DE2320888C3

DE2320888C3 - Verfahren zum Einstellen des Auftreffpunktes eines Elektronenstrahls auf einer Zielfläche und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens

Info

Publication number: DE2320888C3
Application number: DE2320888A
Authority: DE
Inventors: Jacques Palaiseau Trotel (Frankreich)
Original assignee: Thomson CSF SA
Current assignee: Thales SA
Priority date: 1972-04-25
Filing date: 1973-04-25
Publication date: 1979-10-25
Also published as: DE2320888B2; JPS4954999A; FR2181467B1; GB1396209A; DE2320888A1; US3864597A; FR2181467A1; JPS5218958B2

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Einstellen des Auftreffpunktes eines Elektronenstrahls auf einer Zielfläche, bei dem die Strahlauslenkung mit Hilfe zweier zueinander senkrechter Meßskalen gemessen wird und bei dem die Lage eines vorbestimmten Punktes der Zielfläche durch seine folgenden Koordinaten beschrieben wird:

X= M_x + κ

wobei M₁ und N_y die Anzahl der Intervalle zwischen den Skalenmarken auf den Meßskalen darstellen, die auf den Bezugsachsen des ΛΎ-Systems angeordnet sind, und die Größen χ und y die Bruchteile eines solchen als Einheit gewählten Intervalls darstellen, sowie auf eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.

Bekanntlich werden für bestimmte Anwendungen, beispielsweise für die Herstellung von Masken für integrierte Schaltungen und für die Lese- und Schreibvorgänge bei Informationsspeichern außerordentlich feine Elektronenstrahlen mit einem Durchmesser in der Größenordnung von Vio bis '/ιοομηι angewendet. Bei einer Ablenkung über eine Breite von cm besteht somit ein Verhältnis von 2 · 1O⁶ bis · 10~⁷ zwischen den Abmessungen des Auftreffpunktes und der Ablenkzeile. Eine Genauigkeit von Vio μιιι eiern Absolutwert nach für die Lage des Auftreffpunktes entspricht einer relativen Genauigkeit in der Größenordnung von 10 ⁵ bis \0~^b. Eine derartige Genauigkeit

ist mit den unvorhersehbaren Störablenkungen des Elektronenstrahls unter dem Einfluß von die Katodenstrahlröhre umgebenden Störmagnetfeldern unvereinbar. Zum Schutz der Röhre gegen Störmagnetfelder werden Abschirmungen aus einem Material mit großer magnetischer Permeabilität angewendet Dennoch bleibt die Schwierigkeit bestehen, daß die Präzision des Ablenksystems verbessert werden muß und daß insbesondere Kontrolleinrichtungen für die Ablenkung vorgesehen sein müssen, die es ermöglichen, den Auftreffpunjii des Elektronenstrahls mit der erforderlichen Präzision einzustellen.

Zur Lösung dieses Problems ist in der US-PS 36 44 700 ein Verfahren beschrieben, bei dem in der Ebene des Ziels ein Eichgitter angeordnet wird, das rasterartig angeordnete Öffnungen hat Mit Hilfe dieses Eichgitters können Abweichungen des Elektronenstrahls von der ursprünglichen Einstellung periodisch überprüft werden.

Dieses Eichgilter ist aber nur in einom kleinen Bereich seitlich neben dem eigentlichen Ziel angeordnet; die am Eichgitter erzielte Genauigkeit kann daher nicht auf der ganzen Zielfläche aufrechterhalten werden, sondern sie wird um so geringer, je weiter der Auftreffpunkt von dem Eichgitter entfernt ist.

In dem »IBM Technical Disclosure Bulletin« Vol. 9, Nr. 6, vom 6. November 1966 ist ein ähnliches Verfahren beschrieben, bei dem auf dein Träger der Zielfläche eine Registermarke angebracht wird. Aus dieser Veröffentlichung ist es bereits bekannt, die Registermarke in Form eines Rechtecks aus Metall auszubilden, das auf die Oberfläche des Ziels aufgedampft wird. Vorzugsweise wird ein Metall mit hoher Atomzahl, wie Silber, verwendet. Die Registermarke emittiert beim Auftreffen des Elektronenstrahls Sekundärelektronen. Die Eichmarke befindet sich an einer Stelle seitlich neben der eigentlichen Zielfläche, so daß wiederum die an der Registermarke erhaltene Einstellgenauigkeit verlorengeht, wenn sich der Auftreffpunkt von der Einstellmarke entfernt.

Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines Verfahrens und einer Vorrichtung, mit denen eine gleichbleibende Einstellgenauigkeit über die ganze Zielfläche erhalten werden kann.

Die Aufgabe wird dadurch gelöst, daß

a) die Ablenkung zunächst so eingestellt wird, daß der Elektronenstrahl auf den folgenden Punkt auftrifft

AO = /W₁
Y=O

und die Einstelldaten gespeichert werden, daß dann

b) die Ablenkung so eingestellt wird, daß der Elektronenstrahl auf den folgenden Punkt auftrifft

X=O

X_n = N_y

und die Einslelldaten gespeichert werden, daß dann

c) die Ablenkung so eingestellt wird, daß der Elektronenstrahl auf den folgenden Punkt auftrifft

X₀ = M,

V«, -Ny

und daß schließlich

d) die Ablenkung so eingestellt wird, daß der endgültige Punkt (X, ^erhalten wird.

Eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung mit einem Elektronenstrahlerzeuger und einem Ablenksystem ist dadurch gekennzeichnet, daß die Zielfläche zwei zueinander senkrechte Meßskalen aufweist, daß die Skalenmarken der Meßskalen durch eine Substanz gebildet sind, die so beschaffen ist, daß sie beim Auftreffen des Elektronenstrahls einen Sekundäreffekt erzeugt, der die Skalenmarken von dem Rest der Maßskalen unterscheidet, daß h> der Nähe der

ίο Skalenmarken Detektoreinrichtungen zur Feststellung des Sekundäreffekts vorgesehen sind, und daß das Ablenksystem Einrichtungen enthält, die in der Lage sind, den Elektronenstrahl nacheinander auf jeder der Meßskalen zu führen.

Bei dem Verfahren nach der Erfindung wird die Ablenkung des Elektronenstrahls zunächst so eingestellt, daß sie einem Punkt auf der Zielfläche entspricht, dessen Koordinaten mit großer Genauigkeit bekannt sind; diese Koordinaten werden durch die Skalenmarken der beiden Meßskalen der erfindungsgemäßen Vorrichtung erhalten. Dieser Einstellung werden in beiden Koordinatenrichtungen kleine zusätzliche Verstellungen überlagert durch die der Auftreffpunkt auf den gewünschten Zielpunkt gebracht wird. Diese

2> Verstellungen erfolgen zwar mit geringerer Genauigkeit, doch wird dadurch die Genauigkeit der Gesamteinstellung nicht wesentlich beeinträchtigt. Praktisch entspricht die Einstellung einer Interpolation zwischen genau bekannten Punkten, die über die ganze Zielfläche

w verteilt sind.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird an Hand der Zeichnung erläutert. In der Zeichnung zeigen:

F i g. 1 eine perspektivische Ansicht der wesentlichen Bestandteile einer Vorrichtung nach der Erfindung,

ij Fig. 2 eine schematische Schnittansicht eines elektronischen Maskenerzeugers mit einer Vorrichtung nach der Erfindung,

F i g. 3 ein Diagramm zur Erläuterung der Einstellung des Auftreffflecks des Elektronenstrahls und

ι» Fig.4 ein Diagramm zur Erläuterung der Wirkungsweise des Geräts von F i g. 1 und 2.

In der perspektivischen Darstellung von F i g. 1 ist ein Elektronenstrahl 50 gezeigt, der von einem Elektronenstrahlerzeuger 7 emittiert wird. Der Elektronenstrahl

■i'i geht durch eine elektrostatische oder elektromagnetische Linse 8 und dann durch ein Ablenksystem, das aus zwei aufeinanderfolgenden Ablenkvorrichtungen 9 und 10 besteht. Jede Ablenkvorrichtung ist bei dem dargestellten Beispiel durch zwei Ablenkplaltenpaare

.!' gebildet. Die Ablenkplatten 90, 92 bzw. 100, 1102 dienen zur Ablenkung in der X-Richtung. Sie sind an eine Anschlußklemme 94 bzw. 104 angeschlossen. In entsprechender Weise dienen die Ablenkplatten 91, 93 b/.w 101, 103 für die Ablenkung in der V-Richtung, die

.ι senkrecht zur X-Richtung liegt, und sie sind an Klemmen 95 bzw. 105 angeschlossen.

Nach dem Durchgang durch die Ablenkvorrichtungen 9 und 10 trifft der Elektronenstrahl 50 auf ein Ziel 1 auf, von dem hier angenommen ist, daß es sich um ein

i'i) rechteckiges Plättchen zur Herstellung einer Maske handelt, die bei der Fertigung monolithisch integrierter Schaltungen auf Siliziumsubstrat verwendet wird. Entlang zwei im rechten Winkel aneinanderstoßenden Rändern des Ziels 1 liegen zwei Meßskalen 41 und 42.

• ι Die Meßskala 41 liegt in der X-Richtung, und die Meßskala 42 liegt in der K-Richtung. Jede Meßskala trägt rechteckige Skalenmarken, die beispielsweise durch Goldflecke gebildet sind, die auf ein Substrat aus

Chrom aufgebracht sind. Die Skalenmarken liegen in gleichmäßigen Abständen, welche die »Maßeinheit« bilden. Über den Meßskalen 41 und 42 ist ferner ein Winkel 20 angebracht, der parallel zu den Meßskalen liegt und eine Fangelektrode für Sekundärelektronen bildet.

Die Ablenkvorrichtung 9 mit kleiner Ablenkamplitude ist dazu bestimmt, die Genauigkeit der Strahl-Führung als Hauptablenkvorrichtung mit großer Amplitude dienenden Ablenkvorrichtung 10 zu verbessern. Die ι ο Ablenkvorrichtung 9 ist so bemessen, daß der Stellungsfehler des Auftreffpunktes des Elektronenstrahls auf einer der Meßskalen kleiner als die Breite einer Skalenmarke ist, also sehr viel kleiner als der Abstand zwischen zwei Skalenmarken. Später werden noch weitere Bedingungen angegeben, die von den Ablenkvorrichtungen 9 und 10 erfüllt werden müssen.

Die Meßskalen 41 und 42 sind parallel an eine Klemme 401 angeschlossen, während die Elektrode 20 mit einer Klemme 402 verbunden ist

Anhand der an den Klemmen 401 und 402 abgegriffenen Ströme kann durch geeignete elektronische Schaltungen genau festgestellt werden, wenn der Auftrefffleck des Elektronenstrahls eine genau definierte Stellung in bezug auf eine Skalenmarke hat. Wenn dies die M-te Skalenmarke der Skala 41 ist, hat der Elektronenstrahl die Koordinate M_x in der X-Richtung und die Koordinate O in der Y-Richtung; steht dagegen der Elektronenstrahl auf der /V-ten Skalenmarke der Skala 42, so hat er die Koordinate yv_v in der Y-Richtung !■> und die Koordinate O in der X-Richtung.

Die genaue Position des Auftreffflecks in bezug auf eine Skalenmarke kann aufgrund des unterschiedlichen Sekundäremissionsvermögens des Materials der Skalenmarken und des Materials der Unterlage festgestellt s"> werden, bei dem zuvor angegebenen Beispiel also von Gold und von Chrom. Dies soll an Hand von Fig. 3 erläutert werden, die einen Kleinen Ausschnitt der Skala 41 (aus Chrom) mit einer rechteckigen Skalenmarke M, (aus Gold) zeigt. Ferner ist der runde Auftrefffleck Fdes 4» Elektronenstrahls dargestellt. Wenn der Auftrefffleck F zwischen zwei Skalenmarken vollständig auf Chrom auftrifft. hat der an der Klemme 402 erhaltene Sekundärelektronenstrom /, einen Kleinstwert /, 1. der dem Sekundäremissionsvermögen von Chrom ent- ·!·"> spricht: steht der Auftrefffleck F dagegen vollständig auf einer Skalenmarke, dann hat der Sekundärelektronenstrom /,an der Klemme 402 einen Größtwert I₅₂, der dem Sekundäremissionsvermögen von Gold entspricht. Wenn schließlich der Auftrefffleck F, wie in Fig. 3 > dargestellt ist, teilweise auf Chrom und teilweise auf bringt. Die elektronischen Schaltungen legen dann zur Feineinstellung an die entsprechenden Platten der Ablenkvorrichtung 9 eine Spannung an, durch die der Auflrefffleck F verschoben wird, bis er genau mittig zu dem Rand der Skalenmarke steht.

Fig. 2 zeigt in einer schematischen Schnittansicht, wie die Teile von Fig. 1 in einer Maschine untergebracht sind, die zur Herstellung von Masken dient, wie sie auf dem Gebiet der »planaren« Halbleiterbauelemente und der monolithischen integrierten Schaltungen auf Siliziumsubstrat angwendet werden.

Die ganze Anordnung ist in einem Vakuumgefäß untergebracht, das aus einer Grundplatte 12 und aus einer Glocke 13 besieht und über einen Anschluß 11 mil einem nicht dargestellten Pumpsystem verbunden ist. im inneren der Glocke i3 ist ein Hohisockei i2i angeordnet, der als Träger für das Ziel 1 dient. Die Befestigung des Ziels erfolgt durch einen Rand 3 des Sockels und durch Federn 122, die das Ziel gegen den Rand 3 drücken. In der Schnittansicht ist nur die Meßskala 41 sichtbar. Die Glocke 13 enthält einen Behälter 14, der über eine Öffnung 141 nach außen mündet, und einen Behälter 17, der über eine Öffnung 171 nach außen mündet.

Diese Behälter sind dazu bestimmt, als Kryostat zu arbeiten; zu diesem Zweck wird der Behälter 14 mit flüssigem Stickstoff 140 und der Behälter 17 mit flüssigem Helium 170 gefüllt. Der Behälter 14 umgibt den Behälter 17, der seinerseits einen zylindrischen Raum umgibt, in dem sich das Elektronenstrahlsystem 5 befindet, das den Elektronenstrahlerzeuger 7 enthält. Dieser Raum ist vor äußeren Magnetfeldern durch einen Schirm 19 geschützt, der supraleitend wird, wenn die Wand 18, an der er anliegt, die Temperatur von flüssigem Helium hat. Der Schirm 19 ist zum Ziel 1 hin durch einen Kegelstumpf 181 verlängert, der einen Kegelstumpf 16 umgibt, der die Verlängerung des Elektronenslrahlsystems 5 und des die Fokussier- und Ablenkorgane der Katodenstrahlröhre enthaltenden Zylinders 51 bildet. Der zwischen dem Schirm 19 und dem Kegelstumpf 16 liegende Zwischenraum ist schmal. Diese Ausbildung erleichtert den magnetischen Schutz und die Erzielung eines Hochvakuums in der Umgebung des Elektronenstrahlsystems 5, weil entlang der auf der Temperatur des flüssigen Heliums liegenden Wand 18 ein kryogener Pumpeffekt entsteht.

Der im Elektronenstrahlsystem 5 enthaltende Elektronenstrahlerzeuger 7 arbeitet kalt mit Feldeffekt-Elektronenemission; seine Funktion wird durch den kryogenen Pumpeffekt begünstigt

In Fig.4 ist ein Gitternetz dargestellt, das auf zwei

einen Zwischenwert, der dem Verhältnis der Flächen der beiden Gebiete H\ und Hi entspricht, in die der Auftrefffleck F durch den Rand der Skalenmarke M_x aufgeteilt ist. Die elektronischen Schaltungen stellen fest wenn der Wert des Sekundärelektronenstroms h genau in der Mitte zwischen den beiden Grenzwerten h ι und /₅ 2 liegt Die beiden Gebiete H\ und H₂ sind dann gleich groß, und der Auftrefffleck F liegt dann genau mittig zu dem Rand der Skalenmarke M_x. Diese Stellung entspricht definitionsgemäß der Koordinate M_x.

Die Einstellung erfolgt vorzugsweise in zwei Stufen: eine Grobeinstellung erfolgt dadurch, daß an die entsprechenden Platten der Ablenkvorrichtung 10 eine Spannung angelegt wird, die den Auftrefffleck Fmit der verhältnismäßig geringen Genauigkeit dieser Ablenkvorrichtung in die Nähe der gewünschten Skalenmarke angenommen ist, daß dieses Gitternetz auf der Ebene des Ziels 1 gezeichnet ist, die so erweitert ist, daß sie die Meßskalen 41 und 42 enthält, wobei die Meßskala 41 entlang der X-Achse und die Meßskala 42 entlang der Y-Achse liegen. Es sei Qo ein Punkt mit den Koordinaten (M_x; Ny), so daß für den Punkt P(X; Yjgilt:

χ = M_x + χ Y=N_y + y

wobei χ und y kleiner als die Maßeinheit (d.h. der Abstand zwischen zwei Skalenmarken) sind.

Das Verfahren zur Anwendung der beschriebenen Vorrichtung besteht darin, den Elektronenstrahl mit äußerster Genauigkeit auf den Punkt Qo (Fig.4) einzustellen und anschließend mit geringerer Genauig-

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keit so zu verstellen, daß er auf den Punkt P gebracht wird.

Bei dem nachstehend beschriebenen Verfahren wird angenommen, daß die folgenden Bedingungen erfüllt sind:

a) die Genauigkeit der mit Hilfe der Ablenkvorrichtung 10 durchgeführten Einstellung des Elektronenstrahls ist besser als die Einheit (Abstand zwischen zwei Skalenmarken);

b) das von der Ablenkvorrichtung 10 beherrschte Einstellfeld enthält das Ziel 1 sowie die Meßskalen 41 und 42;

c) die Genauigkeit der mit Hilfe der Ablenkvorrichtung 9 bewirkten Einstellung des Elektronenstrahls ist besser als die Breite einer Skalenmarke;

d) das mit Hilfe der Ablenkvorrichtung 9 bestrichene Ablenkfeld des Elektronenstrahls ist wenigstens gleich der Einheit;

e) die Stabilität der den Ablenkvorrichtungen zugeführten elektrischen Spannungen wird für eine Zeit aufrechterhalten, die größer als ein vorbestimmter Wert ist, beispielsweise größer als die Zeit, die im Fall der Herstellung einer Maske für die Ausführung eines vollständigen Musters bei weitem ausreichend ist.

Die Einstellung auf den Punkt Qo erfolgt in mehreren Zeitabschnitten. Man bringt zunächst den Auftrefffleck des Elektronenstrahls mit Hilfe der Ablenkvorrichtung 10 in die Nähe der M-ten Marke der Skala 41 und stellt ihn anschließend mit Hilfe der Ablenkvorrichtung 9 in der zuvor beschriebenen Weise genau mittig zu dem Rand dieser Skalenmarke ein; er hat dann die Koordinaten (M_x; O). Die hierfür erforderlichen Einstelldaten werden gespeichert. Dann wird der Auftrefffleck des Elektronenstrahls in gleicher Weise auf die N-te Marke der Skala 42 gebracht, so daß er die Koordinaten (O; N_y) hat. Auch diese Einstelldaten werden gespeichert. Durch gleichzeitige Anwendung der gespeicherten Einstelldaten wird der Elektronenstrahl mit großer Genauigkeit auf den Punkt Qo mit den Koordinaten (M_x; N_y) gebracht. Anschließend werden an die Ablenkvorrichtungen 9 Ablenkspannungen angelegt, die eine zusätzliche Verschiebung des Elektronenstrahls um den Betrag χ in der V-Richtung und um den Betrag y in der Y- Richtung ergeben. Dies setzt eine vorhergehende Eichung der Ablenkvorrichtung 9 voraus. Der Auftreffpunkt des Elektronenstrahls befindet sich dann im Punkt P mit den Koordinaten (M_x + x;N_y + y).

Mit der gleichen Anordnung ist es umgekehrt möglich, die Koordinaten eines beliebigen Auftreffpunktes Pzu ermitteln. Man verändert zu diesem Zweck die an die Ablenkvorrichtung 9 angelegten Ablenkspannungen, bis der Elektronenstrahl auf einem Kreuzungspunkt des Gitternetzes, beispielsweise dem Punkt Q₀ auftrifft, dessen Koordinaten (M_x; N_y) bekannt sind. Infolge der Eichung der Ablenkvorrichtung 9 kann man aus den Änderungen der Ablenkspannungen die Differenzen x, y ableiten, um die sich die Koordinaten des Punktes P von denjenigen des Punktes Qo unterscheiden.

Damit die Führung oder die Markierung des Elektronenstrahls bei jedem Gerät in gleicher Weise erfolgt, muß man die Verzerrungen berücksichtigen, welche bei Ablenkung durch die Ablenkvorrichtung 10 auftreten kann. Zu diesem Zweck speichert man zunächst die Korrekturen, die an den Ablenkspannungen vorzunehmen sind, damit der Punkt Q (M_x, N_y) auf den Punkt Qo gebracht wird, der ein Knotenpunkt eines auf das Ziel 1 aufgebrachten Eichgitternetzes ist. Die Eichung kann beispielsweise dadurch erfolgen, daß das Gerät wie ein Elektronenmikroskop mit Elektronenstrahlablenkung verwendet wird, wodurch das Eichgitternetz sichtbar gemacht wird.

Mit Hilfe automatisch arbeitender elektronischer Schaltungen kann das zuvor beschriebene Verfahren in weniger als einer Millisekunde durchgeführt werden. Diese Zeit ist um mehrere Größenordnungen kleiner als die Zeit, in der eine Abtrift der Speisespannungen in die Größenordnung der Auflösung des Geräts erfolgen kann.

Es sind Abänderungen möglich, bei denen die Skalenmarken der Meßskalen unter der Einwirkung des Elektronenbeschusses durch den Elektronenstrahl Sekundäreffekte zeigen, die von der Sekundärelektronenemission verschieden sind, beispielsweise:

— die Emission von rückgestreuten Elektronen;

— die Emission von Röntgenstrahlen;

— die Emission von Licht;

— die Erzeugung von Ladungsträgern im Material.

Die beschriebene Vorrichtung eignet sich in sehr vielen Fällen, wo ein sehr feiner Elektronenstrahl angewendet wird, der so abgelenkt werden kann, daß er jeden beliebigen Punkt einer vorgegebenen Fläche erreicht, sei es zur Aufbringung einer Information oder zum Ablesen einer Information.

Zu diesen Anwendungsfällen gehören:

— Fernsehbildröhren: Die vom Elektronenstrahl gelieferte Information stellt ein Bild dar, das durch einen Leuchtstoff sichtbar gemacht wird;

— Fernsehaufnahmeröhren: Die vom Elektronenstrahl abgelesene Information ist ein optisches Bild;

— verschiedene Arten von Speichern für Rechengeräte, bei denen die Information durch einen Elektronenstrahl auf einem geeigneten Träger aufgezeichnet oder abgelesen wird;

Peripheriegeräte von Rechenanlagen, welche die Rechenergebnisse auf dem Bildschirm einer Katodenstrahlröhre sichtbar machen;

— Maschinen zur Herstellung von Masken für die Fertigung von Halbleitervorrichtungen, bei denen das die Maske bildende Kunstharz mit Hilfe eines sehr feinen Elektronenstrahls geprägt wird;

— bestimmte Prüfmaschinen für Halbleitervorrichtungen, bei denen der elektronische Zustand bestimmter Schaltungspunkte durch die Wirkungen gemessen werden kann, die durch das Auftreffen eines Elektronenstrahls erzeugt werden;

— Elektronenmikroskope mit Elektronenstrahlablenkung, Mikrosonden usw.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Einstellen des Auftreffpunktes eines Elektronenstrahls auf einer Zielfläche, bei dem die Strahlauslenkung mit Hilfe zweier zueinander senkrechter Meßskalen gemessen wird und bei dem die Lage eines vorbestimmten Punktes der Zielfläche durch seine folgenden Koordinaten beschrieben wird:

X= M_x+ x

wobei M_x und N_ya\e Anzahl der Intervalle zwischen den Skalenmarken auf den Meßskalen darstellen, die auf den Bezugsachsen des XY-Systems angeordnet sind, und dit Größen χ und y die Bruchteile eines solchen als Einheit gewählten Intervalls darstellen, dadurch gekennzeichnet, daß -°

Xo = M_x Y= O

und die Einstelldaten gespeichert werden, daß dann ,,,

X=O

i")

Y₀=Ny

und die Einstelldaten gespeichert werden, daß dann

c) die Ablenkung so eingestellt wird, daß der Elektronenstrahl auf den folgenden Punkt aufträfft

Y₀ = Ny

und daß schließlich

2. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens gemäß dem Anspruch I mit einem Elektronenstrahlerzeuger und einem Ablenksystem, dadurch gekennzeichnet, daß die Zielfläche zwei zueinander senkrechte Meßskalen (41, 42) aufweist, daß die Skalenmarken der Meßskalen (41, 42) durch eine Substanz gebildet sind, die so beschaffen ist, daß sie beim Auftreffen des Elektronenstrahls (50) einen Sekundäreffekt erzeugt, der die Skalenmarken von dem Rest der Meßskalen unterscheidet, daß in der Nähe der Skalenmarken Detektoreinrichtungen (20) zur Feststellung des Sekundäreffekts vorgesehen sind, und daß das Ablenksystem Einrichtungen enthält, die in der Lage sind, den Elektronenstrahl nacheinander auf jede der Meßskalen zu führen.

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Sekundäreffekt die Sekundärelektronenemission ist und daß die Detektoreinrichtungen eine Auffangelektrode (20) für die Sekundär

elektronen enthalten.

4. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem Ablenksystem eine elektronische Regelanordnung verbunden ist, die den Auftrefffleck des Elektronenstrahls mittig zu einem vorbestimmten Rand einer beliebigen Skalenmarke der einen oder der anderen Meßskala (41,42) einstellt

5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Skalenmarken durch Goldflecken gebildet sind und daß der Rest der Meßskalen mit Chrom bedeckt ist.

6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Ablenksystem eine erste und eine zweite Ablenkvorrichtung (10, 9) enthält, daß die erste Ablenkvorrichtung (10) dazu dient, den Elektronenstrahl in die Nähe einer vorbestimmten Skalenmarke zu bringen, und daß die zweite Ablenkvorrichtung (9) dazu dient, den Elektronenstrshl (50) mittig zu einem Rand einer Skalenmarke einzustellen.

7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektronenstrahlerzeuger (7) von einem supraleitenden Schirm (19) umgeben ist.

8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 7, gekennzeichnet durch ihre Verwendung in einer Katodenstrahlröhre.

9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 7, gekennzeichnet durch ihre Verwendung in einem Elektronenmikroskop.

10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 7, gekennzeichnet durch ihre Verwendung in einem elektronischen Maskenerzeuger.