DE2348765A1

DE2348765A1 - Schaltungsanordnung zum kurzschliessen eines verbrauchers

Info

Publication number: DE2348765A1
Application number: DE19732348765
Authority: DE
Inventors: Gerhard Dipl Phys Conzelmann; Karl Nagel; Hartmut Dipl Phys Seiler; Karl Steiger; Klaus Dipl Ing Streit
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 1973-09-28
Filing date: 1973-09-28
Publication date: 1975-04-30
Also published as: US4004160A; GB1486913A; JPS5062354A

Description

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Anlage zur

Patent- und _Av,„ η_Λ, ^,,

Gebrauchsmusterhilfs-^Amnelduns

ROBERT BOSCH GMBH, 7 Stuttgart

Schaltungsanordnung zum Kurzschliessen eines Verbrauchers

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum Kurzschliessen eines Verbrauchers unter Verwendung eines steuerbaren Schalters, dessen erste Ausgangselektrode mit einer Spannungsquelle verbunden ist.

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Es sind bereits Schaltungsanordnungen dieser Art bekannt, bei denen die erste Ausgangselektrode des steuerbaren Schalters . ausserdem an die erste Eingangselektrode des Verbrauchers angeschlossen ist, während die zweite Ausgangselektrode des steuerbaren Schalters ebenso wie die zweite Eingangselektrode des Verbrauchers an ein festes Potential der Schaltung angeschlossen ist. Bei diesen Schaltungsanordnungen soll durch Schliessen des steuerbaren Schalters der Verbraucher ausgeschaltet werden. Die"bekannten steuerbaren Schalter haben aber im geschlossenen Zustand einen'Innenwiderstand, der von null verschieden ist, so dass am Verbraucher stets noch eine Restspannung verbleibt, wenn der steuerbare Schalter geschlossen ist. Diese Restspannung kann zur Folge haben, dass der Verbraucher nicht völlig oder gar nicht ausgeschaltet ist, wenn der steuerbare Schalter geschlossen ist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einer Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art die bei geschlossenem Schalter am Verbraucher verbleibende_;Restspannung zu erniedrigen.

Erfindungsgemäss ist diese Aufgabe dadurch gelöst, dass ein zweiter steuerbarer Schalter vorgesehen ist, der synchron zum ersten steuerbaren Schalter ansteuerbar ist, dass der zweite steuerbare Schalter mit seinen beiden Ausgangselektroden an die beiden Eingangselektroden des Verbrauchers angeschlossen ist und dass die erste Ausgangselektrode des zweiten steuerbaren Schalters ausserdem über einen Zweipol an die erste Ausgangselektrode des ersten steuerbaren Schalters angeschlossen ist. Dabei können die zweiten Ausgangselektroden der beiden steuer-

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baren Schalter galvanisch miteinander verbunden und die Steuerelektroden der beiden steuerbaren Schalter an ein zur synchronen Ansteuerung dienendes Entkopplungsnetzwerk angeschlossen sein (Anspruch 2), das durch einen Knoten ersetzt sein kann (Anspruch 3). Statt dessen kann aber auch die Steuerelektrode des zweiten steuerbaren Schalters an die zweite Ausgangselektrode des ersten steuerbaren Schalters angeschlossen sein und die Steuerelektrode des ersten steuerbaren Schalters zur synchronen Ansteuerung der beiden steuerbaren Schalter dienen (Anspruch 19)·

Die Erfindung betrifft ferner eine Schaltungsanordnung zum Kurzschliessen eines Verbrauchers unter Verwendung eines als steuerbarer Schalter dienenden, monolithisch integrierten Vertikaltransistors, der eine unter seiner Kollektorzone liegende Leitschicht hat und dessen Kollektorelektrode mit einer Spannungsquelle verbunden ist, während sein Emitter an die zweite Eingangselektrode des Verbrauchers angeschlossen ist.

Bei einer derartigen Schaltungsanordnung besteht eine Lösung der obengenannten Aufgabe darin, dass der Vertikaltransistor ausser der mit der Spannungsquelle verbundenen Kollektorelektrode noch eine zweite Kollektorelektrode hat, die an die erste Eingangselektrode des Verbrauchers angeschlossen ist (Anspruch 22).

Anhand der Zeichnung wird die Erfindung näher erläutert. Es zeigen:

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Fig. 1 eine bekannte Schaltung zum Kurzschliessen eines Verbrauchers;

Fig. 2 ein spezielles Ausführungsbeispiel einer Schaltung nach Fig. 1;

Fig. 3 das Prinzipschaltbild einer Schaltungsanordnung zur Verkleinerung der Rest spannung am Verbraucher;

Fig. 4- ein spezielles Ausführungsbeispiel-einer Schaltung nach Fig. 3;

Fig. 5 eine Weiterbildung des Ausführungsbeispiels nach .Fig. 4-;

Fig. 6 die Schalttransistoren nach Fig. 4- und der zwischen ihren Kollektoren liegende Widerstand in monolithisch integrierter Technik;

Fig. 7 das Ausführungsbeispiel nach Fig. 4 mit einer besonders einfachen Ausbildung des zur synchronen Ansteuerung der beiden Schalttransistoren dienenden Entkopplungsnetzwerks;

Fig. 8 die Schaltung nach Fig. 4- mit einem modifizierten Entkopplungsnetzwerk;

Fig. 9 die Schaltung nach Fig. 4 mit einer dritten Variante für das Entkopplungsnetzwerk;

Fig. 10 das Prinzipschaltbild einer gegenüber Fig. 3 abgewandelten Schaltungsanordnung zur Verkleinerung der Restspannung am Verbraucher;

Fig. 11 ein erstes spezielles Ausführungsbeispiel einer Schaltung nach Fig. 10;

Fig. 12 ein zweites spezielles Ausführungsbeispiel einer Schaltung nach Fig. 10;

Fig. 13 die normale Ausführung eines monolithisch integrierten, vertikalen EPN-Transistors im Schnitt;

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Pig. 14 das Ersatzbild des vertikalen KPN-Transistors nach Fig. 13;

Fig. 15 die Aufteilung des Kollektorbahnwiderstandes gemäss Fig. 13 im Transistor-Ersatzbild nach Fig. 14;

Fig. 16 einen Schnitt durch einen monolithisch integrierten, vertikalen NPN-Transistor, der .zur Verkleinerung der Restspannung am Verbraucher zusätzlich mit einem zweiten Kollektoranschluss versehen ist;
. Fig. 17 den Transistor nach Fig. 16 in der Draufsicht;

Fig. 18 das Ersatzbild des Transistors nach den Figuren 16 und 17;

Fig. 19 einen Vorschlag für die symbolische Darstellung der Verwendung eines mit zwei Kollektoranschlüssen versehenen NPN-Transistors in der Schaltungsanordnung nach Fig. 1;

Fig. 20 ein Anwendungsbeispiel einer Schaltung nach Fig. 19;

Fig. 21 einen Schnitt durch einen vertikalen NPN-Leistungstransistor mit zwei Kollektoranschlüssen, drei miteinander verbundenen Emitteranschlüssen und zwei miteinander verbundenen Basisanschlüssen;

Fig. 22 den Leistungstransistor nach Fig. 21 in der Draufsicht;

Fig. 23 das Ersatzbild des Leistungstransistors nach den Figuren 21 und 22,eingefügt in die Schaltung nach Fig. 1.

Fig. 1 zeigt eine bekannte Schaltungsanordnung zum Kurzschliessen eines Verbrauchers 1, der mit seiner ersten Eingangselektrode 2 über einen Widerstand 4 an eine Versorgungsspan-

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nung Ug und mit seiner zweiten Eingangselektrode 3 an Masse angeschlossen ist. Ein steuerbarer Schalter 5» dessen Steuerelektrode mit 6 bezeichnet ist, ist mit seiner ersten Ausgangselektrode 7 an die erste Eingangselektrode 2 des Verbrauchers 1 und mit seiner zweiten Ausgangselektrode 8 an Masse angeschlossen. Wenn der steuerbare Schalter 5* wie in Fig. 1 gezeichnet, geöffnet ist, ist der Verbraucher 1 eingeschaltet. Durch Schliessen des steuerbaren Schalters 5 soll der Verbraucher 1 ausgeschaltet werden, d.h. die Elektrode 2 auf Massepotential heruntergeschaltet werden, was aber nur mit einem idealen Schalter zu erreichen ist. Tatsächlich verbleibt indessen wegen des in dem nicht idealen Schalter 5 im geschlossenen Zustand vorhandenen Innenwiderstandes 9 an eier ersten Eingangselektrode 2 des Verbrauchers 1 eine Restspannung U , die zur Folge haben kann, dass der Verbraucher 1 bei geschlossenem Schalter 5 nicht ausgeschaltet ist.

Ein spezielles Ausführungsbeispiel einer Schaltungsanordnung nach Fig. 1 ist in Fig. 2 dargestellt. Der Verbraucher 1 wird dabei'durch die Emitter-Basis-Strecke eines NPN-Transistors gebildet. Der steuerbare Schalter 5 wird durch einen NPN-Transistor 105 gebildet, der mit seinem Kollektor 107 an die Basis 102 des NPN-Transistors 101 und mit seinem Emitter 108 an Masse angeschlossen ist. Seine Basis 106 bildet dabei die Steuerelektrode 6 und sein Kollektorbahnwiderstand 109 den Innenwiderstand 9 des Schalters 5 in geschlossenem Zustand. Wenn der zwischen dem Kollektor 107 des Transistors 105 und der Spannungsquelle Ug liegende Widerstand 104- den Ohmwert R und der Kollektorbahnwiderstand 109 des NPN-Transistors 105 den Ohmwert r_c hat, gilt für die bei leitendem Transistor

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an der Emitter-Basis-Strecke des KPN-Transistors 101 liegende Restspannung Ur die Beziehung:

(1) u ^r

r - R + r_c

Fig. 3 zeigt das Prinzipschaltbild einer Schaltungsanordnung zur Verkleinerung der Restspannung am Verbraucher 1. Wie bei der Schaltungsanordnung nach Fig. 1 ist hierbei ein steuerbarer Schalter 5 mit seiner ersten Ausgangselek'trode 7 über einen Widerstand Λ'an eine Versorgungsspannung Ug und mit seiner zweiten Ausgangselektrode 8 an Masse angeschlossen. Zur Verkleinerung der Restspannung am Verbraucher 1, dessen zweite Eingangselektrode 3 ebenfalls an Masse angeschlossen ist, ist ein zweiter steuerbarer Schalter 11 vorgesehen. Die erste Ausgangselektrode 12 des zweiten steuerbaren Schalters 11 ist über einen Zweipol 14 an die erste Ausgangselektrode 7 des ersten steuerbaren Schalters 5 angeschlossen und ausserdem mit der ersten Eingangselektrode 2 des Verbrauchers 1 galvanisch verbunden. Me zweite Ausgangselektrode 13 des zweiten steuerbaren Schalters 11 ist an Masse angeschlossen. Der zweite steuerbare Schalter 11 hat im geschlossenen Zustand einen Innenwiderstand 15· Die Steuerelektrode 6 des ersten steuerbaren Schalters 5 und die Steuerelektrode 16 des zweiten steuerbaren Schalters 11 sind an ein Entkopplungsnetzwerk 17 angeschlossen, das zur synchronen Aussteuerung der beiden steuerbaren Schalter 5i 11 dient. Das Entkopplungsnetzwerk 17 kann hierbei jedoch in vielen Fällen durch einen Knoten ersetzt werden. An den Steuereingang 18 des Entkopplungsnetzwerks 17 kann ein Vorverstärker 19 angeschlossen sein, dessen Steuereingang mit 20 bezeichnet ist. Der Zweipol 1A- kann ein ohmscher Widerstand oder eine Diode oder eine Z-Diode sein.

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Sind die beiden steuerbaren Schalter 5 und 11, wie in Fig. 3 dargestellt, geöffnet, so ist die erste Eingangselektrode 2 des Verbrauchers 1 über den Widerstand 4 und den Zweipol 14 mit der Versorgungsspannung U-n verbunden: der Verbraucher 1 ist eingeschaltet. Sind die beiden steuerbaren Schalter 5 und 11 dagegen geschlossen, so wird die Restspannung U_r des ersten steuerbaren Schalters 5 über den Zweipol 14 und den Innenwiderstand 15 des zweiten steuerbaren Schalters 11 auf die Ausgangsrestspannung U^. <U_r heruntergeteilt: der Verbraucher 1 ist ausgeschaltet.

Dieses Prinzip des Herunterteilens der Restspannung lässt sich durch die Verwendung weiterer steuerbarer Schalter mehrmals hintereinander anwenden, wobei der Verbraucher 1 umso besser kurzgeschlossen wird, je grosser die Anzahl der steuerbaren Schalter gewählt ist.

Ein spezielles Ausführungsbeispiel einer Schaltungsanordnung nach Fig. 3 ist in Fig. 4 dargestellt. Die beiden steuerbaren Schalter 5 und 11 werden dabei durch EPN-Transistoren und 111 gebildet, deren Kollektoren 107 und 112 über den Widerstand 114 miteinander verbunden sind» Der Kollektor 107 des ersten NPN-Transistors 105 ist ausserdem über den Widerstand 104 mit der Versorgungsspannung Ug verbunden, während der Kollektor 112 des zweiten NPN-Transistors 111 an die erste Eingangselektrode 2 des Verbrauchers 1 angeschlossen ist. Die Basen 106 und 116 der beiden NPN-Transistoren 105 und sind an das Entkopplungsnetzwerk 17 angeschlossen, während ihre beiden Emitter 108 und 113 ebenso wie die zweite Eingangselektrode 3 des Verbrauchers 1 an Masse angeschlossen sind.

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Sind die beiden Transistoren 105 und 111 in ihrem nichtleitenden Zustand, so ist die erste Eingangselektrode 2 des Verbrauchers 1 über die Wider stände 104 und 114- mit der Versorgungsspannung Ug verbunden; der Verbraucher 1 ist eingeschaltet. Soll dabei der an den Verbraucher 1 abgegebene Strom genau so gross sein wie bei der Schaltungsanordnung nach Fig. 2, so muss die Bedingung

(2) R¹ + R_v = R

erfüllt werden, wenn R der Widerstandswert des Widerstandes 104· der Schaltung nach Fig. 2, R¹ der Widerstandswert des Widerstandes 104 der Schaltung nach Fig. 4 und R_v der Widerstandswert des Widerstandes 114 ist. Sind die- beiden KPN-Transistoren 105 und 111 dagegen leitend, so wird die Restspannung U_r des ersten NPN-Transistors 105 über·den Widerstand 114 und den, Kollektorbahnwiderstand 115 des zweiten NPN-Transistors 111 auf die Ausgangsrestspannung U y, < U heruntergeteilt: der Verbraucher 1 ist ausgeschaltet. Die Ausgangsrestspannung U ,. beträgt

^Ur1	^Ev	^rc1	^Ur	^Rv	^rc '	• TT
		^{+ r}d			^{+ r}c	^UB
	^Ev	^rc1
	^{+ r}d

wenn R^ der Kollektorbahnwiderstand des zweiten NPN-Transistors 111 ist.

Fig. 5 zeigt eine Weiterbildung des Ausführungsbeispiels nach Fig. 4. Dem Entkopplungsnetzwerk 17 ist hierbei eine als

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NPN-Transistor 119 ausgebildete Vorverstärkerstufe vorgeschaltet, wobei der Emitter dieses Transistors 119 an den Steuereingang 18 des Entkopplungsnetzwerkes 17 und der Kollektor dieses Transistors 119 an den Kollektor 107 des KPN-Transistors 105 angeschlossen ist und die Basis 120 des Transistors den Steuereingang der Vorverstärkerstufe bildet.

Die Ausführungsbeispiele nach den Figuren 4 und 5 eignen sich gut zur Integration in monolithisch integrierter Technik. Hierbei können die Transistoren 105 und 111 und der Widerstand 114 wie üblich in getrennten Vannen untergebracht werden. Fig. 6 zeigt, wie diese Elemente mit Vorteil in einer einzigen Wanne angeordnet werden können. Das p-leitende Halbleitermaterial eines Silicium-Grundkörpers bildet das Substrat Auf das Substrat 21 ist eine η-leitende Epitaxialschicht aufgebracht. Von dieser Epitaxialschicht ist mit Hilfe einer p⁺-Isolierungsdiffusionszone 22, die in die Epitaxialschicht bis zum Substrat 21 eindiffundiert ist, eine η-leitende Wanne 23 abgetrennt. Die Isolierungsdiffusionszone 22 bildet dabei einen geschlossenen, als rechteckiger Rahmen ausgebildeten Ring. In die n-Wanne 23 sind die p-leitenden Basiszonen und 25 der beiden Transistoren 105 und 111 .und das ebenfalls als p-leitende Zone ausgebildete Widerstandselement 1114 in einem Arbeitsgang eindiffundiert, wobei das Widerstandselement 1114 zwischen den beiden Basiszonen 24 und 25 angeordnet ist. In einem einzigen Diffusionsvorgang sind ferner die n⁺-Emitterzone 26 des ersten Transistors 105, die ^-Emitterzone 27 des zweiten Transistors 111, die n⁺-Kollektorkontaktierungsdiffusionszone 28 des ersten Transistors 105 und die n⁺-Kollektorkontaktierungsdiffusionszone 29 des zweiten Transistors 111 gebildet. Die Kollektorkontaktierungs-

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.diffusionszonen 28 und 29 sind dabei in die n-Wanne 23 und die beiden Emitterzonen 26 und 27 in die beiden Basiszonen 24 und 25 eindiffundiert. Die Zonen 28 und 29 sind so angeordnet, dass sie das Widerstandselement 1114 an zwei gegenüberliegenden Enden berühren. Auf die Zonen 24-, 25, 26, 27, 28, sind Metallisierungen 106," 116, 108, 113, 107 und 112 aufgebracht, die die äusseren Anschlüsse bilden. Die Kollektormetallisierungen 107 und 112 der beiden Transistoren· 105 und bedecken ausser den Kollektorkontaktierungsdiffusionszonen 28 und 29 teilweise auch die p-leitende Widerstandszone 1114. Zwischen der Wanne 23 und dem Substrat 21 befindet sich eine als vergrabene Schicht ausgebildete n⁺-Leitschicht 30, die in zwei Teilgebiete 30a und 30b unterteilt ist. Das erste Teilgebiet 30a ist dabei dem ersten Transistor 105 zugeordnet und befindet sich unterhalb der durch die Zonen 24, 26, 28 gebildeten Struktur. Das zweite Teilgebiet 30b ist dem zweiten Transistor 111 zugeordnet und befindet sich unterhalb der durch die Zonen 25» 27» 29 gebildeten Struktur. Die Verwendung dieser getrennten Leitschichtgebiete 30a und 30b bewirkt eine elektrische Trennung der Kollektoren der beiden Transistoren 105 und 111.

Das Widerstandselement 1114 kann entfallen. In diesem Falle wird der ohmsche Widerstand 114 durch das Kollektormaterial gebildet, das sich zwischen den beiden Kollektorkontaktierungsdiffusionszonen 28 und 29 befindet. Die Metallisierungen 107 und 112 müssen in diesem Falle auf diese Zonen 28 und 29 beschränkt werden.

In den Figuren 7 bis 9 sind Ausführungsbeispiele zum Entkopplungsnetzwerk 17 angegeben.

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Beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 7 besteht das Entkopplungsnetzwerk aus den beiden Basis-Vorwiderständen 31 und 32, die im Steuereingang 118 aneinander angeschlossen sind.

Beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 8 besteht das Entkopplungsnetzwerk aus einem mit zwei Kollektoren versehenen PNP-Lateraltransistor 33 und aus einem zur Ansteuerung dieses Transistors dienenden NPN-Vortransistor 34·· Die beiden Kollektoren des PNP-Lateraltransistors 33 sind dabei jeweils an eine der beiden Basen der Transistoren 105 und 111 angeschlossen. Der Emitter des PNP-Lateraltransistors 33 ist an den Kollektor 107 des Transistors 105 angeschlossen, während seine Basis an den Kollektor des KPN-Vortransistors 34 angeschlossen ist, dessen Emitter an Masse gelegt ist und dessen Basis den St.euereingang 118 des Entkopplungsnetzwerkes bildet. Die gesamte Schaltungsanordnung nach Fig. 8 ist in monolithisch integrierter Technik ausgeführt. In manchen Fällen ist der KPN-Vortransistor 34-entbehrlich.

Beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 9 besteht das Entkopplungsnetzwerk aus einem zur Ansteuerung des Transistors 111 dienenden PKP-Transistor 35 und aus einem zur Ansteuerung der Transistoren 105 und 35 dienenden KPN-Transistor 36. Der Emitter des Transistors 35 ist dabei an den Kollektor 107 des Transistors 105 und der Kollektor des Transistors 35 an die Basis des Transistors 111 angeschlossen. Der Kollektor des Transistors 36 ist an die Basis des Transistors 35 und der Emitter des Transistors 36 an die Basis des Transistors 105 angeschlossen, während die Basis des Transistors 36 den Steuereingang 118 des Entkopplungsnetzwerkes bildet.

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Fig. 10 zeigt das Prinzipschaltbild einer zur Verkleinerung der Restspannung am Verbraucher dienenden Schaltungsanordnung, welche ähnlich wie die Schaltungsanordnung nach Fig. 3 aufgebaut ist. Ein erster steuerbarer Schalter 5 ist hierbei mit seiner ersten Ausgangselektrode 7 über einen Widerstand 4- an eine Versorgungsspannung U-g angeschlossen. Zur Verkleinerung der Restspannung U am Verbraucher 1, dessen zweite Eingangselektrode 3 an Masse angeschlossen ist, ist ein zweiter steuerbarer Schalter 11 vorgesehen. Die erste Ausgangselektr.ode 12 des zweiten steuerbaren Schalters 11 ist über einen Zweipol 14· an die erste Ausgangselektrode 7 des ersten steuerbaren Schalters 5 angeschlossen und ausserdem mit der ersten Eingangselektrode 2 des Verbrauchers 1 galvanisch verbunden. Die zweite Ausgangselektrode 13 des zweiten steuerbaren Schalters 1T ist an Masse angeschlossen. Die Steuerelektrode 16 des zweiten steuerbaren Schalters 11 ist an die zweite Ausgangselektrode 8 des ersten steuerbaren Schalters 5 angeschlossen, während die Steuerelektrode 6 des ersten steuerbaren Schalters 5 zur synchronen Ansteuerung der beiden steuerbaren Schalter 5» 11 dient. Im geschlossenen Zustand hat der erste steuerbare Schalter 5 einen Innenwiderstand 9, der zweite steuerbare Schalter 11 einen Innenwiderstand 15·

In den Figuren 11 und 12 sind spezielle Ausführungsbeispiele von Schaltungsanordnungen nach Fig. 10 dargestellt, bei denen die Restspannung U des ersten steuerbaren Schalters 5 jeweils um eine Diodenspannung angehoben ist. Durch die Teilung über den Widerstand 14· und über den zweiten steuerbaren Schalter 11 kann die Ausgangs-Restspannung U . trotzdem hinreichend klein gemacht werden.

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Beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 11 werden die beiden steuerbaren Schalter 5 und 11 durch NPN-Transistoren 105 und 111 gebildet, deren Kollektoren 107 und 112 über den Widerstand 114 miteinander verbunden sind. Der Kollektor 107 des ersten KPN-Transistors 105 ist ausserdem über den Widerstand 104 mit der Versorgungsspannung Ug verbunden, während der Kollektor 112 des zweiten NPN-Transistors 111 an die erste Eingangselektrode 2 des Verbrauchers 1 angeschlossen ist. Der Emitter 108 des ersten NPN-Transistors 105 ist an die Basis 116 des zweiten NPN-Transistors 111 angeschlossen, während der Emitter 113 des zweiten NPN-Transistors 111 an Masse angeschlossen ist. Die Basis 106 des ersten KPN-Transistors dient zur synchronen Ansteuerung der beiden NPN-Transistoren 105 und 111. Diese Schaltung besitzt ähnliche Eigenschaften wie die bekannte Darlington-Schaltung. Sie liefert jedoch durch die Herabteilung der Kollektorspannung U_r des ersten NPN-Transistors 105 durch die Widerstände 114 und 115 eine wesentlich kleinere Ausgangs-Restspannung U «-.

Beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 12 wird der erste steuerbare Schalter 5 durch einen PNP-Transistor 205 und der zweite steuerbare Schalter 11 durch einen NPN-Transistor 211 gebildet. Der Kollektorbahnwiderstand des PNP-Transistörs ist mit 209 und der Kollektorbahnwiderstand des NPN-Transistors 211 mit 215 bezeichnet. Der Emitter 207 des PNP-Transistors 205 ist über den Widerstand 214 mit dem Kollektor 212 des NPN-Transistors 211 verbunden. Der Emitter 207 des PNP-Transistors 205 ist ausserdem über den Widerstand 204 mit der Versorgungsspannung U-g verbunden, während der Kollektor 212 des NPN-Transistors 211 an die erste Eingangselektrode 2 des Verbrauchers 1 angeschlossen ist. Der Kollektor 208 des

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PHP-Transistors 205 ist an die Basis 216 des KPN-Transistors 211 angeschlossen, während der Emitter 213 des KPN-Transistors 211 an Masse angeschlossen ist. Die Basis 206 des PNP-Transistors 205 dient zur synchronen Ansteuerung der beiden komplementären Transistoren 205 und 211. Diese Schaltung besitzt ähnliche Eigenschaften wie die bekannte Lin-Schaltung. Sie liefert jedoch durch die Herabteilung der Emitterspannung U_r des PNP-Eingangstransistors 205 durch die Widerstände 214 und 215 eine wesentlich kleinere Ausgangs-Rest spannung TJ „..

Fig. 13 zeigt die normale Ausführung eines monolithisch integrierten, vertikalen NPN-Transistörs 105, der in einer Schaltung nach Fig. 2 als Schalttransistor zum Kurzschliessen der Emitter-Basis-Strecke des Transistors 101 oder in einer Schaltung nach Fig. 1 als steuerbarer Schalter 5 zum Kurzschliessen des Verbrauchers 1 verwendet werden kann. Mit 21 ist in Fig. 13 das p-Substrat bezeichnet. In ein auf dieses Substrat epitaktisch aufgebrachtes η-leitendes Gebiet sind p⁺-Isolierungsdiffusionszonen 22 eindiffundiert. Dadurch wird von der Epitaxialschicht eine η-leitende Wanne 23 abgetrennt, die die Kollektorzone des vertikalen Transistors 105 bildet. In die Grenzfläche zwischen der n-Wanne 23 und dem Substrat 21 ist ausserdem eine Leitschicht 30 eingebracht. In die n-Wanne 23 ist die p-Basis 24 und in diese Basis der n⁺-Emitter 26 des vertikalen Transistors 105 eindiffundiert. Der Transistor hat ausserdem eine aus n⁺-Material bestehende, in die Wanne 23 eindiffundierte Kollektorkontaktierungsdiffusionszone 28, die gleichzeitig mit der Zone 26 hergestellt ist. Der Transistor hat ferner einen Kollektorkontakt C, einen Emitterkontakt E und einen Basiskontakt B. Diese Kontakte entsprechen in Fig. 2 den Anschlüssen 107 bzw. 108 bzw. 106. In Fig. 13 ist ferner

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mit TpQ der unter dem Kollektoranschluss C in der Wanne 23 liegende Anteil des Kollektorbahnwiderstandes r_ bezeichnet. Mit Tq-j^ ist der Anteil des Kollektorbahnwiderstandes bezeichnet, der in der Leitschicht 30 liegt. r_CE ist der Anteil des Kollektorbahnwiderstandes, der unter dem Emitter 26 der Wanne 23 liegt. Somit hat der Kollektorbahnwiderstand r« insgesamt den Ohmwert

¹C = ^rCC ^{+ r}CL ^{+ r}CE *

Da die Leitschicht 30 gegenüber dem epitaktischen Material der Wanne 23 hochleitend ist, fliesst der Kollektorstrom von der Kollektorkontaktierungsdiffusions zone 28 senkrecht nach unten zur Leitschicht 30, von dort waagrecht in der Leitschicht 30 bis unter den Emitter 26 und dann senkrecht nach oben in den Emitter 26. Für die Sättigungsspannung des Transistors gilt dabei die Beziehung:

(⁵^ ^UCEsat ^{= 1}C " ¹C ^{+ ü}CEsato

wenn I^ der Kollektor strom und UcEsato die "innere" Sättigungsspannung des Transistors ist. Die Aufteilung des Kollektorbahnwiderstandes gemäss Fig. 13 im Transistor-Ersatzbild nach Fig. 14 ergibt dann entsprechend Fig. 15 für die Sättigungsspannung

^{(6) U}CEsat ^{= (r}CC ^{+ r}CL ^{+ r}CE> · ¹C ^{+ U}CEsato

In Fig. 16 ist ein vertikaler NPN-Transistor 305 dargestellt, der zur Verkleinerung der Sättigungsspannung U_CEsa^. mit zwei

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Kollektorkontaktierungsdiffusionszonen 28a und 28b und mit zwei jeweils aussen an ihnen angebrachten Anschlusskontakten Gy, und Cp versehen ist. Die Zonen 28a und 28b sind an zwei einander gegenüberliegenden Seiten der Basiszone 24 angeordnet. Der Anschlusskontakt Gy. dient als "Eingangskollektoranschluss¹¹. Der gemäss der Erfindung zusätzlich eingeführte zweite Kollektoranschluss Cp dient als "Ausgangskollektoranschluss".

In Fig. 16 sind ferner die Kollektorbahnwiderstände der Kollektoren Gy. und Co jeweils unterteilt eingetragen. Hierbei ist mit Tnnst derjenige Anteil des Kollektorbahnwiderstandes des Kollektors Gy. bezeichnet, der unter dem Kollektoranschluss Gy. liegt, mit ?nj* derjenige Anteil, der in der Leitschicht 30 liegt. Mit Tqq2 ist derjenige Anteil des Kollektorbahnwiderstandes des Kollektors Cp bezeichnet, der unter dem Kollektoranschluss Co liegt, mit r_CLp derjenige Anteil, der in der Leitschicht 30 liegt. Mit r_CE ist ein dritter Anteil des Kollektorbahnwiderstandes bezeichnet, der unter dem Emitter E liegt und für beide Kollektoren Gy, und Cp gemeinsam ist.

In dem Ersatzbild nach Fig. 18 sind die genannten Anteile des Kollektorbahnwiderstandes schaltungsmässig dargestellt.

Am angeschlossenen Verbraucher 1 liegt nur die Sättigungsspannung

^ ^UCEsat ^{= r}CE ' ¹C ^{+ U}CEsato»

wenn hierbei über den Kollektoranschluss Cp kein Strom fliesst. Die Sättigungsspannung beim Transistor 305 gemäss der Er-

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findung ergibt sich also praktisch wie bei einem diskreten Transistor, bei dem der Kollektor von unten kontaktiert ist, aus dem Widerstand im Bahngebiet unter dem Emitter und der "inneren" Sättigungsspannung. Bei Übersteuerung des Transistors durch grossen Basisstrom verschwindet Tq^> infolge der "Widerstandsmodulation" fast völlig, und die Spannung am
Verbraucher geht praktisch auf die "innere" Sättigungsspannung, d.h. auf ca 50 his 100 mV, zurück.

Pig. 19 zeigt einen Vorschlag für die symbolische Darstellung des mit zwei Kollektoranschlüssen Cj und C~ versehenen
Vertikaltransistors 305 gemäss der Erfindung in der Schaltungsanordnung gemäss Fig. 1. Fig. 20 zeigt als Anwendungsbeispiel einer Schaltungsanordnung nach Fig. 19 eine solche, bei der der Verbraucher 1 durch die Emitter-Basis-Strecke eines NPIi-Transistors 301 gebildet ist (vgl. eis Stand der Technik Fig. 2!>.

In den Fig. 21 bis 23 ist als weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung ein vertikaler NPN-Leistungstransistor 405 dargestellt, der ebenso wie der Transistor nach den Fig. 16 bis 18 mit
zwei Kollektoranschlüssen C. und G^ versehen ist, dessen
Emitterzone aber aus drei sogenannten Emitterfingern 26a, 26b und 26c besteht. Diese drei Emitterfinger sind jeweils mit einem metallischen Anschlusskontakt E., Ep, E^ versehen, wobei diese Anschlusskontakte über ihre Zuleitungen miteinander verbunden sind und einen gemeinsamen äusseren Anschluss E
haben.

Die Basis 24 des Leistungstransistors 405 hat zwei jeweils als Streifen ausgebildete Anschlusskontakte Β.- und Bp. Der Anschlusskontakt B_x, ist dabei zwischen dem ersten Emitter-

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finger 26a und dem zweiten Emitterfinger 26b angeordnet, während der Anschlusskontakt Bp zwischen dem zweiten Emitterfinger 26b und dem dritten Emitterfinger 26c angeordnet ist. Zur Aufteilung der Basisströme führt vom gemeinsamen äusseren Basisanschluss B ein Vorwiderstand 50 zum Anschlusskontakt B_x. und ein Vorwiderstand 51 zum Anschlusskontakt B~ der Basismetallisierung.

Die Kollektorkontaktierungsdiffusionszonen 28a und 28b sowie die Kollektor anschlüsse C_x. und C2 sind in derselben Weise ausgebildet und angeordnet wie bei dem Transistor 305 nach den Fig. 16 bis 18 und brauchen deshalb hier nicht .noch einmal erläutert zu werden.

In Fig. 21 sind jedoch die durch die abgewandelte Struktur bedingten Anteile der Kollektorbahnwiderstände eingezeichnet und in Fig. 23 im Ersatzbild dargestellt.

In Fig. 23 sind mit T^, T₂, T, die den Emitterfingern 26a, 26b, 26c in Fig. 21 entsprechenden Teiltransistoren, mit ^CEA* ^rCEB* ^rCEC ^^{e zu}S^en°rigen Bahnwiderstände jeweils zwischen Emitterfinger und Leitschicht 30» mit ^ηηλ der Bahnwiderstand zwischen dem Eingangskollektor Cy. und der Leitschicht 30, mit Tqqo ^er Bahnwiderstand zwischen dem Ausgangskollektor Co und der Leitschicht 30 bezeichnet. Die Bahnwiderstände in der Leitschicht 30 sind in den Teilabschnitten wie folgt bezeichnet: im Abschnitt zwischen Eingangskollektor Cy. und Emitterfinger 26a mit iwi» im Abschnitt zwischen Emitterfinger 26a und Emitterfinger 26b mit ^τ^β» im Abschnitt zwischen Emitterfinger 26b und Emitterfinger 26c mit 3?_CLEB und im Abschnitt zwischen Emitterfinger 26c und Ausgangskollektor C₀ mit

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Wird die Basis B des Leistungstransistors 4-05 angesteuert, so fliesst aus der Spannungsquelle TJ-g über den Widerstand 4-der Kollektorstrom über den Eingangskollektor C. und über die Bahnwiderstände ^qq^ und r_CI/1 (Fig. 23)· Von dort aus verzweigt sich der Strom aufgrund der Anordnung der Bahnwiderstände ("Kettenschaltung") nach den Kirchhoff'sehen Gesetzen derart, dass in den Emitterfinger 26a am meisten, in den Emitterfinger 26b weniger und in den Emitterfinger 26c noch weniger Strom fliesst. Aufgrund dieser Stromaufteilung kann man nach einem Merkmal der Erfindung dem zweiten Emitterfinger 26b eine geringere Breite bzw. Fläche geben als dem ersten Emitterfinger 26a, dem dritten Emitterfinger 26c weniger Fläche als dem zweiten. Dies lässt sich bei Strukturen mit mehr als drei Emitterfingern beliebig fortsetzen.

Ein weiterer Vorteil des Ausführungsbeispiels nach den Fig. 21 bis 23 ergibt sich aus der aus Fig. 23 zu ersehenden "Kettenschaltung" der Bahnwiderstände. Die Rest spannung am Verbraucher 1, d.h. die Spannung zwischen C₂ und E, ergibt sich nämlich durch "mehrfache Teilung" aus der Versorgungsspannung Ug. Dazu sei zunächst auf Fig. 14· zurückverwiesen. Die in Gleichung (6) angegebene Beziehung kann auch so formuliert werden, dass sich die Restspannung U_GE . bis auf die "innere" Sättigungsspannung U_CEsato mit Hilfe des Kollektorbahnwiderstandes T_n und des Widerstandes 4- aus der Betriebsspannung U-g ergibt. Dasselbe gilt in Fig. 23 näherungsweise für den ersten Teiltransistor T^.' Der Spannungsteiler wird hier aus r_c·^ einerseits und aus der Reihenschaltung aus den Widerständen 4-, ^nn* ^un^ ^rci/i andererseits gebildet. Nach dem Prinzip der "mehrfachen Teilung" wird nun die zwischen

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dem Knotenpunkt (iW/i» ¹OeA^{1 r}HLAB^ ^un^ ^^em Semeinsamen äusseren Anschluss E liegende Spannung, die ja durch die erwähnte erste Teilung aus der Betriebsspannung U-g folgt, ihrerseits durch den aus r_CE-g und iV-jAg gebildeten Spannungsteiler heruntergeteilt. Durch diese "mehrfache Teilung" kommt man von Emitterfinger zu Emitterfinger zu einer immer kleineren Sättigungsspannung. Dies gilt auch dann, wenn"man die Belastung jedes Teiles durch den folgenden sowie die "inneren Sättigungsspannungen" an den Emittern berücksichtigt, was in obiger vereinfachter Darstellung vernachlässigt wurde.

Es wird noch darauf hingewiesen, dass auch diejenigen in der Zeichnung dargestellten Schaltungsanordnungen, die nicht als Strukturen gezeichnet sind, in monolithisch integrierter Technik ausgeführt sein können. Ferner können sämtliche Schaltungen komplementär zu den gezeigten Anordnungen ausgeführt sein. So kann beispielsweise die Anordnung nach Fig. 6 in komplementärer Technologie ausgeführt, d.h. auf einem η-Substrat aufgebaut sein.

In sämtlichen Ausführungsbeispielen kann ferner der Widerstand 4 bzw. 104 bzw. 204 durch eine Stromquelle, die als Transistor ausgeführt sein kann, ersetzt werden.

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Claims

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Ansprüche

M.ySchaltungsanordnung zum Kurzschliessen eines Verbrauchers unter Verwendung eines steuerbaren Schalters, dessen erste Ausgangselektrode mit einer Spannungsquelle verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass ein zweiter steuerbarer Schalter (11) vorgesehen ist, der synchron zum ersten steuerbaren Schalter (5) ansteuerbar ist, dass der zweite steuerbare Schalter (11) mit seinen beiden Ausgangselektroden (12, 15) an die beiden Eingangselektroden (2, 3) des Verbrauchers (1) angeschlossen ist und dass die erste Ausgangselektrode (12) des zweiten steuerbaren Schalters (11) ausserdem über einen Zweipol (14) an die erste Ausgangselektrode (7) des ersten steuerbaren Schalters (5) angeschlossen ist (Fig. 3 und Fig. 10).
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die zweiten Ausgangselektroden (8, 13) der beiden steuerbaren Schalter (5;11) galvanisch miteinander verbunden und die Steuerelektroden (6;16) der beiden steuerbaren Schalter (5; 11) an ein zur synchronen Ansteuerung dienendes Entkopplungsnetzwerk (17) angeschlossen sind ■ (Fig. 3).

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3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Entkopplungsnetzwerk (17) durch einen Knoten ersetzt ist.
4·. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass dem Entkopplungsnetzwerk (17) ein Vorverstärker (19) vorgeschaltet ist (Fig. 3)·
5· Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Zweipol (14·) ein ohmscher Widerstand (114) ist (Pig. 4).
6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Zweipol (14-) eine Diode ist.
7· Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Zweipol (14·) eine Z-Diode ist.
8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, bei welcher der erste steuerbare Schalter ein NPN-Transistor ist, dessen Kollektor die erste und dessen Emitter die zweite Ausgangselektrode und dessen Basis die Steuerelektrode des ersten

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steuerbaren Schalters bildet, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite steuerbare Schalter (11) ebenfalls ein NPN-Transistor (111) ist, dessen Kollektor (112) die erste (12) und dessen Emitter (113) die zweite (13) Ausgangselektrode und dessen Basis (116) die Steuerelektrode (16) des zweiten steuerbaren Schalters (11) bildet (Fig. 4 bis 9).
9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Vorverstärker (19) ein Transistor (119) ist, dessen Emitter an den Steuereingang (18) des Entkopplungsnetzwerks (17) und dessen Kollektor an die erste Ausgangselektrode (7) des ersten steuerbaren Schalters (5) angeschlossen ist und dessen Basis (120) den Steuereingang (20) des Vorverstärkers (19) bildet (Fig. 5).
10. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 5 und 8, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden als steuerbare Schalter (5; 11) dienenden KPN-Transistoren (105; 111) und der als ohmscher Widerstand (114) ausgebildete Zweipol (14) monolithisch integriert sind (Fig. 6).

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11. Schaltungsanordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden als steuerbare Schalter (5; 11) dienenden KPlT- Transist or en (105; 111) in einer einzigen Wanne (23) untergebracht sind und dass die zwischen dieser Wanne (23) und dem Substrat (21) angeordnete Leitschicht (30) in zwei Teilgebiete (30a; 30b) unterteilt ist, von denen sich das eine (3Oa)- unter der einen und das andere (30b) unter der anderen Transistorstruktur befindet (Fig. 6).
12. Schaltungsanordnung nach Anspruch-11, dadurch gekennzeichnet, dass der als ohmscher Widerstand (114) ausgebildete Zweipol (14) in derselben Wanne (23) untergebracht ist wie die als steuerbare Schalter (5; 11) dienenden NPN-Transistoren (105; 111).
13. Schaltungsanordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass der als ohmscher Widerstand (114) ausgebildete Zweipol (14) zwischen den Kollektorkontaktierungsdiffusionszonen (28; 29) der beiden Transistoren (105; 111) angeordnet ist und durch die Kollektormetallisierungen (107; 112) dieser Transistoren (105; 111) kontaktiert ist (Fig. 6).

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14. Schaltungsanordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass der als ohmscher Widerstand (114) ausgebildete Zweipol (14-) durch eine aus Basismaterial bestehende Zone (1114) gebildet ist (Fig. 6).
15· Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 2 und 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Entkopplungsnetzwerk (17) aus zwei ■ Widerständen (31; 32) gebildet ist, die den Basen der beiden als steuerbare Schalter (5; 11) dienenden NPN-Transistoren (105; 111) vorgeschaltet sind und in dem zur Ansteuerung des Entkopplungsnetzwerks dienenden Steuereingang (118) aneinander angeschlossen sind (Fig. 7).
16. In monolithisch integrierter Technik ausgeführte Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 2 und 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Entkopplungsnetzwerk (17) aus einem mit zwei Kollektoren versehenen PNP-Lateraltransistor (33) besteht, dessen einer Kollektor an die Basis des ersten Schalttransistors (105) und dessen anderer Kollektor an die Basis des zweiten Schalttransistors (111) angeschlossen ist, während der Emitter des PNP-Lateraltransistors (33) an den Kollektor (107) des ersten Schalttransistors (105) angeschlossen ist (Fig. 8).

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17- Schaltungsanordnung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass ein KPK-Vortransistor (34-) mit seinem Kollektor an die Basis des PHP-Lateraltransistors (33) angeschlossen ist und mit seinem Emitter galvanisch mit einem der Emitter (108; 113) der beiden Schalttransistoren (105; 111) verbunden ist, während die Basis des HPH-Vortransistors (3²O den Steuereingang (118) des Entkopplungsnetzwerks (17) bildet (Fig. 8).
18. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 2 und 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Entkopplungsnetzwerk (17) aus einem PHP-Transistor (35) und aus einem NPH-Transistor (36) besteht, dass der Emitter des PKP-Transistors (35) an den Kollektor (107) des ersten Schalttransistors (105) und der Kollektor des PWP-Transistors (35) an die Basis des zweiten Schalttransistors (111) angeschlossen ist und dass der Kollektor des KPH-Transistors (36) an die Basis des PKP-Transistors (35) und der Emitter des KPH-Transistors (36) an die Basis des ersten Schalttransistors (105) angeschlossen ist, während die Basis desKPK-Transistors (36) den Steuereingang (118) des Entkoppltmgsnetzwerkes (17) bildet (Fig. 9).

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19· Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuerelektrode (16) des zweiten steuerbaren Schalters (11) an die zweite Ausgangselektrode (8) des ersten steuerbaren Schalters (5) angeschlossen ist und dass die Steuerelektrode (6) des ersten steuerbaren Schalters (5) zur synchronen Ansteuerung der beiden steuerbaren Schalter (5; 11) dient (Fig. 10).
20. Schaltungsanordnung nach Anspruch 19■> dadurch gekennzeichnet, dass der erste steuerbare Schalter (5) ein NPH-Transistor (105) ist, dessen Kollektor (107) die erste (7) und dessen Emitter (108) die zweite (8) Ausgangselektrode und dessen Basis (106) die Steuerelektrode (6) des ersten steuerbaren "Schalters (5) bildet, und dass der zweite steuerbare Schalter (11) ebenfalls ein NPN-Transistor (111) ist, dessen Kollektor (112) die erste (12) und dessen Emitter (113) die zweite (13) Ausgangselektrode und dessen Basis (116) die Steuerelektrode (16) des zweiten steuerbaren Schalters (11) bildet (Fig. 11).
21. Schaltungsanordnung nach Anspruch 19» dadurch gekennzeichnet, dass der erste steuerbare Schalter (5) ein PNP-

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Transistor (205) ist, dessen Emitter (207) die erste (7) und dessen Kollektor (208) die zweite (8) Aus gangselektrode und dessen Basis (206) die Steuerelektrode (6) des ersten steuerbaren Schalters (5) bildet, und dass der zweite steuerbare Schalter (11) ein KEN-Transistor (211) ist, dessen Kollektor (212) die erste (12) und dessen Emitter (213) die zweite (13) Ausgangselektrode und dessen Basis (216) die Steuerelektrode (16) des zweiten steuerbaren Schalters (11) bildet (Fig. 12).
22. Schaltungsanordnung zum Kurzschliessen eines Verbrauchers unter Verwendung eines als steuerbarer Schalter dienenden, monolithisch integrierten Vertxkaltransistors, der eine unter seiner Kollektorzone liegende Leitschicht hat und dessen Kollektorelektrode mit einer Spannungsquelle verbunden ist, während sein Emitter an die zweite Eingangselektrode des Verbrauchers angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Vertikaltransistor (305; 405) ausser der mit der 'Spannungsquelle (U_ß) verbundenen ersten Kollektorelektrode (C,.) noch eine zweite Kollektorelektrode (Cp) hat, die an die erste Eingangselektrode (2) des Verbrauchers (1) angeschlossen ist (Figuren 16 bis 23).

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23. Schaltungsanordnung nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Kollektorelektroden (C., Cp) an zwei einander gegenüberliegenden Seiten der Basiszone (24) angeordnet sind (Figuren 16, 17, 21, 22).
24. Schaltungsanordnung nach Anspruch 23» dadurch gekennzeichnet, dass die Emitterzone (26) des Vertikaltransistors (405) in eine Vielzahl η räumlich voneinander getrennter Emitterzonen (26a, 26b, 26c) unterteilt ist, die jeweils eine als Anschlusskontakt (E., Ep, E^) dienende Metallisierung tragen, wobei die Anzahl n>1 ist und dass die zu diesen Anschlusskontakten (E-, Ep, E,) führenden äusseren Zuleitungen in einem gemeinsamen äusseren EmitteranSchluss (E) zusammengeführt sind (Figuren 21 bis 23).
25. Schaltungsanordnung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Basiszone (24) mit einer Anzahl η - 1 an Anschlusskontakten (B. , B^) belegt ist, die sich Jeweils zwischen zwei einander benachbarten Emitterzonen (26a, 26b, 26c) befinden und über je einen Vorwiderstand (50, 51) mit einem gemeinsamen äusseren Basisanschluss (B) verbunden sind (Fig. 21).

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26. Schaltungsanordnung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Emitterzonen (26a, 26b, 26c) in der Richtung vom ersten (G.) zum zweiten (C^) Kollektoranschluss schmäler werden (Figuren 21 und 22).
2?· Schaltungsanordnung nach Anspruch 23» dadurch gekennzeichnet, dass die Metallisierungen, die die beiden Kollektor anschlüsse (C,., C~) bilden, und die zugehörigen Kollektorkontaktierungsdiffusionszonen (28a, 28b) streifenförmig ausgebildet sind und parallel zueinander verlaufen (Figuren 16, 17; 21, 22).
28. Schaltungsanordnung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Emitterzonen (26a, 26b, 26c) streifenförmig ausgebildet sind, parallel zueinander verlaufen und zwischen den Kollektorkontaktierungsdiffusionszonen (28a, 28b) angeordnet sind (Figuren 21 und 22).

29· Schaltungsanordnung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass die Basisanschlusskontakte (B^, Bp) streifenförmig ausgebildet sind und parallel zueinander verlaufen (Figuren 21 und 22).

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