DE2326861A1 - Verfahren zum gegenseitigen verbinden von elektronischen mikrobausteinen und nach einem solchen verfahren hergestellte verbindungssubstrate und hybridschaltungen - Google Patents
Verfahren zum gegenseitigen verbinden von elektronischen mikrobausteinen und nach einem solchen verfahren hergestellte verbindungssubstrate und hybridschaltungenInfo
- Publication number
- DE2326861A1 DE2326861A1 DE2326861A DE2326861A DE2326861A1 DE 2326861 A1 DE2326861 A1 DE 2326861A1 DE 2326861 A DE2326861 A DE 2326861A DE 2326861 A DE2326861 A DE 2326861A DE 2326861 A1 DE2326861 A1 DE 2326861A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- contact pieces
- micro
- wire
- insulating housing
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67138—Apparatus for wiring semiconductor or solid state device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/103—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by bonding or embedding conductive wires or strips
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
- H05K7/06—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure on insulating boards, e.g. wiring harnesses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
- H01L2224/45565—Single coating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48095—Kinked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4899—Auxiliary members for wire connectors, e.g. flow-barriers, reinforcing structures, spacers, alignment aids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/78252—Means for applying energy, e.g. heating means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the capillary or wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85007—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving a permanent auxiliary member being left in the finished device, e.g. aids for holding or protecting the wire connector during or after the bonding process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01057—Lanthanum [La]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/10287—Metal wires as connectors or conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/10424—Frame holders
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Description
Patentanwälte
DIpK-Ing. FJ. ΒΓ'.ΕΤΖ ·βη»
PSCHT
PSCHT
"Dr.-!-.-. u. EJ -: ε: τ ζ Jr.
Manchen 22, Sieinsdorfitr. 1t
Manchen 22, Sieinsdorfitr. 1t
• 410-20.799P 25. 5. 1973
Commissariat a lfEnergie Atomique, Paris (Frankreich)
Verfahren zum gegenseitigen Verbinden von elektronischen
Mikrobausteinen und nach einem solchen Verfahren hergestellte
Verbindungssubstrate und Hybridschaltungen
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum gegenseitigen Verbinden von elektronischen Mikrobausteinen sowie
auf nach einem solchen Verfahren hergestellte Verbindungssubstrate und Hybridschaltungen,,
Das Anwendungsgebiet der Erfindung ist also das Gebiet der Mikroelektronik»
Die laufenden Bemühungen hinsichtlich der Miniaturisierung
von elektronischen Bausteinen haben bekanntlich zu der Möglichkeit geführt, integrierte Schaltungen mit sehr kleinen
Abmessungen und relativ niedrigen Gestehungskosten herzustellen.
!©©§48/1
Diese Miniaturisierungsbestrebungen treffen jedoch heute auf
Grenzen, die nicht so sehr in den Mikrobausteinen selbst, als vielmehr in den dazwischen zu schaffenden, elektrischen Verbindungen
begründet sind. Die meisten Mikrobausteine und insbesondere
die integrierten Schaltungen sind nämlich bisher in getrennten Gehäusen untergebracht, deren Platzbedarf erheblich
größer ist als der der Schaltungen, die darin Aufnahme finden. Es herrscht daher ein Mißverhältnis zwischen dem geringen
Volumen, "das von dem Trägerplättchen mit dem Mikrobaustein eingenommen wird, einerseits und dem Innenraum des zugehörigen
Gehäuses andererseits, von dem ein großer Teil durch die Ausgangsanschlüsse beansprucht wird. Da im Zuge der Entwicklung
die Komplexität der Mikrobausteine ständig wächst und damit auch die Anzahl der Ausgangsanschlüsse zunimmt,
zeigt dieses Mißverhältnis eine Tendenz zu immer stärkerer Ausprägung. Außerdem müssen für bestimmte Schaltungen die
Betriebszeiten häufig unterhalb des Nanosekundenbereichs liegen, so daß die Laufzeiten der Signale in den Verbindungsschaltungen zu unerwünschten Grenzen werden können, wenn die
Länge der Verbindungsleitungen zwischen den verschiedenen Gehäusen mit den einzelnen Mikrobausteinen Werte von einigen
10 cm annimmt. Sfhließlich macht auch der Preis für die Gehäuse
für sich genommen einen erheblichen Anteil der Kosten für die integrierte Schaltung aus, die darin Aufnahme finden
soll. Aus allen diesen Gründen geht heute das Bestreben dahin, die Mikrobausteine unmittelbar auf einem Verbindungssubstrat
zu montieren, das in der bisherigen Technik in Form von mehrschichtigen Schaltungen ausgebildet wird.
Die bisher bekannten mehrschichtigen Verbindungssubstrate stellen eine Art von gedruckter Schaltung dars auf der die von
ihren üblichen Gehäusen befreiten Mikrobausteine montiert werden. Eine solche Schaltung soll im folgenden in dem Sinne
mit dem Ausdruck "Hybridschaltung" bezeichnet werden, als sie
309849/1023
eine Vereinigung von Mikrobausteinen auf einem Verbindungssubstrat darstellt. Dabei wird heute je nachdem, ob die
Trägerunterlagen dick oder dünn sind, zwischen zwei Typen von mehrschichtigen Schaltungen unterschieden. In beiden
Fällen ist die Technologie für die Herstellung dieser Schaltungen sehr komplex und verlangt einen erheblichen Aufwand
an Fertigungshilfsmitteln. Zur näheren Veranschaulichung der damit entstehenden Schwierigkeiten und auch der durch
die vorliegende Erfindung erzielbaren Vorteile und fer'tigungsmäßigen
Vereinfachungen soll im folgenden kurz auf die Technologie für die Herstellung von mehrschichtigen Schaltungen
bisheriger Art eingegangen werden.
Die dicken Schichten werden im allgemeinen unter Anwendung der Technik der Serigraphie auf einer Trägerunterlage aus Keramik
abgeschieden. Die Schichten sind dabei entweder isolierend oder elektrisch leitend, und sie werden mit hoher Temperatur
gebrannt. Übergänge zwischen verschiedenen Schichten werden · durch Einbringen von Fenstern in die isolierenden Schichten
im Augenblick ihrer Abscheidung erhalten. Die leitenden Schichten
auf verschiedener Höhe werden nach Maßgabe des Stapelungsfortschritts miteinander verbunden. Was nun die dünnen Schichten
anbelangt, so werden sie im allgemeinen durch Aufdampfen im Vakuum abgeschieden, worauf sich nach der Abscheidung eine
Gravierung.und eine Bestrahlung eines photoempfindlichen Harzes
anschließt. In bestimmten Fällen kann auch mit einem Aufdampfen im Vakuum durch eine Maske hindurch gearbeitet werden. Die obigen
Darlegungen zeigen, daß diese bekannte Technik für die Herstellung
von mehrschichtigen Schaltungen sich zwar ohne weiteres, zur Herstellung von Verbindungssubstraten in großen Serien
eignet, für ihre Realisierung jedoch einen erheblichen Aufwand an Fertigungseinrichtungen verlangt, und daher für die Herstellung
solcher Verbindungssubstrate in kleinen oder mittleren Stückzahlen nicht brauchbar ist.
3Q9S49/1023
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen
Weg aufzuzeigen, auf dem sich unter Vermeidung der oben aufgezeigten Mangel der bisher bekannten Verfahrensweisen
bei geringstem Aufwand an Fertigungseinrichtungen und Per— tigungshilfsmitteln elektronische Mikrobausteine in einer
Weise miteinander verbinden lassen, die allen in der Mikroelektronik
gestellten Anforderungen wie hohe Packungsdichte, gute Zuverlässigkeit, leichte Reparierbarkeit, niedrige Gestehungskosten
usw. genügt.
In Lösung dieser Aufgabe wird erfindungsgemäß ein Verfahren zum gegenseitigen Verbinden von elektronischen Mikrobausteinen
vorgesehlagen, das sich dadurch kennzeichnet, daß auf einer Trägerunterlage an für die Anordnung der Anschlüsse
der miteinander zu verbindenden Mikrobausteine passenden Stellen
leitende Kontaktstücke befestigt und über eine Verbindungsschaltung aus auf die Trägerunterlage aufgebrachten isolierten
Drähten miteinander verbunden werden, daß auf die Kontaktstücke Mikrobausteinplättchen mit ihren Anschlüssen aufgelegt werden
und daß die Anschlüsse der Mikrobausteinplättchen mit den jeweiligen Kontaktstücken verlötet werden.
Im Rahmen des erfindungsgemäßen Verfahrens wird für die Herstellung der Verbindungen zwischen den einzelnen Mikrobausteinen
ein isolierter Draht von geringem Querschnitt verwendet, der sich insbesondere thermisch klebfähig machen läßt; die
Isolierung zwischen den leitenden Teilen wird auf diese Weise ohne Komplizierung des Netzwerkes und ohne Begrenzung durch
technologische Schwierigkeiten bei der Übereinanderstapelung von Schichten gewährleistet. Das erfindungsgemäße Verfahren
eignet sieh in hervorragendem Maße zur Automatisierung und ermöglicht dank seiner Einfachheit einen Einsatz auch für die
Herstellung kleiner und mittlerer Stückzahlen von Hybridschaltungen.
t
309849/1023
309849/1023
Gemäß einer ersten AusführungsVariante des erfindungsgemäßen
Verfahrens wird zur Herstellung der Verbindungssehaltung
in der Weise vorgegangen, daß die leitenden Kontaktstücke an passenden Stellen auf der Trägerunterlage aufgebracht werden,
die Verbindungsschaltung unter Aufteilung in Teilschaltungen,
die sich durch einen ununterbrochenen Draht realisieren lassen, der unter Anbringen auf der Trägerunterlage und Hinwegführen
über die Kontaktstücke abgex^iekelt wird* verkabelt
wird, die verschiedenen Teilschaltungen einander zur Bildung
der gesamten Verbindungsschaltung überlagert werden^ der
isolierte Draht auf der Höhe jedes der Kontaktstücke entisoliert wird, die freigelegten Drahtstücke mit den entsprechenden
Kontaktstücken verlötet werden und die nicht zur endgültigen Verbindungsschaltung gehörigen Drahtabschnitte abgeschnitten
werden.
Bei einer zweiten Ausführungsvariante des erfindungsgemäßen Verfahrens erfolgt die Herstellung der Verbindungsschaltung
in der Weise, daß Isoliergehäuse mit zur Aufnahme jeweils eines der miteinander zu verbindenden Mikrobausteinplättchen geeig-'
/geformt, an ihrem Umfang mit Nuten versehen und' auf die Träger-11 en
unterlage aufgesetzt werden, daß die Verbindungsschaltung unter Aufteilung in Teilschaltungen, die sich durch einen ununterbrochenen
Draht realisieren lassen, der durch die Randnuvten
der Isoliergehäuse hindurchgelegt wird, verkabelt wird9 daß
die verschiedenen Teilschaltungen einander zur Bildung der gesamten,
Verbindungsschaltung überlagert werden, daß der isolierte Draht auf der Höhe jedes der Kontaktstücke entisoliert wird,
daß die Kontaktstücke auf die Trägerunterlage durch eine elektrolytische
Abscheidung aufgebracht werden, in deren Verlauf die ununterbrochenen Drähte jeder Teilschaltung auf passenden
Potentialen gehalten werden, und daß die nicht zur endgültigen Verbindungsschaltung gehörigen Drahtabschnitte abgeschnitten
werden.
30984971023
Diese zweite Ausführungsvariante des erfindungsgemäßen
Verfahrens kann entweder in der Weise ausgestaltet werden, daß die Kontaktstücke in den Nuten der Isoliergehäuse geschaffen
werden, daß anschließend die zentralen Teile der Isoliergehäuse auf der Höhe der inneren Seitenwände der
Isoliergehäuse entfernt werden und daß die Mikrobausteinplättchen
unter Einlegen von oben her in ihre jeweiligen Isoliergehäuse eingesetzt werden, oder es wird so. gearbeitet,,
daß die Kontaktstücke im Inneren der Isoliergehäuse geschaffen werden, daß anschließend die zentralen Teile der Isoliergehäuse
unter Stehenlassen der von den Kontaktstücken gebildeten Pinger am Innenrand der Seitenwände der Isoliergehäuse
entfernt werden, daß in gleicher V/eise der innerhalb der Isoliergehäuse liegende Teil der Trägerunt-erlage entfernt wird, daß die Mikrobausteinplättchen unter Einführen
von unten her in ihre jeweiligen Isoliergehäuse eingesetzt werden und daß die Unterseiten der Mikrobausteinplättchen
auf einer zweiten starren Trägerunterlage befestigt werden. Bei beiden Ausgestaltungen wird der zentrale Teil der Isoliergehäuse
bevorzugt durch Stanzen entfernt.
Die elektrische Prüfung der Verbindungsschaltung erfolgt bei den beiden oben gestellten Ausführungsvarianten für das
erfindungsgemäße Verfahren bevorzugt in der Weise, daß alle Teilschaltungen auf Unterbrechungsfreiheit geprüft werden,
solange sie noch aus einem ununterbrochenen Draht bestehen.
Eine Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht
auch darin, daß zur Herstellung der Verbindungsschaltung ein Draht mit einer thermisch klebfähig zu machenden Isolierung
verwendet wird, der durch einen feststehenden Speisekopf hindurch abgewickelt wird, der eine endseitig abgerundete und
mit einem Heizorgan zum Aufheizen des Drahtes versehene Kapillare
309849/1023
aufweist, während die isolierende Trägerunterlage fest mit einem in seiner Ebene beweglichen Tisch verbunden ist, dessen
Bewegung den Verlauf der Verbindungsschaltung bestimmt. Bevorzugt wird dabei die Bewegung des die isolierende Trägerunterlage
tragenden Tisches durch eine automatische Programmsteuerung gesteuert.
Gegenstand der Erfindung ist weiter ein Verbindungssubstrat für elektronische Mikrobausteine, das sich mit Hilfe der erfindungsgemäßen
Verfahren erhalten läßt.
Ein nach der ersten AusführungεVariante des erfindungsgemäßen
Verfahrens erhältliches Verbindungssubstrat ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß es eine Trägerunterlage aufweist,
auf der leitende Kontaktstücke aufgebracht sind, die durch eine mittels isolierten Drahtes realisierte Verbindungsschaltung miteinander verbunden sind.
Ein nach der zweiten AusführungsVariante des erfindungsgemäßen
Verfahrens herstellbares Verbindungssubstrat ist erfindungsgemäß
dadurch gekennzeichnet, daß es- auf einer Trägerunterlage angeordnete Isoliergehäuse mit zur Aufnahme jeweils
eines der miteinander zu verbindenden Mikrobausteinplättchen geeigneten Abmessungen und eine Verbindungsschaltung aufweist,
die aus isolierten Drahtstücken besteht, die auf der Trägerunterlage
haften und auf der Höhe der Isoliergehäuse mit ' leitenden Kontaktstücken verbunden-sind.
In beiden oben geschilderten Fällen besteht die Isolierhülle für die isolierten Drähte bevorzugt aus thermisch klebfähig
zu machendem Material, ymd außerdem kann die Trägerunterlage
mit einem Überzug aus einem thermisch klebfähig zu machenden Material versehen sein. Die Trägerunterlage selbst besteht
bevorzugt aus elektrisch isolierendem Material wie beispiels-
309849/1Q23
weise einem Polyimid. Soweit auf einer solchen Trägerunterlage
Isoliergehäuse aufgebracht sind, bestehen diese bevorzugt aus
Keramik, während als Material für die leitendenKontaktstücke Kupfer bevorzugt ist. Der isolierte Draht weist zweckmäßig
eine Metallseele mit einem Durchmesser von einigen 10 Mikrometern auf.
Eine Hybridschaltung in erfindungsgemäßer Ausbildung ist dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Mehrzahl von durch
ein Verbindungssubstrat der oben gekennzeichneten Art miteinander
verbundenen elektronischen Mikrobausteinen umfaßt, wobei bevorzugt mindestens einer dieser Mikrobausteine eine
integrierte Schaltung ist, die zweckmäßig so auf die Trägerunterlage aufgesetzt ist, daß die inaktive Basis des Plättchens
mit der Trägerunterlage in Berührung steht.
PUr die weitere Erläuterung der Erfindung wird nunmehr auf die Zeichnung Bezug genommen, in der einige bevorzugte
Ausführungsbeispiele für die Erfindung veranschaulicht sind; dabei zeigen in der Zeichnung:
Fig. 1 ein nach der ersten AusfuhrungsVariante des erfindungsgemäßen
Verfahrens erhältliches Verbindungssubstrat in perspektivischer Darstellung und in verschiedenen
Stadien seiner Herstellung,
Fig. 2 ein im Rahmen der zweiten AusführungsVariante für
das erfindungsgemäße Verfahren verwendbares Isoliergehäuse in perspektivischer Darstellung,
Fig. 3 in schematischer Darstellung den Ablauf der Verkabelung
der Verbindungsschaltung bei der zweiten
AusführungsVariante des erfindungsgemäßen Verfahrens,
Fig. 4 eine AusführungsVariante für die Ausbildung der
Kontaktstücke,
309849/1023
Pig. 5 eine stark vergrößerte Detailansicht der in die
Isoliergehäuse eingearbeiteten Nuten zur Veranschaulichung
der Verankerung des entisolierten Drahtes an den leitenden Kontaktstücken,
Fig. 6 eine schematisch gehaltene Darstellung des Speisekopfes
für den isolierten Draht,
Pig. 7 ein Illustrationsbeispiel für die Befestigung eines Mikrobausteins in seinem Isoliergehäuse und
Fig. 8 eine zweite Ausführungsmöglichkeit für die Befestigung der Mikrobausteine.
In Fig. 1 ist eine erste Ausführungsvariante für ein erfindungsgemäß
ausgebildetes Verbindungssubstrat dargestellt, wobei gleichzeitig die wesentlichen Phasen seiner Herstellung
veranschaulicht sind (Fig. la, Ib und Ie). In der Darstellung
in Fig. la werden auf einer Trägerunterlage 60 leitende Kontaktstücke
62 an geeigneten Stellen aufgebracht, die den Anschlüssen der Mikrobausteine entsprechen, die damit in Kontakt gebracht
werden sollen. In einer zweiten Verfahrensphase (Fig.Ib)
wird ein isolierter Draht 64 aufgebracht, um die Verbindungsschaltung zu verkabeln, indem diese Schaltung in Teilsehaltungen
zerlegt wird, die sich mit Hilfe eines ununterbrochenen Drahtes realisieren lassen. Anschließend werden diese Teilschaltungen
zur Gewinnung der gesamten Verbindungsschaltung überlagert.
Sodann wird der isolierte Draht 64 auf der Höhe jedes der Kontakt stücke 62 entisoliert, und die so freigelegten Drahtabschnitte
werden mit den entsprechenden Kontaktstücken 62 verlötet; in einem letzten Verfahrensschritt werden dann die Abschnitte
des Drahtes 64 abgeschnitten, die keinen Teil der Verbindungssehaltung bilden, und auf diese Weise wird ein
Verbindungssubstrat erhalten, wie es in Fig. ic veranschaulicht ist.
309049/1023
Sodann werden die Mikrobausteinplättchen auf die verschiedenen
Kontaktstücke 62 aufgesetzt, und. es ist dann nur noch erforderlieh,' die Anschlüsse dieser Mikrobausteine auf
die Kontaktstücke 62 aufzulöten. Die verschiedenen oben kurz erwähnten Arbeitsgänge werden unten in Verbindung mit der
zweiten Ausführungsvariante des erfindungsgemäßen Verfahrens noch näher erläutert.
Damit die Verbindung zwischen dem isolierten Draht und den Unterlagplättchen der elektronischen Mikrobausteine den
zu stellenden Bedingungen in Lage, mechanischem Halt, ebener Ausführung und Reparierbarkeit genügt, kann man sich einer
speziellen Hilfskonstruktion bedienen. Ein Ausführun^sbeispiel
für eine solche Hilfskonstruktion ist in Fig. 2 dargestellt. Dabei zeigt Fig. 2 in perspektivischer Darstellung ein Isoliergehäuse
2, das die Herstellung der Verbindung zwischen dem isolierten Draht und dem Unterlagplättchen eines in dieses
Isoliergehäuse 2 einsetzbaren Mikrobausteins ermöglicht. Das
Isoliergehäuse 2 kann an seinen Seitenwänden so bearbeitet sein, daß eine Mehrzahl von Nuten 4 entsteht, deren Lage entweder
in Abhängigkeit von der Plazierung der Anschlüsse eines in dieses spezielle Gehäuse einzusetzenden Mikrobausteins oder
nach einer genormten Schrittweite bestimmt wird. Das Isoliergehäuse 2 selbst kann entweder aus Keramik oder aus Aluminiumoxyd
hergestellt werden.
Die gewünschte Verbindungsschaltung selbst wird dann in
der Weise geschaffen, wie dies in Fig. 3a und 3b veranschaulicht
ist. In diesen Figuren sind als Beispiel drei Isoliergehäuse 10,
12 und 14 dargestellt, die zur Aufnahme dreier miteinander zu verbindender elektronischer Mikrobausteine bestimmt sind. Die
Verbindungsschaltung wird mit Hilfe eines isolierten Drahtes gewonnen, der die Nuten 4 der verschiedenen Isoliergehäuse 10,
309849/1023
12 und l4 entsprechend dem gewünschten Verbindungsplan miteinander
verbindet. Nach einer VerfahrensVariante wird -die
gesamte Verbindungsschaltung bevorzugt in Teilschaltungen
zerlegt, die sich mit Hilfe eines ununterbrochenen Drahtes wie 2.B. des Drahtes 16 realisieren lassen, der in den verschiedenen
Isoliergehäusen 10, 12 und 14 in geeignete Nuten 4 eingelegt wird. In Fig.. 3a ist eine solche Teilschaltung
dargestellt, die sich mit Hilfe eines ununterbrochenen isolierten Drahtes 16 realisieren läßt, dessen Enden durch die Bezugszeichen
E1 und S. bezeichnet sind; weitere, in Pig. 3
nicht näher dargestellte Teilschaltungen werden in gleicher Weise geschaffen, und anschließend werden alle diese Teilschaltungen
einander zur Bildung der gesamten Verbindungsschaltung überlagert.
Wie Fig. 3a zeigt, läuft, der ununterbrochene Draht 16
jeweils über den zentralen Teil der einzelnen Isoliergehäuse 10, 12 und 14 hinweg. Dies ermöglicht die Erzeugung der
zur Befestigung an den Verbindungsdraht bestimmten leitenden Kontaktstücke mit Hilfe eines sehr einfachen elektrolytischen
Verfahrens. Es ist nämlich bei dieser Ausführungsvariante des
erfindungsgemäßen Verfahrens möglich, solange der Verbindungsdraht noch nicht zerschnitten ist, die jeweilige Teilschaltung
unter Spannung zu setzen und im Bereich der von dem Verbindungsdraht durchlaufenen Nuten nach Entfernung der Drahtisolierung
an den entsprechenden Stellen die leitenden Kontaktstücke durch elektrolytische Abscheidung aufzubringen. Nach diesem Elelctrolysevorgang,
der zur Bildung von metallischen Kontaktstücken führt, die mit den verschiedenen Abschnitten des Verbindungsdrahtes
verankert sind, werden die zentralen Teile der Isoliergehäuse insbesondere durch mechanisches Ausstanzen entfernt, wodurch
ein Verbindungssubstrat entsteht, wie es in Fig. 3D veranschaulicht
ist, die sich von der Darstellung in Fig. 3a nur
dadurch unterscheidet, daß die zentralen Teile der Isoliergehäuse 10, 12 und 14 entfernt sind.
309849/1023
Natürlich kann man, anstatt die Kontaktstücke in den Nuten 4 selbst zu schaffen, diese Kontaktstücke auch ein
wenig innerhalb der Isoliergehäuse in Form von in diese
hineinragenden Fingern entstehen lassen. Diese Ausführungsvariante ist in Fig. 4 veranschaulicht. In Fig. 4 ist ein
Isoliergehäuse 2 dargestellt, das beispielsweise vier Anschlüsse 10?, 102, 103 und 104 aufnimmt, die an vier entsprechenden
Fingern 111, 112, 113 und 1J4 enden. In diesem
Falle werden die Anschlüsse in den zentralen Teilen der Isoliergehäuse auf der Höhe von deren Seitenwänden nicht wie
bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. yo entfernt. Natürlich
lassen sich die beiden Ausführungsvarianten nach Fig. 3 und 4 auch miteinander kombinieren.
Das Verfahren zur Herstellung der "Verbindungsschaltung
ermöglicht eine sehr einfache elektrische Überprüfung dieser Schaltung durch Messung des ohmschen Widerstandes entlang
des für die Erstellung der Verbindungen verwendeten isolierten Drahtes zwischen seinen beiden Enden wie beispielsweise
den Stellen E^ und S1 für die in Fig. 3a veranschaulichte
Teilschaltung; die entsprechenden Prüfungen können mit Stromunterbrechung
oder mit Kurzschluß, vorgenommen werden.
Die Verbindung des Drahtes mit den Isoliergehäusen ist
in der Darstellung in Fig. 5 erkennbar, die eine stark vergrößerte
Detailansicht ist und die Verankerung des Drahtes an den metallischen Kontaktstücken in den Isoliergehäusen
zeigt. Dabei ist in-Fig. 5a ein Schnitt durch ein Isoliergehäuse
2 dargestellt, in das Nuten 4 eingearbeitet sind; das Isoliergehäuse 2 ist mindestens im Inneren der Nuten 4 mit
einer dünnen Metallschicht 20 überzogen, die sieh beispielsweise durch chemische Verkupferung erhalten läßt; der Verbindungsdraht
wird im Bereich der Nuten 4 von seiner Isolierung befreit, so daß seine Metallseele 22 freiliegt. Diese Entisolie-
309849/1023
rung des Drahtes kann beispielsweise durch thermisches Verflüchtigen
oder durch chemischen Angriff mit Hilfe eines Lösungsmittels auf die Isolierschicht über die entsprechende
Drahtlänge erfolgen. Nach Einlegen des entisolierten Drahtes in die Rinnen 4 werden diese durch elektrolytische Verkupferung
in einem Bad aus Kupfersulfat bei Schaltung des Drahtes als Kathode gegen eine losliche Anode aus Kupfer gefüllt, so daß
die Metallseele 22 des Drahtes in einem Kontaktstück 24 eingeschlossen
wird, wie dies in Fig. 5t> veranschaulicht ist. Der abschließende Arbeitsgang besteht dann in einer elektrischen
Isolierung der verschiedenen metallischen Kontaktstücke 24 voneinander, die entweder durch Polieren oder durch chemische
Behandlung der" Oberseite des Isoliergehäuses 2 erfolgen kann, so daß sich ein Endzustand ergibt s wie er in Pig« 5c
veranschaulicht ist.
kl
Die Nuten 4 in den Isoliergehäusen können beispielsweise
eine Länge und eine Höhe in der Größenordnung von 50 Mikron
aufweisen, und die Metallseelen 22 der isolierten Drähte können einen Durchmesser von einigen zehn Mikron wie beispielsweise
30 Mikron aufweisen. Es ergibt sich dann eine gut haftende Verbindung zwischen der Metallseele 22 des
Drahtes einerseits und dem leitenden Kontaktstück 24 andererseits, da es sich bei dieser Verbindung um eine Verankerung
in der Masse handelt. Bei den bisher bekannten Schaltungen v/erden die Verbindungen als Lötverbindungen auf dünnen Schichten
mit einer Dicke von etwa 1 Mikron oder auf dicken Schichten mit einer Dicke von etwa 15 Mikron vorgenommen, wobei
sich eine erheblich verminderte Zuverlässigkeit der Lötverbindung und große Schwierigkeiten bei Reparaturversuchen
ergeben.
Bei einer bevorzugten'Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens
erfolgt die Befestigung des isolierten Drahtes auf
309849/1023
der Trägerunterlage durch thermisches Verkleben. Bei dieser AusführungsVariante geschieht die Aufbringung des Drahtes
in der in Fig. 6 veranschaulichten Weise. In Fig. 6 ist eine isolierende Trägerunterlage 30, die insbesondere aus
einem Polyimid bestehen kann, an ihrer Oberseite mit einer
Schicht 32 aus einem thermisch erweichbaren und damit klebfähig
werdenden Material überzogen, auf die ein Speisekopf 34 den isolierenden Verbindungsdraht 36 aufdrückt. Der
Speisekopf enthält dazu ein Kapillarrohr 38, durch das der isolierte Draht 36 hindurchgeht, und eine Heizspule 40, die
zum Aufheizen der Isolierung des Drahtes J>6 bis zu deren
Erweichen bestimmt ist; das Kapillarrohr 38 endet in einem gekrümmten Abschnitt 42, der zur Formgebung für den Draht
unabhängig von der Richtung seines Auslaufens bestimmt ist; der Speisekopf 34 ist seinerseits an einem in der Zeichnung
nicht dargestellten Träger montiert, der die Ausübung eines gewissen Druckes auf den Draht 36 ermöglicht, wie er zu
dessen Einbetten in die thermisch erweichbare Schicht 32 erforderlich
ist.
Bei einer speziellen Ausführung steht der Speisekopf fest, und die Trägerunterlage 30 ist fest mit einem in seiner
Ebene beweglichen Tisch 44 verbunden, dessen Bewegung durch eine automatisch programmierbare Einrichtung gesteuert werden
kann. Bei- dieser Verfahrensweise können die Verbindungsdrähte 36 sehr nahe nebeneinander angebracht werden, und es lassen
sich auch Überkreuzungen dieser Verbindungsdrähte erreichen, wobei sie an den Kreuzungspunkten durch thermische Erweichung
ihrer Isolierhüllen an den entsprechenden Stellen miteinander verklebt werden können. Ein Beispiel für eine solche Kreuzungsstelle zwischen zwei Verbindungsdrähten ist in Fig. 6 veranschaulicht,
wo ein Verbindungsdraht 36 über einen zuvor aufgebrachten
Verbindungsdraht 46 hinwegläuft. Auf diese Weise läßt
309849/1023
sich eine hohe Packungsdichte für die Verbindungen erreichen, ohne daß spezielle Vorkehrungen zur Vermeidung von Kurzschlüssen
zwischen den einzelnen Verbindungsdrähten getroffen werden
müssen.
Anstelle von Verbindungsdrähten mit thermisch erweichbarer Isolierhülle können auch Drähte verwendet werden, die mit einer
Hülle überzogen sind, die sich durch Einwirkung eines geeigneten chemischen Bades in klebfähigem Zustand überführen läßt. Dabei'
kann eine einzige klebfähige Schicht entweder an dem isolierten Draht oder an der Trägerunterlage für die feste Verbindungdazwischen
vollkommen genügen.
Nach Aufbringen des isolierten Drahtes auf der Trägerunterlage 30 für die Erstellung der gewünschten Verbindungsschaltung
und Verbinden dieses Drahtes mit den leitenden Kontaktstücken erhält man ein Verbindungssubstrat, das zur Aufnahme der verschiedenen
elektronischen Mikrobausteine bereit ist, für die es gedacht ist. Zur Gewinnung der kompletten Hydridschaltung
brauchen dann nur noch die Mikrobausteine selbst an den entsprechenden Stellen eingesetzt und die Verbindungen zwischen
den Ausgangsanschlüssen dieser Mikrobausteine und den verschiedenen
Kontaktstücken hergestellt zu werden. Das Ergebnis
dieses Arbeitsganges ist für zwei Ausführungsvarianten in
Fig. 7 und 8 veranschaulicht.
Fig. 7 zeigt einen Schnitt durch ein"Isoliergehäuse 2, das
mit metallischen Kontaktstücken· 25 und 25' versehen ist. Dieses Tsoliergehäuse 2 ruht auf einer Trägerunterlage 30. Ein in das
Isoliergehäuse 2 eingesetzter elektronischer Mikrobaustein 50 weist Ausgangsansehlüsse 52 und 5^ auf, die mit den entsprechenden
Kontaktstücken 25 und 25' verlötet sind. Diese Lötverbindungen
können mit Vorteil für alle Anschlüsse der Hybridschaltung gemeinsam und auf einmal hergestellt werden, wozu
man sich einer Thermokompression oder Ultraschall usw. bedienen
3098^9/1023
kann. Pig. 7 zeigt weiter Verbindungsdrähte 36 und 36', die
in den Kontaktstücken 25 bzw. 25' verankert sind.
Das Isoliergehäuse 2 weist mit Vorteil die gleiche Höhe auf wie das Plättchen mit dem elektronischen Mikrobaustein 50,
so daS die gesamte inaktive Oberfläche 56 dieses Plättchens
in inniger Berührung mit ,der Trägerunterlage 30 steht. Beispielsweise
durch Verlöten oder Verkleben kann auf diese Weise sowohl eine gute Abführung der im Verlaufe des Betriebes
in dem Mikrobaustein 50 entwickelten Wärme und ein guter
mechanischer Zusammenhalt, des Gebildes aus Mikrobaustein ^O
und Trägerunterlage JO'erhalten werden. Sollte die mechanische
Festigkeit ungenügend sein, so kann das Gesamtgebilde auf eine zweite starre Trägerunterlage .31 aufgesetzt werden, die aus
Metall bestehen oder isolierend sein kann.
Eine nach der AusführungsVariante gemäß Fig. 4 erhältliche
Hybridschaltung ist in Fig. 8 schematisch veranschaulicht. In
der Darstellung in Fig. 8 sind Bauteile, die auch in Fig. 7 dargestellt sind, mit den gleichen Bezugszahlen wie dort bezeichnet,
es gibt also wiederum eine Trägerunterlage J>öf ein
Isoliergehäuse 2, einen elektronischen Mikrobaustein 50 und Verbindungsdrähte 36 und 36'. Die Kontaktstücke sind bei der
Ausführungsvariante nach Fig. 8 als Finger 120 und 122 ausgebildet, die mit den entsprechenden Anschlüssen ]24 und 126
am Mikrobaustein 50 in Berührung stehen. Das Plättchen mit dem Mikrobaustein 50 muß bei dieser AusführungsVariante nach
Entfernen der Trägerunterlage 30 in dem innerhalb des Isoliergehäuses 2 liegenden Bereich von unten her in das Isoliergehäuse
2 eingesetzt werden. Anschließend wird der Mikrobaustein 50 mit der inaktiven Oberfläche 56 seines Plättchens fest
auf einer zweiten TrägerunterIa^e 3] befestigt, die bei starrer
mechanischer Ausführung elektrisch leitend oder isolierend sein kann und eine gute Wärmeabfuhr und eine Versteifung der gesamten
309849/102
Hybridschaltung gewährleistet.
Das tfiit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens erhältliche
und in Fig. 3, 4 und 7 dargestellte Verbindungssubstrat
eignet sich ganz besonders für elektronische Mikrobausteine, deren Ausgangsanschlüsse zu der in der angelsächsischen
Literatur mit den Begriffen "Beam-lead" oder "Mini-mod" bezeichneten
Bauart gehören. Diese Techniken bestehen bekanntlich darin, daß die zur Verbindung dienenden Kontaktstücke
des Trägerplättchens der elektronischen Mikrobausteine durch
ausgangsseitige Mikrostifte aus Metall verlängert werden. Diese
Mikrostifte können im Augenblick der Herstellung der integrierten Schaltung ("Beam-lead"-Technik) oder durch Anlöten von
in einem Isolierkreis eingravierten metallischen taschen ("Mini-mod"-Technik) gewonnen werden=, Bei beiden Techniken
wird dann das Plättchen mit dem Mikrobaustein mit der aktiven
Seite nach oben in das Isoliergehäuse eingesetzt, so daß die
Lage und der Zustand der Lötstellen in jedem Augenblick sichtbar bleibt.
Die in Fig. 1, 4 und 8 dargestellten Ausführungsvarianten
der Erfindung eignen sich besser für elektronische Mlkrobausteine,
deren Ausgangsanschlüsse zu der in der angelsächsischen Literatur mit dem Begriff "flip-chip" bezeichneten Bauart gehören.
Diese Technik besteht bekanntlich darin, daß auf das Plättchen mit dem Mikrobaustein Verbindungsanschlüsse in Form
von halbkugelförmigen Vorsprüngen aufgewachsen werden, wie sie beispielsweise in Fig. 8 für die Anschlüsse 124 und 126 dargestellt
sind. In diesem Falle, der einem Verbindungssubstrat nach Fig. Ic entspricht, liegt das Plättchen mit dem Mikrobaustein
naturgemäß verkehrt, so daß die als Anschlüsse -dienenden Vorsprünge mit den entsprechenden Kontaktstücken 62 in Berührung
kommen.
309849/1023
Angemerkt sei schließlich, daß die in Fig. 6, J und
dargestellte Trägerunterlage ^O nicht notwendigerweise
elektrisch isolierend sein muß, sondern daß die elektrische Isolierung auch durch den isolierten Draht gewährleistet
werden kann. Es kann im Gegenteil sogar von Vorteil sein, die Trägerunterlage 30 aus elektrisch leitendem Material
herzustellen ,und 'ihr dann die Aufgabe einer Mas se verbindung
für die gesamte Schaltung zu übertragen, Eine metallische Ausführung der Trägerunterlage 30 bietet beispielsweise den
zusätzlichen Vorteil, daß sie eine besonders wirksame Abführung der in den Mikrobausteihen entstehenden Wärme bewirken
kann.
Die vorstehende Beschreibung zeigte daß das erfindungsgeraäß.e
Verfahren zum Verbinden von elektronischen Mikrobausteinen zahlreiche Vorteile aufweist, von denen im folgenden
nur die wichtigsten nochmals hervorgehoben werden sollen:
Einfachheit der benötigten Fertigungseinrichtungenj
Möglichkeit zu leichter Abwandlung der Verbindungen; große zulässige Packungsdichte für die Verbindungen;
unbegrenzte Anzahl von einander Überlagerbaren Schichten;
beliebige physikalische oder mechanische Diskontinuität
zwischen zwei miteinander zu verbindenden Schaltungsstellen;
große Freiheit in der Wahl der Wege für die Verbindungsleitungen mit der Möglichkeit von deren gegenseitiger Berührung;
elektrische Überprüfbarkeit durch einfache Widerstandsmessung;
Programm!erbarkeit der Verbindungsausführung;
309849/1023
Möglichkeit zum Einbau integrierter Schaltung1/mit
ihrer aktiven Seite nach oben und eines Aufklebens ihrer Basis auf die Trägerunterlage;
große Zuverlässigkeit auf der Höhe der Lötverbindungen.
3098 49/1023
Claims (1)
- PatentansprücheΟ - —Mikrobausteinen, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer Trägerunterlage an für die Anordnung der Anschlüsse der miteinander zu verbindenden Mikrobausteine passenden Stellen leitende Kontaktstücke befestigt und über eine Verbindungsschaltung aus auf die Trägerunterlage aufgebrachten isolierten Drähten miteinander verbunden werden, daß auf die Kontaktstücke Mikrobausteinplättchen mit ihren Anschlüssen aufgelegt werden und daß die Anschlüsse der Mikrobausteinplättchen mit den jeweiligen Kontaktstücken verlötet werden.2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung der Verbindungs schaltung in der V/eise vorgegangen wird, daß die leitenden Kontaktstücke an passenden Stellen auf der Trägerunterlage aufgebracht werden, die Verbindungsschaltung unter Aufteilung in Teilschaltungen, die sich durch einen ununterbrochenen Draht realisieren lassen, der unter Anbringen auf der Trägerunterlage und Hinwegführen über die Kontaktstücke abgewickelt wird, verkabelt wird, die verschiedenen Teilschaltungen einander zur Bildung der gesamten Verbindungsschaltung überlagert werden, der isolierte Draht auf der Höhe jedes der Kontaktstücke entisoliert wird, die freigelegten Drahtstücke mit den entsprechenden Kontaktstücken verlötet werden und die nicht zur endgültigen Verbindungsschaltung gehörigen Drahtabschnitte abgeschnitten werden.j5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung der Verbindungsschaltung in der Weise vorgegangen wird, daß Isoliergehäuse mit zur Aufnahme jeweils eines der miteinander zu verbindenden Mikrobausteinplättchen geeigneten3 09849/10232326561Abmessungen geformt, an ihrem Umfang mit Nuten versehen und auf die Trägerunterlage aufgesetzt werden, daß die Verbindungsschaltung unter Aufteilung in Teilschaltungen, die sich durch einen ununterbrochenen Draht realisieren lassen, der durch die Randnu..ten der I soli er gehäuse hindurchgelegt wird, verkabelt wird, daß die verschiedenen Teilschaltungen einander zur Bildung der gesamten Verbindungsschaltung überlagert werden, daß der isolierte Draht auf der Höhe jedes der Kontaktstücke entisoliert wird, daß die Kontaktstücke auf die Trägerunterlage durch eine elektrolytische Abscheidung aufgebracht werden, in deren Verlauf die ununterbrochenen Drähte Jeder Teilschaltung auf passenden Potentialen gehalten werden, und.daß die nicht zur endgültigen Verbindungsschaltung gehörigen Drahtabschnitte abgeschnitten werden. " .4. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktstücke in den Nuten der Isoliergehäuse geschaffen werden, daß anschließend die zentralen Teile der Isoliergehäuse auf der Höhe der inneren Seitenwand® der Isoliergehäuse entfernt werden und daß die Mikrobausteinplättohen unter Einlegen von oben her in ihre jeweiligen Isoliergehäuse'eingesetzt werden.5. Verfahren nach Anspruch 3B dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktstücke im Inneren der Isoliergehäuse geschaffen werden, daß anschließend die zentralen Teile der Isoliergehäuse unter Stehenlassen der von den Kontaktstücken gebildeten Pinger am Innenrand der Seitenwand© der Isoliergehäuse entfernt werden, daß in gleicher Weise der innerhalb der Isoliergehäuse liegende Teil der Trägerunterläge entfernt wird, daß die Mikrobausteinplättchen unter Einführen von unten her in ihre jeweiligen Isoliergehäuse eingesetzt werden und daß die Unterseiten der309049/1023Mikrobausteinplättchen auf einer zweiten starren Trägerunterlage .befestigt werden.6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5* dadurch gekennzeichnet, daß die zentralen Teile der 'Isoliergehäuse durch Stanzen entfernt werden.7. Verfahren nach-Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungsschaltung elektrisch dadurch geprüft wird,, daß alle Teil schaltungen auf Unterbrechuiigsfreiheit geprüft werden, solange sie noch aus einem ununterbrochenen Draht bestehen.8. Verfahren nach Anspruch*1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung der Verbindungsschaltung ein Draht mit einer thermisch klebfähig zu machenden Isolierung verwendet wird, der durch einen feststehenden Speisekopf hindurch abgewickelt wird, der eine endseitig abgerundete und mit einem Heizorgan zum Aufheizen des Drahtes versehene Kapillare aufweist* während die isolierende Trägerunterlage fest mit einem in seiner Ebene beweglichen Tisch verbunden ist^, dessen Bewegung den Verlauf der Verbindungsschaltung bestimmt.9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet a daß die Bewegung des die isolierende Trägerunterlage tragenden Tisches durch eine automatische Programmsteuerung gesteuert wird«10. Verbindungssubstrat zum Verbinden von Mikrobausteinen mit Herstellung gemäß dem Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es eine Trägerunterlage aufweist, auf der leitende Kontaktstücke aufgebracht sind, die durch eine mittels isolierten Drahtes realisierte Verbindungsschaltung miteinander verbunden sind.303849/102311. Verbindungssubstrat nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß es auf einer Trägerunterlage angeordnete I'SOliergehäuse mit zur Aufnahme jeweils eines der miteinander zu verbindenden Mikrobausteinplättchen geeigneten Abmessungen und eine Verbindungsschaltung aufweist, die aus isolierten Drahtstücken besteht, die auf der Trägerunterlage haften und auf der Höhe der Isoliergehäuse mit leitenden Kontaktstücken verbunden sind.12. Verbindungssubstrat nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierhüllen für die isolierten Drähte aus thermisch klebfähig zu machendem Material bestehen.13· Verbindungssubstrat nach einem der Ansprüohe 3 0 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerunterlsge mit einem Überzug aus einem thermisch klebfähig zu machenden Material versehen ist.14. Verbindungssubstrat nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerunterlage aus elektrisch isolierendem Material besteht.15. Verbindungssubstrat nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerunterlage aus einem Polyimid besteht.16. Verbindungssubstrat nach Anspruch Ik, dadurch gekennzeichnet, daß die Isoliergehäuse aus Keramik bestehen.17. Verbindungssubstrat nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die leitenden Kontaktstüeke aus Kupfer bestehen.ü8. Verbindungssubstrat nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der isolierte Draht eine Metallseele mit einem Durch-309849/10232326801messer von einigen -ehn Mikrometern besitzt.19· Hybridschaltung, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine riehr~ahl von durch ein Yercindungssubstrat nach einem der Ansprüche 10 bis l8 miteinander verbundenen elektronischen Mikrobausteirf" umfaßt.20. Hybridschaltung nach Anspruch 19,'dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer der Mikrobausteine eine integrierte Schaltung ist,21. Hybridschaltung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die inaktive Basis des Plättchens mit der integrierten Schaltung mit der Trägerunterlage in Berührung steht.22. Hynridsehaltung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlüsse der integrierten Schaltung vom Beamlead -Tyo sind.23- Hybridschaltung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlüsse der integrierten S-haltung vom Mini-mod-Typ sind.2-I-. Hybridschaltung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlüsse der integrierten Schaltung vom Flip-chip-Typ sind.3 0 9849/1023
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7218676A FR2185915B1 (de) | 1972-05-25 | 1972-05-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2326861A1 true DE2326861A1 (de) | 1973-12-06 |
DE2326861C2 DE2326861C2 (de) | 1987-08-27 |
Family
ID=9099096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2326861A Granted DE2326861A1 (de) | 1972-05-25 | 1973-05-25 | Verfahren zum gegenseitigen verbinden von elektronischen mikrobausteinen und nach einem solchen verfahren hergestellte verbindungssubstrate und hybridschaltungen |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE822420A (de) |
DE (1) | DE2326861A1 (de) |
FR (1) | FR2185915B1 (de) |
GB (1) | GB1427588A (de) |
IT (1) | IT986355B (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19618917C1 (de) * | 1996-05-12 | 1997-10-02 | Markus Woelfel | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von drahtgeschriebenen Leiterplatten |
DE19705934A1 (de) * | 1997-02-15 | 1998-08-20 | Manfred Dr Michalk | Verfahren und Vorrichtung zum Einbringen von drahtförmigen Leiterstücken in ein Substrat |
DE102006037093B3 (de) * | 2006-08-07 | 2008-03-13 | Reinhard Ulrich | Fügeverfahren und Vorrichtung zum Verlegen von dünnem Draht |
DE102007037165A1 (de) | 2007-08-07 | 2009-02-12 | Mühlbauer Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Verlegen von dünnem Draht |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3981076A (en) * | 1974-11-27 | 1976-09-21 | Commissariat A L'energie Atomique | Method of connecting electronic microcomponents |
DE3501710A1 (de) * | 1985-01-19 | 1986-07-24 | Allied Corp., Morristown, N.J. | Leiterplatte mit integralen positioniermitteln |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1640509A1 (de) * | 1966-01-31 | 1971-02-25 | Int Standard Electric Corp | Verfahren zur Herstellung gewebeartiger Verdrahtungsnetzwerke |
DE2111396A1 (de) * | 1970-03-05 | 1971-09-30 | Kollmorgen Photocircuits | Herstellung von elektrischen Schaltungen vermittels Drahtschriftverfahren |
DE2123308A1 (de) * | 1970-06-22 | 1972-01-05 | Bunker Ramo | Elektronischer Verbindungsmodul und Herstellungsverfahren hierfür |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3710441A (en) * | 1970-05-15 | 1973-01-16 | Bunker Ramo | Numerically controlled automatic wiring system |
-
1972
- 1972-05-25 FR FR7218676A patent/FR2185915B1/fr not_active Expired
-
1973
- 1973-05-14 GB GB2289373A patent/GB1427588A/en not_active Expired
- 1973-05-24 IT IT68521/73A patent/IT986355B/it active
- 1973-05-25 DE DE2326861A patent/DE2326861A1/de active Granted
-
1974
- 1974-11-20 BE BE150705A patent/BE822420A/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1640509A1 (de) * | 1966-01-31 | 1971-02-25 | Int Standard Electric Corp | Verfahren zur Herstellung gewebeartiger Verdrahtungsnetzwerke |
DE2111396A1 (de) * | 1970-03-05 | 1971-09-30 | Kollmorgen Photocircuits | Herstellung von elektrischen Schaltungen vermittels Drahtschriftverfahren |
DE2123308A1 (de) * | 1970-06-22 | 1972-01-05 | Bunker Ramo | Elektronischer Verbindungsmodul und Herstellungsverfahren hierfür |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19618917C1 (de) * | 1996-05-12 | 1997-10-02 | Markus Woelfel | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von drahtgeschriebenen Leiterplatten |
DE19705934A1 (de) * | 1997-02-15 | 1998-08-20 | Manfred Dr Michalk | Verfahren und Vorrichtung zum Einbringen von drahtförmigen Leiterstücken in ein Substrat |
DE102006037093B3 (de) * | 2006-08-07 | 2008-03-13 | Reinhard Ulrich | Fügeverfahren und Vorrichtung zum Verlegen von dünnem Draht |
DE102007037165A1 (de) | 2007-08-07 | 2009-02-12 | Mühlbauer Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Verlegen von dünnem Draht |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT986355B (it) | 1975-01-30 |
BE822420A (fr) | 1975-03-14 |
DE2326861C2 (de) | 1987-08-27 |
FR2185915A1 (de) | 1974-01-04 |
FR2185915B1 (de) | 1975-08-29 |
GB1427588A (en) | 1976-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69133468T3 (de) | Halbleiterchipanordnungen, Herstellungsmethoden und Komponenten für dieselbe | |
DE102006005645B4 (de) | Stapelbarer Baustein, Bausteinstapel und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE69229489T2 (de) | Herstellungsverfahren einer Halbleiterpackung mit Drähten und eine Oberfläche mit planarisierter Dünnfilmdecke | |
DE69708879T2 (de) | Z-achsenzwischenverbindungsverfahren und schaltung | |
EP2973671B1 (de) | Verfahren zum herstellen eines elektronischen bauteils | |
DE3616494A1 (de) | Integrierte schaltungspackung und verfahren zur herstellung einer integrierten schaltungspackung | |
DE19650296A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements | |
DE19628376A1 (de) | Integrierte Schaltkreisanordnung und Verfahren zu deren Herstellung | |
EP0351581A1 (de) | Hochintegrierte Schaltung sowie Verfahren zu deren Herstellung | |
DE3812021A1 (de) | Flexible schaltung mit anschlussorganen und verfahren zu ihrer herstellung | |
EP2524394A2 (de) | Elektronisches bauteil, verfahren zu dessen herstellung und leiterplatte mit elektronischem bauteil | |
DE60032067T2 (de) | Mehrschichtige Leiterplatte und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE69509979T2 (de) | BGA Gehäuse für integrierte Schaltungen und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE69723801T2 (de) | Herstellungsverfahren einer Kontaktgitter-Halbleiterpackung | |
DE68926258T2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines uniaxial elektrisch leitenden Artikels | |
DE2326861A1 (de) | Verfahren zum gegenseitigen verbinden von elektronischen mikrobausteinen und nach einem solchen verfahren hergestellte verbindungssubstrate und hybridschaltungen | |
DE69718223T2 (de) | Massenspeicher und Herstellungsverfahren dafür | |
DE3931551C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Substrates | |
DE102019132852B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Leiterstrukturelements und Leiterstrukturelement | |
DE10029269B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteiles aus gehäusebildenden Substraten | |
DE3853673T2 (de) | Automatische Bandmontage-Packung. | |
DE102012108610B4 (de) | Chipmodul und Verfahren zum Herstellen eines Chipmoduls | |
DE3709770C2 (de) | ||
WO2005091365A2 (de) | Kopplungssubstrat für halbleiterbauteile und verfahren zur herstellung desselben | |
DE10153609C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit mehreren übereinander gestapelten und miteinander kontaktierten Chips |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |