung bilden. Der dem Widerstand R\ parallelgeschaltete
Kondensator G dient zur Unterdrückung von kurzzeitigen, parasitären Störspannungsspitzen, die auf
kapazitivem Wege auf die Betätigungsplatte B gelangen.
Der Widerstand R\ ist so dimensioniert, daß die Spannung an R\ erst dann die Basis-Emitter-Schwellenspannung
überschreitet, wenn der Übergangswiderstand Ru des Benutzers dem im allgemeinen sehr hochohmigen
Isolationswiderstand Ru parallelgeschaltet
wird, d. h., wenn die Betätigungsplatte B berührt wird. Wird der Isolationswiderstand Ru aber durch extreme
Feuchtigkeit oder Verschmutzung stark herabgesetzt, so erreicht die Spannung an R\ auch ohne den Übergangswiderstand
Ru des Benutzers die Schwellenspannung, wodurch der Transistor T durchgeschaltet wird
und den Schaltvorgang unbeabsichtigt auslös;.
F i g. 2 zeigt eine erste Ausführungsform der erfindungsgemäßen Eingangsschaltung. In dieser Figur ist
der sich mit den Umgebungsbedingungen langsam verändernde Isolationswiderstand Ru mit dem bei der Berührung
plötzlich zugeschalteten Widerstand Ru zu einem veränderlichen Gesamtwiderstand Rq zusammengefaßt.
Der durch diesen Widerstand Ro in die Betätigungsplatte B hineinfließende Strom / gelangt
über den Schutzwiderstand Rs zu einer Diode D, die
ihn gleichrichtet. Die an der Kathode der Diode D entstehende
pulsierende Gleichspannung lädt über einen Integrierwiderstand Ra einen Inlegrierkondensator C2
auf die Mittelwerlspannung auf. Dadurch liegt der Emitter
des Transistors Tauf einem Potential, das dem Mittelwert des Eimgangsstromes 1 proportional und dem
mittleren Wen von Rc umgekehrt proportional ist.
Die an der Diode D entstehende pulsierende Gleichspannung wird gleichzeitig auch dem aus den Widerständen
/?2 und Λ3 gebildeten Spannungsteiler zügeführt.
Durch das Widerstandsverhältnis wird die pulsierende Gleichspannung so reduziert, daß die Spannungsmaxima
ebenso groß sind wie der am Emitter liegende Spannungsmittelwert. Dadurch bleibt bei langsamen,
umgebungsbedingten Änderungen des Widerstandes Rc die Basis-Emitter-Spannung des Transistors Γ stets
kleiner oder gleich 0 Volt. Auf diese Weise kann ein unbeabsichtigtes Schalten des Transistors T durch
Unterschreiten eines bestimmten Grenzwertes des Isolationswiderstandes Ru nicht mehr auftreten.
Plötzliche Änderungen des Widerstandes Rc durch
Berühren der Betätigungsplatte B führen zu einer ebenso plötzlichen Änderung der am Spannungsteiler R2,
Ri abgegriffenen Momentanwertspannung bzw. der Basisspannung. Da das Integrierglied Ra, C2 das Emitterpotential
konstant hält, kann der Transistor Tdurchschalten, wenn die Spannungsdifferenz an seiner Steuerstrecke
über der Schwellenspannung liegt.
Der Kondensator Ci hat — wie bei F i g. I bereits
erläutert — die Aufgabe, kurze Störimpulse zu unterdrücken; sein Kapazitätswert kann relativ klein gewählt
werden, so daß keine Verzögerung des Anstiegs der Momentanwertspannung beim Berühren der Betäligungsplatte
eintritt.
F i g. 3 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, bei
dem der Emitter des Eingangstransistors T an der Bezugsleitung P liegt. Die vom Eingangsstrom / am
Widerstand Rs hervorgerufene Spannung wird durch die Diode D gleichgerichtet und bildet am Integrationskondensator Ci eine negative Kompensalionsgleichspannung,
die dem Widerstand Rc umgekehrt proportional ist. Der Basis des Transistors Twerden die positiven
Wechselspannungshalbwellen über den Spannungsteiler R2, R] zugeführt. Das Spunnurigsieiierverhälinis
ist so gewählt, daß die positiven Spannungsmaxima dem Betrag nach ebenso groß sind wie die negative Integrationsspannung
am Kondensator Ci. Dadurch bleibt die Spannungssumme zwischen Basis und Emitter des
Transistors T bei konstantem oder sich nur langsam änderndem Widerstand Rc stets kleiner oder gleich
Null. Bei einer plötzlichen Änderung des Widerstandes Rc durch Berühren der Betätigungsplatte B wird der
Transistor T wie beabsichtigt durchgeschaltet, bis sich die Integrationsspannung am Kondensator Ci auf den
neuen Wert eingestellt hat.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (8)
1. Eingangsschaltung für Berührungs- oder Annäherungsschalter,
die für den Geräteeinbau oder für Installationszwecke vorgesehen sind, mit einem
Schaltelement, das eingangsseitig mit einer Betätigungsplatte und ausgangsseitig mit dem Leistungsteil
des Schalters verbunden ist und bei dem eingangsseitig ein Gleichrichter und ein ÄC-Giied vorgesehen
sind, dadurch gekennzeichnet, daß in dem RC-Gl\sd ein so großer Kondensator
(Q) vorgesehen ist, daß das .RC-Glied Jen gleichgerichteten,
von der Betätigungsplatte (B)kommenden Strom (I) integriert und daraus eine Mittelwertspannung
bildet, daß ferner ein ohmscher Spannungsteiler (7?2, Ri) vorgesehen ist, der aus dem
gleichgerichteten, von der Betätigungsplatte (B)
kommenden Strom (7^eine Momentanwertspa.inung
bildet, und daß Mittelwertspannung und Momentanwertspannung so an die Steuerstrecke des Schaltelementes
(T) angelegt sind, daß dieses durchschaltet, sobald die Momenlanwertspannung um die
Schwellenspannung des Schaltelementes (T) größer ist als die Mittelwertspannung.
2. Eingangsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungsteiler (R7, Ri)
so eingestellt ist, daß bei konstanter Größe des von der Berülirungsplatte (B) kommenden Stromes (i)
die abgegriffenen Momentanwertspannungsmaxima die gleiche Größe haben wie der sich an dem Integrierkondensator
(C2) einstellende Spannungsmittelwert.
3. Eingangsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerstrecke die Gitter-Kathoden-Strecke
einer Elektronenröhre ist.
4. Eingangsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerstrecke die Basis-Emitter-Strecke
einer, bipolaren Transistors ist.
5. Eingangsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerstrecke die Gate-Source-Strecke
eines Feldeffekttransistors ist.
6. Eingangsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerstrecke die Gate-Kathoden-Strecke
eines Thyristors oder eines Triacs ist.
7. Eingangsschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittelwertspannung an den
Emitter, die Momentanwertspannung an die Basis des Transistors (T) geführt ist.
8. Eingangsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die als Gleichrichter wirkende
Diode (D) so geschaltet ist, daß sie die eine Halbwelle des von der Berührungsplatte (SJ kommenden
Stromes (i) an das Integrierglied, die andere Halbwelle an den Spannungsteiler führt, und daß ein
ohmscher Widerstand (Ri) für die Summenbildung
vorgesehen ist, der gleichzeitig die Summenspannung an den Steuereingang des Schaltelementes (T)
führt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742453608 DE2453608C2 (de) | 1974-11-12 | 1974-11-12 | Eingangsschaltung für Berührungs- oder Annäherungsschalter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742453608 DE2453608C2 (de) | 1974-11-12 | 1974-11-12 | Eingangsschaltung für Berührungs- oder Annäherungsschalter |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2453608B1 DE2453608B1 (de) | 1976-03-04 |
DE2453608C2 true DE2453608C2 (de) | 1981-10-15 |
Family
ID=5930630
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19742453608 Expired DE2453608C2 (de) | 1974-11-12 | 1974-11-12 | Eingangsschaltung für Berührungs- oder Annäherungsschalter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2453608C2 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2627664C2 (de) * | 1976-06-19 | 1982-04-08 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Elektronische Zusatz-Schaltungsanordnung |
DE3029717C2 (de) * | 1980-08-06 | 1990-08-23 | Ing. Wolfgang Schäfer Elektrotechnik + Maschinenbau, 7480 Sigmaringen | Berührungsschalter |
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FR1436069A (fr) * | 1965-03-12 | 1966-04-22 | Saxby | Détecteur de proximité |
DE2121664A1 (de) * | 1971-05-03 | 1972-11-09 | Karl Seidl Armaturen- und Metallwaren-Erzeugung, Wien | Annäherungsschalter zur elektrischen Schaltung von Geräten |
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-
1974
- 1974-11-12 DE DE19742453608 patent/DE2453608C2/de not_active Expired
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Publication number | Publication date |
---|---|
DE2453608B1 (de) | 1976-03-04 |
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