DE2414429A1 - Schaltungsanordnung zur ableitung von reststroemen - Google Patents
Schaltungsanordnung zur ableitung von reststroemenInfo
- Publication number
- DE2414429A1 DE2414429A1 DE19742414429 DE2414429A DE2414429A1 DE 2414429 A1 DE2414429 A1 DE 2414429A1 DE 19742414429 DE19742414429 DE 19742414429 DE 2414429 A DE2414429 A DE 2414429A DE 2414429 A1 DE2414429 A1 DE 2414429A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- circuit arrangement
- voltage divider
- base
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/14—Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature
Landscapes
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Description
R. 2000
Anlage zur
Patentanmeldung
Patentanmeldung
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Ableitung von Restströmen vorzugsweise in monolitisch integrierten
Schaltungsanordnungen, mit einem Transistor, dessen
Kollektor an einen ersten Knoten angeschlossen ist, von dem
die Restströme abgeleitet werden sollen, und dessen Emitter mit einem zweiten Knoten in Verbindung steht, wobei der
zweite Knoten vorzugsweise eine der Klemmen der Versorgungsspannung
ist.
-2-
5Q384Ü/0G86
Restströme treten vor allem bei Transistorschaltungsanordnungen
in Erscheinung, die als Schalter benützt werden. Im gesperrten Zustand eines Transistors ist nämlich
sein Kollektorstrom nicht unendlich klein, sondern er ist ungleich Null und stark von der Temperatur abhängig. Bei
einer Vielzahl von Transistorstrukturen z.B. in einem monolitisch integrierten Schaltkreis können sich diese Restströme
sehr unangenehm bemerkbar machen, vor allem, wenn dem als Schalter arbeitenden Transistor eine Verstärkerstufe nachgeschaltet
ist. Es sind daher Vorkehrungen zur Ableitung dieser Restströme zu treffen, wobei die Einrichtung zur
Ableitung nach Möglichkeit die gleiche Temperaturabhängigkeit' haben sollte wie der durch den Transistor fließende
Reststr'om.
In der Zeichnung ist in Figur 1 eine bekannte Schaltungsanordnung zur Ableitung der Restströme angegeben. Mit
10 ist hier ein Schalttransistor gekennzeichnet und mit
11 dessen Steuartransistor. Eine den Schaltvorgang auslösende
Signalspannung ist an die'Basis des Steuertransistors
11 vom PNP-Typ anschließbar. Während der Emitter
dieses Steuertransistors 11 mit einer Plusleitung 12 verbunden ist, ist sein Kollektor über einen Widerstand
13 mit einem Knotenpunkt 14 gekoppelt, an den die Basis des Schalttransistors 10 angeschlossen ist. Der Ausgang
16 der Schaltungsanordnung entspricht dem Kollektor des Schalttransistors 10 vom NPN-Typ und dessen Emitter ist
mit einer Minusleitung 18 verbunden. Zwischen den Knotenpunkt 14 und einem weiteren Knotenpunkt 19, der auf der
Minusleitung 18 liegt, ist eine Reihenschaltung aus einem NPN-Transistor 20 und einem Widerstand 21 angeordnet.
Die Basis dieses NPN-Transistors 20 liegt an einer
Verbindungsstelle 22 einer Reihenschaltung aus einem
Widerstand 23 und einer in Durchlaßrichtung gepolten Diode 24 zwischen der Plusleitung 12 und der Minusleitung
.18.
5Q984Q/0586 ~3~
Der leitende Zustand des Schalttransistors 10 wird herbeigeführt, in dem der Steuertransistor 11 über seine Basis
leitend gesteuert wird und so der Basis des Schalttransistors 10 über den Widerstand 13 Strom zuführt, wodurch der
Schalttransistor 10 ebenfalls leitend wird. Der Steuertransistor 11 und der strombegrenzende Widerstand 13 sind hier
als Beispiel für eine Ansteuerschaltung gedacht und können
durch eine andere Schaltung ersetzt werden. Soll der Schalttransistor 10 gesperrt werden, so wird der Steuertransistor
11 durch ein geeignetes Signal an seiner Basis gesperrt. Eine Sperrung des Schalttransistors 10 gelingt
jedoch nur unvollkommen, besonders bei hohen Temperaturen. Vielmehr bleibt ein Kpllektorreststrom im Schalttransistor
10 bestehen. Dieser entsteht dadurch, daß sowohl der Kollektorreststrom des Steuertransistors 11 als auch der Kollektorbasisreststrom
des Schalttransistors 10 als Basiströme vom Schalttransistor 10 zum Kollektorreststrom im Schalttransistor
10 verstärkt werden, falls nicht eine Ableitung vorgesehen ist. Zur Minusleitung 18 soll sowohl der Reststrom
aus dem Steuertransistor 11 als auch der Kollektorbasisreststrom aus dem Schalttransistor 10 geleitet werden.
Dabei muß die Basis-Emitterspannung des Sehalttransistors
so klein werden, daß sein Kollektorreststrom praktisch Null ist.
Der Transistor 20 wirkt in dieser Schaltungsanordnung als Konstantstromquelle zur Ableitung der schädlichen Rsstströme.
Im Falle der Ansteuerung des Schalttransistors 10 leitet jedoch der Transistor 20 auch einen Teil des Ansteuerstromes
ab. Um diesen Anteil klein zu halten muß der Widerstand 21 einen hohen Wert aufweisen, was jedoch hinsichtlich der
Integration wieder von Nachteil ist. Außerdem besitzt der Konstantstrom durch den Transistor 20 nicht die gewünschte
Temperaturabhängigkeit, um eine Ableitung der Restströme bei jeder Temperatur zu gewährleisten.
-H-5098 4 0/0586
24H429
Aufgabe der Erfindung ist deshalb die Schaffung einer Schaltungsanordnung zur Ableitung von Restströmen, deren
Temperaturverhalten dem der Rsstströme angepaßt ist und die keine hochohmigen Widerstände benötigt.
Die Au-f-gabe^er Erfindung wird gemäß der Aufgabe dadurch
gelöst, daß Basis und Emitter eines Transistors zwischen einem Abgriff und dem Fußpunkt eines Spannungsteilers
angeschlossen sind und daß Fußpunkt und Eingang des Spannungsteilers parallel zu einer in Durchlaßrichtung
geschalteten Diode liegen.
Drei Beispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden beschrieben und näher
erläutert. Es zoigen:
Fig. 2 eine erfindungsgemäße Schaltungsanordnung zur
Ableitung von Restströmen,
Fig. 3 eine Schaltungsanordnung zur Ableitung mehrerer Restströme
gleichen Wertes, und
Fig. 1J eine Schaltungsanordnung zur Ableitung von Restströmen
mit unterschiedlichen Werten.
In Fig. 2 liegt zwischen der Plusleitung 12 und der Minusleitung 18 eine Reihenschaltung zweier Transistoren 11 und
20 vom PNP-Typ bzif. NPN-Typ. Zwischen den beiden Transistoren
11 und 20 befindet sich noch der Widerstand 13· Die Schaltungsanordnung
ist im Grunde genommen bis auf die Ansteuerung identisch mit der im Stand der Technik zitierten. An den
Knotenpunkt 14 zwischen den Widerstand 13 und den Transistor 20 ist auch hier die Basis des Transistors 10 angeschlossen,
dessen Kollektor den Ausgang l6 bildet und dessen Emitter mit der Minusleitung 18 verbunden ist.
509840/0586 _5_
Die Basis des Transistors 20 ist mit einem Abgriff 30 eines Spannungsteilers 31 gekoppelt. Der Fußpunkt 32 des
Spannungsteilers 31 ist zu dem Knotenpunkt 19 geführt, der auf der Minusleitung 18 liegt und ein Eingang 32 ist an
einem Verbindungspunkt 22 des Widerstandes 23 und der in Durchlaßrichtung geschalteten Diode 24 angeschlossen. Diese
Reihenschaltung aus dem Widerstand 23 und der Diode 24 liegt analog zum Stand der Technik zwischen der Plusleitung 12 und
der Minusleitung 18.
In Fig. 3 ist ein Ausschnitt von Fig. 2 dargestellt, jedoch
mit einer Vielzahl von Transistoren 20a, 20b und 20c. Ihre Basen sind jeweils mit dem Abgriff 30 des Spannungsteilers
31 gekoppelt. Der Spannungsteiler 31 enthält hier ebenfalls die Widerstände 35 und 36 der Fig. 2.
Eine Schaltungsanordnung zur Ableitung von Restströmen
unterschiedlicher Größe ist in Fig. 4 dargestellt. Der Spannungsteiler 31 weist hier neben einem Fußpunkt 32
einen Eingang 33 und zwei Abgriffe 30a und 30b auf. Verbunden ist der Abgriff 30a mit der Basis eines ersten Transistors
20d und der Abgriff 30b mit der Basis eines zweiten Transistors 2Qe.
Um den Flächenaufwand für den Widerstand 23 zu beschränken,
kann der Widerstand 23 bei monolithischer Integration nicht sehr groß gemacht werden. Infolgedessen fließt durch die Diode
24 ein verhältnismäßig großer Strom. Im Gegensatz dazu soll der Transistor 20 einen kleinen konstanten, jedoch mit steigender
Temperatur höher werdenden Strom ziehen. Der Schaltung liegt nun der Gedanke zugrunde, die für das gewünschte große Verhältnis
zwischen den beiden Strömen erforderliche Differenz der Spannungen an der Diode 24 einerseits und der Basis-Emitterstrecke
des Transistors 20 andererseits nicht über einen Emittergegenkopplungswiderstand 21 analog zum Stand
der Technik zu erzeugen, sondern mit Hilfe eines Spannungs-
-6-5098AÜ/0586
-S-
tellers aus der Spannung an der Diode 24. Dies bringt gegenüber der Schaltungsanordnung des Standes der Technik
die folgenden Vorteile.
a) Freizügige Einstellung eines beliebig kleinen konstanten Stromes durch den Transistor 20,
b) kleinere Spannung an der Basis-Emitterstrecke des Transistors
20 im gesperrten Falle, da der Spannungsabfall
am Widerstand 21 der Schaltungsanordnung des Standes der Technik wegfällt.
c) Exponentieller Verlauf des Stromes durch den Transistor 20 mit der Temperatur und damit weitgehende Anpassung
an das Temperaturverhalten der abzuleitenden Restströme.
Die Fig. 3 und 4 zeigen die Verwendung der Schaltungsanordnung
für mehrere Reststromableitungen. Nach Fig. 3 können an einem
parallel zur Diode 24 liegenden Spannungsteiler 31 mehrere, im Beispiel 3 Transistoren 20a, 20b und 20c angeschlossen
werden, die an mehreren Stellen einer umfangreicheren Schaltung Restströme ableiten können.
Sind die abzuleitenden Restströme unterschiedlich in ihrer Größe und erfordern sie eine individuelle Anpassung,
so kann dies nach Bild vier durch einen parallel zur Diode 24 liegenden Spannungsteiler mit mehreren Abgriffen, im
Beispiel sind es zwei, 30a und 30b, geschehen. Die Zahl der Abgriffe am Spannungsteiler 31 sowie ihre Lage ist
von der Anzahl der Restströme führende Transistoren abhängig sowie von der Höhe der Restströme.
Bei der Dimensionierung der in den Schaltungsanordnungen verwendeten
Widerstände ist für das Verhältnis zwischen dem Strom durch den Transistor 20 zu dem durch die Diode 24 etwa das folgende
Verhältnis anzustreben: 1: 10000 bei Raumtemperatur
1: 100 bei maximaler Kristalltemperatur.
509840/0586 -7-
Claims (1)
- Ansprüche^ Schaltungsanordnung zur Ableitung von Restströmen, vorzugsweise in monolithisch integrierten Schaltungsanordnungen mit einem Transistor, dessen Kollektor an einen ersten Knoten angeschlossen ist, von dem die Restströme abgeleitet werden sollen, und dessen Emitter mit einem zweiten Knoten in Verbindung steht, wobei der zweite Knoten vorzugsweise eine der Klemmen der Versorgungsspannung ist, dadurch gekennzeichnet, daß Basis und Emitter des Transistors (20) zwischen einem Abgriff (30) und dem Fußpunkt (19) eines Spannungsteilers (31) angeschlossen sind und daß Fußpunkt (19) und Eingang (32) des Spannungsteilers (31) parallel zu einer in Durchlaßrichtung geschalteten Diode (24) liegen.2· Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungsteiler (31) so dimensioniert ist, daß der Transistor (2 0) im aktiven Bereich eine temperaturabhängige Konstantstromquelle bildet und der Strom durch den Transistor (20) kleiner ist als der durch die Diode (24) fließende Strom.3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis des durch den Transistor (20) fließenden Stroms zu dem durch die Diode (24) fließenden bei der maximalen Kristalltemperatur vorzugsweise etwa 1:100, bei Raumtemperatur, vorzugsweise etwa 1:10000 beträgt.-8-509840/05861|.'Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Basen von mehr als einem Transistor (20a, 2Ob3 20c) am Abgriff (30) des Spannungsteilers (31) liegen.5. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß mehr als ein Abgirff (30a, 30b) am.Spannungsteiler (3D vorgesehen ist, an welche die Basen verschiedener Transistoren (2Od, 2Oe) angeschlossen sind.5 0. 9 8 4 ü / G b S 6
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742414429 DE2414429A1 (de) | 1974-03-26 | 1974-03-26 | Schaltungsanordnung zur ableitung von reststroemen |
JP3598875A JPS50134355A (de) | 1974-03-26 | 1975-03-25 | |
GB1254875A GB1497439A (en) | 1974-03-26 | 1975-03-26 | Circuit arrangements for by-passing residual currents |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742414429 DE2414429A1 (de) | 1974-03-26 | 1974-03-26 | Schaltungsanordnung zur ableitung von reststroemen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2414429A1 true DE2414429A1 (de) | 1975-10-02 |
Family
ID=5911162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19742414429 Pending DE2414429A1 (de) | 1974-03-26 | 1974-03-26 | Schaltungsanordnung zur ableitung von reststroemen |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS50134355A (de) |
DE (1) | DE2414429A1 (de) |
GB (1) | GB1497439A (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58173904A (ja) * | 1982-04-06 | 1983-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発振器の温度補償装置 |
-
1974
- 1974-03-26 DE DE19742414429 patent/DE2414429A1/de active Pending
-
1975
- 1975-03-25 JP JP3598875A patent/JPS50134355A/ja active Pending
- 1975-03-26 GB GB1254875A patent/GB1497439A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS50134355A (de) | 1975-10-24 |
GB1497439A (en) | 1978-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2660968C3 (de) | Differentialverstärker | |
DE3713376A1 (de) | Komparator mit erweitertem eingangsgleichtaktspannungsbereich | |
DE1904334B2 (de) | Regelbarer Differenzverstärker | |
DE2240538C3 (de) | Stromstabilisierungseinrichtung | |
DE2200580C3 (de) | Differenzverstärker-Vergleichsschaltkreis | |
DE2554615C2 (de) | ||
DE2019283B2 (de) | Differentialverstaerker | |
DE1920232B2 (de) | Netzwerk mit einem widerstand mit waehlbarem temperaturkoeffizienten | |
DE3245495C2 (de) | ||
DE69128456T2 (de) | Hysterese schaltung | |
DE69216521T2 (de) | Statischer Schalter mit geringen Verlusten | |
DE2414429A1 (de) | Schaltungsanordnung zur ableitung von reststroemen | |
DE2059787A1 (de) | Schwellwertdetektorschaltung fuer niedrige Spannungen | |
DE2840349A1 (de) | Elektronische umschaltvorrichtung | |
DE69303163T2 (de) | Analoger Zweiwegeschalter | |
DE1252753B (de) | Elektronische Auswahlschaltung | |
DE2903659A1 (de) | Monolithisch integrierbare logikschaltung | |
DE3026195C2 (de) | Automatische Lampen-Ansteuerschaltung | |
DE1286123B (de) | Schaltung zur selbsttaetigen Verstaerkungsregelung eines Gleichstromverstaerkers mit Transistoren, insbesondere fuer integrierte Schaltungen | |
DE1934223A1 (de) | Schaltungsanordnung zum Erzeugen einer stabilisierten Gleichspannung | |
DE3512563C2 (de) | ||
DE3012823C2 (de) | ||
DE1129534C2 (de) | Elektronische Schaltanordnung fuer eine Schaltspannung, die hoeher als die maximal zulaessige Sperrspannung eines Schaltelementes ist | |
WO1993014569A1 (de) | Schaltungsanordung zur unterspannungserkennung | |
DE3936392C2 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OF | Willingness to grant licences before publication of examined application | ||
OHJ | Non-payment of the annual fee |