DE2304373B2 - Festkoerperbildwandler - Google Patents

Description

Ausführungsfonn des erfindungsgemäßen Festkör- zenzschicht 21 auEgesändterc Lichtes steht in einperbildwandlers, bei dem die kritische Spannung fächer Beziehung zu der an ihr auftretenden Spanleicht steuerbar ist. nung V_E:

Gemäß Fig. 1 weist der erfindungsgemäße Fest- B = KVf, (1)

körperbildwandler eine erste transparente Elektro- 5

denschicht 11 auf einer transparenten Unterlage 10, wobei η praktisch ein Wert zwischen 3 und 7 ist

z. B. einer Glasplatte auf, die nach bekannter Tech- und K eine Konstante ist.

nik abgelagert wird. Eine elektrolumineszierende Wenn der Kontrast des Ausgangsbildes als das Schicht 12 ist auf der ersten transparenten Elektro- Verhältnis der Helligkeit des von der Elektrolumidenschicht 11 aufgebracht, indem eine Paste, Jie ein io neszenzschicht 2 ausgesandten Lichts bei der Einelektrolumineszierendes Material in Dispersion in gangslichtintensität L₂ zu der bei der Eingangslichteinem Träger enthält, aufgebracht ist, oder indem intensität L₁ ist, dann ist der Kontrast C des Festeine dünne Schicht eines elektrolumineszierenden körperbildwandlers auszudrücken durch die folgende Materials nach bekannter Technik abgelagert ist. Gleichung:
Eine Schicht 13 mit einem negativen Widerstand wird x$

von einer NTC-Thermistorschicht gebildet, indem C = {(Ä + R₁ + R_h)/(R + R_s + R₁))" ■ (2)
eine Paste, die ein pulverisierten NTC-Thermistor

mit negativen Temperaturkoeffizienten des Wider- Der Kontrast C₀ in einem herkömmlichen Feststandes in einem Träger enthält, auf die elektro- körperbildwandler, der keine Schicht mit negativem lumineszierende Schicht 12 aufgebracht und die ao Widerstand enthält, wird ausgedrückt durch folgende Paste ausgehärtet ist. Eine fotoleitende Schicht 14 Gleichung:

ist auf die NTC-Thermisforschicht 13 aufgebracht, C₀ = {(R + R₁)Z(R + R₂))" ■ (3)
z. B. durch ein Überzugsverfahren, bei dem eine

Paste mit pulverisiertem fotoleitendem Material in Ä, ist ein wenig größer als R₂, wogegen R_h sehr Dispersion in einem Träger auf die NTC-Thermistor- »5 viel größer als A₁ ist. Deshalb ist C größer als C₀, schicht 13 aufgebracht wird. Eine zweite transparente und dementsprechend wird der Kontrast in dem Fest-Elektrodenschicht 15 liegt über der fotoleitenden körperbildwandler verstärkt durch Verwendung Schicht 14. Da die NTC-Thermistorschicht von einer Schicht mit negativem Widerstand,
schwarzer Farbe ist, wird sie auch als Lichtabschirm- Es ist erwünscht, daß die kritische Spannung V_c schicht verwendet. 30 leicht verändert werden kann, um den Kontrast bei

Die Widerstandskennlinie 9 des negativen Wider- einem gewünschten optischen Graukeil verbessern zu Standes 13 weist, wie aus der Fig. 2 hervorgeht, an können. Wie die Fig. 3 zeigt, verschiebt sich die einem Übergangspunkt 7 von einem Zweig mit posi- Widerstandskennlinie der NTC-Thermistorschicht 13 tivem Widerstand 8 eines Widerstandes R_h zu einem von einer Kurve 16 zu einer Kurve 18 bei einer ErZweig mit negativem Widerstand 36 eines Wider- 35 höhung der Temperatur der NTC-Thermistorschicht Standes A₁ nach Ansteigen der Spannung eine kri- 13, und dementsprechend ändert sich die kritische tische Spannung V_c auf. Der Wert von R_h ist min- Spannung von V₁ zu V₃.
destens lOOfach größer als der Wert von R₁. Wie aus Fig. 4 hervorgeht, weist der erfindungs-

Die fotoleitende Schicht 13 weist elektrische gemäße Festkörperbildwandler bei einer anderen Widerstände A₁ und A₂ bei Bestrahlung mit den 4° Ausführungsform integrierte Schichten einer trans-Lichtintensitäten L₁ bzw. L₂ auf, wobei L₁ und L₃ parenten Unterlage 10, einer ersten transparenten niedriger oder höher als eine kritische Intensität L_c Elektrodenschicht 11, einer elektrolumineszierenden sind, die die Schicht 13 mit negativem Widerstand Schicht 12, einer NTC-Thermistorschicht 13, einer veranlaßt, eine geteilte Spannung zu empfangen, die fotoleitend«! Schicht 14 und einer zweiten transgleich der kritischen Spannung V_c ist. Wenn der 45 parenten Elektrodenschicht 15 in der beschriebenen Festkörperbildwandler mit einer gegebenen Span- Reihenfolge auf. In die NTC-Thermistorschicht 13 nung V versorgt und mit Licht der Intensität L₁ ist ein Heizelement 25 eingebettet, das aus einem oder L₂ bestrahlt wird, ist die an der Elektrolumines- Metalldraht oder einem dünnen Metallfilm besteht, zenzschicht 21 auftretende Spannung auszudrücken Die Temperatur der NTC-Thermistorschicht 13 wird durch RV/iR+R^Rk) bzw. i?K/(Ä+/?₂+Ä₁), wo- 50 durch einen durch das Heizelement 25 fließenden bei R der Widerstand der Elektrolumineszeitzschicht Strom erhöht, und infolgedessen kann die Größe der 21 ist. Die Helligkeit B des von der Elektrolumines- kritischen Spannung V_e gesteuert werden.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

Ein dem eingangs erwähnten Festkörperbildwandler Patentansprüche: ähnlicher Festkörperbildwandler (DT-OS 19 14 912) zur Intensivierung eines Bildes weist in Reihe mit

1. Festkörperbüdwandler, bei dem auf einer einer Elektrolumineszenzschicht einen Feldeffekttransparenten Unterlage eine erste transparente 5 Halbleiter auf, an dessen einer freien Oberflache eine Elektrodenschicht, darauf eine Elektrolumines- fctoleitende Schicht angeordnet ist, wobei der FeIdrenzschicht, eine Schicht mit negativem Wider- effekt-Halbleiter ein aktives Bauelement mit negati- $tand, darauf eine fotoleitende Schicht und an- vem Widerstand darstellt, wenn die angelegte Gateschließend eine zweite transparente Elektrode an- spannung nicht konstant ist. Wird bei diesem begebracht ist, dadurch gekennzeichnet, io kannten Festkörperbildwandler die Intensität des daß die Schicht (13) mit negativem Widerstand Ausgangsbildes in einem dunklen Bildbereich durch eine Thermistorschicht ist, bei der die kritische Erhöhung der angelegten Spannung gesteigert so Spannung (K_f), bei der die Widerstandskennlinie wird der Kontrast des Ausgangsbildes in einem helvon einem Zweig mit positivem Widerstand (8) len Bildbereich beeinträchtigt. Weiterhin ist es nicht in einen Zweig mit negativem Widerstand (36) 15 möglich, den Bildkontrast in der Nahe des Eingangsübergeht, durch Veränderungen der Temperatur lichtes bei jeder gewünschten Lichtintensität emder Thencnistorschicht (13) eingestellt wild. zustellen.

2. Festkörperbildwandler nach Anspruch 1, Bekannt ist weiterhin ein Halbleiter-Bildwandler dadurch gekennzeichnet, daß die Thermistor- (DT-OS 14 39 687), bei dem eine oder mehrere schicht (13) ein feinzerteiltes Pulver in Dispersion ao Fotodioden oder Fototransistoren zum Aufnehmen in einem Bindemittel und einen negativen Tem- des umzuwandelnden Lichtes verwendet werden und peraturkoeffizienten des Widerstandes aufweist. zur Abgabe des durch die Umwandlung erzielten

3. Festkörperbildwandler nach Anspruch 1 Lichte? eine oder mehrere Lumineszenz-Dioden An- und 2, dadurch gekennzeichnet, daß in die Ther- wendung finden. Die Verwendung eines ähnlichen mistorschicht (13) ein Heizelement (25) zur a₅ Festkörperbildwandlers, bei dem eine p-si-n Foto-Steuerung der kritischen Spannung (V_c) ein- diode mit einem negativen Widerstand Anwendung gebettet ist. find«, ist aus der US-PS 33 58 146 bekannt, wobei

jedoch bei einer gewünschten Änderung der negativen Widerstandseigenschaft die Fotodiode durch 30 eine andere ersetzt werden muß.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, einen

Festkörperbildwandler gemäß der eingangs erwähnten Art auf einfache Weise derart zu gestalten, daß bei einfacher Steuerbarkeit der kritischen Spannung 35 eine leichte Einstellung des Bildkontrastes, insbeson-

Die Erfindung betrifft einen Festkörperbildwand- dere in der Nähe des Lichtes des Eingangsbildes, bei ler, bei dem auf einer transparenten Unterlage eine jeder gewünschten Lichtintensität zu ermöglichen,
erste transparente Elektrodenschicht, darauf eine Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch

Elektrolumineszenzschicht, eine Schiciit mit negati- gelös;, daß die Schicht mit negativem Widerstand vem Widerstand, darauf eine fotoleitende Schicht und 40 eine Thermistorschicht ist, bei der die kritische anschließend eine zweite transparente Elektrode an- Spannung, bei der die Widerstandskennlinie von gebracht ist. einem Zweig mit positivem Widerstand in einen

Es ist häufig erwünscht, aus originalen Bildsigna- Zweig mit negativem Widerstand übergeht, durch len notwendige Informationen durch Betonung des Veränderung der Temperatur der Thermistorschicht Kontrastes bei einem bestimmten optischen Graukeil 45 eingestellt wird.

herauszuziehen oder zu verstärken. In vorteilhafterweise zeichnet sich der erfindungs-

Bei einem bekannten Festkörperbildwandler der gemäße Festkörperbildwandler weiterhin dadurch eingangs erwähnten Art (DT-OS 17 89 006) ist an aus, daß die Thermistorschicht ein feinzerteiltes Puleiner strahlungsempfindlichen, fotoleitenden n-si-n-p, ver in Dispersion in einem Bindemittel und einen n-p-si-p oder n-p-si-n-p Schichtenfolge plattenförmig 5° negativen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes ingrenzend eine phosphoreszierende Schichtenfolge aufweist. Weiterhin kann in die Thermistorschicht ein angeordnet, und die äußeren Schichten der Platten Heizelement zur Steuerung der kritischen Spannung tind lichtdurchlässig und als Elektrodenschicht zum eingebettet sein.

Anlegen eines elektrischen Potentials ausgebildet, Weitere Vorteile der Erfindung ergeben sich aus

Wobei ein Strahlungsmechanismus u. a. in der Weise 55 der Beschreibung der Zeichnungen. In letzteren ist Arbeiten soll, daß ein Ladungsträgertyp in die halb- F i g. 1 ein schematischer Aufbau einer Ausfüh-

isolierende Schicht injiziert und letztere in raum- rungsform des erfindungsgemäßen Festkörperbildladungsbegrenzender Weise durchquert, bis er an der wandlers,

entgegengesetzten Seite mit Ladungsträgern des ent- F i g. 2 eine graphische Darstellung der Wider-

gegengesetzten Leitfähigkeitstyps rekombiniert wird. 60 Standskennlinie der Schicht mit negativem Wider-Ein Teil der Rekombination ist mit Strahlung ver- stand, die bei dem erfindungsgemäßen Festkörperbunden, und beim Ansteigen des Wirkungsgrades wandler Anwendung findet,

letzterer mit dem Strom kann ein Zustand negativen Fig. 3 Strom-Spannungskennlinien bei Tempera-

Widerstandes entstehen. Der Schnittpunkt der Kenn- turänderungen für eine Thermistorschicht, die einen linie ohne Einfluß des Rekombinationseffektes mit 85 negativen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes der Kennlinie negativen Widerstandes, die dem aufweist und beim erfindungsgemäßen Festkörper-Rekombinationseffekt zuzuschreiben ist, soll das bildwandler Anwendung findet, und
Potential ergeben, bei dem der Wandler Eichaltet. Fig. 4 ein schematischer Aufbau einer anderen