DE2635356C2 - Rasterelektronenmikroskop zur Messung von Abständen zwischen Objektstrukturen - Google Patents
Rasterelektronenmikroskop zur Messung von Abständen zwischen ObjektstrukturenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Rasterelektronenmikroskop zur Messung von Abständen zwischen Objektstrukturen,
vorzugsweise auf Objekten der Mikroelektronik, z. B. auf strukturierten Halbleiterscheiben und
Fotoschablonen.
Bekannt sind bereits hochauflösende und hochvergrößernde Rasterelektronenmikroskope zur Darstellung
von Objekteinzelheiten auf Bildschirmen und zur Fotografie der Schirmbilder bei Ausnutzung verschiedener
vom Objekt ausgehender Bildsignale. Bei diesen Rasterelektronenmikroskopen sind die durch physikalische
Bedingungen gegebenen Möglichkeiten bezüglich Auflösungsvermögen, Signalgewinnung, -verarbeitung
und -darstellung nahezu vollständig ausgeschöpft Sie
werden vor allem tür qualitative Untersuchungen eingesetzt
Ein Nachteil dieser Rasterelektronenrnikroskope besteht
darin, daß quantitative Untersuchungen, insbesondere Messungen von Abständen zwischen Objektstruktüren
nur auf indirektem Weg durch Auswertung der Fotografie der Schinnbilder durchgeführt werden können,
falls die Vergrößerung geeicht ist
Die bekannten Rasterelektronenmikrpskope können nur zu Messungen von Abständen bis ca. 50 μπι mit
hoher Genauigkeit verwendet werden, d. h. nur zu Messungen von Abständen zwischen Strukturkanten, die
vollständig auf dem Bildschirm dargestellt werden können. Es ist nur möglich, Objekte mit sehr kleinen Abmessungen
mit hoher Genauigkeit zu untersuchen. Bisher wurde die in der Regel von Hanu ausgeführte Objektverschiebung
nicht zur Messung großer Abstände zwischen Objektstrukturen ausgenutzt Hier sei darauf
hingewiesen, daß es bei einem Rasterelektronenmikroskop zur Messung der Höhe von Objektstrukturen bekannt
ist, die Objektverschiebung mittels Motoren durchzuführen (US-PS 38 46 849).
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Rasterelektronenmikroskop
zur Messung von Abständen zwischen Objektstruhturen zu schaffen, mit dem an Objekten
mit großen Abmessungen Abstände zwischen Objektstrukturen bis zu einem Dezimeter mit hoher
Genauigkeit gemessen werden können.
bie Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst,
daß ein Elektronenstrahlmeßsystem vorgesehen ist, das zusätzlich zu bekannten rastermikroskopischen
Mitteln eine Elektronenstrahlpositioniereinrichtung zum Positionieren des Elektronenstrahls auf dem Objekt
und eine Einrichtung zum Projizieren eines geeichten objektbezogenen Maßstabsystem auf die Leuchtschicht
der Bildröhre enthält, und daß das Elektronenstrahlmeßsystem mit einem System zur Messung der
Objektverschiebung kombiniert ist. Mit dem erfindungsgemäßen Rasterelektronenmikroskop können in
gleicher Weise wie bei den bekannten Rasterelektronenmikroskopen qualitative Untersuchungen von Objekten
durchgeführt werden.
Als System zur Messung der Objektverschiebung in zwei zueinander senkrechten Richtungen wird vorteil-
haft ein Laserwegmeßsystem eingesetzt
Weiterhin ist es zweckmäßig, daß die Einrichtung zur Objektverschiebung aus einem jr-y-Präzisionskoordinatentisch,
Präzisionsspindeln, Schrittmotoren sowie aus einer Steuereinrichtung für Handsteuerung und/oder
Programmsteuerung bei automatischer Objektpositionierung besteht und so ausgebildet ist daß sie eine Objektverschiebung
bis zu einem Dezimeter in x- und y-Richtung gestattet Damit können Messungen von Abständen
bis zu einem Dezimeter mit einer Genauigkeit von mindestens einem Zehntel Mikrometer durchgeführt
werden und es können bestimmte, vorher ausgewählte Positionen von Objekten mit großen Abmessungen
mit hoher Genauigkeit eingestellt werden.
Der Meßwert für den Abstand A = D+d zwischen zwei Objektstrukturen wird im allgemeinen Fall aus
zwei Anteilen zusammengesetzt, der Objektverschiebung
D, die mit dem Laserwegmeßsystem ermittelt wird, und der mit dem Elektronenstrahlmeßsystem bestimmten
Größe d.
Das Laserwegmeßsystem wird vorteilhaft in den Rückkopplungszweig der Objektiischsteuerang eingeschaltet
und dadurch eine automatische ObjelCyositionierung
mit einer Genauigkeit von wenigen Mikrometern ermöglicht
Das automatische Positioniersystem für die Objektverschiebung sorgt dafür, daß die Größe D der Objektverschiebung
dem auszumessenden Abstand A sehr nahe kommt so daß die Größe d maximal nur einige Mikrometer
beträgt
Die Bauteile des x-y-Präzisionskoordinatentisches
können vorteilhafterweise zur Vermeidung von Rückwirkungen auf den Primärelektronenstrahl bei der
Tischverschiebung aus einer unmagnetischen Berylliumlegierung hergestellt werden, so daß bei Tischverschiebungen
der Primärelektronenstrahl um weniger als ein Hundertstel Mikrometer relativ zur elektronenoptischen
Säule verschoben wird.
Günstig ist es, die Meßprismen des Laserwegmeßsystems
für die x- und y-Richtung als lange Dachkantprismen auszubilden und direkt auf dem Objekttisch anzuordnen.
In die Steuereinrichtung des Objekttisches ist zweckmäßig ein Steuerrechner einbezogen, der für den Vergleich
des Sollwertes der Objektverschiebung mit dem mittels des Laserwegmeßsystems bestimmten Istwert
der Objektverschiebung vorgesehen ist
Die Objektverschiebung mit automatischer Objektpositionierung kann durch Hand- oder durch Lochbindeingabe
von Koordinaten in den peripheren Teil der Steuereinrichtung des Objükttisches vorgegeben und
ausgelöst werden. Bei Lochbandeingabe ist eine Programmsteuerung der Objektverschiebung und des
Meßablaufs möglich.
Vorteilhaft ist eine Einrichtung zur vorzeichenrichtigen und richtungsabhängigen automatischen Addition
der Meßwerte, die mit dem Elektronenstrahlmeßsystem und dem Laserwegmeßsystem ermittelt werden, und eine
Anzeigeneinheit zur Darstellung des resultierenden Wertes für den Abstand der Objektstrukturen.
Die Objektverschiebungseinrichtung kann vorteilhaft eine Einrichtung zur Messung der Objekttemperatur
mit der Genauigkeit von einem Zehntel Grad enthalten. Hierdurch kann die Wärmeausdehnung der Objekte berücksichtigt
und der Meßwert für den Abstand zwischen Objektstrukturen auf eine bestimmte Temperatur bezogen
werden.
Weiterhin ist 'Zur Reduzierung von Relativbewegungen
zwischen Meß- und Referenzprismen des Laserwegmeßsystems eine Einrichtung zur Stabilisierung der
Temperatur der Objektkammer vorteilhaft
Die Erfindung soll nachstehend an einem Ausführungsbeispiel
näher erläutert werden. Die zugehörige Zeichnung zeigt in
F i g. 1 den Aufbau des Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen
Rasterelektronenmikroskops,
F i g. 2 das mit dem Rasterelektronenmikroskop ausführbare Verfahren zur Messung von Abständen zwischen Objektstrukturen.
F i g. 2 das mit dem Rasterelektronenmikroskop ausführbare Verfahren zur Messung von Abständen zwischen Objektstrukturen.
In einer evakuierten elektronenoptischen Säule 1 der F i g. 1 sind ein Elektronenstrahler 2, zwei elektromagnetische
Verkleinerungslinsen 3 und 4, ein elektromagnetischer Stigmator 5 und eine Aperturblende 6 zur
Erzeugung eines feinfokussierten Primärelektronenstrahles
7 angeordnet Dieser Elektronenstrahl dient mit Hilfe zweier Ablenksysteme Sx und 8;/ in der elektronenoptischen
Säule 1 zum Abrastern der Oberfläche des Objektes 9 in A-- und ^-Richtung. Die dabei vom Objekt
9 ausgehenden Sekundär- und reflektu'ten Elektronen
sowie die vorn Objekt 9 absorbierten tiektrenen werden
mit Auffänger- und Verstärkereinrichtungen 10; 11 und 12 gesammelt und zur Erzeugung von Bildsignalen
13 benutzt Ein Rastergenerator 14, der über eine Schaltung 15 mit den Ablenksystemen Sx und Sy und über
Schalter 16 mit Ablenksystemen i7x und 17y der Bildröhren
18; 19 und 20 verbunden ist, steuert die Ablenksysteme Sx und Sy sowie 17* und 17^. Mit der Schaltung
15 ist durch Veränderung der Ablenkströme der Ablenksysteme Sx und 8yaie Vergrößerung einzustellen.
Das Elektronenstrahlmeßsystem enthält eine Elektronenstrahipositioniereinrichtung
21 mit weiteren elektromagnetischen Ablenksystemen 2ix und 21yzur Elektronenstrahlpositionierung
in x- und y-Richtung mit kalibrierten Schritten von 0,05 μπι innerhalb eines Ablenkbereiches
von ± 10 μπι. Die Elektronenstrahlpositionierung erfolgt manuell unter Beobachtung der Objektstrukturen
auf dem Bildschirm. Die Größe der AWenkung als ganzzahliges Vielfaches der Schrittweite von
0,05 μΐη kann automatisch und vorzeichenrichtig auf eine
Ar.zeigeeinheit 22 übertragen werden, die auch das Meßergebnis des Laserwegmeßsystems anzeigt.
Weiterhin enthält das Elektronenstrahlmeßrystem eine Projektionseinrichtung 23 zum Projizieren eines geeichten, objektbezogenen Maßstabsnetzes auf die Leuchtschicht der Bildröhre 20, das in F i g. 2 dargestellt und anhand der Darstellung näher erläutert wird, zur parallaxenfreien Ablesung der Lage der Objektstrukturen auf dem Bilschirm. Das Maßstabsnetz ist so ausgebildet, daß der exakte Wert der Vergrößerung und die Verzeichnung an den biidrändern berücksichtigt sind.
Weiterhin enthält das Elektronenstrahlmeßrystem eine Projektionseinrichtung 23 zum Projizieren eines geeichten, objektbezogenen Maßstabsnetzes auf die Leuchtschicht der Bildröhre 20, das in F i g. 2 dargestellt und anhand der Darstellung näher erläutert wird, zur parallaxenfreien Ablesung der Lage der Objektstrukturen auf dem Bilschirm. Das Maßstabsnetz ist so ausgebildet, daß der exakte Wert der Vergrößerung und die Verzeichnung an den biidrändern berücksichtigt sind.
Eine Objektkammer 24 enthält einen Präzisionskoordinatent'seh
25 mit einem Objektverschiebebereich von einem Dezimeter in x- und y-Richtung. Präzisionsspindeln
26, die am Prijzisionskoordinatentisch 25 angebracht
sind, und Schrittmotoren 27 ermöglichen die ferngesteuerte Objektverschiebung. Die Schrittmotoren
27 sind mit einem Steuerrechner 28 verbunden, dessen peripherer Teil 2j zur Dateneingabe dient.
Über den Steuerrechner 28 erfolgen die gesamte Tischsteuerung und der Vergleich des eingegebenen
Sollwertes der Objektverschiebung mit derr- mittels eines
in den Rückkopplungszweig der Tischsteuerung eingeschalteten Laserwegmeßsystems 30 gemessenen Istwert.
Das Laserwegmeßsystern ist mit einem He-Ne-Laser ausgerüstet und als inkrementales Meßsystem mit ei-
nem Inkrement/i/16 = 0,04 pm ausgebildet.
Zwei Meßprismen 31 des Laserwegmeßsystems 30
für die χ- und y-Richtung befinden sich direkt auf dem
Objekttisch 25. Weiterhin sind zwei Referenzprismen 32 für die jr-Richtung in der Objektkammer 24 so angeordnet,
daß möglichst geringe Relativbewegungen zwischen Meß- und Referenzprisma infolge Temperaturänderung
der Objektkammer auftreten. Zusätzlich sorgt eine Einrichtung 33 zur Stabilisierung der Temperatur
der Objektkammer dafür, daß die Relativbewegung zwischen Meß- und Referenzprismen möglichst gering
bleibt.
Mit einer Temperaturmeßeinrichtung 34 wird die bei der Abstandsmessung vorliegende Temperatur des Objektes
9 mit der Genauigkeit von einem Zehntel Grad angezeigt.
Die Abstandsmessung zwischen Objektstrukturen kann wahlweise anhand des rasterelektronenmikroskopischen
Bildes der Strukturen auf dem Bildschirm und/ oder anhand von Signal-Profil-Kurven der Strukturen,
die bei Linienrasterung in x- oder ^-Richtung entstehen
und mittels Signalverstärkern 35 und Wahlschaltern 16 auf dem Bildschirm dargestellt werden können, ausgeführt
werden.
Anhand Fig. 2 soll die Arbeitsweise des Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Rasterelektronenmikroskops
näher erläutert werden.
Eine Strukturkante 36 des Objektes 9 wird durch Eingabe einer Koordinate in den peripheren Teil 29 des
Steuerrechners 28 und durch anschließende Verschiebung des Objekttisches 25 bei einer bestimmten Vergrößerung
möglichst in die Mitte des Bildschirmes der Bildröhre 20 gebracht. Infolge der Ungenauigkeit der
Eingabekoordinate relativ zu einem Objektnullpunkt und des Tischpositionierfehlers liegt die Strukturkante
36 nicht genau in der Bildschirmmitte, sondern um den Abstand d 1 verschoben. Der Abstand d I wird mit Hilfe
eines aufprojizierten Maßstabsnetzes 37 bestimmt, das im praktischen Fall bei einer Vergrößerung von 10 000
ein Kreuzgitter mit einer 1-mm-Teilung ist. Zusätzlich
wird der Zählerstand D 1 der Anzeigeeinheit 22 des Laserwegmeßsystems abgelesen.
Eine Strukturkante 38 des Objektes 9 wird durch Eingabe'
einer Koordinate und durch anschließende Verschiebung des Objekttisches bei sonst unveränderten
Einstellparametern des Rasterelektronenmikroskops auf dem Bildschirm 20 dargestellt. Die Strukturkante 38
liegt danach im allgemeinen Fall um den Abstand d2,
der mit Hilfe des aufprojizierten Maßstabes 37 bestimmt wird, gegen die Bildschirmmitte versetzt so
Zusätzlich wird der Zählerstand D 2 abgelesen, und der Meßwert für den Abstand zwischen den Strukturkanten
36 und 38 wird zu
D2-Di+d2-di
bzw. zu
D+d
bzw. zu
berechnet.
Bei automatischer Verknüpfung der Meßwerte des Laserwegmeßsystems für die Objektverschiebung D
mit der Größe der Elektronenstrahlpositionierung d
werden die Strukturkanten 36 und 38 mittels der Elektronenstrahlpositioniereinrichtung
nacheinander zur Deckung mit tier Nullmarke 39 in der Bildschirmmitte gebracht. Der Meßwert für den Abstand A = D+ d wird
automatisch gebildet und auf der Anzeigeeinheit 22 dargestellt.
Zur Bestimmung von Abständen zwischen Objektstrukturen, die vollständig auf dem Bildschirm dargestellt
werden können, dient allein das mit hoher Genauigkeit arbeitende Elektronenstrahlmeßsystem.
55
60
berechnet
Zweckmäßig wird die Größe d 1 durch Verschiebung der Strukturkante 36 mit der Elektronenstrahlpositioniereinrichtung
in die Bildschirmmitte und die Größe D1 durch Nullung des Zählerinhaltes der Anzeigeeinheit
22 des Laserwegmeßsystems zu Null gemacht wodurch das Verfahren vereinfacht wird. Der Meßwert für
den Abstand wird dann zu
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (10)
1. Rasterelektronenmikroskop zur Messung von Abständen zwischen Objektstrukturen, dadurch
gekennzeichnet, daß ein Elektronenstrahlmeßsystem
vorgesehen ist das zusätzlich zu bekannten rastermikroskopischen Mitteln eine Elektronenstrahlpositioniereinrichtung
zum Positionieren des Elektronenstrahls auf dem Objekt (21,2Ix, 2IyJ und
eine Einrichtung (23) zum Projizieren eines geeichten
objektbezogenen Maßstabsystems auf die Leuchtschicht der Bildröhre (20) enthält, und daß das
Elektronenstrahlmeßsystem mit einem System (30) zur Messung der Objektverschiebung kombiniert ist
2. Rasterelektronenmikroskop nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß das System zur Messung
der Objektverschiebung in zwei senkrecht zueinanderstehenden Richtungen ein Laserwegmeßsystem
(30) ist
3. Raste^tektronenmikroskop nach Anspruch 1
und 2, dadurch gekennzeichnet daß die Einrichtung zur Objektverschiebung aus einem -v-y-Präzisionskoordinatentisch
(25), Präzisionsspindeln (26), Schrittmotoren (27) sowie aus einer Steuereinrichtung
für Handsteuerung und/oder Programmsteuerung (28) bei automatischer Gbjektpositionierung
besteht und so ausgebildet ist daß sie eine Objektverschiebung bis zu einem Dezimeter in x- und y-Richtung
gestattet
4. Rasterelektronenmikroskop nach Anspruch 1 bis 3, dadurc'ii gekennzeichnet daß das Laserwegmeßsystem
(30) in den Rückkop.-Iungszweig der Objekttischsteuerung
eingeschaltet und dadurch eine automatische Objektpositionien ig mit einer Genauigkeit
von wenigen Mikrometern möglich ist
5. Rasterelektronenmikroskop nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Bauteile des
jr-y-Präzisionskoordinatentisches (25) zur Vermeidung
von Rückwirkungen auf den Primärelektronenstrahl bei der Tischverschiebung aus einer unmagnetischen
Berylliumlegierung hergestellt sind.
6. Rasterelektronenmikroskop nach Anspruch 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Meßprismen
des Laserwegmeßsystems (30) für die x- und y-Richtung
als lange Dachkantprismen (31) ausgebildet und direkt auf dem Objekttisch (25) angeordnet sind.
7. Rasterelektronenmikroskop nach Anspruch 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet daß ein Steuerrecbner
(28) in die Steuereinrichtung des Objekttisches einbezogen und für den Vergleich des Sollwertes der
Objektverschiebung mit dem mittels des Laserwegmeßsystems (30) bestimmten Istwert der Objektverschiebung
vorgesehen ist.
8. Rasterelektronenmikroskop nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Objektverschiebungseinrichtung
eine Einrichtung (34) zur Messung der Objekttemperatur mit der Genauigkeit von einem Zehntel Grad enthält.
9. Rasterelektronenmikroskop nach Anspruch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß zur Reduzierung
von Relativbewegungen zwischen Meß- und Referenzprismen (31, 32) des Laserwegmeßsystems (30)
eine Einrichtung (33) zur Stabilisierung der Temperatur der Objektkammer (24) vorgesehen ist.
10. Rasterelektronenmikroskop nach Anspruch 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß eine Einrichtung
zur vorzeichenrichtigen und richtungsabhängigen automatischen Addition der Meßwerte, die mit dem
Elektronenstrahlmeßsystem und dem Laserwegmeßsystem (30) ermittelt werden, vorgesehen ist und
daß eine Anzeigeeinheit (22) zur Darstellung des resultierenden Wertes für den Abstand (A) der Objektstnikturen
dient
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GB (1) | GB1532862A (de) |
SU (1) | SU1191980A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3802598C1 (de) * | 1988-01-29 | 1989-04-13 | Karl Heinz 3057 Neustadt De Stellmann |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU534811B2 (en) * | 1979-07-03 | 1984-02-16 | Unisearch Limited | Atmospheric scanning electron microscope |
JPS5795056A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-12 | Hitachi Ltd | Appearance inspecting process |
JPS59112217A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-28 | Toshiba Corp | 寸法測定方法 |
JPS59163506A (ja) * | 1983-03-09 | 1984-09-14 | Hitachi Ltd | 電子ビ−ム測長装置 |
KR850700273A (ko) * | 1984-03-20 | 1985-12-26 | 닉슨, 래리 셀돈 | 정밀 주사형 전자 현미경 측정을 위한 방법 및 장치 |
US4677296A (en) * | 1984-09-24 | 1987-06-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Apparatus and method for measuring lengths in a scanning particle microscope |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3876879A (en) * | 1973-11-09 | 1975-04-08 | Calspan Corp | Method and apparatus for determining surface characteristics incorporating a scanning electron microscope |
-
1975
- 1975-09-24 DD DD18851275A patent/DD124091A1/xx unknown
-
1976
- 1976-08-06 DE DE19762635356 patent/DE2635356C2/de not_active Expired
- 1976-08-25 GB GB3538476A patent/GB1532862A/en not_active Expired
- 1976-09-20 SU SU762399525A patent/SU1191980A1/ru active
- 1976-09-21 FR FR7628344A patent/FR2326030A1/fr active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3802598C1 (de) * | 1988-01-29 | 1989-04-13 | Karl Heinz 3057 Neustadt De Stellmann | |
EP0357699B1 (de) * | 1988-01-29 | 1994-11-02 | Klein, Martin, Dipl.-Ing. | Rasterelektronenmikroskop |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2326030A1 (fr) | 1977-04-22 |
GB1532862A (en) | 1978-11-22 |
SU1191980A1 (ru) | 1985-11-15 |
FR2326030B1 (de) | 1982-03-19 |
DE2635356A1 (de) | 1977-04-07 |
DD124091A1 (de) | 1977-02-02 |
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