DE2340414B1 - Elektronisches koppelfeld - Google Patents
Elektronisches koppelfeldInfo
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- H04Q3/00—Selecting arrangements
- H04Q3/42—Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker
- H04Q3/52—Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements
- H04Q3/521—Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements using semiconductors in the switching stages
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Description
3 4
einer Gleich-Vorspannung, z.B. Erde, zu verbinden- pelvielfach A 3 der Stufest verbunden sind, eine zuden
Abschirmschicht benachbart sind, wobei die sammenhängende Abschirmschicht AS vorgesehen,
Zwischenleitungen von der Abschirmschicht isoliert wie in dem in F i g. 2 gezeigten Querschnitt schemasind.
Diese Abschirmschicht dient zur Verbesserung tisch angedeutet ist. Allgemein ausgedrückt, ist bei
der Entkopplung zwischen den sich kreuzenden Zwi- 5 dieser Weiterbildung der Erfindung zwischen den
schenleitungen, indem sie eine an eine Gleich-Vor- Zwischenleitungen, die mit dem η-ten Koppelvielfach
spannung gelegte Abschirmung zwischen diesen sich der einen Stufe verbunden sind, und den Zwischenkreuzenden
Zwischenleitungen bildet. leitungen, die mit dem (n + l)-ten Koppelvielfach
In Fig. 1 ist ein Beispiel fürdie Gestaltung der der gleichen Stufe verbunden sind, eine zusammen-Abschirmschicht
AS gezeigt, bei dem zwischen den io hängende Abschirmschicht vorgesehen. Diese
Zwischenleitungen Zl, die mit dem ersten Koppel- Weiterbildung ist vorteilhafter Weise relativ einfach
vielfach Al der Stufet verbunden= sind, und den herstellbar und besitzt darüber hinaus den Vorteil,
Zwischenleitungen Z2, die mit dem zweiten Koppel- daß die durch Abschirmschichten voneinander abgevielfach
Al der gleichen Stufet verbunden sind, schirmten Zwischenleitungen nicht nur kapazitiv,
eine zusammenhängende, z. B. aus Metall bestehende 15 sondern darüber hinaus auch induktiv voneinander
Schicht angebracht ist. In gleicher Weise ist zwischen entkoppelt sind.
den Zwischenleitungen Z 2, die mit dem zweiten Das erfindungsgemäße Koppelfeld kann auch Be-
Koppelvielfach Al der Stufet verbunden sind, und standteil eines weitere Koppelvielfache enthaltenden
den Zwischenleitungen Z 3, die mit dem dritten Kop- Koppelnetzwerkes sein.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (6)
1. Koppelfeld mit mindestens zwei, über Zwi- sollte hierdurch erheblich eingeschränkt werden,
schenleitungen miteinander verbundenen, jedes Die erfindungsgemäße Aufgabe wird bei einem für sich in integrierter Technik hergestellte Kop- 5 elektronischen Koppelfeld mit mindestens zwei über pelvielfache enthaltenden Stufen, insbesondere Zwischenleitungen miteinander verbundenen, jedes für ein Fernsprech-Vermittlungssystem, da- für sich in integrierter Technik hergestellte Koppeldur ch gekennzeichnet, daß Zwischen- vielfache enthaltenden Stufen dadurch gelöst, daß leitungen (Zl, Z 2, Z 3) zusammen mit den Kop- Zwischenleitungen zusammen mit den Koppelvielfapelvielfachen (A 1, A 1, A 3, B1, B 1, B 3), die io chen, die von diesen Zwischenleitungen miteinander durch diese Zwischenleitungen miteinander ver- verbunden werden, einen monolithischen Block bilbunden sind, einen monolithischen Block (T) bil- den.
schenleitungen miteinander verbundenen, jedes Die erfindungsgemäße Aufgabe wird bei einem für sich in integrierter Technik hergestellte Kop- 5 elektronischen Koppelfeld mit mindestens zwei über pelvielfache enthaltenden Stufen, insbesondere Zwischenleitungen miteinander verbundenen, jedes für ein Fernsprech-Vermittlungssystem, da- für sich in integrierter Technik hergestellte Koppeldur ch gekennzeichnet, daß Zwischen- vielfache enthaltenden Stufen dadurch gelöst, daß leitungen (Zl, Z 2, Z 3) zusammen mit den Kop- Zwischenleitungen zusammen mit den Koppelvielfapelvielfachen (A 1, A 1, A 3, B1, B 1, B 3), die io chen, die von diesen Zwischenleitungen miteinander durch diese Zwischenleitungen miteinander ver- verbunden werden, einen monolithischen Block bilbunden sind, einen monolithischen Block (T) bil- den.
den (F i g. 1). Die Erfindung und ihre Weiterbildungen werden
2. Koppelfeld nach Anspruch 1, dadurch ge- an Hand des in den Fig. 1 und2 gezeigten Ausfühkennzeichnet,
daß die Zwischenleitungen (Zl, 15 rungsbeispiels näher erläutert.
Z 2, Z 3) aus metallischen Schichten bestehen. F i g. 1 zeigt den monolithischen Block T, auf wel-
3. Koppelfeld nach Anspruch 1, dadurch ge- chem eine Mehrzahl von Koppelvielfachen Al, Al,
kennzeichnet, daß die Zwischenleitungen (Zl) A 3 einer Koppelstufe A über Zwischenleitungen Zl,
zumindest im Bereich der Koppelvielfache (Al) Zl, Z3 mit einer Vielzahl von Koppelvielfachen
auf einer Seite mit Metall bedeckte Halbleiter- ao Bl, Bl, B 3 einer nachgeschalteten Koppelstufe B
schichten aufweisen. verbunden sind. Es ist angedeutet, daß auf dem
4. Koppelfeld nach Anspruch3, dadurch ge- Block Γ noch weitere Koppelvielfache der Stufend
kennzeichnet, daß die Halbleiterschicht gleichzei- und B enthalten sind. Die einzelnen, auf dem Block
tig jeweils eine Halbleiterschicht von einer Viel- untergebrachten Koppelvielfache sind zusammen mit
zahl von Halbleiterkoppelpunkten, die über diese 35 den Zwischenleitungen Zl, Z 2, Z 3 in integrierter
Halbleiterschicht und deren metallische Bedek- Technik hergestellt, so daß hier die beiden Stufend
kung miteinander elektrisch leitend verbunden und B zusammen mit ihren Zwischenleitungen Zl,
sind, bildet. Z 2, Z 3 einen monolithischen Block bilden.
5. Koppelfeld nach einem der vorhergehenden Dadurch, daß dem Block T Koppelvielfache
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die 30 zweier aufeinanderfolgender Stufen zusammen mit
Zwischenleitungen (Zl, Z 2) einer mit einer den dazwischen liegenden Zwischenleitungen in inte-Gleich-Vorspannung
(Erde) zu verbindenden Ab- grierter Technik angebracht sind, entfällt die Notschirmschicht
(AS), von der die Zwischenleitun- wendigkeit, die Verdrahtung zwischen den Koppelgen
isoliert sind, benachbart sind, vielfachen dieser beiden Stufend undB beim Auf-
6. Koppelfeld nach Anspruch 5, dadurch ge- 35 bau eines diese Koppelstufen enthaltenden Koppelkennzeichnet,
daß zwischen den Zwischenleitun- feldes vorzusehen, da die betreffende Verdrahtung in
gen (Zl), die mit dem η-ten (ersten) Koppelviel- Form von bereits von Anfang an in integrierter
fach (Al) der einen Stufe (A) verbunden sind, Technik eingefügten Zwischenleitungen auf dem
und den Zwischenleitungen (Z 2), die mit dem Block T angebracht sind. Es muß hier also nur noch
η + 1-ten (zweiten) Koppelvielfach (A 2) der 40 eine Verdrahtung zu außerhalb des Blockes T angegleichen
Stufe (A) verbunden sind, eine zusam- brachten Schaltungspunkten, z.B. zu den in Fig. 1
menhängende Abschirmschicht (AS) vorgesehen gezeigten Teilnehmeranschlüssen SA, SB beim Aufist,
bau des Koppelfeldes angebracht werden. Der erfindungsgemäße Block stellt daher eine wesentliche
45 Vereinfachung beim Aufbau von Koppelfeldern dar.
Die Zwischenleitungen können vorteilhafter Weise
in der für Leitungen häufig angewandten Weise aus einer Metallschicht hergestellt werden, welche auf
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Koppel- den Block aufgedampft wird. Zwischen zwei sich
feld, insbesondere für ein Fernsprech-Vermittlungs- 50 kreuzenden solchen Zwischenleitungen sind dabei je-
system. weils in der F i g. 1 nicht gezeigte Isolierschichten an-
Durch die deutsche Auslegeschrift 1298 188 ist zubringen, um einen Kurzschluß zwischen den sich
ein elektronisches Koppelfeld mit mindestens zwei kreuzenden Zwischenleitungen zu vermeiden,
durch Zwischenleitungen miteinander verbundenen, Dadurch, daß die Zwischenleitungen zumindest im
jedes für sich in integrierter Technik hergestellte 55 Bereich der Koppelvielfache, z.B. im Bereich des
Koppelvielfache enthaltenden Stufen bekannt, vgl. Koppelvielfachs A1, aus auf einer Seite mit Metall
insbesondere Spalte 1, Zeile 1 bis 32. bedeckten Halbleiterstreifen bestehen, kann erreicht
Dort sind einzelne Koppelvielfache, teilweise zu- werden, daß die Zwischenleitungen hier die Funktion
sammen mit diese Vielfache steuernden Schaltungen von Spaltenleitungen bzw. Zeilenleitungen des be-
zu einem monolithischen Block zusammengefaßt; 60 treffenden Koppelvielfachs aufweisen. Der HaIb-
vgl. Spalte 1, Zeile 30 bis 65, Spalte 2, Zeile 14 bis leiterstreifen bildet gleichzeitig jeweils eine HaIb-
und Spalte 3, Zeile 60 bis Spalte 4, Zeile 42. lederschicht von einer Vielzahl von Halbleiterkop-
Die Erfindung geht von dem bisher noch nicht in pelpunkten, die über diese Halbleiterschicht und
eine Tat umgesetzten Bedürfnis aus, zu verschiede- deren metallische Bedeckung miteinander elektrisch
nen Stufen eines elektronischen Koppelfelds gehö- 65 leitend verbunden sind.
rende Koppelvielfache, jedes für sich in integrierter Die Isolierung zwischen den sich kreuzenden
Technik hergestellt, so zu gestalten, daß beim Auf- Zwischenleitungen Zl, Z 2, Z 3 kann dabei so ausge-
bau des Koppelfeldes eine Verdrahtung zwischen bildet werden, daß die Zwischenleitungen einer mit
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