DE2363254B2 - Reaktionsgefaess zum abscheiden von halbleitermaterial auf erhitzte traegerkoerper - Google Patents
Reaktionsgefaess zum abscheiden von halbleitermaterial auf erhitzte traegerkoerperInfo
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Description
In der Patentanmeldung P 23 24 365.4 ist ein Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf
erhitzte Trägerkörper aus einem das Reaktionsgefäß durchströmenden Reaktionsgas vorgeschlagen worden,
bestehend aus einer mit den für die Zu- und Abfuhr der Reaktionsgase erforderlichen Düsen sowie den Halterungen
für die Trägerkörper versehenen platten- oder tellerförmigen Unterlagen und einer auf der Unterlage
gasdicht aufgesetzten Quarz- oder Glasglocke, wobei die Unterlage und die aufgesetzte Glocke im Innern
eines Druckgasgefäßes angeordnet sind, das während des Abscheidebetriebes abgeschlossen und mit inertem
Druckgas gefüllt ist.
Die vorliegende Erfindung betrifft eine weitere Ausgestaltung dieses Gegenstandes. Sie sieht vor, daß
das Druckgasgefäß mit Einrichtungen zur Vorwärmung der Trägerkörper und/oder Kühlung der Glocke
versehen ist.
Dabei sind verschiedene vorteilhafte Ausgestaltungen möglich. Sie werden anhand der F i g. 1 und 2 näher
erläutert.
Eine plattenförmige Unterlage 1 aus Silber ist mit einer Anzahl von Bohrungen versehen in welchen die
Zuführungsdüsen 2 für das frisc.ie Reaktionsgas und eine Abzugsdüse 3 für das verbrauchte Reaktionsgas
sowie die — zugleich als Stromzuführungselektroden ausgebildeten Halterungen 4 für die in Gestalt von
Siliciumstäben 5 vorliegenden Trägerkörper gasdicht eingepaßt sind. Falls die Halterungen 4 als der
Versorgung der Trägerstäbe 5 mit dem zur Aufheizung derselben dienenden und von einer Betriebsstromquelle
6 gelieferten Heizstrom dienende Elektroden ausgebildet sind, muß noch für eine entsprechende gegenseitige
elektrische Isolation der Halterungen durch die Verwendung eines elektrisch isolierenden Abdichtungsmaterials zwischen der Elektrode und der Grundplatte 1
gesorgt werden.
Andererseits sind je zwei Träger an dem nicht in den Halterungen 4 befestigten Ende mit je einer Brücke 7
aus hitzebeständigem leitenden Material, insbesondere aus mit hochreinem Silicium überzogenem Graphit, zu
einem geschlossenen Stromkreis ergänzt. Der mit den Trägerstäben 5 bestückte Reaktionsraum ist unten
durch die Unterlage 1 und oben durch die auf der Unterlage 1 aufgesetzte Glocke 8 begrenzt. Zwecks
Erzielung einer gasdichten Verbindung zwischen der Unterlage 1 und der Glocke 8 befindet sich die
Anordnung in einem Autoklaven 9 mit abnehmbarem Deckel 10 und einem druckfesten Beobachtungsfenster
iü 11. Die Versorgung des Autoklaven 9 mit dem die gasdichte Verbindung zwischen Glocke 8 und Unterlage
1 bewirkenden Druckgas, insbesondere Stickstoff, erfolgt über ein Ventil 12.
Der Erfindung entspricht es nun, wenn die Anordnung mit einer Kühlvorrichtung gekoppelt ist, welche das in
einem Speicher befindliche Druckgas auf einer so niedrigen Temperatur hält, daß durch das in den
Autoklaven 9 eingebrachte Druckgas bereits eine wirksame Kühlung der Glocke 8 gegeben ist. In der
Regel verlangt nämlich die Glocke 8 im Betrieb eine Kühlung, wenn sie nicht heißer als 600° (bei
Verwendung von SiH4 als Reaktionsgas) bis 9000C (bei
Verwendung von SiCl4 oder SiHCl3 als Reaktionsgas)
werden soll. Da man im Interesse der Ersparnis und besseren Ausnutzung des Reaktionsgases, sowie angesichts
der hohen Kosten für ein der Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase dienendes Reaktionsgefäß
sich die Träger ziemlich in der Nähe der Glocken wand befinden, ist eine Aufheizung der Glocke
immer gegeben.
Die Verwendung eines gekühlten Druckgases kann ersichtlich dieser Aufheizung der Glocke entgegenwirken.
Dauert der Abscheidungsprozeß längere Zeit, so kann man an die Verwendung eines den Autoklaven 9 durchströmenden gekühlten Druckgases denken, welches beim Verlassen des Autoklaven über eine Drosselstelle geführt wird, so daß sich das Druckgas zur Erzielung des erforderlichen Anpreßdruckes der Glokke 8 an die Unterlagen 1 staut. Das Druckgas kann dann beispielsweise über eine gekühlte Rohrleitung dem Autoklaven 9 zugeführt werden.
Dauert der Abscheidungsprozeß längere Zeit, so kann man an die Verwendung eines den Autoklaven 9 durchströmenden gekühlten Druckgases denken, welches beim Verlassen des Autoklaven über eine Drosselstelle geführt wird, so daß sich das Druckgas zur Erzielung des erforderlichen Anpreßdruckes der Glokke 8 an die Unterlagen 1 staut. Das Druckgas kann dann beispielsweise über eine gekühlte Rohrleitung dem Autoklaven 9 zugeführt werden.
Es entspricht jedoch der Erfindung in besonderem Maße, wenn der Autoklav unmittelbar mit einem
Kühlsystem gekoppelt ist.
Eine solche Anordnung ist in F i g. 1 dargestellt. An der Außenwand des die Glocke 8 hier mit engem
Abstand konzentrisch umgebenden Autoklaven 9 sind in verschiedener Höhe der Glocke 8 zu dieser konzentrisch
angeordnete Kühlringe oder kurze Kühlspulen 13, 14 und 15 vorgesehen, die im Betrieb der Anordnung
von einem entsprechend niedrig temperierten Kühlmittel durchströmt sind.
Bei einer Anordnung der Trägerstäbe entsprechend den Figuren wird erfahrungsgemäß die unmittelbar unterhalb den Brücken 7 gelegene Zone der Glockenwand am heißesten im Betrieb, so daß sich dort eine besondere intensive Kühlung empfiehlt.
Die Anordnung der Kühlspulen 13, 14 und 15 kann auch innerhalb des Autoklaven 9 liegen. Dies bedeutet eine entsprechende Intensivierung der Kühlung aber auch zugleich eine Erhöhung des Aufwandes an Abdichtungsmitteln.
Bei einer Anordnung der Trägerstäbe entsprechend den Figuren wird erfahrungsgemäß die unmittelbar unterhalb den Brücken 7 gelegene Zone der Glockenwand am heißesten im Betrieb, so daß sich dort eine besondere intensive Kühlung empfiehlt.
Die Anordnung der Kühlspulen 13, 14 und 15 kann auch innerhalb des Autoklaven 9 liegen. Dies bedeutet eine entsprechende Intensivierung der Kühlung aber auch zugleich eine Erhöhung des Aufwandes an Abdichtungsmitteln.
Neben einer Kühlung der Glocke 8 im Betrieb spielt
b5 die Vorwärmung der Trägerkörper 5 in der Anfangsphase der Strombeheizung eine erhebliche Rolle, wenn
die Trägerstäbe 5 aus hochreinem Halbleitermaterial, insbesondere aus Silicium, bestehen. Man wird zwar in
einem solchen Falle die Trägerstäbe 3 zunächst mit einer höheren Heizspannung, als sie dann während der
eigentlichen Abscheidung gebraucht wird, beaufschlagen. Jedoch wird man zugleich die Träger mit einer
Wärmestrahlungsquelle koppeln, die während der eigentlichen Abscheidung nicht mehr benötigt wird.
Man wird also das erfindungsgemäße Reaktionsgefäß mit Mitteln zur Vorheizung der stabförmigen Trägerkörper
ausstatten, die zweckmäßig innerhalb des mit dem Druckgas zu beaufschlagenden Raum im Autokla- ι ο
ven 9 angeordnet sind. Dabei wird man eine möglichst geringe Entfernung zwischen einem Trägerstab 5 und
einem den Mitteln zur Vorwärmung, z. B. pro Trägerstab 5 je einen Heizstab anstreben, was allerdings
dadurch eine gewisse Einschränkung erfährt, als schon im Interesse der Reinhaltung des abzuscheidenden
Halbleitermaterials eine Mindestentfernung von 5 cm zwischen der Innenwand der Glocke 8 und den
Trägerstäben 5 nicht unterschritten werden sollte. Man wird also zweckmäßig, wenn die Zahl der H^zstäbe mit
der Zahl der Trägerstäbe 5 übereinstimmt, die Heizstäbe 16 von der Zentralachse der Anordnung aus
gesehen, unmittelbar hinter den Trägerstäben 5 anordnen. Eine entsprechende Anordnung wird anhand
der F i g. 2 gezeigt. Die Heizstäbe sind mit 16 bezeichnet. Sie sind an ihrem oberen Ende am Mantel
des Autoklaven 9 befestigt und sind konzentrisch zu der Glocke 8 angeordnet. Sie werden über isoliert durch den
Mantel des Autoklaven 9 geführte elektrische Leitungen mit dem erforderlichen Heizstrom versehen, der
während des eigentlichen Abscheidebetriebs ausgeschaltet wird. Der Betrieb der Vorheizstäbe 16 erfoigt
bei Anwesenheit des Druckgases im Autoklaven 9.
Außerdem sind bei der in F i g. 2 und 3 gezeigten Anordnung gemäß der Erfindung Kühlvorrichtungen 17
vorgesehen, die in Gestalt von — von einem Kühlmedium durchströmten — U-Rohren mit eng aneinanderliegenden
Schenkeln durch den Deckel 10 des Autoklaven von oben in die Umgebung der zu kühlenden Glocke 8
geführt sind. Auch hier ist eine konzentrische Anordnung wünschenswert. Die Kühlstäbe 17 sind zweckmäßig
zwischen den Heizstäben 16 angeordnet und befinden sich in unmittelbarer Nachbarschaft zu der zu
kühlenden Wand der Glocke 8.
Eine andere Ausgestaltung der Kühlvorrichtung besteht in einem die Glocke 8 konzentrisch umgebenden
spulenförmig gewundenem Kühlrohr, das entweder am Deckel oder am Boden des Autoklaven 9 befestigt
ist. Die zur Vorwärmung dienenden Mittel, z. B. Heizstäbe, sind dann zweckmäßig innerhalb dieser
Kühlspule und außerhalb der Glocke 8 angeordnet. Auf die Darstellung in einer Zeichnung wird abgesehen.
Die Versorgung des Kühlrohrs 17 bzw. der soeben erwähnten Kühlspule mit einem strömenden kühlenden
Medium ist auf verschiedene Weise möglich. Häufig genügt der Anschluß an die Wasserleitung. Eine
besondere intensive Kühlung wird durch Anwendung eines geschlossenen Kühlkreises unter Verwendung
eines durch Komprimierung und adiabatische Entspannung auf niedrige Temperatur gebrachten leicht
verdampfbaren Kühlmittels, wie NH3, CCI2F2 und anderen in der Kühltechnik üblichen Mitteln erreicht.
Hier läßt sich auch leicht eine Regelung erreichen, in aem man einen Regelfühler an die heißeste Stelle der
Außenwand der Glocke 8 anlegt (z. B. ein Thermoelement oder ein Bolometer) und mit dessen Hilfe die
Kältemaschine geregelt wird, an die das im Inneren des Autoklaven 9 angeordnete, insbesondere aus einem
Kupfer- oder Silberrohr bestehende Kühlsystem angeschlossen ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper aus einem
das Reaktionsgefäß durchströmenden Reaktionsgas, bestehend aus einer mit den für die Zu- und Abfuhr
der Reaktionsgase erforderlichen Düsen, sowie den Halterungen für die Trägerkörper versehenen
platten- oder tellerförmigen Unterlage und einer auf der Unterlage gasdicht aufgesetzten Quarz- oder
Glasglocke, wobei die Unterlage und die aufgesetzte Glocke im Innern eines Druckgasgefäßes angeordnet
sind, das während des Abscheidebetriebes abgeschlossen und mit inertem Druckgas gefüllt ist,
nach Patentanmeldung P 23 24 365.4, dadurch
gekennzeichnet, daß das Druckgasgefäß mit Einrichtungen zur Vorwärmung der Trägerkörper
und/oder Kühlung der Glocke versehen ist.
2. Reaktionsgefäß nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichne!, daß die Einrichtungen zur Vorwärmung
der Trägerkörper im Innern des Druckgasgefäßes in einem Abstand von der Glocke angeordnet
sind, der nicht größer ist als der eines im Druckgasgefäß vorgesehenen Kühlrohrsystems.
Priority Applications (4)
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DE19732363254 DE2363254C3 (de) | 1973-05-14 | 1973-12-19 | Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper |
BE145969A BE816962R (fr) | 1973-12-19 | 1974-06-27 | Enceinte de reaction pour le depot de matiere semi-conductrice sur des corps de suppport chauffes |
IT3035874A IT1046171B (it) | 1973-12-19 | 1974-12-10 | Recipiente di reazione per depositare materiale semiconduttore su corpi di supporto riscaldati |
PL17640474A PL98131B1 (pl) | 1973-12-19 | 1974-12-12 | Urzadzenie do wytwarzania elementarnego krzemu |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2324365A DE2324365C3 (de) | 1973-05-14 | 1973-05-14 | Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper |
DE19732363254 DE2363254C3 (de) | 1973-05-14 | 1973-12-19 | Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2363254A1 DE2363254A1 (de) | 1975-07-10 |
DE2363254B2 true DE2363254B2 (de) | 1978-01-05 |
DE2363254C3 DE2363254C3 (de) | 1978-11-09 |
Family
ID=25765141
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19732363254 Expired DE2363254C3 (de) | 1973-05-14 | 1973-12-19 | Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper |
Country Status (1)
Country | Link |
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DE (1) | DE2363254C3 (de) |
Families Citing this family (4)
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DE202012100839U1 (de) * | 2012-03-08 | 2012-06-22 | Silcontec Gmbh | Laborreaktor |
FR3029428B1 (fr) * | 2014-12-04 | 2016-12-30 | Univ Nantes | Dispositif pour la synthese et l'etude de composes sous temperatures et pressions controlees |
-
1973
- 1973-12-19 DE DE19732363254 patent/DE2363254C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2363254A1 (de) | 1975-07-10 |
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---|---|---|---|
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8340 | Patent of addition ceased/non-payment of fee of main patent |