PL98131B1 - Urzadzenie do wytwarzania elementarnego krzemu - Google Patents
Urzadzenie do wytwarzania elementarnego krzemu Download PDFInfo
- Publication number
- PL98131B1 PL98131B1 PL17640474A PL17640474A PL98131B1 PL 98131 B1 PL98131 B1 PL 98131B1 PL 17640474 A PL17640474 A PL 17640474A PL 17640474 A PL17640474 A PL 17640474A PL 98131 B1 PL98131 B1 PL 98131B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- pressure vessel
- cooling
- lampshade
- pressure
- heating
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest urzadzenie do wy¬ twarzania elementarnego krzemu z fazy gazowej.Znane z patentu glównego nr 93312 urzadzenie sklada sie z plyt lub podstawy talerzowej oraz klosza kwarcowego lub szkla nalozonego szczel¬ nie na podstawe, w którym srebrne plyty lub srebrna talerzowa podstawa oraz klosz z kwarcu lub ze szkla, umieszczone sa wewnatrz zbiornika cisnieniowego, przy czym podczas procesu wydzie¬ lania sie krzemu, zbiornik cisnieniowy jest za¬ mkniety i napelniony gazem obojetnym, zwlaszcza azotem pod takim cisnieniem, ze mimo obecnosci gazu reakcyjnego we wnetrzu jego wystepuje ga¬ zoszczelne zamkniecie miedzy podstawa i krawe¬ dzia klosza z kwarcu lub ze szkla.Wedlug wynalazku zbiornik cisnieniowy zaopa¬ trzony jest w elementy sluzace do wstepnego na¬ grzewania podlozy i/lub chlodzenia klosza oraz ewentualnie w elementy do chlodzenia sprezonego gazu doprowadzanego do zbiornika cisnieniowego.Zbiornik cisnieniowy otaczajacy wspólsrodkowo w niewielkiej odleglosci klosz korzystnie jest zao¬ patrzony w przylegajacy z zewnatrz uklad rur chlodzacych.Uklad rur chlodzacych umieszczony jest we¬ wnatrz naczynia cisnieniowego i jest wspólsrodko- wy z chlodzonym kloszem oraz zbudowany jest z pretów chlodzacych, na przyklad w ksztalcie U, zamocowanych i przeprowadzonych gazoszczelnie przez" dno i/lub pokrywe zbiornika cisnieniowego. 2 Uklad rur chlodzacych wewnatrz zbiornika cisnie¬ niowego jest w postaci zwojów chlodzacych ota¬ czajacych wspólsrodkowo klosz i polaczony jest z chlodziarka.Elementy sluzace do wstepnego nagrzewania sa umieszczone ewentualnie wewnatrz zbiornika ci¬ snieniowego i na zewnatrz klosza w odleglosci od klosza nie wiekszej niz odleglosc ukladu rur chlodzacych od zbiornika cisnieniowego.Elementy do wstepnego nagrzewania podlozy w postaci pretów stanowia ogrzewane elektrycz¬ nie elementy w postaci pretów usytuowanych w zbiorniku cisnieniowym na zewnatrz klosza rów¬ nolegle do pionowo zorientowanych podlozy. Prety grzejne sluzace do wstepnego nagrzewania usta¬ wione sa promieniowo do przyporzadkowanych im podlozy w postaci pretów i symetrycznie wzgle¬ dem osi zbiornika reakcyjnego.Przedmiot wynalazku jest blizej objasniony w przykladach wykonania na rysunku fig. 1 i 2.Podstawa 1 w postaci plyty ze srebra posiada pewna ilosc obwodów, w których sa gazoszczelnie umieszczone dysze doprowadzajace 2 dla swiezego gazu reakcyjnego i dysze odprowadzajace 3 dla zuzycia gazu reakcyjnego, jak równiez wykonane jako elektrody doprowadzajace prad uchwyty 4 dla podlozy 5 w postaci pretów krzemowych. W przypadku, gdy uchwyty 4 wykonane sa w posta¬ ci elektrod doprowadzajacych, pobierany ze zró¬ dla pradu 6, prad do podlozy 5, sluzacy do na- 98 13198 131 grzewania tych pretów, miedzy elektroda i pod¬ stawa 1 musi byc stworzona odpowiednia izolacja elektryczna, przez zastosowanie izolujacego elek¬ trycznie materialu usczzelniajacego.Z drugiej strony, obydwa podloza sa po stronie niezamocowanej w uchwytach 4, uzupelnione mo¬ stkiem 7 z zaroodpornego materialu przewodzace¬ go, zwlaszcza z grafitu pokrytego krzemem o wy¬ sokiej czystosci w celu zamkniecia obwodu pradu.Przestrzen reakcyjna z podlozami 5 jest od dolu ograniczona podstawa 1 i od góry kloszem 8 na¬ sadzonym na podstawe 1. W celu uzyskania gazo¬ szczelnego polaczenia miedzy podstawa 1 i klo¬ szem 8, calosc znajduje sie w autoklawie 9 ze zdejmowana pokrywa 10 i odpornym na cisnienie oknem grawitacyjnym 11. Doprowadzenie do au¬ toklawu 9 sprezonego gazu powodujacego gazo¬ szczelne polaczenie klosza 8 i podstawy 1, w szcze¬ gólnosci azotu, odbywa sie przez zawór 12.Korzystne jest, gdy urzadzenie sprzezone jest z urzadzeniem chlodzacym, które utrzymuje spre¬ zony gaz znajdujacy sie w zbiorniku w tak ni¬ skiej temperaturze, ze wprowadzany do autokla¬ wu 9, powoduje on znaczne chlodzenie klosza 8.Klosz 8 z reguly wymaga chlodzenia podczas pra¬ cy, gdy jego temperatura nie powinna byc wyz¬ sza niz od 600°C (przy zastosowaniu w charakte¬ rze gazu reakcyjnego SiH) i do 900°C (przy za¬ stosowaniu w charakterze gazu reakcyjnego SiCU lub SiHCb). Poniewaz ze wzgledu na oszczednosc i lepsze wykorzystanie gazu reakcyjnego, jak rów¬ niez wobec wysokiego kosztu wytwarzania klosza sluzacego do osadzania materialu pólprzewodniko¬ wego z fazy gazowej, podloza znajduja sie w po¬ blizu scianek klosza, zawsze ma miejsce nagrze¬ wanie sie klosza.Zastosowanie chlodzonego gazu sprezonego moze oczywiscie przeciwdzialac nagrzewaniu sie klosza.Jesli proces osadzania trwa dluzszy czas, wyko¬ rzystuje sie przeplywajacy przez autoklaw 9 ochlodzony gaz sprezony, który przy wychodzeniu z autoklawu przepuszczany jest przez uklad roz¬ prezony, w ten sposób, ze sprezony gaz gromadzi sie dla osiagniecia wymaganego docisku klosza 8 do podstawy 1. Sprezony gaz moze byc, na przy¬ klad doprowadzany do autoklawu 9 chlodzonym przewodem. Korzystne jest zwlaszcza, gdy auto¬ klaw jest bezposrednio sprzezony z ukladem chlo¬ dzacym.Taki zestaw przedstawiony jest na fig. 1. Na zewnetrznej sciance autoklawu 9 otaczajacego wspólsrodkowo, przy zachowaniu niewielkiego od¬ stepu klosz 8, umieszczone sa na róznych wyso¬ kosciach klosza 8 wspólsrodkowo z nim pierscie¬ nie chlodzace lub krótkie zwoje chlodzace 13, 14 i 15, przez które podczas pracy zestawu przeply¬ wa odpowiedni czynnik chlodzacy o niskiej tem¬ peraturze.Przy ustawieniu podlozy jak pokazano na figu¬ rach, najbardziej goraca bedzie, zgodnie z wyna¬ lazkiem, czesc scianki klosza .lezaca bezposrednio ponizej mostków chlodzacych i dlatego tam za¬ lecane jest szczególnie intensywne chlodzenie.Zwoje chlodzace 13, 14 i 15 moga byc równiez umieszczone wewnatrz autoklawu 9. Jest to rów¬ noznaczne z odpowiednim wzrostem intensywnosci chlodzenia, ale jednoczesnie oznacza wzrost zuzy- - cia materialu uszczelniajacego.Oprócz chlodzenia klosza 9 podczas pracy, w po- czatkowej fazie nagrzewania pradem istotna role odgrywa wstepne podgrzewanie podlozy 5, gdy podloza wykonane sa z materialu pólprzewodniko¬ wego o wysokiej czystosci, zwlaszcza z krzemu.W takim wypadku na podloza 5 jest poczatkowo io podawane wyzsze napiecie grzejne, niz to które jest stosowane podczas wlasciwego osadzania. Jed nakze jednoczesnie podloza sa sprzegane ze zród¬ lem promieniowania cieplnego, które podczas wla¬ sciwego osadzania nie jest juz potrzebne.Urzadzenie wedlug wynalazku wyposaza sie rów¬ niez w elementy do wstepnego podgrzewania po¬ dlozy w postaci pretów, przy czym zaleca sie, aby byly one umieszczone wewnatrz przestrzeni auto¬ klawu 9, do której wprowadzany jest gaz sprze- zony. Przy tym dazy sie do mozliwie niewielkie¬ go oddalenia miedzy podlozem 5 i urzadzeniem do ogrzewania go, na przyklad pretem grzejnym dla kazdego podloza 5, co jednak napotyka istotne ograniczenie, jako ze w celu utrzymania czystosci osadzanego materialu pólprzewodnikowego odleg¬ losc wewnetrznej scianki klosza 8 i podlozy 5 nie moze byc mniejsza niz 5 cm. Celowe jest równiez, gdy ilosc pretów grzejnych jest równa ilosci pre¬ tów — podlozy 5, z ustawieniem pretów grzejnych 16 widzianych od strony osi glównej, bezposrednio za podlozami 5. Odpowiedni uklad pokazany jest na fig. 2. Prety grzejne oznaczono numerem 16.Ich górne konce sa zamocowane w plaszczu auto¬ klawu 9, a one same sa ustawione wspólosiowo z kloszem 8. Niezbedny pret grzejny, wylaczony podczas wlasciwego procesu osadzania, jest do nich doprowadzany izolowanymi przewodami elektrycz¬ nymi poprowadzonymi przez plaszcz autoklawu 9.Dzialanie pretów grzejnych 16 ma miejsce pod- 40 czas obecnosci w autoklawie 9 sprezonego gazu.Ponadto w zestawie wedlug wynalazku pokaza- rym na fig. 2 przewidziane sa prety chlodzace 17 w ksztalcie U, przez które przeplywa czynnik chlodzacy, poprowadzone przez pokrywe 10 auto- 45 klawu od góry w okolice chlodzonego klosza. Rów¬ niez i tutaj pozadany jest uklad wspólsrodkowy.Prety chlodzace 17 sa celowo umieszczone mie¬ dzy pretami grzejnymi 16 i znajduja sie w bez¬ posrednim sasiedztwie scianki klosza 8. so inne rozwiazanie elementów chlodzacych stano¬ wi nawinieta wspólsrodkowo na klosz 8 rura chlo¬ dzaca, która zamocowana jest na pokrywie lub na dnie autoklawu 9. Elementy sluzace do wstepnego nagrzewania, na przyklad prety grzejne, sa wów- 59 czas umieszczone wewnatrz skretki chlodzacej i na zewnatrz klosza 8. Na rysunku zostalo ono pomi¬ niete.Zasilanie rury chlodzacej 17 wzglednie wspom¬ nianej skretki chlodzacej przeplywajacym czynni- 60 kiem chlodzacym mozliwe jest róznymi sposobami.Czesto wystarcza podlaczenie do wodociagu. Szcze¬ gólnie intensywne chlodzenie osiaga sie przy za¬ stosowaniu zamknietego obiegu chlodzenia przez sprezanie i adiabytyczne rozprezanie doprowadzo- 65 nego do niskiej temperatury latwo parujacego98 131 czynnika chlodzacego jak NHs,. CCI2F2 i innych substancji stosowanych w chlodnictwie. Tutaj rów¬ niez mozna uzyskac latwa regulacje, jesli w naj¬ bardziej goracym miejscu zewnetrznej scianki klo¬ sza umiesci sie czujnik regulacyjny, na przyklad 5 termoelement lub bolometr i przy - jego pomocy reguluje sie chlodziarke, z która polaczony jest umieszczony wewnatrz autoklawu 9 uklad chlo¬ dzacy, wykonany w szczególnosci z rury miedzia¬ nej lubsrebrnej. 10 PL
Claims (10)
- Zastrzezenia patentowe 1. Urzadzenie do wytwarzania elementarnego krzemu wydzielanego z fazy gazowej, skladajace 15 sie z plyt lub podstawy talerzowej oraz klosza kwarcowego lub ze szkla nalozonego szczelnie na podstawe, w którym srebrne plyty lub srebrna ta¬ lerzowa podstawa oraz klosz z kwarcu lub ze szkla umieszczone sa wewnatrz zbiornika cisnie- 20 niowego, przy czym podczas procesu wydzielania sie krzemu, zbiornik cisnieniowy jest zamkniety i napelniony gazem obojetnym zwlaszcza azotem pod takim cisnieniem, ze mimo obecnosci gazu reakcyjnego, we wnetrzu jego nastepuje gazo- 25 szczelne zamkniecie miedzy podstawa i krawedzia klosza z kwarcu lub ze szkla wedlug patentu nr 93312, znamienne tym, ze zbiornik cisnieniowy zao¬ patrzony jest w elementy sluzace do wstepnego nagrzewania podlozy (5) i/lub chlodzenia klosza 30 (8).
- 2. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, znamienne tym, ze ma elementy do chlodzenia sprezonego gazu doprowadzanego do zbiornika cisnieniowego.
- 3. Urzadzenie wedlug zastrz. 1 albo 2, znamien- 35 ne tym, ze zbiornik cisnieniowy otaczajacy wspól- sródkowo w niewielkiej odleglosci naczynie reak¬ cyjne jest zaopatrzony w przylegajacy z zewnatrz uklad rur chlodzacych.
- 4. Urzadzenie wedlug zastrz. 3, znamienne tym, ze uklad rur chlodzacych usytuowany jest we¬ wnatrz zbiornika cisnieniowego, wspólsrodkowy z chlodzonym kloszem (8).
- 5. Urzadzenie wedlug zastrz. 4, znamienne tym, ze uklad rur chlodzacych wewnatrz naczynia ci¬ snieniowego stanowia prety chlodzace (17), w ksztalcie U, zamocowane gazoszczelnie w dnie i/lub pokrywie (10) zbiornika cisnieniowego.
- 6. Urzadzenie wedlug zastrz. 4, znamienne tym, ze uklad rur chlodzacych wewnatrz zbiornika ci¬ snieniowego ma postac zwojów chlodzacych, ota¬ czajacych wspólsrodkowo klosz (8).
- 7. Urzadzenie wedlug zastrz. 5 albo 6, znamien¬ ne tym, ze uklad rur chlodzacych jest polaczony z chlodziarka.
- 8. tJrzadzenie wedlug zastrz. 3, znamienne tym, ze elementy sluzace do wstepnego nagrzewania sa umieszczone wewnatrz zbiornika cisnieniowego i na zewnatrz klosza (8) w odleglosci od klosza (8) nie wiekszej niz odleglosc ukladu rur chlodzacych od zbiornika cisnieniowego.
- 9. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, znamienne tym, ze elementy do wstepnego nagrzewania podlozy (5) stanowia ogrzewane elektrycznie elementy w po¬ staci pretów grzejnych (16) usytuowane w zbior¬ niku cisnieniowym na zewnatrz klosza (8) równo¬ legle do pionowo umieszczonych podlozy (5):
- 10. Urzadzenie wedlug zastrz. 9, znamienne tym, ze prety grzejne (16) sluzace do wstepnego nagrze¬ wania, ustawione sa promieniowo do przyporzad¬ kowanych im podlozy (5) w postaci pretów i sy¬ metrycznie wzgledem osi klosza. -^^h-U-C^ c ~~—¦ c—^\ f—a^*— 10 a^£- PL
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19732363254 DE2363254C3 (de) | 1973-05-14 | 1973-12-19 | Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
PL98131B1 true PL98131B1 (pl) | 1978-04-29 |
Family
ID=5901272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PL17640474A PL98131B1 (pl) | 1973-12-19 | 1974-12-12 | Urzadzenie do wytwarzania elementarnego krzemu |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE816962R (pl) |
IT (1) | IT1046171B (pl) |
PL (1) | PL98131B1 (pl) |
-
1974
- 1974-06-27 BE BE145969A patent/BE816962R/xx active
- 1974-12-10 IT IT3035874A patent/IT1046171B/it active
- 1974-12-12 PL PL17640474A patent/PL98131B1/pl unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT1046171B (it) | 1980-06-30 |
BE816962R (fr) | 1974-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6284312B1 (en) | Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon | |
US2155131A (en) | Apparatus for drawing pipes from quartz or glass having a high content in silicic acid | |
EP0581496A2 (en) | Molecular beam epitaxy (MBE) effusion source utilizing heaters to achieve temperature gradients | |
US2686212A (en) | Electric heating apparatus | |
JP2008509070A (ja) | 珪素製造用反応装置及び方法 | |
US3746496A (en) | Device for producing tubular bodies of semiconductor material, preferably silicon or germanium | |
US4724160A (en) | Process for the production of semiconductor materials | |
CN112663134A (zh) | 一种双温区独立控制的碳化硅单晶生长装置和生长方法 | |
US3211128A (en) | Vacuum evaporator apparatus | |
CN106395770A (zh) | 一种氮化铝原料的纯化装置及纯化方法 | |
US20130239878A1 (en) | Apparatus and method for production of aluminum nitride single crystal | |
PL98131B1 (pl) | Urzadzenie do wytwarzania elementarnego krzemu | |
WO2019085679A1 (zh) | 一种制备多元合金化合物的装置 | |
US3170859A (en) | Process for the preparation of silicon films | |
CN1300389C (zh) | 一种耐高温的晶体退火装置 | |
US3536892A (en) | Device for thermal processing of semiconductor wafers | |
CN110499532B (zh) | 快速制备碳化硅的装置 | |
US3342161A (en) | Apparatus for pyrolytic production of semiconductor material | |
EP2045373B1 (en) | Epitaxial reactor for the large-scale production of wafers | |
US2993763A (en) | Manufacturing process for the preparation of flakes of sintered silicon | |
US2149447A (en) | Furnace for treating materials at high temperatures | |
GB1004739A (en) | Improvements in or relating to vacuum deposition apparatus | |
CN216192879U (zh) | 一种氮化镓单晶生长装置 | |
US3142584A (en) | Method for pyrolytic production of hyperpure semiconductor material | |
US2987383A (en) | Purification of elemental boron |