DE2261629C3 - Einrichtung zur Herabsetzung der Spannungsanstiegsgeschwindigkeit bei einem Halbleiter-Phasenumschalter - Google Patents
Einrichtung zur Herabsetzung der Spannungsanstiegsgeschwindigkeit bei einem Halbleiter-PhasenumschalterInfo
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- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0814—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit
- H03K17/08144—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit in thyristor switches
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- H03K17/725—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for ac voltages or currents
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Description
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Herabsetzung der Spannungsanstiegsgeschwindigkeit bei einem
aus je einem steuerbaren Halbleiter-Wechselstromschalter pro Phase bestehenden Phasenumschalter mit
zwischen den steuerbaren Halbleiter-Wechselstromschaltern und den Phasenanschlüssen befindlichen
Drosselspulen.
Halbleiter-Phasenumschalter werden beispielsweise als elektronische Umkehrschütze zum Vertauschen
zweier Phasen eines Drehstromsystems auf einen äußeren Schaltbefehl hin eingesetzt, um z. B. den
Wendebetrieb eines Drehstrommotors zu ermöglichen. Als Halbleiterelemente werden je nach Anwendungszweck und -bereich antiparallelgeschaltete Thyristoren
oder Triacs verwendet, bei deren Betrieb sichergestellt werden muß, daß ein höchstzulässiger Wert der
Spannungsanstiegsgeschwindigkeit nicht überschritten wird, da ansonsten die Gefahr eines unerwünschten
Durchzündens der Halbleiterelemente unabhängig von der Gitteransteuerung und damit eines Phasenkurzschlusses
besteht.
Es ist bereits vorgeschlagen worden, den Triacs eines elektronischen Umkehrschutzes eisenlose Drosselspulen
in Reihe zu schalten, die so dimensioniert sind, daß die bei der Kommutierung auftretende Spannungsanstiegsgeschwindigkeit
(du/dt) für den statischen Fall auf einen für den momentan nicht schaltenden Triac
unschädlichen Wert herabgesetzt wird und der durch die Verluste der Drosselspulen auftretende Spannungsabfall
für die Funktion des elektrischen Umkehrschutzes unbedeutend ist.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Einrichtung zur Herabsetzung der Spannungsanstiegsgeschwindigkeit bei einem Halbleiter-Phasenumschalter
mit verringertem Aufwand für die in Reihe zu den steuerbaren Halbleiter-Wechselstromschaltern liegenden
Drosselspulen anzugeben.
Diese Aufgabe wird erfiniiungsgemäß dadurch gelöst,
daß die den steuerbaren Halbleiter-Wechselstromschaltern des Phasenumschalters in jeder Phase vorgeschalteten
Drosselspulen magnetisch gut miteinander verkettet zu einer Drosselspuleinheit zusammengefaßt sind.
Anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels soll der der Erfindung zugrundeliegende
Gedanke'näher erläutert werden.
Fig.! zeigt eine bekannte Anordnung eines Halbleiter-
Phasenumschalters,
F i g. 2 zeigt eine gemäß dem Gegerisiäiiu der
Erfindung vereinfachte Beschattung eines steuerbaren Halbleiter-Phasenumschalters,
F i g. 3 stellt ein AnwendungsbeLspiel des ertindungsgemäßen
Halbleiter-Phasenumschalters in einer Reversierschaltung dar.
Die in Fig. 1 dargestellte bekannte Anordnung eines Halbleiter-Phasenumschalters, der Teil eines elektronischen
Umkehrschützes sein kann, zeigt die an zwei Phasenanschlüsse P und 5 angeschlossene Reihenschaltung
der Halbleiter-Wechselstromschalter 1,2 — hier Triacs — mit zur Herabsetzung der Spannungsanstiegsgeschwindigkeit dienenden eisenlosen Drosselspulen
3,4. Parallel zu den Halbleiter-Wechselstromschaltern 1,2 ist die Reihenschaltung je eines Widerstandes 5,6 und
ι s eines Kondensators 7,8 vorgesehen. Durch wahlweises
Ansteuern der Halbleitcr-Wechselstromschalter 1, 2 wird die Ausgangsklemme U entweder an die Phase R
oder die Phase 5 geschaltet
Die in Fig.2 dargestellte erfindungsgemäße Anordnung
mit gegenüber der Anordnung nach F i g. 1 verringertem Beschaltungsaufwand enthält zwei Halbleiter-Wechselstromschalter
1, 2 mit parallelgeschalteter RC-Kombination, die aus der Reihenschaltung je
eines Kondensators 7,8 und je eines Widerstandes 5,6
besteht. Über die getrennten, aber magnetisch gut verketteten Wicklungen 9a und 9b einer Drosselspuleneinheit
9 sind die Halbleiter-Wechselstromschalter 1, 2 mit den Dhasenanschlüssen R, 5 verbunden und schalten
durch wahlweises Ansteuern die Ausgangsklemme U
m entweder an die Phase R oder S. Die zur Begrenzung
der Spannungsanstiegsgeschwindigkeit wirksame Induktivität L der eisenlosen Drosselspulen 3,4 bei einer
Beschaltungsanordnung gemäß der F i g. 1 beträgt bei W-Windungen und einem magnetischen Widerstand
η Rm der eisenlosen Drosselspulen 3,4:
Bei gleichen Windungszahlen W und gleichem magnetischen Widerstand Rm der beiden magnetisch
gut miteinander verketteten Wicklungen 9a und Sb der Drosselspuleneinheit 9 gemäß der erfindungsgemäßen
Anordnung nach F i g. 2 beträgt die zur Begrenzung der > Spannungsanstiegsgeschwindigkeit wirksame Induktivität
angenähert:
Rm
Das bedeutet, daß bei gleichen geometrischen Abmessungen und gleichen Windungszahlen die wirksame
Induktivität Jer Drosselspuleneinheit 9 gemäß der Erfindung etwa dem doppelten Wert der Induktivität
einer Anordnung mit eisenlosen Drosselspulen als Beschaltungselemente entspricht.
Ein in der Fig.3 dargestelltes Anwendungsbeispiel der Erfindung ergibt sich beim Einsatz von Halbleiter-Phasenumschaltern
in einer Reversierschaltung zur
bü Vertauschung der Phasenfolge, beispielsweise zur
Drehrichtungsumkehr eines an den Ausgangsklemmen U, V, W angeschlossenen Drehstrommotors. Die an die
Phasenleiter R und 5 des Netzes geschalteten Phasenumschalter I und II enthalten je einen mit einem
b5 der beiden Phasenleiter R und S über je eine
Drosselspule 17a, Vb bzw. 18a, 186 verbundenen Triac
11, 12 bzw. 13, 14. Die den Triacs 11 und 12 vorgeschalteten Drosselspulen Ylä und J7i>
sind
erfindungsgemäß zu einer magnetisch gut verketteten Drosselspuleneinheit 17 zusammengefaßt ebenso die
den Triacs 13 und 14 vorgeschalteten Drosselspulen 18a
und ISb zu einer Drosselspuleneinheit 18.
Den zwischen den Phasenleiter T des Netzes und der
Ausgangsklemme W geschalteten Triacs 15 und 16 sind keine die Spannungsanstiegsgeschwindigkeit herabsetzende
Drosselspulen vorgeschaltet, da der Phasenleiter 7*des Netzes nicht zur Phasenumschaltung herangezogen
wird. Alle Triacs 11 bis 16 weisen jedoch eine parallelgeschaltete ÄC-Kombination auf. Je drei der
Triacs 11 bis 16, die an die verschiedenen Phasenleiter R,
S, T des Drehstromnetzes angeschlossen sind, z. B. die
Triacs 11, 13 und 15 bzw. 12, 14 und 16, sind zu einer
Gruppe zusammengefaßt und lassen sich zusammen mit ihrer ßC-Beschaltung in einem gemeinsamen Gerät als
Drehstrom-Schaltereinheit anbringen.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Einrichtung zur Herabsetzung der Spannungsanstiegsgeschwindigkeit bei einem aus je einem steuerbaren Halbleiter-Wechselstromschalter pro Phase bestehenden Phasenschalter mit zwischen den steuerbaren Halbleiter-Wechelstromschaltern und den Phasenanschlüssen befindlichen Drosselspulen, dadurch gekennzeichnet, daß die den steuerbaren Halbleiter-Wechselstromschaltern (1,2) des Phasenschalters in jeder Phase vorgeschalteten Drosselspulen (9a, 9b) magnetisch gut miteinander verkettet zu einer Drosselspuleinheit (9) zusammengefaßt sind.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2261629A DE2261629C3 (de) | 1972-12-13 | 1972-12-13 | Einrichtung zur Herabsetzung der Spannungsanstiegsgeschwindigkeit bei einem Halbleiter-Phasenumschalter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2261629A DE2261629C3 (de) | 1972-12-13 | 1972-12-13 | Einrichtung zur Herabsetzung der Spannungsanstiegsgeschwindigkeit bei einem Halbleiter-Phasenumschalter |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2261629A1 DE2261629A1 (de) | 1974-06-20 |
| DE2261629B2 DE2261629B2 (de) | 1978-08-31 |
| DE2261629C3 true DE2261629C3 (de) | 1979-05-03 |
Family
ID=5864569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2261629A Expired DE2261629C3 (de) | 1972-12-13 | 1972-12-13 | Einrichtung zur Herabsetzung der Spannungsanstiegsgeschwindigkeit bei einem Halbleiter-Phasenumschalter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2261629C3 (de) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3034726A1 (de) * | 1980-09-15 | 1982-04-22 | Miele & Cie GmbH & Co, 4830 Gütersloh | Sicherheitsschaltung fuer einen bidirektional betriebenen halbleiterschalter |
| BE889496A (fr) * | 1981-07-03 | 1981-11-03 | Dumont Gilbert C | Inverseur statique polyphase |
-
1972
- 1972-12-13 DE DE2261629A patent/DE2261629C3/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2261629A1 (de) | 1974-06-20 |
| DE2261629B2 (de) | 1978-08-31 |
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