DE2438710C3 - Vorrichtung zum gezielten Einbringen von Dotierungsmaterial in einen Halbleiterkristallstab auf radiogenem Wege - Google Patents
Vorrichtung zum gezielten Einbringen von Dotierungsmaterial in einen Halbleiterkristallstab auf radiogenem WegeInfo
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Description
Die vorliegende Patentanmeldung betrifft eine Vorrichtung zum Bestrahlen von Siliciumeinkristallstä
ben mit thermischen Neutronen.
Für die Herstellung von hochqualifizierten Halbleiterbauelementen werden Siliciumstäbe mit definiertem Phosphorgehalt benqtigt Dabei soll der Dotierstoff
entsprechend der gewünschten Dotierstoffkonzentra
tion möglichst homogen über das Stabvolumen in
radialer und axialer Richtung verteilt sein. Zu diesem
thermischen Neutronen bestrahlt (DE-PS 12 14 789).
von Kernreaktoren ist die erfindungsgemäße Vorrichtung geeignet, die durch folgende Merkmale gekennzeichnet ist:
a) eine Bestrahlungskammer, in der mindestens eine dreh- und axial verschiebbare Halteeinrichtung aus
einem, einen geringen Absorptionskoeffizienten für Neutronen aufweisenden Material für mindestens
einen lotrecht eingespannten Kristallstab angeordnet ist
b) ein mit der Halteeinrichtung gekoppelter, gesteuer-J5 te Hubbewegungen ausführender Antriebsmechanismus und
c) einen in der Seitenwand der Bestrahlungskammer angeordneter, einen Neutronenleiter enthaltender
Anschluß an einen Kernreaktor und
d) eine Gaszu-und-ableitung für Schutzgase.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel nach der Lehre der Erfindung besteht die Bestrahlungskammer aus
Aluminium. Edelstahl, einer Zirkonlegierung mit Beimengungen von Zinn und Eisen, Quarz oder einem
polymeren Kohlenwasserstoff, z. B. aus Polyäthylen. Wegen der notwendigen hohen Reinheit im Reaktionsraum wird die Bestrahlungskammer mit einer Gaszu-
und -ableitung für Schutzgas, z. B. Helium, ausgestattet.
Es liegt im Rahmen der vorliegenden Erfindung, daß
so der Anschluß für die Strahlungsquelle über einen
Neutronenleiter aus einem Rohr oder Zylinder besteht. Dafür ist die Verwendung von verspiegelten Glaskanälen oder Graphitblöcken vorgesehen.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel nach der Lehre
der Erfindung ist die Stabhalterung aus einem, einen
geringen Absorptionskoeffizienten aufweisenden Material, z. B. aus Aluminium, gefertigt; desgleichen auch die
Abstutzhülse, in welcher das nichtgehalterte Stabende des Halbleiterkristallstabes im Bodenteil der Kammer
geführt wird.
Zur Ableitung evtl. auftretender Erwärmung des Kristallstabes während der Bestrahlung können die
Stabhalterung, die Abstützhülse sowie die Seitenwände der Bestrahlungskammer an einem Kühlmittelkreislauf
ι,ί angeschlossen sein. Desgleichen kann das Schutzgas
thermostatisiert werden.
In einer Weiterbildung des Erfindungsgedankens ist
vorgesehen, zwischen dem Anschluß an den Kernreak-
tor und dem Siliciumeinkristallstab eine in Stabrichtung
verschiebbare Neutronenabsorberblende anzuordnen. Diese Blende beseitigt Inhomogenitäten im Neutronenstrahl
und erlaubt, ein gewünschtes Dotierungsprogramm entlang des Stabes einzustellen, wobei zusätzlich
noch unterschiedliche Wandstärken der Blende zur Herstellung unterschiedlicher Dotierungsstärken ausgenutzt
werden können.
Als Neutronenabsorber werden Cadmium, Gadolinium oder Bor verwendet Die Absorberblende kann in so
elementarer Form als Formkörper, als Folie oder auch als Aufdampschicht vorliegen; letztere kann auch auf
einem zusätzlichen Trägerkörper aus inertem Material, z. B. aus Quarz, aufgebracht sein, sich aber auch auf der
Mantelfläche des HalbJeiterkristallstabs selbst befinden.
Die Aufdampfschicht kann durch Aufdampfen von reinsten Metallen oder direkt auf die Halbleiterkristalloberfläche
auf eine durch SiC>2-Schichten geschützte Oberfläche erzeugt werden. Die Vorteile sind gute
Wärmeableitung und gute Ausnutzung der Bestrahlungsposition. Unvermeidliche Oberflächenverunreinigungen
können durch Ätzung nach der Bestrahlung beseitigt werden.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel nach der Lehre der Erfindung ist es auch möglich, daß die Absorberblende
aus einer Verbindung des Absorbermaterials, z. B. aus einem, zu einem Formkörper verpreßten Oxid,
besteht oder aber auch, daß sie aus einer Lösung besteht, welche einen hohen Gehalt an stark absorbierenden
Isotopen des Absorbermaterials (113Cd, 157Gd,
10B) aufweist und sich in einem Quarzzylinder befindet.
Zur besseren Ausnützung der ausgeblendeten Neutronen
kann anstelle nur eines Stabes auch ein Stabbündel eingesetzt werden. Diese Stabbündel wird
dann auf einer rotierenden Palette so angeordnet, 'daß im zeitlichen Mittel jedes Volumenelement des zu
dotierenden Materials gleichlang oder gezielt unterschiedlich im Neutronenstrahlmaximum verweilt. Dieses
Vorgehen ist möglich, da Siticium ein schwacher Neutronenabsorber ist und damit der Neutronenstrahl
durch Flußdepression nur geringfügig verändert wird.
Ein wichtiges Merkmal der erfindungsgemäßen Einrichtung ist, daß der Halbleiterkristallstab in bezug
auf die Strahlungsquelle sowohl in axialer Richtung als auch in horizontaler Richtung durch Rotation bewegt
wird, so daß der Neutronenstrahl eine Schraubenlinie
auf dem Stabmantel beschreibt. Die Dotierungskonzentration wird dann außer durch die Neutronenstromdichte
Φ auch durch die Drehzahl und den Hub (Vorschub) des Stabes (Abstand der Schraubenlinien), d.h. die so
Bestrahlungszeit im Neutronenstrom, bestimmt.
Die gewünschte Dotierstoffkonzentration entlang des Stabes wird im wesentlichen, wenn nicht die
Verwendung einer Absorberblende vorgesehen ist, durch die über den Antriebsmechanismus auf die
Stabhalterung übertragenen gesteuerten Hubbewegnngen eingestellt. Dabei kann für die Ausführung der
gesteuerten Hubbewegungen die Stabhalterung mit einem ferromagnetischen Kern verbunden sein, welcher
mit außerhalb der Kammer angeordneten Mitnehmerelektromagneten gekoppelt ist. Die Hubbewegungen
können auch über einen Prozeßrechner, der ein Dotierungsprogramm vorgibt, gesteuert werden.
Die Vorrichtung nach der Lehre der Erfindung wird im einzelnen an Hand der in der Zeichnung schematisch μ
dargestellten F i g. 1 und 2 und weiteren Ausführungsbeispielen noch näher erläutert:
F i g. 1 zeigt die Vorrichtung, bei der die Dotierung des Siliciumeinkristallstabes in Verbindung mit gesteuerten
Hubbewegungen des Stabes erfolgt, während
Fig.2 die gleiche Vorrichtung unter Verwendung
einer Absorberblende darstellt
In F i g. 1 ist eine mit einer Stabhalterung 2 versehene Kammer 3 aus Aluminium dargestellt, die mit einem
Kernreaktor 4 gekoppelt ist Dabei ist in der Seitenwand der Kammer 3 ein Anschluß 5 vorgesehen,
welcher den Neutronenleiter enthält Dieser besteht z. B. aus einem verspiegelten Glaskanal 6. Die übrigen
Seitenwände der Kammer 3 sind mit einem Futter 1 aus Graphit versehen. In der aus Aluminium bestehenden
Stabhalterung 2, welche durch den Deckelteil der Kammer 3 in diese eingeführt wird, ist ein noch
undotierter Siliciumeinkristallstab 7 von 30 mm 0 lotrecht eingespannt Das freie Ende des Stabes 7 wird
in einer im Bodenteil der Kammer 3 angebrachten Stützhülse 8 aus Aluminium geführt Die Stabhalterung
2 ist mit einem außerhalb der Kammer 3 befindlichen Antriebsmechanismus (in der Figur nicht dargestellt)
gekoppelt, so daß gesteuerte Hubbewegungen auf die Stabhalterung 2 und damit auch auf den Siliciumstab 7
ausgeführt werden können, wie durch den Doppelpfeil 9 angedeutet Außerdem wird der Stab zur Homogenisierung
der Dotierung durch den Antriebsmechanismus um seine lotrechte Achse in Drehung versetzt, wie durch
den Drehpfeil 10 angezeigt werden soll. Durch die mit den Bezugszeichen 13 und 14 gekennzeichneten Zu- und
Ableitungen kann die Kammer 3 mit einer Schutzgasatmosphäre versehen werden.
Von dem Kernreaktor 4 wird ein Neutronenstrahl 11
(durch Punkte dargestellt) auf den sich drehenden und mit einer bestimmten, entsprechend der gewünschten
Dotierung eingestellten Hubbewegung beaufschlagten Siliciumeinkristallstab 7 gerichtet, wobei die durch das
Bezugszeichen 12 gekennzeichnete Zone im Siliciumkristallstab 7 bestrahlt und damit dotiert wird.
Durch die Maßnahme, daß die Stabhalterung 2 und damit der Siliciumeinkristallstab 7 entsprechend einem
gewünschten Dotierprogramm mittels des Antriebsmechanismus (Pfeil 9) stetig aus der bestrahlten Zone
herausbewegt wird und der Kristallstab 7 um seine Längsachse in Rotation (10) versetzt ist, beschreibt der
Neutronenstrahl 11 auf dem Stabmantel eine Schraubenlinie, wobei der Abstand der einzelnen Schraubenlinien,
d. h. die Verweilzeit des bestrahlten Stabstückes im Neutronenstrom, der Höhe der durch Kernreaktionen
einzubringenden Dotierungskonzentration entspricht. Die Dotierungsdosis wird außerdem noch durch die
Neutronenflußdichte Φ bestimmt.
Ausführungsbeispiel 1
Zur Erzielung eines spezifischen Widerstandes von 200 Ohm · cm η-Leitfähigkeit längs eines Siliciumeinkristallstabes
von 30 mm 0 sind für einen Durchgang folgende Parameter einzustellen:
Phosphorkonzentration:
200 Ω cm, entsprechend 2,6 · 1013 Atomen cm-3
Therm. Neutronenfluß:
Therm. Neutronenfluß:
2 · 1012 Neutronen cm-2S-1
Vorschub der Stabhalterung:
Vorschub der Stabhalterung:
0,5 cm/h
Rotationsgeschwindigkeit d. Stabhalterung:
Rotationsgeschwindigkeit d. Stabhalterung:
10 Umdrehungen pro Stunde
Anschließende Temperung:
Anschließende Temperung:
mindestens 10 Minuten bei >800°C
In F i g. 2 sind die gleichen Bezugszeichen verwendet
wie in F i g. 1. In den durch die Punkte gekennzeichneten Neutronenstrahl (11) wird eine den Siliciumeinkristallstab
7 allseitig umgebende, aus zwei Teilen 15 und 16 bestehende Schlitzblende 17 aus einem neutronenabsorbierenden
Material, z. B. aus Cadmium, gebracht, welche relativ zum Siliciumeinkristallstab 7 und auch zum
Neutronenstrahl (11) axial verschiebbar ausgebildet ist (s. Pfeile 18), so daß bei entsprechendem Vorschub des
oberen (16) bzw. Nachschub des unteren (15) Blendenteils der Schlitz vergrößert bzw. verkleinert und damit
die bestrahlte Zone 22 im Siliciumeinkristallstab 7 bezüglich ihrer Ausdehnung variiert werden kann. Da
noch eine zusätzliche Hubbewegung (9) des Stabes 7 erfolgt, läßt sich auf der gesamten Länge eines
Siliciumeinkristallstabes durch einen einzigen Durch-
aana pino ^erie verschieden stärkdotier^er Stubabschnitte
erzeugen, so daß aus dem Material eines, auf diese Weise dotierten Siliciumeinkristallstabes gezielt
und reproduzierbar ein ganzes Typenspektrum von Halbleiterbauelementen gefertigt werden kann. Dies
bringt eine erhebliche Materialeinsparung und verringert den Zeitaufwand. Eine weitere Beeinflussung der
Dotierungskonzentration im Stab kann durch die Variation der Bestrahlungsdosis erreicht werden.
Ausführungsbeispiel 2
Phosphorkonzentration:
1,3 · 1013 At/cm3, entspr. 400 Ω cm
ίο Therm. Neutronenfluß:
4 · 10'2Neutronencm~2s~'
Vorschub der Stabhalterung:
Vorschub der Stabhalterung:
2 cm/h
Rotationsgeschwindigkeit der Stabhalterung: 60 Umdrehungen pro Stunde
Cd-Blende aus 2 mm starkem Cd-Blech:
Cd-Blende aus 2 mm starkem Cd-Blech:
Blendenöffnung: 10 cm
Variationsbereich: 2 bis 20 cm
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (14)
1. Vorrichtung zum Bestrahlen von Siliciumeinkristallstäben mit thermischen Neutronen, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:
a) eine Bestrahlungskammer, in der mindestens eine dreh- und axialverschiebbare Halteeinrichtung aus einem, einen geringen Absorptionskoeffizienten für Neutronen aufweisenden Material für mindestens einen lotrecht eingespannten
Kristallstab angeordnet ist,
b) ein mit der Halteeinrichtung gekoppelter, gesteuerte Hubbewegungen ausführender Antriebsmechanismus,
c) ein in der Seitenwand der Bestrahlungskammer angeordneter, einen Neutronenleiter enthaltender, rohr- oder zylinderförmiger Anschluß an ■
einen Kernreaktor und
d) eine Gaszu- und -ableitung für Schutzgase.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlungskammer aus Aluminium, aus einer Zirkonlegierung mit Beimengungen
von Zinn und Eisen, aus Edelstahl, Quarz oder einem polymeren Kohlenwasserstoffderivat besteht
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Neutronenleiter aus einem
verspiegelten Glaskanal besteht
4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stabhalterung und/oder die
Kammerwände an einen Kühlmittelkreislauf angeschlossen sind.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß das nichtgehalterte Stabende des
Halbleiterkristallstabes in einer im Bodenteil der Bestrahlungskammer angebrachten Abstützhülse
geführt ist
6. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 5, gekennzeichnet durch eine zwischen dem Anschluß
an den Kernreaktor und dem Siliciumeinkristalistab angeordnete, in Stabrichtung verschiebbare Neutronenabsorberblende.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Neutronenabsorberblende aus
Cadmium, Gadolinium oder Bor besteht und entlang des Stabes unterschiedliche Wandstärke aufweist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Absorberblende als Formkörper,
Folie oder Aufdampfschicht ausgebildet ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufdampfschicht auf einem
Trägerkörper aus inertem Material aufgebracht ist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet daß die Aufdampfschicht auf der
Mantelfläche des Halbleiterkristallstabes aufgebracht ist.
11. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch
gekennzeichnet daß die Absorberblende aus zu einem Formkörper verpreßtem Cadmium-, Gadolinium- oder Boroxid besteht.
12. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Absorberblende aus einer,
in einem Quarzzylinder befindlichen Lösung einer Verbindung mit Cadmium, Gadolinium oder Bor
besteht, welche einen hohen Gehalt an 113Cd bzw.
157Gd bzw. 10B enthält.
13. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch Bekennzeichnet, daß die Seitenwände der Bestrahlungskammer mindestens teilweise aus einem
neutronenreflektierenden Material bestehen.
14. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß für die gesteuerten Hubbewegungen die Stabhalterung mit einem ferromagnetischen Kern verbunden ist weicher mit außerhalb der
Kammer angeordneten Mitnehmerelektromagneten gekoppelt ist
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