DE2424204A1

DE2424204A1 - Halbleiterelement

Info

Publication number: DE2424204A1
Application number: DE19742424204
Authority: DE
Inventors: Takashi Kitsuregawa; Jun-Ichi Nishizawa
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp; Semiconductor Research Foundation
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp; Semiconductor Research Foundation
Priority date: 1973-05-19
Filing date: 1974-05-17
Publication date: 1974-11-21
Also published as: CA1010155A; NL161303C; FR2230080A1; NL7406670A; JPS5012988A; DE2424204C2; JPS5525506B2; GB1475124A; FR2230080B1; NL161303B

Description

FATENTANWAlTS 2424204 HENKEL—KERN — FEILER— HÄNZ EL—MÜLLER

DR. PHIL. DIPL.-ING. DR. RER. NAT. DIPL.-ING. DIPL.-ING.

Tiiix n\ j» HO2 HNKi. i> EDUARD-SCHMID-STRASSE 2 bayerische Hypotheken- und

T LI. Ii I -ON: ({ h I !) 6<i 31 97, 66 30 91-92 _onnn ..nKimrr., η η WECHSELBANK MÜNCHEN NR. 318 - 85 III

TIXlXiRAMMh I'.l.LIPSOID MÜNCHEN U-8ÜOO MÜNCHEN 50 POSTSCHECK: MCHN 1621 47 —809

Semiconductor Research foundation * 7 Mfli 1074

und Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha, ^! '' ^{lhi lOf}^

oendaj bzw. Tokio,. Japan

Halbleiterelement

Die Erfindung betrifft ein verbessertes Halbleiterelement.

Halbleiterelement^ oder, -vorrichtungen sollten eine möglichst geringe Größe und ein möglichst niedriges Gewicht bei gleichzeitig möglichst hoher Genauigkeit besitzen. Die herkömmlichen Halbleiterelemente der Art, auf welche sich die Erfindung bezieht, weisen nur auf der einen Seite ausgebildete Elektroden auf. Infolgedessen konnte bisher nur eine begrenzte Anzahl von Elektroden auf einer vorbestimmten Oberfläche des Halbleiterelements untergebracht werden. Mit anderen Worten: Es war bisher unmöglich, mehr als eine vorbestimmte Anzahl von Elektroden auf einer vorbestimmten Oberfläche anzuordnen. Insbesondere bei integrierten Schaltkreisen wurden bisher kaum Feldeffekttransistoren bei hohen Frequenzen benutzt, da sich öie Kapazitäten z\tfischen den Elektroden bei zunehmender Verkleinerung des Abstands zwischen den Elektroden erhöhen.

Zur Beseitigung dieser Mängel ist bereits vorgeschlagen worden, einen Halbleiterbereich mit hoher Fremdatomkonzentration in das Substrat für das Halbleiterelement einzubetten und auf diese Weise die Elektroden nicht nur auf der Oberfläche des Substrats, sondern auch in dessen Innerem anzuordnen. Die be-

- 2

'^As/B1/R0 409847/0963

kannten Halbleiterelemente, bei denen Halbleiterbereiche mit hoher Fremdatomkonzentration in das Substrat eingebettet sind, waren daher insofern nachteilig, als das Vorhandensein der Kapazität die Eingangsimpedanz bei hohen Frequenzen sehr niedrig werden läßt, was von einer Verringerung der Grenzfrequenz begleitet ist. Diese Verminderung der Eingangsimpedanz und mithin der G-renzfrequenz tritt bei integrierten Schaltkreisen besonders deutlich zutage. Infolgedessen wurden die bekannten. Halbleiterelemente mit eingebetteten Halbleiterbereichen hoher Fremdatomkonzentration kaum bei hohen Frequenzen angewandt.

Der Erfindung liegt damit in erster Linie die Aufgabe zugrunde, ein neuartiges Halbleiterelement mit verbesserten Hochfrequenzeigenschaften zu schaffen.

Diese Aufgabe wird bei einem Halbleiterelement der genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß es' ein Substrat aus einem Halbleitermaterial und einen in das Substrat eingebetteten Halbleiterbereich mit hoher Fremdatomkonzentration aufweist, und daß es eine Induktivität zur Verbesserung der Eingangsimpedanz des Halbleiter elements besitzt.

Vorzugsweise kann der Halbleiterbereich in mehrere langgestreckt und schmal ausgebildete Abschnitte unterteilt sein.

Zur Verbesserung der Induktivität kann ein Streifen aus magnetischem Material vorzugsweise in ohmschem Kontakt mit jedem der unterteilten Abschnitte des Halbleiterbereichs angeordnet sein und sich über dessen Länge hinweg erstrecken, während die Elektroden für die unterteilten Abschnitte des Halbleiterbereichs jeweils durch die Magnetstreifen unterlegt sind.

Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:

409847/0963

_ ¹Z _

Fig. 1 ein schematisches Schaltbild, welches in Form eines Vierpolnetzwerks eine einem herkömmlichen Halbleiterelement äquivalente übertragungsleitung sseigt,

Pig. 2 ein Pig. 1 ähnelndes Schaltbild einer Übertragungsleitung zur Erläuterung der Prinzipien der Erfindung,

Pig. 3 einen schematischen Teilschnitt durch einen Feldeffekttransistor vom vertikalen Typ mit erfindungsgemäßem Aufbau,

Pig. 4 eine Pig. 3 ähnelnde Ansicht einer abgewandelten Ausführungsform,

Pig. 5a einen schematischen Teilschnitt durch einen anderen Feldeffekttransistor mit den Merkmalen der Erfindung,

Fig. 5b eine Fig. 5a ähnelnde Ansicht, welche jedoch auf der Anordnung gemäß Fig. 5a vorgesehene Elektroden veranschaulicht,

Fig. 5c und 5d der Fig. 5b ähnelnde Ansichten, welche jedoch abgewandelte Anordnungen zeigen,

Fig.. 6a eine schematische Aufsicht auf eine Ausführungsform der Erfindung,

Fig. 6b einen Schnitt längs der Linie VIb-VIb in Fig. 6a, Fig. 6c einen Schnitt längs der Linie VIc-VIc in Fig. 6a,

Fig. 7a, 7b und 7c Teilschnittansichten weiter abgewandelter Ausführungsformen der Erfindung und

409847/0983

Pig. 8a und 8b Schaltbilder verschiedener Ausführungsformen der Erfindung, die in einen integrierten Schaltkreis eingeschaltet sind.

In Mg. 1 ist in Form eines Tierpolnetzwerks eine Übertragungsleitung dargestellt, die ein Beispiel für ein bei hohen Frequenzen betriebenes Halbleiterelement darstellt. Gemäß Fig. 1 weist die dargestellte Übertragungsleitung lediglich über ihre Länge hinweg verteilte parallele Kapazitäten, bei denen jede Längeneinheit eine Kapazität C besitzt, jedoch keine Induktivität auf. Infolgedessen besitzt die Übertragungsleitung pro Längeneinheit eine Impedanz entsprechend 1/ju)C, worin j die imaginäre Einheit und 6) die Frequenz eines Wechselstroms oder einer Wechselspannung für die Leitung angibt. Die Impedanz hängt somit unmittelbar von der Frequenz dieses Stroms oder dieser Spannung ab, und sie verringert sich mit zunehmender Frequenz. Bei den Halbleiterelementen der durch die Übertragungsleitung gemäß Fig. 1 angegebenen Art verringert sich daher die G-renzfrequenz, wenn sich die betreffende Frequenz erhöht.

Die Erfindung zielt auf die Ausschaltung der Nachteile der vorstehend beschriebenen bekannten Konstruktionen ab und bezweckt die Schaffung eines Halbleiterelements, bei dem in ein Halbleitersubstrat ein Halbleiterbereich mit hoher Fremdatomkonzentration eingebettet ist, der eine ausreichende Induktivität besitzt, um die Eingangsimpedanz zu verbessern und dabei die Frequenzabhängigkeit herabzusetzen, so daß das Element auch bei hohen Frequenzen eingesetzt werden kann.

Wenn ein in einem Hochfrequeiftand betriebenes Halbleiterelement einen Übertragungsabschnitt größer als .λ/4, mit Agleich der betreffenden Wellenlänge, enthält, wird die zugeordnete Phase gedreht, bis in einem den Übertragungsabschnitt durch-

409847/0963

fließenden Strom eine Komponente mit umgekehrter Phasenfolge erzeugt wird, welche einen Stromsperrbetrieb zu bewirken bestrebt ist. Infolgedessen besitzt der Übertragungsabschnitt vorzugsweise eine kleinere Länge als X/4.

Erfindungsgemäß kann dagegen die Länge des Übertragungsabschnitts größer sein als ein Viertel der Wellenlänge bzw. λ/4. Dies stellt eines der charakteristischen Merkmale der Erfindung dar. Zu diesem Zweck kann beispielsweise ein Drain-Bereich des Feldeffekttransistors langgestreckt und schmal ausgebildet oder in mehrere Abschnitte unterteilt sein. Wahlweise können die unterteilten Abschnitte des Drain-Bereichs über äußere induktive Elemente miteinander verbunden oder mit einer Kabelleitung verbunden sein. Durch diese Maßnahmen wird dem Drain-Stromkreis eine Phasenverschiebung erteilt, welche die Gesamtphasenverschiebung kompensiert.

Pig. 2 veranschaulicht eine Übertragungsleitung, welche theoretisch ein erfindungsgemäß ausgebildetes und in einem Hochfrequenzband betriebenes Halbleiterelement darstellt. Aus einem Vergleich zwischen Pig. 2 und Pig. 1 geht hervor, daß sich die Übertragungsleitung gemäß Pig. 2 nur darin von derjenigen gemäß Pig. 1 unterscheidet, daß zwischen je zwei parallele Kapazitäten je eine Reiheninduktivität L unter Bildung einer L-C-Mter-Schaltung eingeschaltet ist. Wenn die Übertragungsleitung beispielsweise eine Länge 1 sowie eine Induktivität L und eine Kapazität C pro Längeneinheit besitzt, läßt sich die charakteristische Impedanz Z durch Vl/C"ausdrücken, was von den Prequenzeigenschaften der Leitung unabhängig ist. Wenn die Winkelfrequenz dem Verhältnisii)j3./l\L/C entspricht, bewirkt die Hinzufügung der Induktivitäten zur Leitung eine Erhöhung der Impedanz, weil das Verhältnis VL/öytyfcal«C eingehalten wird.

Wenn ein elektrischer Leiter eine Länge von 1 und einen Durch-

409847/0983

messer von d besitzt, besitzt er im Hochfrequenzbereich eine Induktivität L, die sich durch folgende Gleichung ausdrucken läßt: -

1=2 1(I_n -|~ - 1) (Nanohenry)

Aus obiger Gleichung ist ersichtlich, daß zur Hinzufügung einer Induktivität 1 "ein Halbleiterbereich mit hoher Fremdatomkonzentration, der in ein Substrat aus einem Halbleitermaterial eingebettet ist, mit einer großen Länge 1 der Leitung und einem kleinen Leitungsdurchmesser d, d.h. der langgestreckt und schmal ist, auf der Oberfläche des Substrats oder in dessen Innerem angeordnet sein muß.

Im folgenden ist nunmehr ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements mit hinzugefügter Induktivität beschrieben Reiner Wasserstoff, als Trägergas, wird in-vorbestimmter Durchsatzmenge durch einai Behälter geleitet,' der Siliziumtetra-. Chlorid (SiCl.) im Gemisch mit etwa 3 Vol.-tf Bortribromid (BBr₅) enthält, während reiner Wasserstoff, als Trägergas, in vorbestimmter Durchsatzmenge einen anderen Behälter durchströmt, der Siliziumtetrachlorid (SiCl.) im Gemisch mit etwa 40 VoI.-^ Germaniumtetrachlorid (GeCl.) enthält. Gleichzeitig wird reiner Wasserstoff, als Trägergas, mit vorbestimmter Durchsatzmenge durch einen getrennten, Siliziumtetrachlorid (SiCl.) enthaltenden Behälter geleitet.

Sodann werden Wasserstoffvolumina, welche die vorstehenden beschriebenen Bestandteile aus den drei Behältern enthalten, zu einem Ofen geleitet, der auf 1200⁰C erwärmt ist und ein Siliziumsubstrat enthält. Im Ofen werden die Bestandteile einer Re- · duktionsreaktion unterworfen, um auf dem Siliziumsubstrat eine hoch mit Germanium und Bor dotierte Siliziumschicht anwachsen zu lassen.

409847/0963

Die auf gewachsene Schicht wird "bezüglich der in ihr auftretenden Spannungen kompensiert, so daß die Dehnung oder Spannung insgesamt klein wird. Dies geschieht deshalb, weil die gezüchtete Schicht Germanium, das einen tetraedrisehen kovalenten Radius von 1,22 Ä "besitzt, der größer ist als derjenige von Silizium mit 1,1.7 S, und Bor mit einem tetraedrischen kovalenten Radius von 0,88 Ä enthält, welcher kleiner ist als derjenige von Silizium. Die gezüchtete Schicht be-

20 sitzt eine hohe Premdatomkonzentration von etwa 2 χ 10 Atome pro enr. Das Siliziumsubstrat mit der darauf "befindlichen aufgewachsenen oder gezüchteten Schicht kann dann einem selektiven Wachstum, einer selektiven Diffusion, einem selektiven Ätzen usw. unterworfen werden, um ein Halbleiterelement zu bilden, das die gewünschten langgestreckten, schmalen Halbleiterbereiche mit hoher Premdatomkonzentration aufweist.

In einem Beispiel wurde ein Halbleiterbereich mit hoher Premdatomkonzentration der vorstehend beschriebenen Art zu einem Rundstab mit einem Radius von 5 P- und einer Länge von 1 cm in einem Siliziumsubstrat mit einer Iremdatomkonzentration von 8 χ 10 Atome/enr geformt. Der Stab besaß eine Induktivität von 14,36 Nanohenry und eine Kapazität von 6 pF, woraus sich eine charakteristische Impedanz von etwa 49/tim Ultrahochfrequenzband ergab. Ein herkömmliches Halbleiterelement, ohne hinzugefügte Induktivität besitzt dagegen eine charakteristische

— 1
Impedanz von 2,65 x 10 JT- bei z.B. 100 GHz. Erfindungsgemäß kann somit die charakteristische Impedanz um etwa einen Faktor 200 erhöht werden.

Obgleich die Erfindung vorstehend in Verbindung mit einer Kombination der Elemente Silizium, Germanium und Bor beschrieben ist, ist zu beachten, daß sie keineswegs auf das beschriebene Verfahren und auf die angegebenen Ausgangsmaterialien beschränkt ist, sondern gleichermaßen auf eine Vielfalt von Verfahren zur

409847/0963

Herstellung des Halbleiterbereichs mit hoher Fremdatomkonzentration sowie auf eine Vielfalt von Kombinationen von Halbleiter-Do tierungs- und -Komp ens ations element en anwendbar ist, beispielsweise auf Silizium (Si), Antimon (Sb) und Phosphor (P), Silizium (Si), Germanium (Ge) und Phosphor (P) usw. Es ist wesentlich, daß der Halbleiterbereich mit hoher Fremdatomkonzentration, der zur Erzielung einer niedrigen Gesamtspannung spannungskompensiert ist, unter Verwendung von Elementen von größerem oder kleinerem kovalenten Radius als dem des betreffenden, das Substrat bildenden Halbleiterelements gebildet wird.

Fig. 3 zeigt einen Schnitt durch einen gemäß den Erfindungsprinzipien hergestellten Feldeffekttransistor vom vertikalen Typ. Die dargestellte Anordnung weist ein Substrat aus einem Halbleitermaterial, einen auf der einen der beiden einander gegenüberliegenden Hauptflächen angeordneten und sich über die gesamte Oberfläche erstreckenden Source-Bereich 12, einen in den Mittelteil des Substrats 10 eingebetteten und in mehrere, im vorliegenden Fall in vier Abschnitte unterteilten Gate-Bereich 14 sowie einen an der anderen Hauptfläche des Substrats in dieses eingebetteten, ebenfalls in drei Abschnitte unterteilten Drain-Bereich 16 auf.

Der einzige Source-Bereich 12 ist auch an Masse anschließbar. Der Gate-Bereich 14- besteht gemäß Fig. 3 aus langgestreckten Fingern von kleinem, kreisförmigen Querschnitt, so daß er Induktivität erhält. Ebenso besteht der Drain-Bereich 16 aus langgestreckten Fingern von kleinem, kreisförmigen Querschnitt, wodurch der Drain-Bereich Induktivität erhält.

Um den Feldeffekttransistor gemäß Fig. 3 als gleichmäßig verteiltes Netzwerk mit mehreren parallelen L-C-Ketteneinheiten auszubilden, wird der Drain-Bereich 16 vorzugsweise in mög-

409847/0963

liehst viele Pinger unterteilt, wobei diese unterteilten Pinger möglichst langgestreckt und schmal oder dünn sind.

In Pig. 4, in welcher den Teilen von Pig. 3 entsprechende oder ähnelnde Teile mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet sind, ist eine Abwandlung der Anordnung von Pig. 3 dargestellt. Die dargestellte Ausführungsform unterscheidet sich nur darin von derjenigen gemäß Pig» 3, daß die unterteilten Pinger des Drain-Bereichs 16 an der anderen Hauptfläche des Substrats 10 angeordnet und außenseitig an induktive Elemente Ii angeschlossen sind. Die Anordnung ist somit vom unterteilten Drain-Typ, und sie vermag eine zwischen Source- und G-ate-Bereich auftretende Phasenverschiebung durch die zwischen Gate- und Drain-Bereich auftretende Phasenverschiebung zu kompensieren. Gleichzeitig fügen die induktiven Elemente L_ dem Drain-Bereich weitere Induktivitäten hinzu, wodurch eine Hochfrequenzkompensation erreicht wird. Weiterhin kann eine Schwingenergie vom . Peldeffekttransistor gemäß Pig. 4 über die induktiven Elemente L zu einer Nutzvorrichtung übertragen werden. Diese Anordnung kann also als Oszillator für elektronische Zwecke und dgl. verwendet werden.

Gemäß Pig. 5a sind ein Source-Bereich 12 beispielsweise in drei langgestreckte, schmale Pinger und ein Gate-Bereich 14 in zwei Pinger unterteilt, die in die eine der gegenüberliegenden Hauptflächen eingebettet sind. Ein Drain-Bereich 16 ist ebenfalls in zwei langgestreckte, schmale Pinger unterteilt, die an der anderen Hauptfläche in das Substrat eingebettet sind.

Pig. 5b veranschaulicht eine praktisch der Ausführungsform gemäß Pig. 5a entsprechende Anordnung, bei welcher jjedoch feine Streifen 12', 14' und 16' aus einem Metall mit niedrigem spezifischen Widerstand in ohmschem Kontakt mit den Source-, Gate- und Drain-Bereichen 12, 14 bzw. 16 angeordnet sind, so daß sie

409847/0963

sich über die Gesamtlänge dieser Bereiche erstrecken. Die metallenen Streifen "bilden Elektroden und dienen zur Verminderung des leitungsverluste sowie dazu, den betreffenden Bereichen zusätzliche Induktivität zu erteilen«.

Die Anordnung gemäß Fig. 5 c unterscheidet sich darin von derjenigen gemäß Fig. 5b, daß bei ihr der Drain-Bereich 16 und mithin die Drain-Elektrode 16^! nicht unterteilt ist. Bei der Anordnung gemäß Fig. 5c kann die Source-Elektrode 12' und/oder die Gate-Elektrode 14¹ gewünschtenfalls eine zusätzliche Induktivität besitzen. Diese Anordnung bildet durch die im Ultrahochfrequenzband verbesserte Impedanz eine Wanderwellenschaltung. Infolge der Metallverdrahtung wird der zugeordnete Widerstand niedrig. Infolgedessen ist ersichtlicherweise die Grenzfreq_uenz verhältnismäßig hoch.

Die Anordnung gemäß Fig. 5d unterscheidet sich insofern von derjenigen gemäß Fig. 5c, als der Drain-Bereich 16 und die betreffende Elektrode 16' gegen den Source-Bereich 12 und die zugeordnete Elektrode 12· ausgetauscht sind.

Fig. 6 zeigt eine Abwandlung der Erfindung, bei welcher ein Feldeffekttransistor einen Source-, einen Gate- und einen Drain-Bereich aufweist, die nur in die eine der beiden Hauptflächen eines Halbleitersubstrats eingebettet sind. Wie am besten aus Fig. 6a hervorgeht, ist ein streifenförmiger Gate-Bereich 14 zwischen einem Souree-Bereich 12 und einem unterteilten Drain-Bereich 16 angeordnet. Gemäß den Fig. 6b und 6c sind metallene Streifen 12', 14' und 16' der vorher in Verbindung mit Fig. 5b beschriebenen Art in ohmschem Kontakt mit

dem Source-, Gate- bzw. Drain-Bereich 12, 14 bzw. 16 angeordnet, so daß sie die betreffenden Elektroden bilden und die gleiche Aufgabe erfüllen wie bei der Anordnung gemäß Fig. 5b.

409847/0963

Außerdem sind die Drain-Bereiche 16 "bzw. die Elektroden 16' außenseitig über induktive Elemente L miteinander verbunden. Diese induktiven Elemente L erfüllen die vorher in Verbindung mit Pig. 4-beschriebene Aufgabe.

. 7a veranschaulicht eine Abwandlung der Anordnung gemäß Pig. 5b, bei welcher ein Streifen 18 aus magnetischem Material hoher Permeabilität in ohmsehern Kontakt mit den einzelnen Fingern der Source-, Gate- und Drain-Bereiche 12, 14 bzw. 16 angeordnet ist und sich über die gesamte länge des betreffenden Fingers erstreckt. Die metallenen Elektroden besitzen die Form von schmalen Streifen 12', 14' und 16', die mit den betreffenden Magnetstreifen 18 unterlegt sind. Die Magnetstreifen 18 vermögen effektiv die den betreffenden Fingern der Source-, Gate- und Drain-Bereiche hinzugefügten Induktivitäten zu erhöhen.

Wenn das Magnetmaterial der Streifen 18 einen niedrigen spezifischen Widerstand besitzt, können die metallenen Elektroden weggelassen werden, so daß stattdessen die Streifen 18 als Elektroden 18 benutzt werden können.

Die Anordnungen gemäß den Fig. 7b und 7c entsprechen praktisch denjenigen gemäß den Fig. 5b bzw. 5c, nur mit dem Unterschied, daß in den Fig. 7b und 7c die Elektroden 12', 14¹ und 16' mit den Magnetstreifen 18 unterlegt sind.

Fig. 8a zeigt eine Aufsicht auf einen integrierten Schaltkreis, bei dem zwei erfindungsgemäße Feldeffekttransistoren vorgesehen sind. Gemäß Fig. 8a ist der Gate-Elektrode 14' eine äußere Induktivität L hinzugefügt. Die Drain-Elektrode befindet sich auf der Unterseite und ist daher nicht sichtbar. Aus Fig. 8a ist ersichtlich, daß die Erfindung neben dem Einzelelement gleichermaßen auf die ebenfalls als Verdrahtungselement dienende Gate-Elektrode anwendbar ist.

409847/0963

8b ist eine Pig. 8a ähnelnde Ansicht, in welcher jedoch nduktivität
hinzugefügt ist.

die Induktivität L weiterhin auch zur Source-Elektrode 12'

Obgleich in den Fig. 8a und 8b zwei Feldeffekttransistoren dargestellt sind, kann ersichtlicherweise jede gewünschte Anzahl derartiger Transistoren im integrierten Schaltkreis angeordnet sein. Außerdem kann bei der Anordnung gemäß Pig. 8a die Induktivität der Drain-Elektrode anstatt der Source-Elektrode hinzugefügt werden. Die Erfindung ist zwar vorstehend in-Verbindung mit einem Unipolar-Transistor beschrieben, doch ist der Zweck der Erfindung, nämlich die Verbesserung der Frequenzcharakteristik durch Verwendung der Yanderwellenkonstruktion, nicht auf oder durch einen derartigen Transistor beschränkt, vielmehr ist die Erfindung gleichermaßen auf andere Halbleiterelemente anwendbar.

Die Erfindung bietet zahlreiche Vorteile. Beispielsweise ist erfindungsgemäß ein Halbleiterbereich mit hoher Fremdatomkonzentration in ein Halbleitersubstrat eingebettet, um diesem Induktivität zu erteilen, so daß ein Abfall der Eingangsimpedanz bei hohen Frequenzen verhindert wird. Die Hochfrequenzcharakteristik bleibt daher auch bei einer Erhöhung der Betriebsfrequenz praktisch unverändert. Das erfindungsgemäße Halbleiterelement vermag mit hoher Genauigkeit zu arbeiten, während es gleichzeitig geringe Größe und niedriges Gewicht besitzt. Dies beruht darauf, daß erfindungsgemäß Halbleiterelemente als Paket ausgebildet sind, so daß die Notwendigkeit für die Anbringung von zugeordneten Bauteilen entfällt, während die Elektroden im Inneren des Elements angeordnet werden können.

Zusammenfassend werden mit der Erfindung somit Halbleiterelemente geschaffen, die einen in das Halbleitersubstrat einge-

4098 47/0 963

betteten Halbl ei t erb er eich mit holier Fremdatomkonzentration aufweisen. Der Halbleiterbereich ist in eine Anzahl von langgestreckten, schmalen oder dünnen Abschnitten unterteilt, um ihm Induktivität zu erteilen.

409847/0963

Claims

-H-Patentansprüche

Halbleiterelement, dadurch. g e k e η η ζ e i eh.-. net, daß es ein Substrat aus einem Halbleitermaterial und einen in das Substrat eingebetteten Halbleiterbereich, mit hoher IPremdatomkonzentration aufweist, und daß es eine Induktivität zur Verbesserung der Eingangsimpedanz des Halbleiterelements besitzt.
2. Halbleiterelement nach Anspruch 1, dadurch, gekennzeichnet, daß der Halbleiterbereich in mehrere langgestreckt und schmal bzw. dünn ausgebildete Abschnitte unterteilt ist.
3. Halbleiterelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß je ein Streifen aus magnetischem Material in ohmschem Kontakt mit den unterteilten Abschnitten des Halbleiterbereichs angeordnet ist und daß die magnetischen Streifen jeweils metallenen Elektroden unterlegt sind.

409847/0963

1$

Leerseite