DE2353999A1 - Verfahren zur gleichzeitigen herstellung integrierter schaltungen - Google Patents
Verfahren zur gleichzeitigen herstellung integrierter schaltungenInfo
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Description
Böblingen, den 24. Oktober 1973
gg-sn
Anmelderin: . ; International Bias ines s Machines
■ .-"·"..■■" Corporation, Armonk, N, Y. 10504
Amtliches Aktenzeichen: v "Neuanmeldung
Aktenzeichen der Anmelderin: PO 972 039
Verfahren zur gleichzeitigen Herstellung integrierter Schaltungen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur gleichzeitigen'Herstellung,
integrierter Schaltungen; die in großer Typenvielfalt
auf einem Wafer untergebracht sind.
Bei der Herstellung hochintergrierter Schaltungen unterschiedlicher
Typen geht man in bekannter Weise so vor, daß man für jede
Schaltungstype eine Maske fertigt, daß mit dieser Maske auf jeweils
einem Wafer eine Vielzahl identischer Schaltungen gebildet werden, daß eine Prüfung der Schaltungen durchgeführt wird, daß
die Lage defekter Schaltungen gespeichert wird, daß der Wafer in
einzelne Chips zerlegt wird, die jeweils eine Schaltung enthalten,
und daß in Abhängigkeit vom Prüfergebnis eine Trennung defekter
und defektfreier Schaltungen (Chips) durchgeführt wird. Wesentliches
Merkmal des bekannten Verfahrens ist, auf einem Wafer
stets nur gleiche Schaltungen zu erzeugen. °
Ein Nachteil dieses Verfahrens besteht darin; daß die Kosten einer
auf diese Weise hergestellten,; relativ kleinen Anzahl von Schaltungen, wie sie beispielsweise für spezielle Anwendungen beim
Kunden benötigt werden·, kaum geringer sind als die Kosten für
eine große Anzahl, da der Kostenanteil der Maskenherstellung und des Prüfverfahrens den größten Anteil an den Gesamtkosten aus-
409824/0683
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machen. Als besonders gravierend erweist sich die Unwirtschaftlichkeit
dieser Verfahren dann, wenn aus irgendwelchen Gründen im Herstellungsprozeß Fehler auftreten, die eine niedrige Ausbeute
je Wafer ergeben. Weiterhin zeigt sich die Unwirtschaftlichkeit und der unnötig hohe Materialaufwand dann, wenn die Anzahl der
von einer bestimmten Schaltung benötigten Exemplare geringer ist als die defektfreie Ausbeutekapazität eines Wafers.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die genannten Nachteile
zu vermeiden und eine /irtschaftliche Methode zur gleichzeitigen Herstellung und Prüfung unterschiedlichster Typen von mikrominiaturisierten
integrierten Schaltungen anzugeben, wobei besonderes Augenmerk auf die Herstellung geringerer Mengen jeder
Schaltungstype gerichtet ist.
Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die
Ausbeutewahrscheinlichkeit bezogen auf den Wafer bestimmt wird, daß ein Layout für den Wafer festgelegt wird, das den Herstellungserfordernissen
unter Berücksichtigung der Ausbeutewahrscheinlichkeit angepaßt ist, daß einer oder mehrere Wafer
fertig bearbeitet werden, daß jeder Wafer entsprechend, der diskreten
unterschiedlichen Schaltungen zerlegt wird, und daß diese Schaltungen sortiert werden. Das erfindungsgemäße Verfahren gestattet
es, eine optimale Ausbeute für jede Schaltungstype sicherzustellen.
Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens sind in den
Unteransprüchen niedergelegt.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 ein Ab lauf diagramm des erf indungsgemäßen Ver
fahrens, und
Fig. 2 ein typisches Wafer Layout.
po 972 039 AO 982 A/068 3
Wie aus dem Ablaufdiagramm in Fig. 1 zu ersehen ist, setzt sich
das erfindungsgemäße Verfahren aus folgenden Verfahrensschritten zusammen:
Vorabschätzung der wahrscheinlichen Schaltungsausbeute
und des wahrscheinlichen Oberflächengradienten der Schaltungsausbeute
fur einen Wafer bekannter Größe und Zusammensetzung; . ,
Festlegung und Anpassung des mengenmäßigen Bedarfs an
Schaltungstypen an die Ausbeutepärameter;
Festlegung eines Gesamtlayouts für optimale mengenmäßige
Ausbeute an sämtlichen Schaltungstypen;
Erstellung eines Prüfprogramms oder Prufsystems zur Prüfung
der Gesamtanordnung;
Anwendung eines Photoprozesses auf einen oder mehrere
Wafer; '
Prüfung der individuellen Schaltungen der Gesamtanordnung
mittels des erstellten Prüfprogramms und Speicherung der Schaltungstype, der Lage auf dem Wafer und der Eigenschaft
jeder Schaitungstype; .^
Zerlegung des Wafers in die diskreten Schaltungen enthaltenden Teile; '
Ausscheidung defekter Schaltungen entsprechend dem Prüfergebnis;
Sortieren der als gut befundenen Schaltungen nach Type und,
falls erwünscht, nach Qualität.
Im folgenden werden die einzelnen Verfahrensschritte näher beschrieben.
Vorabschätzung der gesamten Ausbeutewahrscheinlichkeit und des wahrscheinlichen Flächengradienten der Ausbeute je Wafer
Die Ausbeuteparameter werden für einen Wafer spezifischer Größe
und Zusammensetzung anhand von Statistiken über vorangegangene Ausbeutemessungen ermittelt. Diese Statistiken sollten die tat- '
po 972 039 Λ09824/0683
sächliche, auf den gesamten Wafer bezogene Ausbeute und die Ausbeute
bezogen auf diskrete Bereiche des Wafers umfassen. Es hat sich gezeigt, daß bei einem scheibenförmigen Wafer der Ausbeutegradient
gewöhnlich in radialer Richtung verläuft und im Zentrum am höchsten und an der Peripherie am geringsten ist.
Festlegung und Anpassung des mengenmäßigen Bedarfes bei großer Typenvielfalt an die angenommenen Ausbeuteparameter
Der Bedarf je Schaltungstype hängt von der Type selbst und vom jeweiligen Anwendungsfall ab. Die Anpassung an die angenommenen
Ausbeuteparameter schließt eine entsprechende Produktionsentwicklung ein. Das Ziel ist es natürlich, die Waferausnutzung zu
optimisieren und die gesamten Produktionsbedürfnisse für alle
gleichzeitig erzeugten Schaltungstypen bei minimalem Materialbedarf
zu erfüllen.
Es werden die besonderen Merkmale aufgelistet, die die Lage der einzelnen Schaltungen jeder Type in bezug auf eine Kennungsmarke
auf dem Wafer spezifizieren. Dies geschieht unter Berücksichtigung der oben angegebenen Festlegungen. Eine ausreichende Mischung
von Schaltungen jeder Type ist in die höchste Ausbeute ergebenden
Zentrum und in den eine niedrige Ausbeute ergebenden peripheren Ringzonen vorzusehen, um eine ausreichende mengenmäßige Ausbeute
an brauchbaren Schaltungen jeder Type bei Annahme der schlechtesten Ausbeutebedingungen sicherzustellen.
Die Prüfung, automatisch oder manuell, umfaßt eine Reihe von sich schrittweise wiederholenden Prüfoperationen, die mit Speicheroperationen
abwechseln. Die verschiedenen Schaltungstypen sind
vorzugsweise mit identischen Prüfanschlüssen ansgestattet. Die
einzelnen Schaltungen sind auf dem Wafer in bezug auf die berr-i I-·--
vn ι rj. GV) 4US824/Ü&83"
8AD ORIGiNAL
erwähnte Kennungsmarke lagemäßig festgelegt. Ist die Prüfung
mittels eines" Programms automatisiert, so sind die zur Abtastung
der Schaltung und zur Speicherung seiner Lage, Type und Eigenschaf.t
erforderlichen Instruktionen in Übereinstimmung mit dem
Layout festgelegt.
A. Maskenherstellung . . *
Die Herstellungen der Maske durch Steuerung eines Strahls inschrittweiser
Wiederholung erfolgt unter Berücksichtigung des
Layouts, so daß die Schaltungen jeder Type insgesamt und gleichzeitig in der gewünschten Verteilung erzeugt werden können.
In einem typischen Fall konnte ein Wafer die mengenmäßigen Erfordernisse
für acht unterschiedliche Schaltungstypen erfüllen.
Die Maske war so ausgelegt, daß mindestens eine defektfreie Schaltung jeder Type, im zentralen, die höchste Ausbeute gewährleistenden
zentralen Bereich des Wafers angeordnet war. Die weitere Verteilung war so, daß sich für jede Schaltungstype eine
Anzahl von Schaltungen ergab, die proportional dem Produktionsbedarf war. Unter Berücksichtigung des radialen Ausbeutegradienten und der Tatsache, daß von jeder Schaltungstype gleiche
Mengen erforderlich waren, wurden Schaltungen jeder Type abwechselnd an aufeinanderfolgenden Positionen.des zentralen und
der peripheren Ringzonen des Wafers angeordnet. Ist dagegen, der
Bedarf an. Schaltungen unterschiedlicher Type ungleich, dann wird
die Verteilung innerhalb jedes Oberfläqhenbereiches dadurgh sinnvoll
variiert, daß Mengen n-1 der Type X, n2 der Type 2 usw. nacheinander in jedeni Qberflä.chenbereich vorgesehen werden., so daß
jeweils^ mindestens, eine defektfreie Schaltung jeder Type erhalten wird. ■'.-,. ""...-
B. Prüfung - " - - . ' ■ , .
Die Prüfung der- .hergestellten fq^altuncjen erfolgt auf dem unz,er~
legten Wafer, Dabei wird das.erwähnte Testprögramm verwendet in
°39 409824/Q$83~ . ;....'
Verbindung mit einer geeigneten Positionierungseinrichtung. Für jede Schaltung wird ein Prüfbericht erstellt, in dem die Lage in
bezug auf die Kennungsmarke, die Eigenschaft (nämlich defektfrei,
teilweise defekt, gänzlich defekt usw.) und die Type enthalten sind. .
C. Zerlegung und Sortierung
Der Wafer wird in seine einzelnen diskreten Schaltungen zerlegt. Die diskreten Schaltungen werden nach Type und Zustand entsprechend
dem Prüfbericht sortiert. Das Sortieren kann beispielsweise derart durchgeführt werden, daß der Wafer vor dem Zerlegen
auf eine lösbar haftende unterlage gebracht wird. Der Wafer wird dann anschließend beispielsweise mit Hilfe eines Laserstrahls auf
der Unterlage in die einzelnen Schaltungen zerlegt. Schließlich erfolgt die Sortierung entsprechend/dem Prüfergebnis. Wie schon
erwähnt, können die Schaltungen nach Type und auch nach Qualität innerhalb jeder Type sortiert werden. Dabei kann berücksichtigt
werden, daß unter Umständen auch teilweise defekte Schaltungen bei interner Redundanz unter Umständen verwendbar sind. Sind dagegen
nur defektfreie Schaltungen zugelassen, dann genügt es, nur nach defektfreien Schaltungen jede Type zu sortieren.
Fig. 2 zeigt ein Wafer Layout für eine Anordnung mit beispielsweise"*
acht■Teilenummern. Die Buchstaben A bis H bezeichnen die Spaltenkoordinaten
des Wafers, die in fester Beziehung zu dem Einschnitt stehen. Im betrachteten Beispiel enthält jede Spalte Schaltungen
einer Teilenummer nach folgendem Schema:
Spalte ABCDEFGH AB ,
Teilenummer 12345678 12,,..
bei dieser Konfiguration ergibt sich die für jede Spalte angegebene Ausbeute pro Teilenummer, Bei anderen Ausbeuteerfordernissen
muß das Layout verändert werden,
4Q982V/0683
PO 972 039
Claims (5)
- - ' 23b3999-PATEN T A N S P RUCH E©Verfahren zur gleichzeitigen Herstellung integrierter Schaltungen, die in "großer Typenvielfalt auf einem Wafer untergebracht sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausbeutewahrscheinlichkeit bezogen auf den Wafer bestimmt wird, daß ein Layout für den Wafer festgelegt wird, das den Herstellungserfordernissen unter Berücksichtigung der Ausbeutewahrscheinlichkeit angepaßt ist, daß einer oder mehrere Wafer fertig bearbeitet werden, daß jeder Wafer entsprechend der diskreten unterschiedlichen Schaltungen zerlegt wird und daß diese Schaltungen sortiert werden.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gesamtausbeutewahrscheinlichkeit und der Ausbeutegradient für einen Wafer vorgegebener Größe und Zusammensetzung bestimmt wird, daß das Layout im Hinblick auf optimale mengenmäßige Ausbeute an jeder Schaltungstype in Abhängigkeit von diesen Ausbeuteparametern festgelegt wird, daß ' der mit einer Kennungsmarke zur lagemäßigen Festlegung der Schaltungstypen versehene Wafer bearbeitet wird, daß die einzelnen Schaltungen geprüft werden, daß Lage auf dem"Wafer, Type und Eigenschaft jeder geprüften Schaltung gespeichert wird, daß der Wafer entsprechend der diskreten Schaltungen zerlegt wird und daß die Schaltungen entsprechend im Prüfergebnis sortiert werden.
- 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Wafer unter Verwendung einer dem Layout entsprechenden Gesamtmaske einem Photoprozeß unterworfen wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch·3, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bearbeitung des Wafers ein bildmodulierter Energiestrahl in programmierter-, schrittweiser Wiederholung eingesetzt wird.039 ' 4098 2 4/Q683
- 5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die diskreten Schaltungen zum Zwecke der Sortierung nach der Zerlegung zunächst in ihrer ursprünglichen Lage festgehalten werden.po 972 039 4 0 9824/068Leers e i t e
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