DE2355426B2 - Ueberspannungsableiter - Google Patents
UeberspannungsableiterInfo
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- DE2355426B2 DE2355426B2 DE19732355426 DE2355426A DE2355426B2 DE 2355426 B2 DE2355426 B2 DE 2355426B2 DE 19732355426 DE19732355426 DE 19732355426 DE 2355426 A DE2355426 A DE 2355426A DE 2355426 B2 DE2355426 B2 DE 2355426B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
- H01T1/00—Details of spark gaps
- H01T1/20—Means for starting arc or facilitating ignition of spark gap
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
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Die Erfindung bezieht sich auf einen Überspannungsableiter mit einem rohrförmigen Gehäuse, in dem
Elektroden einander gegenüberstehen, die in die Enden des Gehäuses gasdicht eingesetzt sind.
Überspannungsableiter dieser Art sind z. B. durch die DT-PS 10 89 482 bekannt. Der bekannte gasgefüllte
Überspannungsableiter besteht im wesentlichen aus zwei Elektroden, die mit einem dazwischenliegenden
Isolierkörper gasdicht verschmolzen sind. Als Atmosphäre wird im Entladungsraum vorteilhaft ein Edelgas
verwendet, das mit den an eier Entladung beteiligten Elektroden nicht reagiert. Die Ansprechspannung des
Überspannungsabieiters ergibt sich aus dem Paschen-Gesetz bei gegebenem Gasdruck urd Elektrodenabstand.
Bei Stoßspannungsbeanspruchung beobachtet man mit zunehmender zeitlicher Spannungssteilheil
auch ein Anwachsen der Ansprechspannung. Bei linearem Anstieg ergibt sich also mit zunehmender
Ansprechspannung proportional eine entsprechende Ansprechverzögerung. Da die Gasstrecke zwischen den
Elektroden ein hervorragender Isolator ist, müssen durch freie Elektronen bei steilem zeitlichen Stoßspannungsanstieg
durch Stoßionisation zunächst Ladungsträger gebildet werden, die den Strom transportieren.
Dieser Zündverzug wird ganz wesentlich von dem Vorhandensein freier Elektronen beeinflußt. Bei genügend
freien Elektronen kann daher der Zündverzug sehr stark reduziert werden. Gibt man radioaktive Präparate
in den Entladungsraum, die primär oder sekundär Elektronen auslösen, so wird die Zündverzögerung und
damit die Ansprechstoßspannung reduziert. Vorteilhafte /3-Strahler sind z. B.Tritium und Promethium 147.
Im Bereich großer Spannungssteilheiten kann die Ansprechstoßspannung aber auch durch Streifen aus
elektrisch leitfähigem Material, sogenannte Zündstreifen bzw. Zündstriche, erniedrigt werden, die auf den
Isolierkörper vornehmlich auf dessen Innenseite aufgebracht sind und sich in Richtung von der einen Elektrode
zur anderen erstrecken. Die Mikroentladungen des Zündstriches befreien Elektronen durch Feldelektronenemission
mit kleiner Zündverzögerung. Die Wirksamkeit des Zündstriches auf die Reduktion der
Ansprechstoßspannung ist aber in starkem Maße von seiner Qualität abhängig. Gleichbleibende Zündstrichqualitäten
erreicht man in der Massenfabrikation aber nur mit erheblichem Aufwand. Die bekanntem Überspannungsableiter
(z.B. DT-PS 10 70 733) werden hisher mit Glas- oder Keramikisolierkörper hergestellt,
die unterschiedliche Zündstrichmaterialien wegen der notwendigen Haftfestigkeit erfordern. Für Reproduzierbarkeit
der Ansprechgleichspannung ist auch der mit einem Zündstreifen ausgestattete Überspannungsableiter
zusätzlich mit einer schwachen radioaktiven Dotierung zu versehen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Überspannungsableiter mit reduzierter Ansprechstoßspannung
und sehr kurzer Zündverzögerung zu schaffen. Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einem
Überspannungsableiter der eingangs genannten Art erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß das Gehäuse aus
Halbleitermaterial besteht
Ein erfindungsgemäßer Überspannungsableiter hat den wesentlichen Vorteil, daß die unvermeidliche
Zündverzögerung der herkömmlichen Gasentladungsabieiter, die auch bei Überspannungsableitern mit
Zündstreifen durchaus merklich ist, praktisch vollkommen vermieden ist. Darüber hinaus ist ein erfindungsgemäßer
Überspannungsableiter für die Massenfertigung besonders geeignet, da bei diesem Ableiter das Problem
wegfällt. Zündstreifen reproduzierbar herstellen zu müssen, indem die Isolierkörper von edelgasgefüllten
Überspannungsableitern durch halbleitende Gehäuse aus dotiertem Metalloxyd ersetzt sind. Die vorzugsweise
auf der Basis von Zinkoxyd, Titanoxyd, Kupferoxyd und Eisenoxyd aufgebauten Keramiken des Isolierkörpers
werden durch Wismutoxyd und Kobaltoxyd zu halbleitenden Keramiken, bei denen der Strom mit der
15. bis 30. Potenz der Spannung zunimmt. Unterhalb der
Ansprechspannung dieser Keramik verhält sie sich wie ein guter Isolator. Da die Keramik gasdicht ist, kann sie
also unmittelbar als Überspannungsableitergehäuse eingesetzt werden. Sie wird elektrisch nur dann
beansprucht, wenn die Ansprechstoßspannung des Ableiters oberhalb der Ansprechspannung der Keramik
liegt Die Zündverzögerung der Gasentladungsstrecke ist sehr kurz und liegt stets unter 50 μ$. Die
Ansprechspannung des Keramikgehäuses bei sehr großem Spannungsexponenten der Stromabhängigkeit
des Keramikgehäuses kann man sehr dicht an die Ansprechgleichspannung der Gasentladungsstrecke legen,
so daß eine Abhängigkeit der Ansprechspannung als Funktion des zeitlichen Spannungsanstieges für
diesen erfindungsgemäßen Überspannungsableiter praktisch nicht mehr auftritt. Wenn der Schutzpegel
dieser Überspannungsableiter gemäß der Erfindung durch die Ansprechspannung der halbleitenden Gehäuse
gegeben wird, ist eine zusätzliche Verwendung von radioaktiven Präparaten im Ableiter völlig überflüssig.
Der vorgeschlagene Überspannungsableiter braucht dann weder Zündstreifen noch Radioaktivität und
eignet sich auch daher besser für die Massenproduktion.
Anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels soll die Erfindung nachstehend
näher erläutert werden.
Die Figur zeigt im Schnitt einen erfindungsgemäßen Überspannungsableiter. Die Elektroden 1, 2 sind in die
Enden eines rohrförmigen Isolierkörpers 3, der erfindungsgemäß aus Halbleitermaterial besteht, gasdicht
eingesetzt. Der gasdichte Übergang vor, dem Metall der Elektroden 1, 2 zu den Enden des
Isolierkörpers 3 wird dabei zweckmäßig durch eine Hartlotverbindung realisiert. Die Elektroden 1, 2 des
Überspannungsabieiters sind in diesem Ausführungsbeispiel kegelstumpfförmig ausgebildet. Derartige Überspannungsableiter
werden auch Knopfabieiter genannt und zeichnen sich insbesondere durch ihre geringen
Abmessungen aus. Weiterhin weist der Isolierkörper 3 an den Außenseiten der Enden einen Absatz auf, über
den die Außenränder der Elektroden 1, 2 nicht hinausragen. Ein so konstruierter Überspannungsableiter
hat den Vorteil, daß er zum isolierten Einbau in rohrförmigen Metallfassungen geeignet ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Überspannungsableiter mit einem rohrförmigen Gehäuse, in dem Elektroden einander gegenüberstehen,
die in die Enden des Gehäuses gasdicht eingesetzt sind, dadurch gekennzeichnet,
daß das Gehäuse (Isolierkörper 3) aus Halbleitermaterial besteht
2. Überspannungsableiter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial
ein dotiertes Metalloxid ist
3. Überspannungsableiter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial
aus Zinkoxyd, Titanoxyd, Kupferoxyd und/oder Eiset, oxyd besteht, das mit Wismutoxyd oder
Koba.toxyd dotiert ist.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19732355426 DE2355426C3 (de) | 1973-11-06 | Überspannungsableiter | |
GB2760074A GB1437853A (en) | 1973-11-06 | 1974-06-21 | Surge voltage arresters |
JP12789474A JPS5074747A (de) | 1973-11-06 | 1974-11-06 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19732355426 DE2355426C3 (de) | 1973-11-06 | Überspannungsableiter |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2355426A1 DE2355426A1 (de) | 1975-05-15 |
DE2355426B2 true DE2355426B2 (de) | 1976-12-16 |
DE2355426C3 DE2355426C3 (de) | 1977-07-28 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2355426A1 (de) | 1975-05-15 |
GB1437853A (en) | 1976-06-03 |
JPS5074747A (de) | 1975-06-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |