DE2445815C2 - Schaltungsanordnung zur Verstärkung von durch Halbleiter-Fotobauelementen abgegebenen Signalen - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Verstärkung von durch Halbleiter-Fotobauelementen abgegebenen SignalenInfo
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- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
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- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
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- H04B10/693—Arrangements for optimizing the preamplifier in the receiver
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Description
Ce die resultierende Kapazität zwischen dem
ersten Ausgangssignalanschluß des Halbleiter-Fotobauelementes und dem Bezugspotential
Cd die Kapazität des Halbleiter-Fotobauelementes
zwischen ersten und zweiten Ausgangssignalanschluß bedeuten.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verstärkung größer als eins
ist
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verstärkung größer als 0,9
und kleiner als eins ist
5. Schaltungsanordnung nach den Ansprachen 1 bis 47 dadurch gekennzeichnet daß vom ersten
Auügangssignalanschluß ein Widerstand nach Masse oder nach einem Punkt mit konstantem Potential
geschaltet ist
35
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur
Verstärkung von durch Halbleiter-Fotobauelemente abgegebenen Signalen.
Es ist aus der Zeitschrift »radio, fernsehen, elektronik« Bd. 2i, 1972, H. 18, S. 599 bekannt den Fotostrom
eines Halbleiter-Fotobauelementes zu verstärken, indem ein erster Ausgangssignalanschluß des Halbleiter-Fotobauelementes mit dem Eingang des Verstärkers
verbunden wird. Ein zweiter Anschluß des Halbleiter-Fotobauelementes liegt bei dieser bekannten Schaltung
auf einem konstanten Potential
Bei breitbandigen, auf Halbleiter-Fotobauelemente
fallenden Lichtsignalen begrenzt bei den bekannten Schaltungen in vielen Fällen das Rauschen des
nachgeschalteten Verstärkers die Nachweisgrenze für schwache Signale. Die Ursache ist daß wegen der
Kapazität einer Fotodiode bzw. eines Fototransistors nur relativ kleine Arbeitswiderstände für die Fotodiode
bzw. den Fototransistor verwendet werden können. Das Nutzsignal am Eingang des Verstärkers ist somit
verhältnismäßig klein und der Störabstand entsprechend schlecht
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den Störabstand von Schaltungen mit Fotodioden oder
Fototransistoren zu verbessern.
Diese Aufgabe wird bei einer Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch
gelöst daß ein zweiter Ausgangssignalanschluß des Halbleiter-Fotobauelementes mit dem Ausgang des
Verstärkers verbunden ist und daß der Übertragungsfaktor des Verstärkers positiv ist
Weitere Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von
Ausfuhrungsbeispielen anhand der Figuren. Es zeigt
F i g. 1 eine bekannte Verstärkerschaltungsanordnung mit einer Fotodiode,
F i g. 2 eine erfindungsgemäße Verstärkerschaltungsanordnung mit einer Fotodiode,
F i g. 3 eine erfindungsgemäße Verstärkerschaltungsanordnung mit einem Fototransistor.
Die F i g. 1 zeigt eine bekannte Verstärkerschaltungsanordnung. Mit 1 bezeichnetes licht das auf eine
Fotodiode 2 trifft ist mit einem breitbandigen Signal moduliert Die höchste Modulationsfrequenz beträgt
z. B. 10 MHz. An einer Klemme 3 liegt eine positive Gleichspannung. Die Fotodiode 2 ist also in Sperrichtung vorgespannt Der Spannungsabfall des Fotostromes an einem Widerstand 4 ist das Eingangssignal für
einen Verstärker 5. An einem Punkt 6 wird die verstärkte Spannung in bezug auf Masse abgenommen.
Der Verstärker 5 liefert unvermeidlich eine Rauschspannung. Um am Ausgang des Verstärkers ein
möglichst großes Verhältnis von Signalspannung zu Rauschspannung zu bekommen, muß bei gegebenem
Fotostrom der Widerstand 4 und damit die Eingangssignalspannung für den Verstärker möglichst groß
gewählt werden. Dieser Widerstandsvergrößerung sind aber Grenzen gesetzt denn parallel zum Widerstand 4
liegt die Eingangskapazität des Verstärkers und eine durch die Leitungen in der Schaltungsanordnung
gegebene Kapazität die in Fig. 1 durch eine Kapazität 7 gegeben sind, sowie die Kapazität der Fotodiode 2.
Die Grenzfrequenz, die sich aus diesen Kapazitäten zusammen mit dem Widerstand 4 ergibt darf nicht
wesentlich niedriger als die höchste Signalfrequenz sein.
F i g. 2, in der entsprechende Elemente wie in F i g. 1 mit gleichen Bezugszeichen versehen sind, zeigt eine
Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung. Der Ausgang eines Verstärkers 8 ist über
einen Koppelkondensator 9 mit der Kathode der Fotodiode 2 verbunden. Die Sperrspannung für die
Fotodiode wird vom Anschluß 3 über einen Widerstand 10 zugeführt Der Spannungsübertragungsfaktor des
Verstärkers 8 ist positiv. Der Betrag des Spannungsübertragungsfaktors 8 ist ungefähr eins. Das bedeutet
daß wenn sich die Signalspannung am Eingang des Verstärkers verändert sich die Spannung an der
Kathode der Fotodiode nahezu um den gleichen Wert ändert Das aber bedeutet daß sich bei einer
Signalstromänderung die Spannung an der Fotodiode praktisch nicht verändert In die Kapazität der
Fotodiode 2 fließt kein Ladestrom hinein. Diese Kapazität ist also effektiv in der Schaltung unwirksam.
Da die resultierende Kapazität der Schaltungsanordnung durch die Rückkopplung des Ausgangssignals des
Verstärkers auf die Kathode der Fotodiode verringert wird, kann der Widerstand 4 vergrößert werden. Im
gleichen Maße wie der Widerstand 4 steigt die Eingangssignalspannung des Verstärkers 8 und damit
auch der Störabstand.
Für die Praxis ist wesentlich, daß die positive Rückkopplung über den Fußpunkt der den Signalstrom
liefernden Fotodiode den Störabstand der Schaltung nicht im gleichen Maße vergrößert wie die Kapazität
reduziert wird. Bei einer praktisch ausgeführten Schaltungsanordnung konnte bei einer Bandbreite von
10 MHz durch diese positive Rückkopplung der Widerstand von 4,7 kil auf 47 Ui erhöht werden. Der
Störabstand wurde dabei um 15 dB verbessert
Der Betrag der Verstärkung des Verstärkers 8 darf auch größer als eins sein. In diesem Fall wird die
Kapazität der Fotodiode überkompensiert. Diese Kapazität ist dann negativ. Der negative Anteil der
Fotodiodenkapazität subtrahiert sich von der Kapazität 7. Die Grenzfrequenz der Schaltung wird also noch
weiter erhöht Die maximal zulässige Verstärkung beträgt
IO
Dabei ist Q die resultierende Eingangskapazität der
Schaltungsanordnung (also die Kapazität 7) und Q/ die Kapazität der Fotodiode. Bei noch größeren Verstärkungen
wird die Schaltung instabil. Die resultierende Kapazität Crder Fotodiode beträgt
Cr
Q1(V-X),
wobei V die Verstärkung des Verstärkers ist, gemessen
vom Eingang des Verstärkers bis zum Fußpunkt (Kathode) der Fotodiode. Bei dem hier beschnebenen
Ausführungsbeispiel wird die Spannung für den Punkt 6 und für die Rückkopplung am gleichen Punkt des
Verstärkers abgenommen. Grundsätzlich können diese Spannungen aber auch von verschiedenen Ausgängen
des Verstärkers geliefert werder. Weiterhin können zwischen dem aktiven Teil des Verstärkers und der
Kathode der Fotodiode weitere passive Bauelemente eingefügt werden.
In der Schaltungsanordnung nach F i g. 3 wird statt der Fotodiode ein Fototransistor 11 verwendet An
einem Eingang 12 des Verstärkers 8 liegt eine Gleichspannung, die den Arbeitspunkt des Verstärkers
so verschiebt, daß die Ausgangsspannung des Verstärkers positiv in bezug auf Masse ist Darüber hinaus
entspricht die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung nach F i g. 3 der der Schaltungsanordnung nach F i g. 2.
In der Schaltungsanordnung nach Fig.2 kann die
Fotodiode auch als Fotoelement betrieben werden. Hierzu wird der Anschluß 3 auf Massenpotential gelegt
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Schaltungsanordnung zur Verstärkung von durch Halbleiter-Fotobauelemente abgegebenen
Signalen, bei der ein erster Ausgangssignalanschluß des Halbleiter-Fotobauelenients mit einem Eingang
eines Verstärkers verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein zweiter Ausgangssignalanschluß des Halbleiter-Fotobauelement mit dem
Ausgang des Verstärkers verbunden ist und daß der Übertraglingsfaktor des Verstärkers positiv ist
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Betrag der Verstärkung
größer als Null und kleiner als (1 + CyCy ist, worin is
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742445815 DE2445815C2 (de) | 1974-09-25 | 1974-09-25 | Schaltungsanordnung zur Verstärkung von durch Halbleiter-Fotobauelementen abgegebenen Signalen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742445815 DE2445815C2 (de) | 1974-09-25 | 1974-09-25 | Schaltungsanordnung zur Verstärkung von durch Halbleiter-Fotobauelementen abgegebenen Signalen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2445815A1 DE2445815A1 (de) | 1976-04-15 |
DE2445815C2 true DE2445815C2 (de) | 1982-08-12 |
Family
ID=5926702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19742445815 Expired DE2445815C2 (de) | 1974-09-25 | 1974-09-25 | Schaltungsanordnung zur Verstärkung von durch Halbleiter-Fotobauelementen abgegebenen Signalen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2445815C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2904316A1 (de) * | 1979-02-05 | 1980-08-07 | Siemens Ag | Monolithisch integrierbare halbleiterschaltung mit einem durch eine photodiode gesteuerten verstaerker |
Families Citing this family (3)
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SE449545B (sv) * | 1980-09-01 | 1987-05-04 | Ericsson Telefon Ab L M | Forfarande jemte anordning for att utoka dynamikomradet i ett ingangssteg |
US4759081A (en) * | 1984-04-26 | 1988-07-19 | Alcatel N.V. | Optical receiver |
DE19629526A1 (de) * | 1996-07-22 | 1998-01-29 | Basf Ag | Verwendung von Phenolsulfonsäure-Formaldehyd-Kondensationsprodukten als Trocknungshilfsmittel |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE1762602B2 (de) * | 1968-07-18 | 1974-03-21 | Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen | E lek troop ti sehe Verstärkereinrichtung |
-
1974
- 1974-09-25 DE DE19742445815 patent/DE2445815C2/de not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE2904316A1 (de) * | 1979-02-05 | 1980-08-07 | Siemens Ag | Monolithisch integrierbare halbleiterschaltung mit einem durch eine photodiode gesteuerten verstaerker |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2445815A1 (de) | 1976-04-15 |
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Legal Events
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OGA | New person/name/address of the applicant | ||
D2 | Grant after examination | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: ERWIN SICK GMBH OPTIK-ELEKTRONIK, 7808 WALDKIRCH, |
|
8381 | Inventor (new situation) |
Free format text: KRAUSE, GERHARD, 8200 ROSENHEIM, DE |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |