DE2431987C2 - Verfahren zum Verbinden eines mit höckerförmigen Anschlußelektroden versehenen Halbleiterbauelements mit einem Träger - Google Patents

Verfahren zum Verbinden eines mit höckerförmigen Anschlußelektroden versehenen Halbleiterbauelements mit einem Träger

Info

Publication number
DE2431987C2
DE2431987C2 DE2431987A DE2431987A DE2431987C2 DE 2431987 C2 DE2431987 C2 DE 2431987C2 DE 2431987 A DE2431987 A DE 2431987A DE 2431987 A DE2431987 A DE 2431987A DE 2431987 C2 DE2431987 C2 DE 2431987C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
carrier
semiconductor component
connection electrodes
semiconductor components
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2431987A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2431987A1 (de
Inventor
Hanns-Heinz Peltz
Detlev Ing.(grad.) 8000 München Schmitter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE2431987A priority Critical patent/DE2431987C2/de
Publication of DE2431987A1 publication Critical patent/DE2431987A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2431987C2 publication Critical patent/DE2431987C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7402—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7416—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors

Landscapes

  • Dicing (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

dadurch gekennzeichnet,
— daß die höckerförmigen Anschlußelektroden (4) aus Kupfer bestehen und vergoldet sind,
— daß die Substratplatte aus einer einseitig mit Aluminium beschichten Kunststoffplatte (1) besteht,
— daß die Halbleitersche? e auf der mit dem Aluminium beschichteten Seite (5) der Kunststoffplatte (1) befestigt wird und
— daß im Verfahrensschritt c) das Bindewerkzeug impulsgeheizt wird und das Verbinden der Anschlußelektroden (4) mit dem Träger flußmittelfrei in einer N2-Atmosphäre durchgeführt wird.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs. Ein solches Verfahren ist aus der DE-OS 21 08 850 bekannt.
Bei dem bekannten Verfahren wird eine Halbleiterscheibe vor dem Unterteilen in einzelne Bauelemente mit einem Kleber auf eine Substratplatte aufgeklebt, wobei die Substratplatte einerseits eine nicht zu hohe, andererseits eine nicht zu niedrige Wärmeleitfähigkeit aufweist und z. B. aus Kunstharzstoff, möglicherweise mit Füllstoffzusätzen, besteht. Der verwendete Kleber erweicht in einem Bereich von 75 bis 150°C und seine Haftfestigkeit nimmt im Bereich zwischen 150°C bis 3500C ab. Nach dem Aufkleben der Halbleiterscheibe wird diese in Einzelelemente so unterteilt, daß die darunter befindliche Substratplatte zur Erzeugung von Wärmebremsen zwischen den einzelnen Halbleiterbauelementen mit Einschnitten versehen wird, die die Substratplatte nur zu einem gewissen Teil durchsetzen. Bei diesem Verfahren soll beim Verbinden eines Halbleiterbauelements mit zugehörigen äußeren Zuleitungen und beim Loslösen dieses Bauelements von der Substratplatte die Lagegenauigkeit aller übrigen Halbleiterbauelemente zueinander und zur Substratplatte erhalten bleiben, so daß beim automatischen Verbinden der Halbleiterbauelemente mit den Zuleitungen nur ein einmaliges Justieren eines Halbleiterbauelements notwendig ist.
Versuche haben gezeigt, daß eine genaue, möglichst geringe Dosierung der beim Verbinden zugeführten Wärme wesentlich für den Erfolg eines solchen Verfahrens ist.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher. Maßnahmen anzugeben, durch deren Zusammenwirken eine möglichst geringe Dosierung derjenigen Wärmemenge erreicht wird, die einerseits zum Verbinden eines Halbleiterbauelements mit einem äußeren Träger sowie andererseits zum Ablösen dieses Halbleiterbauelements von seiner Unterlage erforderlich ist
Diese Aufgabe wird für das eingangs genannte Verfahren erfindungsgemäß durch den kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs gelöst.
Das impulsgeheizte Bindewerkzeug sorgt dafür, daß nur eine geringe Wärmemenge beim Verbinden der Halbleiterbauelemente mit den Trägern abgegeben wird, die Anwendung höckerförmiger Anschlußelektroden gewährleistet einen geringen Wärmebedarf für das Verbinden der höckerförmigen Anschlußelektroden mit den Trägern, und die Aluminiumbeschichtung der Kunststoffplatte.torgt dafür, daß sich der Wärmeimpuls des Bindewerkzeugs rasch und gleichmäßig über die gesamte Klebefläche ausbreitet, mit der das Halbleiterbauelement auf der Kunststoffplatte aufgeklebt ist, so daß sich das vorhandene Klebemittel rasch erwärmt und das Halbleiterbauelement von der Kunststoffplatte abgehoben werden kann. Bei einem raschen Erwärmen des Klebemittels wird weniger Verlustwärme abgeführt, so daß diese Maßnahme ein Ablösen des bearbeiteten Halbleiterbauelements von der Kunststoffplatte mittels einer geringen Wärmemenge bewirkt. Eine an die Halbleiterbauelemente abgegebene geringe Wärmemenge hat den Vorteil, daß an die benachbarten Halbleiterbauelemente wenig Wärme übertragen wird, so daß deren Lage auf der Kunststoffplatte in einem so hohen Maße konstant ist, daß nach einer einmaligen Justierung eines Halbleiterbauelements gegen das Bindewerkzeug alle weiteren Halbleiterbauelemente mittels eines Mikrometertisches mit geeignetem Vorschub automatisch verbunden werden können.
Die Figur stellt einen Querschnitt der Kunststoffplatte 1 mit aufgeklebter und in einzelne Halbleiterbauelemente 3 unterteilter Halbleiterscheibe dar.
Halbleiterbauelemente 3, welche sich auf der Halbleiterscheibe befinden und mit vergoldeten höckerförmigen Anschlußelektroden 4 aus Kupfer versehen sind, sollen mit vorgefertigten Trägern beziehungsweise Zwischenträgern verbunden werden. Dazu wird die Halbleiterscheibe auf die einseitig mit Aluminium beschichtete Kunststoffplatte 1, und zwar auf der aluminiumbeschichteten Seite 5, mittels eines Klebemittels 7 aufgeklebt. Als Klebemittel 7 kommt ein thermoplastischer Photolack, ein Harz-Wachs-Gemisch oder eine kleberbeschichtete Folie aus Poly-diphenyloscid-pyromellithimid in Betracht. Die auf die Kunststoffplatte 1 aufgeklebte Halbleiterscheibe wird sodann mittels einer Diamantsäge in einzelne Halbleiterbauelemente 3 so aufgeteilt, daß die Lage aller Halbleiterbauelemente 3 auf der Kunststoffplatte 1 nach dem Unterteilen den Toleranzen der einzelnen Halbleiterelemente entspricht. Außerdem wird beim Aufteilen auch
.3
die Kunststoffplatte 1 zur Erzeugung einer Wärmebremse 2 zwischen den einzelnen Halbleiterbauelementen miteingesägt. Da die Lage der Halbleiterbauelemente 3 auf der Kunststoffplatte 1 nach dem Sägen den Toleranzen der entsprechenden Halbleiterbauelemente 3 entspricht, kann nun ein Halbleiterbauelement 3 auf den dazugehörigen Träger genau einjustiert und mit diesem verbunden werden, während die Verbindung aller übriger Halbleiterbauelemente 3 der Halbleiterscheibe mit dem Träger mittels eines mit geeignetem Vorschub versehenen Mikrometertisches automatisch erreicht werden kann, so daß die weiteren Halbleiterbauelemente 3 mit dem dazugehörigen Träger automatisch verbunden werden. Zur Verbindung der Halbleiterbauelemente 3 mit dem Träger wird ein impulsgeheiztes Bindewerkzeug verwendet. Die dabei erzeugte Wärme bringt das Klebemittel 7 zwischen dem gerade zu verbindenden Halbleiterbauelement 3 und der Kunststoffplatte 1 zum Erweichen, so daß sich das Halbleiterbauelement 3 von der Kunststoffplatte 1 ablöst, während es mit dem Träger verbunden wird. Alle übrigen noch an der Kunststoffplatte 1 befindlichen
ΙΊ
Halbleiterbauelemente 3 behalten ihre exakte Lage bei, da ein Wärmefluß von dem bearbeiteten Halbleiterbauelement zu den übrigen hin mittels der durch Einsägen eingebrachten Wärmebremsen 2 vermieden wird. Problematisch bei diesem Verfahren ist die Wahl des geeigneten Klebemittels 7. Die Erweichungstemperatur des Klebemittels 7 muß nämlich einerseits entsprechend hoch genug sein, um die geforderte Lagegenauigkeit der Halbleiterbauelemente 3 auf der Kunststoffplatte 1 zu garantieren, und andererseits entsprechend niedrig genug sein, um eine ausreichende Erweichung bei derjenigen Temperatur zu gewährleisten, die während der Verbindung des Halbleiterbaueiementes 3 mit dem Träger im Klebemittel 7 auftritt, so daß sich das Halbleiterbauelements dabei leicht von der Kunststoffplatte 1 löst. Die einseitige Aluminiumbeschichtung der Kunststoffplatte ist nötig, um ein Ankleben des Halbleiterbauelementes 3 an die Kunststoffplatte 1 beim Verbinden des Hafbleiierbauelementes mit dem Träger beziehungsweise Zwischenträger zu verhindern.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Verfahren zum Verbinden eines mit höckerförmigen Anschtußelektroden versehenen Halbleiterbauelements mit einem Träger,
    a) bei dem eine Halbleiterscheibe, die mehrere Halbleiterbauelemente aufweist, mit einem Klebemittel, das bei ca. 130° C erweicht, auf einer kunststoffhaltigen Substratplatte befestigt wird,
    b) bei dem sodann die Halbleiterscheibe durch Sägen in die einzelnen Halbleiterbauelemente aufgeteilt wird, wobei auch die Substratplatte zwischen den einzelnen Halbleiterbauelementen eingesägt wird,
    c) bei dem sodann die Anschlußelektroden eines der Halbleiterbauelemente mit Hilfe eines geheizten Bindewerkzeugs mit dem zugehörigen Träger verbunden werden, wobei die durch das Bindewerkzeug zugeführte Wärme die Hattvirkung des Klebemittels zwischen dem zu verbindenden Halbleiterbauelement und der Substratplatte erniedrigt, so daß sich das Halbleiterbauelement von der Substratplatte ablösen läßt, nachdem es mit dem Träger verbunden ist,
DE2431987A 1974-07-03 1974-07-03 Verfahren zum Verbinden eines mit höckerförmigen Anschlußelektroden versehenen Halbleiterbauelements mit einem Träger Expired DE2431987C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2431987A DE2431987C2 (de) 1974-07-03 1974-07-03 Verfahren zum Verbinden eines mit höckerförmigen Anschlußelektroden versehenen Halbleiterbauelements mit einem Träger

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2431987A DE2431987C2 (de) 1974-07-03 1974-07-03 Verfahren zum Verbinden eines mit höckerförmigen Anschlußelektroden versehenen Halbleiterbauelements mit einem Träger

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2431987A1 DE2431987A1 (de) 1976-01-22
DE2431987C2 true DE2431987C2 (de) 1983-09-01

Family

ID=5919626

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2431987A Expired DE2431987C2 (de) 1974-07-03 1974-07-03 Verfahren zum Verbinden eines mit höckerförmigen Anschlußelektroden versehenen Halbleiterbauelements mit einem Träger

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2431987C2 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5798286A (en) * 1995-09-22 1998-08-25 Tessera, Inc. Connecting multiple microelectronic elements with lead deformation
DE19850873A1 (de) * 1998-11-05 2000-05-11 Philips Corp Intellectual Pty Verfahren zum Bearbeiten eines Erzeugnisses der Halbleitertechnik
US6495397B2 (en) * 2001-03-28 2002-12-17 Intel Corporation Fluxless flip chip interconnection

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3706409A (en) * 1970-02-26 1972-12-19 Gen Electric Semiconductor lead attachment system including a semiconductor pellet orientation plate
DE2023680C3 (de) * 1970-05-14 1975-07-24 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Anordnung zur Kontaktierung von Halbleiterbauelementen und Verfahren zur Herstellung derselben

Also Published As

Publication number Publication date
DE2431987A1 (de) 1976-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2802654C3 (de) Befestigung einer Halbleiterplatte an einer Läppscheibe
EP0481998B1 (de) Uv-härtbarer klebstoff für ein halbleiterchipmontageverfahren
DE2604155C3 (de) Verfahren zur Anbringung einer Etiketthülle auf einer Polyäthylen-Flasche
DE808052C (de) Verfahren zum Aufbringen leitender Metallschichten auf isolierende Traegerkoerper
CH620942A5 (en) Process and device for gluing workpieces made of wood or of wood-based material to one another or to foils or veneers
DE2604215C3 (de) Verfahren zum Anbringen einer Etiketthülle auf einer Polyäthylenflasche sowie Etiketthülle zur Durchführung des Verfahrens
DE2431987C2 (de) Verfahren zum Verbinden eines mit höckerförmigen Anschlußelektroden versehenen Halbleiterbauelements mit einem Träger
CH668526A5 (de) Verfahren zur verkapselung von auf einem traegerband montierten halbleiterkomponenten.
DE102011079410B4 (de) Verfahren zur Fixierung zumindest eines Bauteils auf einem Träger
DE19739684B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Chipstapeln
DE10235019A1 (de) Verfahren zum Beschichten von plattenförmigen Werkstücken mit einer Dekorfolie
EP1159363B1 (de) Vorrichtung und verfahren zur verklebung von fügeteilen
DE19819054B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Montage und Justierung von Bauteilen auf einer Befestigungsunterlage
DE4307487C2 (de) Heißprägefolie und Verfahren zu deren Herstellung
DE69421584T2 (de) Elektrische beheizte Verbundglasscheibe
DE2541667A1 (de) Verfahren zur herstellung gedruckter schaltungsplatinen
DE19532230C2 (de) Verfahren zum Ankleben eines Bremsbelags an einen Bremsbelagträger
EP1030075B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Aufkleben von Reibbelagssegmenten auf einen Tragring
DE3242283A1 (de) Verfahren zur herstellung eines ein- oder mehrduesigen tintenstrahldruckers
DD158076A1 (de) Verfahren zum kleben von halbleiterchips auf traegerkoerpern
EP4323167A1 (de) Verfahren zur fixierung eines materialblocks zur mechanischen bearbeitung
DE1523697B2 (de) Verfahren zum Befestigen von körperlichen Marken auf Zifferblättern von Kleinuhren
EP0307990A1 (de) Oberflächenmontierbares Bauelement mit Kleberbeschichtung
DE8328344U1 (de) Formgebungsmaske
DE2653366A1 (de) Verfahren zum teilautomatisierten verbinden von halbleiterchips mit einem traeger

Legal Events

Date Code Title Description
8125 Change of the main classification

Ipc: H01L 21/60

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee