DE2363254B2 - Reaktionsgefaess zum abscheiden von halbleitermaterial auf erhitzte traegerkoerper - Google Patents

Reaktionsgefaess zum abscheiden von halbleitermaterial auf erhitzte traegerkoerper

Info

Publication number
DE2363254B2
DE2363254B2 DE19732363254 DE2363254A DE2363254B2 DE 2363254 B2 DE2363254 B2 DE 2363254B2 DE 19732363254 DE19732363254 DE 19732363254 DE 2363254 A DE2363254 A DE 2363254A DE 2363254 B2 DE2363254 B2 DE 2363254B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
bell
cooling
gas
vessel
reaction vessel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19732363254
Other languages
English (en)
Other versions
DE2363254A1 (de
DE2363254C3 (de
Inventor
Herbert Dipl.-Chem. Dr. rer.nat 8011 Vaterstetten; Rucha Ulrich; Barowski Gerhard; 8000 München Sandmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE2324365A external-priority patent/DE2324365C3/de
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19732363254 priority Critical patent/DE2363254C3/de
Priority to BE145969A priority patent/BE816962R/xx
Priority to IT3035874A priority patent/IT1046171B/it
Priority to PL17640474A priority patent/PL98131B1/pl
Publication of DE2363254A1 publication Critical patent/DE2363254A1/de
Publication of DE2363254B2 publication Critical patent/DE2363254B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2363254C3 publication Critical patent/DE2363254C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/004Sight-glasses therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/021Preparation
    • C01B33/027Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

In der Patentanmeldung P 23 24 365.4 ist ein Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper aus einem das Reaktionsgefäß durchströmenden Reaktionsgas vorgeschlagen worden, bestehend aus einer mit den für die Zu- und Abfuhr der Reaktionsgase erforderlichen Düsen sowie den Halterungen für die Trägerkörper versehenen platten- oder tellerförmigen Unterlagen und einer auf der Unterlage gasdicht aufgesetzten Quarz- oder Glasglocke, wobei die Unterlage und die aufgesetzte Glocke im Innern eines Druckgasgefäßes angeordnet sind, das während des Abscheidebetriebes abgeschlossen und mit inertem Druckgas gefüllt ist.
Die vorliegende Erfindung betrifft eine weitere Ausgestaltung dieses Gegenstandes. Sie sieht vor, daß das Druckgasgefäß mit Einrichtungen zur Vorwärmung der Trägerkörper und/oder Kühlung der Glocke versehen ist.
Dabei sind verschiedene vorteilhafte Ausgestaltungen möglich. Sie werden anhand der F i g. 1 und 2 näher erläutert.
Eine plattenförmige Unterlage 1 aus Silber ist mit einer Anzahl von Bohrungen versehen in welchen die Zuführungsdüsen 2 für das frisc.ie Reaktionsgas und eine Abzugsdüse 3 für das verbrauchte Reaktionsgas sowie die — zugleich als Stromzuführungselektroden ausgebildeten Halterungen 4 für die in Gestalt von Siliciumstäben 5 vorliegenden Trägerkörper gasdicht eingepaßt sind. Falls die Halterungen 4 als der Versorgung der Trägerstäbe 5 mit dem zur Aufheizung derselben dienenden und von einer Betriebsstromquelle 6 gelieferten Heizstrom dienende Elektroden ausgebildet sind, muß noch für eine entsprechende gegenseitige elektrische Isolation der Halterungen durch die Verwendung eines elektrisch isolierenden Abdichtungsmaterials zwischen der Elektrode und der Grundplatte 1 gesorgt werden.
Andererseits sind je zwei Träger an dem nicht in den Halterungen 4 befestigten Ende mit je einer Brücke 7 aus hitzebeständigem leitenden Material, insbesondere aus mit hochreinem Silicium überzogenem Graphit, zu einem geschlossenen Stromkreis ergänzt. Der mit den Trägerstäben 5 bestückte Reaktionsraum ist unten durch die Unterlage 1 und oben durch die auf der Unterlage 1 aufgesetzte Glocke 8 begrenzt. Zwecks Erzielung einer gasdichten Verbindung zwischen der Unterlage 1 und der Glocke 8 befindet sich die Anordnung in einem Autoklaven 9 mit abnehmbarem Deckel 10 und einem druckfesten Beobachtungsfenster
iü 11. Die Versorgung des Autoklaven 9 mit dem die gasdichte Verbindung zwischen Glocke 8 und Unterlage 1 bewirkenden Druckgas, insbesondere Stickstoff, erfolgt über ein Ventil 12.
Der Erfindung entspricht es nun, wenn die Anordnung mit einer Kühlvorrichtung gekoppelt ist, welche das in einem Speicher befindliche Druckgas auf einer so niedrigen Temperatur hält, daß durch das in den Autoklaven 9 eingebrachte Druckgas bereits eine wirksame Kühlung der Glocke 8 gegeben ist. In der Regel verlangt nämlich die Glocke 8 im Betrieb eine Kühlung, wenn sie nicht heißer als 600° (bei Verwendung von SiH4 als Reaktionsgas) bis 9000C (bei Verwendung von SiCl4 oder SiHCl3 als Reaktionsgas) werden soll. Da man im Interesse der Ersparnis und besseren Ausnutzung des Reaktionsgases, sowie angesichts der hohen Kosten für ein der Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase dienendes Reaktionsgefäß sich die Träger ziemlich in der Nähe der Glocken wand befinden, ist eine Aufheizung der Glocke immer gegeben.
Die Verwendung eines gekühlten Druckgases kann ersichtlich dieser Aufheizung der Glocke entgegenwirken.
Dauert der Abscheidungsprozeß längere Zeit, so kann man an die Verwendung eines den Autoklaven 9 durchströmenden gekühlten Druckgases denken, welches beim Verlassen des Autoklaven über eine Drosselstelle geführt wird, so daß sich das Druckgas zur Erzielung des erforderlichen Anpreßdruckes der Glokke 8 an die Unterlagen 1 staut. Das Druckgas kann dann beispielsweise über eine gekühlte Rohrleitung dem Autoklaven 9 zugeführt werden.
Es entspricht jedoch der Erfindung in besonderem Maße, wenn der Autoklav unmittelbar mit einem Kühlsystem gekoppelt ist.
Eine solche Anordnung ist in F i g. 1 dargestellt. An der Außenwand des die Glocke 8 hier mit engem Abstand konzentrisch umgebenden Autoklaven 9 sind in verschiedener Höhe der Glocke 8 zu dieser konzentrisch angeordnete Kühlringe oder kurze Kühlspulen 13, 14 und 15 vorgesehen, die im Betrieb der Anordnung von einem entsprechend niedrig temperierten Kühlmittel durchströmt sind.
Bei einer Anordnung der Trägerstäbe entsprechend den Figuren wird erfahrungsgemäß die unmittelbar unterhalb den Brücken 7 gelegene Zone der Glockenwand am heißesten im Betrieb, so daß sich dort eine besondere intensive Kühlung empfiehlt.
Die Anordnung der Kühlspulen 13, 14 und 15 kann auch innerhalb des Autoklaven 9 liegen. Dies bedeutet eine entsprechende Intensivierung der Kühlung aber auch zugleich eine Erhöhung des Aufwandes an Abdichtungsmitteln.
Neben einer Kühlung der Glocke 8 im Betrieb spielt
b5 die Vorwärmung der Trägerkörper 5 in der Anfangsphase der Strombeheizung eine erhebliche Rolle, wenn die Trägerstäbe 5 aus hochreinem Halbleitermaterial, insbesondere aus Silicium, bestehen. Man wird zwar in
einem solchen Falle die Trägerstäbe 3 zunächst mit einer höheren Heizspannung, als sie dann während der eigentlichen Abscheidung gebraucht wird, beaufschlagen. Jedoch wird man zugleich die Träger mit einer Wärmestrahlungsquelle koppeln, die während der eigentlichen Abscheidung nicht mehr benötigt wird.
Man wird also das erfindungsgemäße Reaktionsgefäß mit Mitteln zur Vorheizung der stabförmigen Trägerkörper ausstatten, die zweckmäßig innerhalb des mit dem Druckgas zu beaufschlagenden Raum im Autokla- ι ο ven 9 angeordnet sind. Dabei wird man eine möglichst geringe Entfernung zwischen einem Trägerstab 5 und einem den Mitteln zur Vorwärmung, z. B. pro Trägerstab 5 je einen Heizstab anstreben, was allerdings dadurch eine gewisse Einschränkung erfährt, als schon im Interesse der Reinhaltung des abzuscheidenden Halbleitermaterials eine Mindestentfernung von 5 cm zwischen der Innenwand der Glocke 8 und den Trägerstäben 5 nicht unterschritten werden sollte. Man wird also zweckmäßig, wenn die Zahl der H^zstäbe mit der Zahl der Trägerstäbe 5 übereinstimmt, die Heizstäbe 16 von der Zentralachse der Anordnung aus gesehen, unmittelbar hinter den Trägerstäben 5 anordnen. Eine entsprechende Anordnung wird anhand der F i g. 2 gezeigt. Die Heizstäbe sind mit 16 bezeichnet. Sie sind an ihrem oberen Ende am Mantel des Autoklaven 9 befestigt und sind konzentrisch zu der Glocke 8 angeordnet. Sie werden über isoliert durch den Mantel des Autoklaven 9 geführte elektrische Leitungen mit dem erforderlichen Heizstrom versehen, der während des eigentlichen Abscheidebetriebs ausgeschaltet wird. Der Betrieb der Vorheizstäbe 16 erfoigt bei Anwesenheit des Druckgases im Autoklaven 9.
Außerdem sind bei der in F i g. 2 und 3 gezeigten Anordnung gemäß der Erfindung Kühlvorrichtungen 17 vorgesehen, die in Gestalt von — von einem Kühlmedium durchströmten — U-Rohren mit eng aneinanderliegenden Schenkeln durch den Deckel 10 des Autoklaven von oben in die Umgebung der zu kühlenden Glocke 8 geführt sind. Auch hier ist eine konzentrische Anordnung wünschenswert. Die Kühlstäbe 17 sind zweckmäßig zwischen den Heizstäben 16 angeordnet und befinden sich in unmittelbarer Nachbarschaft zu der zu kühlenden Wand der Glocke 8.
Eine andere Ausgestaltung der Kühlvorrichtung besteht in einem die Glocke 8 konzentrisch umgebenden spulenförmig gewundenem Kühlrohr, das entweder am Deckel oder am Boden des Autoklaven 9 befestigt ist. Die zur Vorwärmung dienenden Mittel, z. B. Heizstäbe, sind dann zweckmäßig innerhalb dieser Kühlspule und außerhalb der Glocke 8 angeordnet. Auf die Darstellung in einer Zeichnung wird abgesehen.
Die Versorgung des Kühlrohrs 17 bzw. der soeben erwähnten Kühlspule mit einem strömenden kühlenden Medium ist auf verschiedene Weise möglich. Häufig genügt der Anschluß an die Wasserleitung. Eine besondere intensive Kühlung wird durch Anwendung eines geschlossenen Kühlkreises unter Verwendung eines durch Komprimierung und adiabatische Entspannung auf niedrige Temperatur gebrachten leicht verdampfbaren Kühlmittels, wie NH3, CCI2F2 und anderen in der Kühltechnik üblichen Mitteln erreicht. Hier läßt sich auch leicht eine Regelung erreichen, in aem man einen Regelfühler an die heißeste Stelle der Außenwand der Glocke 8 anlegt (z. B. ein Thermoelement oder ein Bolometer) und mit dessen Hilfe die Kältemaschine geregelt wird, an die das im Inneren des Autoklaven 9 angeordnete, insbesondere aus einem Kupfer- oder Silberrohr bestehende Kühlsystem angeschlossen ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper aus einem das Reaktionsgefäß durchströmenden Reaktionsgas, bestehend aus einer mit den für die Zu- und Abfuhr der Reaktionsgase erforderlichen Düsen, sowie den Halterungen für die Trägerkörper versehenen platten- oder tellerförmigen Unterlage und einer auf der Unterlage gasdicht aufgesetzten Quarz- oder Glasglocke, wobei die Unterlage und die aufgesetzte Glocke im Innern eines Druckgasgefäßes angeordnet sind, das während des Abscheidebetriebes abgeschlossen und mit inertem Druckgas gefüllt ist, nach Patentanmeldung P 23 24 365.4, dadurch gekennzeichnet, daß das Druckgasgefäß mit Einrichtungen zur Vorwärmung der Trägerkörper und/oder Kühlung der Glocke versehen ist.
2. Reaktionsgefäß nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichne!, daß die Einrichtungen zur Vorwärmung der Trägerkörper im Innern des Druckgasgefäßes in einem Abstand von der Glocke angeordnet sind, der nicht größer ist als der eines im Druckgasgefäß vorgesehenen Kühlrohrsystems.
DE19732363254 1973-05-14 1973-12-19 Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper Expired DE2363254C3 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19732363254 DE2363254C3 (de) 1973-05-14 1973-12-19 Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper
BE145969A BE816962R (fr) 1973-12-19 1974-06-27 Enceinte de reaction pour le depot de matiere semi-conductrice sur des corps de suppport chauffes
IT3035874A IT1046171B (it) 1973-12-19 1974-12-10 Recipiente di reazione per depositare materiale semiconduttore su corpi di supporto riscaldati
PL17640474A PL98131B1 (pl) 1973-12-19 1974-12-12 Urzadzenie do wytwarzania elementarnego krzemu

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2324365A DE2324365C3 (de) 1973-05-14 1973-05-14 Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper
DE19732363254 DE2363254C3 (de) 1973-05-14 1973-12-19 Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2363254A1 DE2363254A1 (de) 1975-07-10
DE2363254B2 true DE2363254B2 (de) 1978-01-05
DE2363254C3 DE2363254C3 (de) 1978-11-09

Family

ID=25765141

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19732363254 Expired DE2363254C3 (de) 1973-05-14 1973-12-19 Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2363254C3 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2854707C2 (de) * 1978-12-18 1985-08-14 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Vorrichtung zur thermischen Zersetzung gasförmiger Verbindungen und ihre Verwendung
JP4681084B1 (ja) * 2010-02-23 2011-05-11 株式会社テオス Cvd処理方法およびその方法を使用するcvd装置
DE202012100839U1 (de) * 2012-03-08 2012-06-22 Silcontec Gmbh Laborreaktor
FR3029428B1 (fr) * 2014-12-04 2016-12-30 Univ Nantes Dispositif pour la synthese et l'etude de composes sous temperatures et pressions controlees

Also Published As

Publication number Publication date
DE2363254A1 (de) 1975-07-10
DE2363254C3 (de) 1978-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60116533T2 (de) Wärmebehandlungsanlage
DE69017058T2 (de) Elektromagnetisches Induktionsheizgerät.
DE2324365C3 (de) Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper
DE2050076C3 (de) Vorrichtung zum Herstellen von Rohren aus Halbleitermaterial
DE1155759B (de) Vorrichtung zur Gewinnung reinsten kristallinen Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke
DE2363254C3 (de) Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper
DE1076623B (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenziehen von stabfoermigem Halbleitermaterial
DE1596602A1 (de) Geraet zum Steuern der Bewegung eines geschmolzenen elektrisch leitenden Stoffes
DE1297086B (de) Verfahren zum Herstellen einer Schicht von einkristallinem Halbleitermaterial
JPS5711722A (en) Manufacturing apparatus for taper material
DE2064049A1 (de) Windungsförderer
DE1619998B2 (de) Vorrichtung zum thermischen behandeln von scheibenfoermigen halbleiterkoerpern
DE2141188A1 (de) Vorrichtung fuer das tiegellose zonenschmelzen
DE3024709C2 (de)
DE2906290C2 (de) Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleitermaterial
DE2223868C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von aus Halbleitermaterial bestehenden Hohlkörpern, insbesondere von Siliciumrohren
DE1508112B2 (de) Verfahren und anordnung zur behandlung von metallschmelzen
DE3107260A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum abscheiden von halbleitermaterial, insbesondere silicium
DE1106732B (de) Verfahren zur Zonenreinigung von polykristallinen schmelzbaren Halbleitern
DE2826860C2 (de) Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleitermaterial
DE2158734C3 (de) Ofen zum Umhüllen von Teilchen bei hoher Temperatur
DE2034152B2 (de) Vorrichtung zur Abscheidung von Schichten aus anorganischem Material, insbesondere Halbleitermaterial
DE826939C (de) Koaxiales oder symmetrisches Hochfrequenzenergiekabel
DE236711C (de)
DE2020352C3 (de) Reaktor zur Umsetzung von Ferrosilicium mit gasförmigem Halogenierungsmittel und Verfahren zur Inbetriebnahme des Reaktors

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8340 Patent of addition ceased/non-payment of fee of main patent