DE2314109A1 - Verfahren und vorrichtung zur herstellung von halbleiter-einkristallen durch zuechtung aus fluessiger phase - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur herstellung von halbleiter-einkristallen durch zuechtung aus fluessiger phase

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DE2314109A1 DE19732314109 DE2314109A DE2314109A1 DE 2314109 A1 DE2314109 A1 DE 2314109A1 DE 19732314109 DE19732314109 DE 19732314109 DE 2314109 A DE2314109 A DE 2314109A DE 2314109 A1 DE2314109 A1 DE 2314109A1
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DE
Germany
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nutrient solution
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single crystals
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Application number
DE19732314109
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German (de)
English (en)
Inventor
Keizo Fujimori
Mitsuhiro Maruyama
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/066—Injection or centrifugal force system

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4101925A (en) * 1975-07-08 1978-07-18 Kelley Larry P Centrifugal forming thin films and semiconductors and semiconductor devices
US4373988A (en) * 1974-09-20 1983-02-15 Max-Planck-Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschaften E.V. Method of growing epitaxial layers from a liquid phase

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4373988A (en) * 1974-09-20 1983-02-15 Max-Planck-Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschaften E.V. Method of growing epitaxial layers from a liquid phase
US4101925A (en) * 1975-07-08 1978-07-18 Kelley Larry P Centrifugal forming thin films and semiconductors and semiconductor devices

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