DE2359786A1 - Verfahren und vorrichtung zum quasikontinuierlichen betreiben eines elektrooptischen bildwandlers - Google Patents

Description

Dr. Dieter F. y ο rf - '"-

Dr ί-',πο λ η ' "·" - ^; 3Θ* November 1973

ur.. i,.d-ns-A, Brauns 2259

B HiincJiBn Bfi, Pie/izanauefitr, at

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10 Magulre Boad> texington, Massachusetts, V.St.A.

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Betreiben eines elieictro^o^fcisESliten: Bildwandlers

Die ßrf indting liegt auf der« -Selaiei dier eleicfcro-opfcisehen Bildwandler, cthd insbesondere auf dein Gebiet der elektrooptisc£ign: Bildwandler» die aus E ißkri stall-Mate rial mit elektro-optasehem und phöboleitefidem Effekt ftergesfcellfe

sind* .'■■.

Elektro-optische Biidwandler onfcer Verwendung von Einkristall-Material sind bereits besöhr,ieben viarden, _r siehe z.B. US-PS ^ 517 206 und D.S. Oliver und W.R. Buchan "An Optical Image Storage and Processing Device using Electro-optic ZnS¹¹, IEEE Transactions on Electron Devices, Seiten 769-773, September 1971. Solche Bildwandler werden allgemein aus Stoffen mit elektro-optischen Eigenschaften und photoleitenden Eigenschaften hergestellt. Einige Beispiele für elektro-optisches Material sind Kaliumdihydrogenphosphat (KDP) und Dikaliumdihydrogenphosphat (DKDP). Photo-

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leitende Stoffe sind z.B. Cadmium- oder Zlnksulfid und -selenid,'ZLnkoxid_> usw. In einigen Fällen besitzt ein Material elektro-optische und photole itende Eigenschaften, wobei Einkristalle von kubischem Zinksulfid, Zinkselenid und WlsmutsLlLeiumoxid Beispiele für solche Stoffe sind.

In der Praxis wird der Echtiieifc-BefcrLeb solcher elektrooptLscher Bildwandler in der Weise durchgeführt, dess eine fortlaufende Folge kurzer elektrischer Impulse mit der gewünschten Tastfolge an das Gerät angelegt wird. Jeder Zyklus öder Jfedes Bild stellt einen Zeitabschnitt.dar* in dem eine optische Einschreiben-, Auslesen- .und Löschen/Vorbereifcen-Funkfcion ausgeführb werden kann. Während eines darauffolgenden Bildes kann ein neuer Zyklus der optischen Information verarbeitet werden- oder der vorausgehende Zyklus kann wiederholt werden. Die Geschwindigkeit/ mit. der dLese ■ Bilder wiederholt werden können und die notwendige Verarbeitung neuer optischer Einschreibe-Information durchgeführfc werden kann, stellt die Taktfrequenz dar-, mit dem der ■ Bildwandler arbeiten kann. · ■ '.

Obwohl In der Vergangenheit bei solchen e Ie ktro-optischen-Bildwandlern Einschreibe- und Auslese-Funkt ionen schnell ausgeführt wurden, bestand das Hauptproblem, welches das schnelle Einlesen neuer Information: verhinderte,' in dem unabhängigen Löschen der alten, in· dem Bildwändler vorhandenen Information und dem Vorbereiten des Bildwandlers zum Empfang neuer Einschreibe-Information. Es bestand daher ein Bedarf für eine schnelle, wirkungsvolle Technik zum unabhängigen Löschen und Vorbereiten' des Bildwandlers zum Empfang eines neuen, opbischen Einschreibe-Bildes, um dadurch, die elektrö-optischen Bildwandler in'einem quaslkantinuieriichen Modus betreiben zu können.^: -

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Tn einerAüeführungsform betrifft die Erfindung eine verbesserte Technik-ZUiIt--Betreiben eines elektro-optisehen Bildwandlers In einem quasi-kontanuierliehen Modus. Dies wird dadurch- erreicht, dass die einfallende, absorbierte Bestrahlung so angeordnet wird, dass sie die geeignete vorgespannte Fläche des Kristalls, belichtet, um den inneren lichtelektrischer) Effekt (rhotoloitfähigkeit) des Kristalls auszunutzen.

Beim normalen Betrieb eines Wandlers,- der aus einem Material mit n-I.-eit.ung.,. wie .z.B. V/i smut siliciumoxid hergestellt ist, erfolgen die Einschreibe- und Löschen-Belichtungen oder ,-."-.. -Bestrahlungen sequentiell. Die Binschreibe-Iielirhtung einer negativ vorgespannten Oberfläche erzeugt..-bevjegliche Ladunc^r-5träger, d.h. Elektronen, die unter dem "Einfluss des anßeln~ten oiektrisci-ien Feldes zur gegenü-berliegenden Ober- . ' fläche driften. Der •Lösohen-Schritt muss diesen- Vorgang im wesentlichen rückgängig machen. Die gegenüberliegende Kristallflache wird .daher anschliessend negativ vorgespannt und-der --.· Iiößchcn-Bestrahlung ausgesetzt, wodui'ch die gerade erzeugten bewegliehen- Elektronen zu der Fläche zurückdriften,. die von dem Ein schreiben-Licht, belichtet wurde. Auf diese WeiiSd findet die -Einsehreibo.nr und Lo'sche-n/Vorbereiten-Belichl ung aj] gegonu-berl3.ege.-n.dcin. Kristallfläojien ?λ\ Zeitpunkten statt., zu denen diese Flächen negativ vorßospannt sind. .-■'"- ,

Dieses Verfahren bedient, sich verschiedenei¹ grundlegender Eigenschaften des. elektro-opti sehen I5aterials, um ■quasikontinuierliche Bildwandlung ,mit Hochgeschwindigkeits- , Re gene rat i ons f äbigkeit durchzuführen, viie es für Anwendungen im Echtzeit-Betrieb, notwendig ist. Besteht der elektr.o-

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optische Kristall aus Wismutsiliciumoxid, so bedient sich das Verfahren in vorteilhafter Weise erstens des hohen Photoleitfähigkeitseffektes in Wismutsiliciumoxid, zweitens des grossen Driftbereiches photoinjizierter Elektronen, im Vergleich zu photoinjizierten Löchern, und drittens des In-Reihe-Aufbaus des elelctro-optischen Materials und des dielektrischen Materials, der dazu dient, die angelegte Spannung zu teilen und sie zwischen dem elektro-optischen Material und den dielektrischen Schichten entsprechend der Driftrichtung der photo-induzierten Träger zu verteilen.

Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Darstellung eines elektro-optischen Bildwandlers und .der verschiedenen, erfindungsgemäss verwendeten Arbeitsfolgen, und

Fig. 2 eine graphische Darstellung der verschiedenen Spannungen und Belichtungsintensitäten, die bei dem verbesserten erfindungsgemässen Betriebsverfahren eines elektro-optischen Bildwandlers auftreten.

Fig. 1 (a) stellt einen elektro-optischen Bildwandler dar, der aus einem kubischen Einkristall von Wismutsiliciumoxid 1 zwischen isolierenden dielektrischen Schichten 3 schichtförmig aufgebaut ist. Die isolierenden dielektrischen Schichten 3 können aus einer Schicht eines Materials, wie z.B. FarylenS^ , das von Union Carbide vertrieben wird, hergestellt werden. Im allgemeinen sind,solche isolierenden Schichten etwa 3 Mikrometer dick, während das Wismutsiliciumoxid im allgemeinen etwa 350 bis 375 Mikrometer dick ist.

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Die Dicken hängen natürlich von den in jeder Schicht des Wandlers benötigten Kapazitäten ab. ' ■

Transparente Elektroden 5* die durdi Aufdampfen eines durchsichtigen, leitenden Films, z.B. von Platin, auf die dielektrischen Schichten 3 hergestellt werden können, sind mittels eines Schalters 7 mit einer Batterie 9 oder mit einer Kurzschlussstellung 11 verbunden. Wenn von aussen eine Spannung angelegt wird, findet der Spannungsabfall hauptsächlich an dem Kristall statt, da er eine viel geringere Kapazität als ■· die isolierenden Schichten besitzt. Dies wird durch die dicke Linie veranschaulicht, die den Spannungsabfall an dem Wandler darstellt, wenn der Schalter 7 geschlossen ist und die Batterie 9 mit den Elektroden 5 verbunden ist.. Zum Durchlass-Auslesen ist die angelegte Spannung vorzugsweise etwa gleich der Halb-Wellen-Spannung des elektro-optisehen Materials, und etwa gleich der halben Halb-Wellen-Spannung zum Rückreflexions-Auslesen.

Wismutsiliciumoxid ist für einen elektro-optischen Bildwandler, wie er hier beschrieben wird, ein ausserordentlich gutes Material. Gemäss der Fachliteratur hat es eine Energielücke (E„ = 5,25eV), einen hohen elektrischen Widerstand (über

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iO Ohm em bei Raumtemperatur), eine gute Photoleitfähigkeit und eine ungewöhnlich niedrige elektro-optische Halb-Wellen-Spannung (K/2 = 3900 Volt). Es können Jedoch auch andere Materialien verwendet werden. Dies können Verbindungen eines elektro-optischen Materials mit einem photoleitenden Material sein, oder ein einziges Material, das beide Eigenschaften besitzt. Viele dieser Stoffe sind in der Fachliteratur beschrieben und eine weitergehende Beschreibung von ihnen findet sich in den folgenden Veröffentlichungen:

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ÜS-PS 3 517 206; Oliver und Buchan, "An Optical Image Storage and Processing Device Using Electro-optic ZnS", IEEE Transactions on Electron Devices, Seiten 769-773*. September I97I; Hou und Oliver, Appl. Phys. Lett. l8, 325 (1971).

In Fig. 1 (b) wird der Wandler dadurch gelöscht und zur Aufnahme eines Einlese-Bildes vorbereitet, dass er einer gleichförmigen Bestrahlung, die absorbiert wird, ausgesetzt wird, z.B. einer Bestrahlung mit einer Wellenlänge von etwa 375 bis 46o Nanometer für den Wismutsiliciumoxidkristall 1. Dies kann durch Verwendung einer Xenon-Blitzlampe ij5 geschehen, die einen kurzen Lichtimpuls, z.B. von 1 bis 10 Mikrosekunden Dauer abgibt. Eine EG&G Xenon-Blitzlampe der Type FX-IO8 AU mit einem Interferenzfilter für 4O²J- Nanomöter arbeitet in geeigneter Weise und gibt einen Llchtimpuls mit einer Halbwertsbreite von 2xlO~ Sekunden ab.

Wie dargestellt, wird die kurze Blitzlicht- oder Löschen/ Vorbereiten-Bestrahlung an der Oberfläche der negativ vorgespannten Seite des Wismutsiliciumoxidkristalls absorbiert. Die absorbierte Bestrahlung erzeugt photoinjizierte Loch-Elektron-Paare von Ladungsträgern, die durch das angelegte Feld getrennt werden, bis sie genau die von aussen an den elektro-optischen Kristall angelegte Spannung aufheben. Da Wismutsiliciumoxid ein Photoleiter mit η-Leitung ist, besitzen die photoinjizierten Elektronen eine viel höhere Beweglichkeit als die Löcher und driften zur gegenüberliegenden Seite des Kristalls. Die angelegte Spannung fällt nun in erster Linie an den dielektrischen Schichten ab. Wenn Wismutsiliciumoxid ein Photoleiter mit p-Leitung wäre (Wismutsiliciumoxid ist bei starker Dosierung mit Aluminium oder anderen Dotierungsmitteln ein Photoleiter mit p-Leitung), würde die Xenon-Blitzlampe an der positiv vorgespannten

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Seite des Kristalls angeordnet werden, da man erwarten würde, dass die Löcher driften. Auf diese Weise ergibt sich dadurch, dass man; sich der in dem Kristall erzeugten Ladungsträger in vorteilhafter Weise bedient, ein schnelles und wirkungsvolles Verfahren zum Lösehen früherer' Information in dem Wismutsiliciumoxid-Kristall und zum Vorbereiten des Kristalls für eine Einschreibe-Belichtung. .

In Pig. 1 (c) ist die angelegte Spannung entfernt und die Elektroden sind durch Umlegen des Schalters 7 in die dargestellte Kurzschlusss te llung IT kurzgeschlossen. Wenn die angelegte Spannung in dieser Weise entfernt und der Wandler kurzgeschlossen wird, erzeugen die in dem Löschen/Vorbereiten-Schritt erzeugten Ladungsträger eine Spannung, die sich so über das elektro-optische Material und dielektrischen Schichten verteilt, wie es durch die dicke Linie dargestellt ist. Da die Kapazität der dielektrischen Schichten viel kleiner ist als die des elektro-optischen Materials, wird tatsächlich sehr wenig Ladung auf das elektro-optische Material übertragen und der Spannungsabfall an dem elektro-optischen Material ist nach dem Kurzschliessen nahezu gleich dem vor dem Kurzschliessen der von aussen angelegten Spannung. Wenn die angelegte Spannung die Halb-Wellen-Spannung oder für RUckref.lexions-Aus lesen die halbe Halb-Wellen-Spannung.ist, dann ist folglich diese Spannung zum elektro-optischen Einschreiben verwendbar. In diesem Stadium ist der Wandler bereit für einen neuen Einschreibe Vorgang. .

In Fig. 1 (d) ist der Wandler so dargestellt, dass er mit der oberen Hälfte dem Einsehreibe--Licht 15 ausgesetzt ist, das durch den Kristall 1 absorbiert wird, während die untere Hälfte als nicht-belichtet dargestellt ist. In der unteren

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Hälfte bleibt der in Fig. ] (c) dargestellte Spannungsabfall unverändert. In der oberen, belichteten Hälfte erniedrigt das Einschreiben-Licht entsprechend dem Ausmass der Belichtung an jedem Punkt den Spannungsabfall innerhalb des Kriqtalles Die Einschreibe-Bestrahiung 15 ist auf eine Oberfläche des Kristalles 1 gerichtet, die negativ vorgespannt ist, um sich wiederum der viel höheren Beweglichkeit der photoerzeugten Elektronen-Ladungsträger im Vergleich zu der der Löcher zu bedienen.

In Fig. 1 (d) ist zu sehen, dass in den belichteten Gebieten der Vorrichtung im Vergleich zu den nicht belichteten Gebieten ein deutlicher Unterschied in dem inneren Feld besteht. Dieser Unterschied iin Spannungsabfall an dem Kristall kann ausgelesen werden und stellt die Information dar, die durch das Elnschreibe-Liehtmuster in den Wandler- eingeschrieben wurde. Ein geeignetes Verfahren zum Auslesen der Inforniation besteht darin, nicht absorbierendes, eben polarisiertes Licht, wie z.B. eben polarisiertes rotes Licht 17, durch die Vorrichtung zu schicken und die relative Phasenverzögerung anzuzeigen, die durch Pockels linearen elektro-optischen Effekt eines Kristalls, wie z.B. Wismutsiliciumoxid erzeugt vjird. Ein anderes geeignetes Verfahren, das als Rückreflexions-Auslesen bezeichnet wird, besteht darin, eben polarisiertes Licht von einem dichroitisehen Reflektor zu reflektieren, der an der Vorderseite angeordnet ist, so dass das Auslese-Licht zweimal durch den Kristall hindurchgeht. Rückreflexions-Auslesen hat den Vorteil, dass sich die Phasenverzögerung des Auslese-Lichts infolge innerer optischer Aktivität, die einige elektro-optische Stoffe· einschliesslich Wismutsiliciumoxid zeigen, nicht auswirkt. Rückreflexions-Auslesen ist in der Fachwelt bekannt und im Detail in, den folgenden

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Veröffentlichungen beschrieben: D.H. . Pritchardv "A Reflex Electro-optic LLght Valve Television Display", RCA Review/ Dezember 1969, Seiten 567-592; und B. Kazan und II.Knoil, , Elektronic Image Storage, Academic Press, I968,. Seiten j?99 bis 408. Bezüglich des Rückre flexions -A us le sens wird auf diese Veröffentlichungen verwiesen. Der dichroitische Reflektor ist bekannt und wird daher aus Gründen der Vereinfachung in den Zeichnungen nicht dargestellt.

Der dichroitische Reflektor soll natürlich so ausgelegt sein, dass er das Einschreiben-Licht.durchlässt, das Auslese-Licht jedoch reflektiert.

Das Abklingen eines gespeicherten Einschreibe-Bildes durch AusIese-Licht kann dadurch soweit wie möglich vermieden werden, dass eine positiv vorgespannte Oberfläche des Kristalls¹mit Auslese-Licht bestrahlt wird. Wie oben er- ' läutert, ist die positiv vorgespannte Oberfläche eines elekt-ro-optischen Kristalls mit η-Leitung relativ licht- " unempfindlich. ' - '

Die Spannungs- und Lichtintensitätsmuster für das hier be- ■ schriebene, quasi-kontinulerliche Betriebsverfahren in einem . elektro-optischen Wandler sind in Fig. 2 als eine Funktion der Zeit dargestellt. Es ist ein sich wiederholender, rechteckiger, negativer Spannungsimpuls dargestellt, wie er an einen Wandler während des Zeitabschtrittes angelegt wird, " in dem der Wandler gelöscht wird und für die- nächste Einschreibe-Folge vorbereitet wird. In der-Praxis soll dieser Impuls so kurz wie möglieh gehalten werden, und es hat sich gezeigt, dass Zeiten von etvia 2 Millisekunden für die im Betrieb verwendete Spannungsversorgung ausreichen, um Spannungen von etwa der llalb-V/allen-Spannung eines WismutsilicLuitioxid-Kristalls" anzulegen.

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ELn kurzer Lichtinipuls, wie er von einer Xenon-Blitzlampe erzeugt wird, wild abgegeben, während der negative, externe Spannungsimpuls an den Kristall gelegt wird. Die.Einschrei.be-Bestrahlung erfolgt, nachdem die Vorrichtung gelöscht und vorbereitet wurde, und nachdem die Elektroden des l/andlers in den KurzSchlusszustand versetzt wurden.

In dem Nicht-Schieiben-Bereich des Kristalls, wie etwa der nicht belichteten Hälfte des in Fig. 1 (d) gezeigten Wandlers, bleibt die elektro-optische Spannung an dam Kristall auf einem konstanten positiven Wert, ausgenommen die Zelt, in der von aussen eine negative Spannung an den Wandler angelegt wird. Beim Anlegen der negativen Spannung geht die elektro-optische Spannung in den Micht-Schreiben-Bereicheri des Kristalles auf Null, da der Teil der negativen, äusseren Spannung, die an dem elektro-optischen Kristall erscheint, in der Grosse genau gleich und in der Polarität entgegengesetzt der positiven Spannung ist, die durch die· gespeicherte Ladung an dem Kristall erzeugt wird.

Die Auslese-Intensität steht auf diese Weise auf einem konstanten V/ert, mit Ausnahme der Zeitspanne des Anliegens der äusseren, negativen Spannung.

In dem Schreiben-Bereich des Kristalls fällt die elektrooptische Spannung beim Anliegen der angelegten Spannung auf einen negativen Wert. Der Löschen/Vorbereiten-Lichtblitz entlädt diese Spannung und das Kurzschliessen legt eine ähnliche Spannung entgegengesetzter Polarität wiederum an. Diese letztere Spannung klingt während des Schreiben-Schrittes entsprechend dem Muster des Einschreibe-Lichtes ab. Wenn das Löschen-Licht den Kristall während des folgenden Zyklunses trifft, ist Jegliche verbliebene Ladungsver-

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teilung:in dem Kristall abgeklungen.

-Die kontinuierliche Auslese-Lichtintensität in.dem Schreiben-Bereich steigt beim Anlegen der angelegten Spannung an und klingt dann während des Löschen/Vorbereiten-Lichtblitzes scharf ab, steigt mit entgegengesetzter Polarität beim Kurzschliessen der Vorrichtung an und klingt dann entsprechend dem Muster des Einschreibe-Lichtes ab.

Ein vollständiger Zyklus oder ein vollständiges Bild beginnt beim Betrieb des Wandlers,wenn der angelegte, negative Spannungsimpuls beginnt. Der Zyklus ist ,zu Ende, wenn das Auslesen während des Kurzschlusses des Wandlers vollständig ausgeführt worden ist. . . -

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Claims (13)

1. Al

   Patentansprüche

   ί 1. JVerfahren für den quasi-kontinuierlichen Betrieb einer elektro-optischen Vorrichtung, die aus elektro-optischen und photoleitenden Materialen gebildet ist, wobei das Verfahren Einschreibe-, Auslese- und Löschen/Vorbereiten-Schritte enthält, dadurch gekennzeichnet, dass man

   a) ein vorgegebenes Spannungsmuster an dem elektro-optischen und photoleitenden System aufrechterhält,

   b) das photoleitende System einem Muster einer Strahlung aussetzt, die durch das photoleitende System absorbiert wird, wobei das Muster die Information darstellt, die in das elektro-optische System in der Weise eingeschrieben werden soll, dass sich eine Verteilung elektrischer Ladungen in dem elekfcro-optischen System entsprechend dem Informationsmuster ändert,

   c) die Änderungen der Ladungsverteilung des elektro-optischen Systems abfühlt und

   d) das elektro-optische und photoleitende System löscht und zum Aufnehmen eines anderen Einschreibe-Lichtmusters vorbereitet, indem man eine Fläche des photoleitenden Materials mit einem kurzen Impuls von gleichförmigem, absorbiertem Licht bestrahlt, während gleichzeitig eine Spannungspolarität an die bestrahlte Fläche gelegt wird, die die innere Photoleitfähigkeit in dem Photoleiter dazu verwendet, ausreichend bewegliche Ladungsträger

   . zu erzeugen, um jede von früheren Einschreibe-Bildern verbliebene Ladungsmusterverteilung zu neutralisieren.
2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die elektro-optischen und photoleitenden Materiale einen Ein-

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   kristall a:us kubischem Wismut siliciumoxid mit n-Leitung
   enthalten. .
3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das vorbestimmte Spannungsmuster einen negativen Spannungsimpuls an der Fläche des Kristalles enthält, die der Löschen/Vorbereiten-Bestrahlung ausgesetzt wird.
4. 4. Verfahren nach Anspruch. 2 oder J)₃ dadurch gekennzeichnet,
   dass die löschen- und Vorbereiten-Belichtung einen kurzen
   Liehtimpuls mit einer Wellenlänge von etwa 375 bis 460
   Nanometer enthält. - . '
5. 5·- Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Impuls eine Dauer Von etwa 1 l>is 10 Mikrosekunden hat.
6. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5* wobei das System ein Kristall mit einem dichroitisehen Reflektor an der Vorderseite ist, dadurch gekennzeichnet, dass man - ■

   a) die angelegte Spannung entfernt und die Elektroden
   kurzsehliesst,

   b) dadurch Information in den Kristall einschreibt, dass .
   man seine Vorderseite einem Muster einer Einschreibe-Bestrahlung aussetzt, die' in dem, Kristall absorbiert wird,

   c) die Information dadurch ausliest, dass man die,Rückseite des Kristalles einer nicht absOrbierten Auslese-Bestrahlung aussetzt, wodurch das-Licht durch den Kristall hindurchtritt und von dem dichroitisehen Reflektor reflektiert wird, und ..·-.,- ■·-·.,./ · - ..--.-.,.-..

   d) die Modulation des reflektierten Auslesen-Lichtes abfühlt. : ; : λ . - ■ :...-■■. :■■-- - . ■>'

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7. 7· Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Löschen und Vorbereiten in der Weise durchgeführt wird, dass man die Rückseite des Kristalles einem Lichtimpuls aussetzt, der eine Dauer zwischen etwa 1 und 10 Mikrosekunden hat und eine Wellenlänge von etwa 575 bis 46o Nanometer besitzt.
8. 8· Verfahren nach Anspruch 6 oder 7* dadurch gekennzeichnet, dass die Vorderseite des Kristalles während der Auslesen-Bestrahlung positiv vorgespannt ist.
9. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der negative Spannungsimpuls, der während der Einschreibe-Bestrahlung anliegt, etwa glei-ch der halben Halb-Wellen-Spannung von Wismutsiliciumoxid ist.
10. 10. Verfahren nach einem der Ansprüche β bis 9* dadurch gekennzeichnet, dass das Auslese-Licht eben polarisiertes rotes Licht enthält.
11. 11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Löschen- und Vorbereiten-Bestrahlung durch eine Xenon-Blitzlampe erfolgt.
12. 12· Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Einlese-Bestrahlung blaues Lieht enthält.
13. 13. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass man das Abfühlen der Modulation in der Weise durchführt, dass man die relative Phasenverzögerung des

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    Auslese-Lichtes bestimmt, die durch Pockels linearen elektro-optisehen Effekt eingeführt wird, der in kubischem Wismutsilieiümoxid-Einkristall vorhanden ist. . '

    14· Elektro-optische Vorrichtung, gekennzeichnet durch

    a) ein elektro-optisches System mit einer optischen Eigenschaft, die sich entsprechend dem an das System angelegten Spannungsmuster verändert»

    b) ein photoleitendes System, das dem elektro-optischen System zugeordnet ist,

    c) Einrichtungen zum Anlegen eines vorgegebenen Spannungsmusters an das elektro-optische iind photoleitende System,

    d) Einrichtungen zum Bestrahlen des photoleitenden Systems mit einem Muster von Lieht, das durch das photoleitende System absorbiert wird, wobei das Muster die Information darstellt, die in das elektro-optische System eingeschrieben werden soll, um eine Inderun@ der optischen Eigenschaft des elektro-optisehen Systems entsprechend dem Informationsmuster hervorzurufen,,

    e) Einrichtungen zum Abfühlen von Inderongen der elektrooptischen Eigenschaft des elektro-optisehen Systems, und

    f) Einrichtungen zum Löschen und Vorbereiten des elektrooptischen Systems für das Aufnehmen eines anderen Informatäonsmusters von Licht, indem bewegliche Ladungsträger in dem photoleitenden System erzeugt werden,-die ausreichen, um jedes innere Feld irnierJaalb des elektro-optischen Systems zu neutralisieren, wobei die Einrichtungen zum Lösehen und Vorbereiten Einrichtungen enthalten, die dazu dienen, eine Fläche des phötoleitenden Systems itiit gleichförmigen, kurzen Impulsen von absorbiertem Licht zu bestrahlen, sowie Einriehfemgen zum Aufrechterhalten einer ausreichenden Spannung an der mit dem Löschen-Llcht

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    bestrahlten Fläche, um die in dem photoleitenden System vorhandene innere Photolejbf ähigkeit auszunützen.

    15« Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das elektro-optische System und das photoleitende System einen Einkristall von kubischem Wismutsiliciumoxid mit η-Leitung enthalten.

    l6. Vorrichtung nach Anspruch 14 oder 15* dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtungen zum Bestrahlen mit Einlese-Licht und die Einrichtungen zum Bestrahlen mit kurzen Lichtimpulsen in der Weise angeordnet sind, dass gegenüberliegende Seiten des Wlsmutsiliciumoxid-Kristalls bestrahlt werden. ,

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