DE2260354A1

DE2260354A1 - Elektronische schaltung fuer einen belichtungsmesser, insbesondere in einer fotokamera

Info

Publication number: DE2260354A1
Application number: DE2260354A
Authority: DE
Inventors: Motonobu Matsuda; Yasuhiro Nanba
Original assignee: Minolta Co Ltd
Current assignee: Minolta Co Ltd
Priority date: 1971-12-10
Filing date: 1972-12-09
Publication date: 1973-06-14
Also published as: US3849786A

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltung für einen Belichtungsmesser, insbesondere in einer Fotokamera, mit der das in den Belichtungsmesser einfallende Licht integriert wird,, mit einem HauptStromkreis aus einer fotovoltaischen Zelle, einem Kondensator und einem Zeitgeberschalter für die Integration, sowie mit einem Triggerkreis.

Fotoleitende Elemente, wie beispielsweise CdS-Elemente, sind als Elemente zum Empfangen eines Lichtstrahles in einem Belichtungsmesser zum Gebrauch in EE-Kameras weithin gebräuchlich, doch sprechen Fotoleiterelemente träge auf das Licht an, das in sie eingestrahlt wird; sie sind nicht sehr stabil, insbesondere in solchen Fällen, wo die zu fotografierende Szene dunkel ist.

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Auch ist schon vorgeschlagen worden, eine Selenfotozelle, eine Siliziumfotozelle oder eine ähnliche fotovolteische .Zelle als lichtaufnehmendes Element in einem elektrischen Steuerkreis zur Steuerung eines elektrischen Verschlusses oder zur Steuerung der Blitzlichtbeleuchtung zu verwenden, wie noch beschrieben wird.

Die erwähnten fotoleitenden Elemente sind bei stetigen ßeleuchtungsbedingungen brauchbar, können aber in EE-Kameras in solchen Fällen nicht benutzt werden, in denen sich die * Beleuchtung verändert, wie beispielsweise bei Blitzlicht. Inabesondere können sie nicht bei Verwendung einer die Belichtung justierenden Strobolampe verwendet werden, deren Belichtung auf ein elektrisches Signal hin abgebrochen wird, wenn die davon ausgesandte Lichtmeage einen Wert erreicht, der für die Aufnahme beim Fotographieren erforderlich ist.

Man hat auf der anderen Seite schon in Betracht gezogen, daß eine Silizium-fotovoltaische Zelle als das lichtempfangende Element bei einem Belichtungsmesser für die EE-Kamera verwendet werden könnte, die extrem schnell auf Licht anspricht. Bei der fotovoltaischen Zelle ist aber die Leistung, die von dem empfangenen Licht erzeugt wird, also die Ausgangsspannung und der Ausgangsstrom im Vergleich mit den Fotoleitern extrem klein. Die Schaltung, die £ür eine wirksame Verstärkung einer so kleinen Leistung erforderlich ist, wird sehr kompliziert und sehr teuer. Es ist der Grund dafür, daß die Verwirklichung einer

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EE-Kamera unter Verwendung von Silizium-fotovoltaischen Zellen aufgegeben worden ist. Das Charakteristische einer Silizium-fotovoltaischen Zelle (im folgenden Si-Zelle "bezeichnet) sei zunächst kurz "beschrieben.

Figur 1 A zeigt die Zusammenhänge zwischen der Ausgangsspannung aus der Si-Zelle und einer Spannung, die auf die logarithmischen Vierte ihres Ausgangsstromes aufgedrückt wird. Die linke und die rechte Abszisse zeigen* die Ausgangsspannung der Si-Zelle un.d die darauf von aussen aufgedrückte Spannung und die Ordinate zeigt den Ausgangsstrom, der durch das einfallende Licht erzeugt wird in logarithmischer Skala.

Die Kurven der graphischen Darstellung zeigen die Zusammenhänge der Ausgangsspannung und des Stromes aus der Silizium - Zelle mit den erwähnten Koordinatenachsen, bei denen die Helligkeit der Parameter ist. Wo z.B. die Helligkeit Io.1 Lux (Ix) beträgt,verursacht in einem Kreis, der in Fig. 1 B abgebildet ist und aus dem die Werte für die Kurven genommen werden, daß ein Ansteigen des Widerstandswertes seines Widerstandes r das Ansteigen des Wertes in einem Voltmeter V verursacht,' das parallel an beiden Enden des Widerstandes angelegt ist, zeigt aber eine zunehmende Verringerung des Stromes, der in dem Amperemeter A fliesst. Wenn aber der Widerstand einen gewissen Wert überschreitet, steigt die Spannung nicht sehr stark an,

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nur nimmt der Strom rapide ab und, wenn der Widerstandswert des Widerstandes r unendlich wird, wird die Spannung etwa 120 mV. In diesem Fall ist die Spannung als Spannung eines offenen Kreises zu bezeichnen und wird mit V bezeichnet. Man sieht aus der Darstellung, daß.·. die Spannung des offenen Kreises dem logarithmischen Wert des Lichtes proportional ist.

Andererseits verursacht eine Verringerung des Widerstandswertes des Widerstandes r ein Absinken der Spannung und ein Ansteigen des Stromes. Wird aber der Widerstandswert geringer als ein gewisser Wert ist, dann nähert sich der Wert des Stromes allmählich einer Konstanten. Die (irösse des Stromes (auf der Ordinate) bei einem Widerstandswert des Widerstandes r von null, bei dem die Spannung auf null reduziert wird, wird Kurzschlußstrom genannt und ist mit I bezeichnet. Dieser Kurzschlußstrom ist völlig proportional dem eingefallenen Licht.

Die Charakteristika auf der rechten Seite der Ordinate sind für den Fall dargestellt, daß eine Spannung in Serie auf die Si-Zelle von aussen aufgegeben wird. Mit einem Ansteigen der äusseren Spannung steigt der Strom eine Kleinigkeit an, was aber darauf beruht, daß ein Kriechstrom I aus der Siliziumzelle zu dem Kurzschlußstroin I ■ hinzukommt und daß der Kriechstrom I mit dem Ansteigen der äusseren Spannung wächst.

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Die Kurve, der Charakteristik ändert sich mit der Temperatur und beispielsweise im Fall von. 1 Lux ändert sich die Charakteristik der Kurve mit einer Temperaturerhöhung, wie mit einer gebrochenen Linie angezeigt, denn die Spannung V des offenen Kreises sinkt ab und die Kurzschlußspannung I , erfährt keine wesentliche Änderung, während der Kriechstrom I merkbar ansteigt.

Es ergibt sich also, daß bei Verwendung einer Si-Zelle bei geringer Beleuchtung mit weniger Temperaturfehlern es wünschenswert ist, daß man den Ausgangsstrom mit dem Kurzschlußstrom I , möglichst:gleichhält. Dazu kommt, daß die Verwendung der Zelle bei solchen Gegebenheiten wünschenswert ist, um ihre Eeaktionsfähigkeit auf das Licht auszunützen, wie aus dem Folgenden sichtbar wird.

Figur 2 ist die diagrammatische Darstellung eines Kreises, der den Charakteristika der Si-Zelle equivalent ist. Mit P ist eine Wirkungsweise dargestellt, die eine Quelle konstanten Stromes vorsieht, von der ein Strom geliefert wird, der der Beleuchtungsstärke gleicht ist, die von der Si-Zelle empfangen wird und dieser Strom ist gleich dem Kurzschlußstrom I

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Mit Q ist eine Diode bezeichnet, die für eine PN Junktion der Si-Zelle charakteristisch ist und die identisch mit der gebräuchlicher Dioden ist. Die Beziehung Ton Strom und Spannung sind mit der folgenden Gleichung ausgedrückt:

I = A ( 7*- 1 )

worin A"eine Konstante. K eine ßoltzmann Konstante,

I ein Strom, T eine absolute Temperatur, V eine Spannung

und q eine elektronische Ladung sind.

Deshalb strömt' im Falle der Spannung V eines offenen Kreises fast der gesamte Strom, der τοη P erzeugt wird_t_

nach q_f so daß die Beziehung zwischen V und I ^.mit der folgenden Formel ausgedrückt wird: . -

q QP

¹Sh - ^A <

Kit R ist ein Widerstand bezeichnet, der durch einen Strom gewandelt wird, der in der Oberfläche/si-Zelle fliesst und der einen sehr großen Wert hat.

C ist eine Kondensatorkomponente in der Pii-Junkt ionsebene in der Si-Zelle, die normalerweise einen Wert τοη Tausenden τοη PF hat. Die Kondensatorkomponente C bewirkt die Verzögerung des Ansprechens der Si-Zelle und wird nachteilhaft, wenn die Si-Zelle in einem elektronischen Verschlußkreis verwendet wird. Insbesondere, wenn die Si-Zelle unter den

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Gegebenheiten der Spannung V des offenen Kreises Verwendung findet, strömt der Strom, der von P durch das einfallende Licht erzeugt wird, nach Q, und auch nach C, um dort aufzuladen. Infolgedessen erreicht die Ausgangsspannung nicht unmittelbar die Spannung V des offenen Kreises und, wo das einfallende Licht von-schwacher Leuchtkraft ist, wird diese Tendenz besonders verstärkt und wenn bei der.Verzögerung die Ausgangsspannung gleich der Spannung V des offenen Kreises wird, dann ist sie grosser als die beim Ansprechen des fotoleitenden Elementes. ■ .

Das gilt auch für den Kriechstrom I , und C ist eine vorausgehende Aufladung mit entgegengesetzter Polarität wegen der Anwendung dor äusseren Spannung. Deshalb wird, auch wenn P den Kurzschlußstrom I , aufgrund des einfallenden Lichtes erzeugt, für eine gewisse Weile ein Ausgangsstrom erzeugt, bis die Entladung von C endet, so daß das Ansprechen extrem verzögert' wird. Je kleiner also die Auεgangsspannung der Si-Zelle ist und die äussere darauf aufgedrückte Spannung ist, desto besser wird das Ansprechen auf die Beleuchtung»

Hieraus ergibt sich also, daß wenn die Si-Zelle'als lichtempfangendes Element in der EE-Kamera verwendet wird, es äuGserst erwünscht ist, die Spannung &ber die Si-Zelle gering zu halten, niedriger als 1/10 bis 1/20 der Spannung V , das offenen Kreises für die geringste Belichtung, die

gemessen v/erden muß, und sie gleich dem Kurzschlußstrom I ,

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zu machen, daß der Temperaturfehler Terringert wird, die Messung schwacher Lichtstärke ermöglicht wird und ein rapides Ansprechen auf die Belichtung sichergestellt wird. In Felle aber, daß das einfallende Licht geringe Leuchtkraft hat und die Temperatur hoch ist, ist auch die Spannung V des offenen Kreises sehr niedrig, so daß ein Verstärkerkreis von ausgezeichneter Y/irksamkeit erforderlich wird.

Anhand der Figuren 3 Ms 5 werden bekannte Verstärkerkreise beschrieben (beispielsweise solche nach dem US-Patent 3 570 381, 3 626 825 und nach der Zeitschrift Electronics, 38: 22 S. 66 und 35: 35 S. 48 bis 51), die die folgenden Nachteile haben.

In Allgemeinen ist es so, daß bei elektronischen Verschlüssen einer EE-Kamera, die fotoleitende Elemente als lichtaufnehmende Teile verwenden, beim Öffnen des Verschlusses durch einen Verschliilösevorgang zwecks Beginnes der Belichtung .das lichtempfangende Element eine Kondensator entsprechend der Belichtung mit einem Fotostrom auflädt, in welchen das empfangene Licht umgewandelt worden ist, und dass, wenn die Ladespannung einen vorbestimmten Wert erreicht, ein Triggerkreis in Tätigkeit tritt und ein lieiais betätigt, um den Verschluß zu schliessen , damit eine korrekte Belichtung erzielt wird. Die Schaltung mit einer Si-ZeIle für diesen Vorgang ist so, wie sie j.n Fi(JUr 3 dargestellt wird, wo eine Batterie 31 mit einer Si-Ze]Ie 33 parallel geschaltet ist/ die zusammen mit einem Kondensator 34 eine Serienschaltung bilden,

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in der ä&r Kondensator mit einem Foto-strom aufgeladen, * der in der Si-Zelle 33 umgewandelt worden ist* Mit 35 ist ein. Zeitgeberschalier für die Entladung gekennzeichnet, der mit dem Kondensator 34 parallel verbunden ist» 32 ist ein voränderbarer Widerstand, mit dem die Schwelle des jJriggerkreises 36 festgesetzt wird, der die Spannung aus dem Kondensator 34 erhält. 37 ist ein Beiais, das mit der leistung aus dem üriggerkreis 37 in Tätigkeit gesetzt wird».

Kit 39 und 38 werden als Stromquelle eine Batterie und ein BatterieschaIter bezeichnet. In einer Schaltung dieser bauart ist es schwierig* die Schwelle des triggers niedriger als auf 300 mV mit dem veränderlichen Widerstand festzulegen, so daß die Spannung des Kondensators 34 gleichfalls höher sein muß als 300 mV und daß die Batterie 31 ebenfalls mehr als 300 mV Spannung haben muß. Dadurch wird die Charakteristik der Si-Zelle 33 so, wie mit der gebrochenen Linie A in Figur 1 A angezeigt, und wo die Helligkeit eines Objektes, das fotographiert werden soll, gering ist, wächst ein Fehler an und wird der 'Aus- ' _b-ongsstrom nicht proportional der Helligkeit des anfallenden Lichtes* Auch wird in Fig. 2 der Kondensator C der Si-Zelle mit entgegengesetzter Polarität aufgeladen, so daß das Ansprechen auf das Licht extrem langsam ist und praktisch nicht brauchbar ist.

Die Schaltung nach Figur,.4 ist so aufgebaut, daß der Ausgangsstrom aus einer Si-Zelle 43 qioh dem Kurzschlußstrom

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I , annähern kann, so daß die Mängel der Schaltung nach Figur 3 verringert werden.

In Fig» 4 sind Widerstände für die Aufgabe einer Stützspannung auf einen Transistor 50 mit 41 und 42 bezeichnet. Die Si-Zelle 43 und ein Kondensator 44 sind mit dem ßuitter und dera Kollektor des Transistors 50 verbunden, ein Üleitgeberschalter 48 liegt parallel mit dem Kondensator 44 und eine Spannung über den Kondensator 44 wird auf einen-Trigger« kreis aufgegeben. In der so angeordneten Schaltung wird eine Spannung, die auf die Si-Zelle 43 aufgebracht wird, durch die gebrochene Linie ß in Fig. 1 A angezeigt. Der trrund für die Ueigung der gebrochenen Linie B in Sichtung auf die Koordinatenachse ist darin zu sehen, daß die Basis-Eiaitter-Spannung des Transistors 50 mit dem Strom veränderlich ist. Deshalb ist bei einer gewissen Helligkeit die Übereinstimmung des Ausgangsstromes mit dem Kurzschlußstrom I , möglich, für andere Helligkeiten aber unmöglich.

i.ctürlich kann die gebrochene Linie B parallel verschoben * werden, indem man die Stützspannung des Transistors 50 entsprechend der Helligkeit ändert, jedoch mag man die Unterstützung ändern, der Meßbereich kann nicht ausgeweitet worden. Wo die Belichtung gering ist, weicht der Ausgangsstrom sehr stark von dem Kurzschlußstrom I ^ ab und der

sh

Fotostrom wird gering, so daß das Ansprechen auf Licht aufgrund des grossen Einflusses der Kondensatorkomponente C der Si-Zelle herabgesetzt wird.

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In Figur 5 ist' eine sogenannte Miller-Schaltung dargestellt, die eine Verbesserung gegenüber der Schaltung nach Fig. 4 bedeutet und in der die Widerstände 61 und 62 dazu vorgesehen sind, eine Stützspannung über die Si-Zelle 63 aufzubringen.. Mit 64 ist ein Fotostrom 'bezeichnet, der einen Kondensator auflädt, der parallel mit einem Zeitgeberschalter 65 geschaltet ist,

70 ist ein Verstärkerkreis zum Verstärken der Spannung · über die Si-Zelle 63 und 72 eine Ausgangsklemme des Verstärkerkreises 70.

Die Schaltung ist so ausgelegt, daß wenn Licht auf die Si-Zelle 63 fällt, die Spannung darüber vergrössert wird, und eine Spannung an der Ausgangsklemme 72 des Verstärkreises 70 abfällt» Mit 71 ist ein ein.Iiullpotential justierender Widerstand in dem Verstärkerkreis 70 bezeichnet, der mit beiden Enden an den Klemmen 68 und 69 liegt.

In den so aufgebauten Schaltkreis wird zuvor der justierende Widerstand 71 so eingeregelt, daß wenn kein Licht in die Si-Zelle 63 einfällt und die Spannung zwischen den Klemmen 68 und 69 null ist, die Spannung an der Ausgangsklemme 72 gleich der Stützspannung der Si-Zelle 63 ist,"d.h. gleich der Spannung an der Klemme 68.

Fällt Licht auf die Si-Zelle 63 und erzeugt eine Spannung, dann wird die Klemme 69 gegenüber der Klemme 68 positiv.

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Diese Spannung wird von dem Verstärker 70 verstärkt und verringert die Spannung an der Ausgangsklemme 72 . Die verringerte Spannung wird durch den Kondensator 64 an die Klenne 69 abgegeben und verringert die Spannung an der Klemme 69. Es ergibt sich infolgedessen keinerlei Änderung in der Spannung zwischen den Klemmen 68 und 69 und der Fotostrom kann den Kondensator 64 beim Öffnen des Zeitschalters 65 aufladen. Ist der Verstärkungsfaktor des Verstärkerkreises 70 einigermaßen groß, dann wird die Veränderung der Spannung an der Klemme 69 1/ß im Vergleich mit der an der Ausgangsklemme 72 wegen der Ladespannung des Kondensators 64, und die Spannung über die Si-Zelle kann beachtlich niedrig gehalten werden, wie dies durch die gebrochene Linie C in Fig. 1 A angedeutet wird und die gebrochene Linie c kann dicht an die Ordinate herange^rückt werden, so daß der Fotostrom integriert werden kann, indem er nahe an dem Kurzschlußstrom I , gehalten wird.

Doch wird hierzu ein Verstärkerkreis verlangt, der von ausgezeichneter Vollkommenheit und von grosser Stabilität ist, und der entsprechend teuer ist. Im Allgemeinen ergeben Verstärkerkreise mit grossem Verstärkungsfaktor unregelmässige Ausgänge, auch in Fällen, wo kein Eingang angelegt wird. Dies ist darauf zurückzuführen, daß ein unbeständiger Ausgang aus einem Element für eine Verstärkeraktion der ersten Stufe, z.B. einen Transistor, durch einen darauffolgenden Verstärkerkreis erweitert wird und unstabilen Ausgang ergibt. Der Wert, den man durch die

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Teilung der Veränderung in der Ausgangs spannung bei dem Yergrösserungsfaktor β erhält, wird mit Verschiebung der Umwandlung eines Einganges "bezeichnet, welche Umwandlung einen Wert hat, der darstellt, welche Änderung auf der Eingangsseite erforderlich ist, um den Ausgang konstant zu ■ halten. Deshalb zeigt dieser ümwandlungswert einen Wechsel im Eingang, der erforderlich ist, um einen konstanten Aus- gang zu erreichen.

Deshalb kann theoretisch die Spannungsaufgabe auf, die Si-Zelle auch.nicht weiter reduziert werden als der obige

Figur 6 stellt graphisch die Beziehung zwischen der Q.:..;* Verschiebung (Drift) und der Frequenz dar, die dir.;.'. Periode des Wechsels im Eingang verwandelt worden ist.. Natürlich ändert sich diese Beziehung mit der Stützungsbedingung des Kreises und des verwendeten Verstärkerelementes, aber im Allgemeinen wächst die Verschiebung (Drift) genau im Verhältnis mit der Periode der Eingangsveränderung bei niedrigen Frequenzen an und nähert sich einem konstanten Wert, wenn die Frequenz höher wird. Dieser konstante Wert ist von einer Kleinheit, die etwa geringer als einige Dutzend Millivolt ist, aber wenn die Si-Zelle in einer Kamera verwendet wird, dann hat die Kamera mehrere Jahre Lebensdauer, so daß die Periode der .£) ' ./.-£ in dsr Schaltung nach Fig. 5 so groß ist, wie die Lebensdauer der Kamera.

x) Mullpunktverschiebung * ...-·..

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Ist die proportionale Beziehung zu der Periode bei geringen Frequenzen in der Darstellung nach Fig. 6 so ausgedehnt.wie dargestellt, dann wird die Nullpunkt-Verschiebung für mehrere Jahre besonders groß.

Deshalb ist es in der Praxis so, daß auch, wenn durch den veränderlichen Widerstand 71 eine Justierung durchgeführt wird, um die Klemmen 72 und 68 auf gleiches Potensial zu bringen, während die Klemmen 68 und 69 kurzgeschlossen bleiben, in der Schaltung nach Fig.5 das Potential an der Ausgangsklemme 72, d.h. an der Klei- -me 69 sich relativ zu dem an der Klemme 68 mit dem Fortgang der Zeit ,um den Wert der Verschiebung ändert, der der Periode von mehreren Jahren in Fig. 6 entspricht. Als Folge davon wird die auf die Si-Zelle 63 aufgegebene Spannung von Null aus geändert.

Wird dieser Wert groß, dann wird der Fehler auf der Seite der geringen Belichtung vergrössert, wie zuvor beschrieben*. Zusätzlich zu der Verschiebung des Nullpunkts mit dem Dahingehen der Zeit ereignet sich eine TemperaturverSchiebung bei einem Temperaturwechsel und auch eine wegen des Wechsels der Stärk der Stromquelle. Deshalb ist es erforderlich, daß in einem solchen Verstärkerkreis nach der Schaltung von Fig. 5 nicht nur viele Kondensationskreise vorgesehen werden, sondern daß auch die Charakteriistika der Verstärkeid emente, die verwendet werden, sorgfältig ausgewählt werden, so daß die Schaltung unvermeidlicherweise eine erhebliche Ausdehnung erhält und der Nullpunkt muß in

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Zwischenräumen von mehreren oder einigen Dutzend Tagen immer wieder rejustiert werden.

Deshalb wird der Verstärkerkreis mit der Si-Zelle als lichtempfangendem Element für eine EE-Kamera -nicht verwendet und die Si-Zelle vrird nur bei solchen Schaltungen

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verwendet, wie sie in den Figuren 3, 4 und 5 dargestellt sind und nur dann, wenn die zu fotographierende Szene ausreichend hell ist.

Ferner ist in einer integrierenden Schaltung, in der die fotovoltaisch^ Zelle und ein Kondensator in Serie liegen, der Ausgang aus der fotovolia.ischen Zelle gering, der < integrierende Strom ist klein und dazu ist die Eingangsimpedanz eines Schaltkreises gering verglichen mit dem integrierenden Stromi Deshalb wird der Ausgangsstrom aus der fot.ovoltaisehen Zelle nicht auf .den intengrierenden Kondensator eines Verzögerungskreises gegeben, sondern strömt in den Schaltkreis mit dem Ergebnis, daß ein Strom, der in den integrierenden Kondensator fliesst, extrem schwach ist und der Kreis nicht tätig wird oder unstabil wird.

Um dies zu vermeiden, ist ein Steuerkreis mit einem Feldeffekttransistor vorgeschlagen worden, der die Impedanz wandelt. Da aber die Charakteristika des Feldeffekttransistors sich mit der Umgebungstemperatur pder mit der Spannung der Stromquelle stark ändern, muß stets eine Korrektur in .Betracht gezogen werden und ein Steuerkreis dieser Art

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praktisch nicht verwendet werden.

Auch ist schon in Betracht gezogen worden, zwei Feldeffekttransistoren mit gleichen Charakteristika zu verwenden, so daß die Veränderung in den Charisteris.t-ika aufgrund der Temperatur oder der Spannungsänderung korrigiert werden, aber es ist schwierig, Feldeffekttransistoren mit gleichen Charakteristika zu bekommen und es ist notwendig, sie aus einer großen Zahl von Feldeffekttransistoren herauszusuchen. Dazu ist die Wahrscheinlichkeit, daß man Feldeffekttransistoren mit gleichen Charakteristika findet, gering. Somit ist auch dieses Vorgehen für die Massenproduktion ungeeignet und vergrössert nur die Herstellungskosten.

Mit Bezug auf Fig. 7 wird jetzt eine bekannte Schaltung zum Steuern der Verschlußgeschwindigkeit eines elektrischen Verschlusses geschildert, der eine fotovoltaisch Zelle als lichtaufnehmendes Element verwendet. Eine Fotodiode oder eine entsprechende fotovoltaische Zelle D- und ein Kondensator C. stellen eine Integrierschaltung dar, und ein •TriggerschaIter S₁ wird parallel mit dem integrierenden Kondensator gelegt, um ihn kurz zu schliessen.

Die Verbindungsstelle der fotovotaischen Zelle D-. und des integrierenden Kondensators C- wird mit einem Feldeffekttransistor Tn zwecks Impedanzverwandlung verbunden und der Ausgang aus dem Feldeffekt trass is tor Tg wird auf einen Eingang eines bekannten Schalterkreises B gegeben. Der andere Eingang des Schalterkreises B ist an den Ausgang

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eines anderen Feldeffekttransistors Tg der gleichen Charakteristik wie der von Tg. gelegt, so daß die Temperatur und Spannungsänderungen des Feldeffekttransistors Tg korrigiert werden. Das Tor des Feldeffekttransistors Tq wird mit einem veränderlichen Widerstand R verbunden, um die Öffnung des Objektives oder dergleichen einzustellen.

Bei dieser Konstruktion ist es notwendig, daß die Charakteristika der beiden Feldeffekttransistoren sehr genau übereinstimmen, dies ist aber?ausserordentlich schwierig, wie zuvor dargelegt.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, obenbeschriebene Unlänglichkeiten des Standes der Technik zu"begegnen. Insbesondere ist mit der Erfindung die Aufgabe gelöst, die das Licht bestimmende Schaltung mit einem fotometrischen Stromkreis auszugestalten, der einen fotoelektrischen Strom erzeugt, welcher die Summe des Lichtes so integriert, daß die Lichtmessung auch bei sehr niedrigen Beleuchtungsstärken möglich ist und daß die Verzögerung beim Ansprechen auf die Beleuchtung verringert wird.

Allgemein besteht die Erfindung in einer elektrischen Steuerschaltung mit einer fotovoltaischen Zelle als lichtaufnehmendem Element und einem Feldeffekttransistor zur Verhinderung der Strömung ihres Ausganges in einen Schalterkreis, weil der Ausgang klein ist und ciie auch in der Lage ist, die Verschlußgeschwindigkeit eines elektrischen Verschlusses oder eines Blitzlichtes über der Zeit

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korrekt zu steuern, ohne daß ein Fehler aufgrund einer . Änderung der Charakteristika des Feldeffekttransistors durch Änderung der Temperatur oder der Spannung eintritt.

Nach der Erfindung werden zwei Schaltungen Torgeschlagen, die einander in dem Aufbau und der Wirkungsweise weitgehend gleich sind, ßei einer Schaltung für einen ßelichtungsmesser, mit der das in dem Belichtungsmesser einfallende Licht integruert wird, mit einem Hauptstromkreis aus einer fotovoltaischen Zelle, einem Kondensator und einem Zeitgeberschalter für die Integration sowie mit einem Triggerschalter besteht die Erfindung darin» daß die fotoToltaische Zelle, der Kondensator und der Zeitgeberschalter parallel geschaltet sind und daß, wenn die Spannung in den HauptStromkreis innerhalb des Bereiches einer Spannung, die mit einem Ladestrom aufgeladen wird, der einen Kurzschlußstrom in der fotoroltaischen Zelle gleich ist, eine vorbestimmte Grosse erreicht hat, der Triggerstromkreis erregt wird, so daß die Charakteristik der Zeitdauer des Ausgangsstromes der Helligkeit des Lichtes, das in die fotovoltaische Zelle einfällt, umgekehrt proportional ist.

ßei einer Schaltung für einen Belichtungsmesser, mit der das in den ßelichtungsmesser einfallende Licht integriert wird, mit einer Fotozelle, einem Kondensator, der den Ausgangsstrom aus der Fotozelle integruert und einem Verstärker, ' ■- -

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der die Ladespannung des Kondensators verstärkt, ist die Erfindung gekennzeichnet durch einen Zeitkonstanten-Stromkreis zum Absorbieren einer Langzeitnullpunkt-Verschiebung des Verstärkers.

Im zweiten Falle der Schaltung mit einer fotovoltaischen Zelle, einem Integrierkondensator und einem Zeitgeberschalter für den Beginn der Integration, die in einem Hauptkreis parallel liegen, verstärkt der Verstärker die Spannung in dem Hauptkreis. Hach der erstgenannten . Erfindungsidee kennzeichnet sich die Schaltung durch eine fotovoltäische Zelle, in die das Licht einfällt, einen Entladeschalter und einen Integrierkondensator für den Fotostrom,die miteinander parallel geschaltet sind, einen Feldeffekttransistor zur Umwandlung der Spannung des Integrierkondensators, einen Kondensator zum Absorbieren der Nullpunktverschiebung einer langen Periode vor einer Fotoaufnahme, einen Hauptverstärkerkreis zur Verstärkung der Änderung der Leistung, die der Feldeffekttransistor abgibt, nachdem der Entladeschalter im Zusammenhang mit dem Verschlußlösevorgang geöffnet wird, einen von dem Ausgang des Hauptverstärkerkreises gesteuerten Schalterkreis und einen von dem AusgangedesSchalterkreises gesteuerten Elektromagneten.

Insbesondere zeichnet sich die Erfindung durch das Folgende aus.Ein Integrierkondensator ist unmittelbar parallel mit der Si-Zelle verbunden und die Kapazitanz, die aus der zuvor erwähnten Kondensatorkomponente C der Si-Zelle und

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der des integrierenden Kondensators zusammengesetzt ist,, wird als integrierender Kondensator benutzt, um die Verzögerung beim Ansprechen auf das einfallende Licht zu vermeiden, die von der Kondensatorkompenente C der Si-Zelle verursacht wird und dadurch daß die Spannung, die auf die Zelle aufgegeben wird, d.h. die Ladespannung des integrierenden Kondensators zu 1/10 der Spannung V des offenen Kreises an der unteren Grenze der Belichtung in den fotometrischen Bereich gewählt wird und daß die elektrische Grosse, die zu diesem Wert aufgeladen wird, als der Betrag des integrierten Lichtes verwendet wird, wodurch der Tatsache Rechnung getragen wird, daßvder Ladestrom von 1/10 der Ladespannung V bei dieser Beleuchtung der Kurzschlußstrom I , ist.

Es ist zum Beispiel im Falle der Lichtmessung bei einer Beleuchtungsstärke von O.OILux die Spannung V des offenen Kreises gleich 100 mV, wie in Figur 1 A gezeigt wird und-1/10 dieser Spannung ist 10 mV, so daß, wenn der Wert, der erhalten wird, wenn der Ladestrom 10 mV erreicht hat, als die Integrationssumme für die Belichtungsmessung,betrachtet wird, der Ladestrom zu dieser Zeit 0,01 A ist.

Ferner wird seine Nullpunkt-Verschiebungsspannung durch die Periode· der Integration beeinflusst und die Verschiebung der Periode von mehreren Jahren, muß, wie zuvor erwähnt, nicht in Rechnung gestellt werden. Wo beispielsweise die Integrierzeit eine Sekunde beträgt, kommt nur eine Verschiebung der Periode von einer Sekunde in Betracht,

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und ihr Wert ist sehr klein und dient dazu, eine Licht- , messung in einen sehr niedrigen Belichtungsbereich zu . ermöglichen.

In Fig. 8 sieht man die grundsätzliche Verbindung einer fotometrischen Schaltung nach dieser Erfindung, in der ein integrierender Kondensator 81, eine -Si-Zelle 82 und ein Zeitgeberschalter 83 parallel miteinander verbunden sind. Solange der Zeitgeberschalter 83 geschlossen ist, sind die Spannungen über dem Kondensator 81 und die Si-Zelle 82 gleich null, bei welcher Bedingung, wenn Licht in die Si-Zelle 82 einfällt, der Kurzschlußstrom I , durch den Schalter 83 schliesst. Beim Öffnen des Schalters 83 beginnt der Ausgangsstrom aus der Si-Zelle 82 den integrierenden Kondensator 81 und die iCondensatorkomponete C der Si-Zelle 82 aufzuladen und, bis die Ladespannung den Spannungswert 1/10 der Spannung des offenen Kreises des einfallenden Lichtes erreicht, wird der Ausgangetrom aus der Si-Zelle 82 dem Kurzschlußstrom I , völlig gleich und verhindert eine Ladecharakteristik konstanten Stromes.

Wenn aber die Ladung die Spannung V /10 überschreitet, verringert sieh der Ausgangsstrom aus der Si-Zelle 82, wie zuvor beschrieben, so daß die allmählich aufgeladene Spannung die Spannung V des offenen Kreises erreicht.' Dies ist in Figur 9 dargestellt. Das Aufladen bis zu der Spannung V /-»q bedeutet nämlich ein Aufladen mit konstantem Strom, und verhindert eine linegare Charakteristik.

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In diesem Falle ist das Ansprechen auf die Belichtung abhängig von der Zeit der Erzeugung des Kurzschlußstromes I ι aufgrund des einfallenden Lichtes und

^s -9 -8 dauert daher 10 bis 10 see, und das Ansprechen ist sehr schnell. Dies ist bedeutend kürzer als die Ansprechzeit 10"' offenen Kreises.

-2 2 Ansprechzeit 10 bis 10 see mit der Spannung des

Wird daher bei dem Aufbau nach Fig. 8 die 1/10 Spannung der Spannung V des offenen Kreises, wenn im untersten Grenzbereich der Helligkeit gemessen wird, als Schaltspannung für den Triggerkreis genommen, der mit den Klemmen 84 und 85 in der Figur verbunden ist, dann ist es möglich, einen fotometrischen Kreis zu erhalten, dessen

-Q -8

Ansprechen auf das Licht 10 bis 10 see über einen

Bereich beträgt, der von starker Beleuchtung bis zu der erwähnten unteren Grenze der geringen Beleuchtung ist, und dessen Ifullpunkt-Verschiebung eine Periode hat, die innerhalb der Integrierzeit liegt.

Ferner ist die Erfindung auf einen elektrischen Verschluß gerichtet, der wie folgt gebaut ist. Um nämlich einen Verzug im Ansprechen auf das Licht, der durch die Kondensatorkomponente C der Si-Zelle verursacht wird und um den Ausgangsstrom aus der Si-Zelle an den Kurzschlußstrom I . bei geringer Beleuchtungsstärke durch Verkleinern der Spannung, die an die Si-Zelle angelegt wird, anzunähern, wird die Kapazitanz des Integrierkondensators groß*gewählt

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und wird die Spannung des Integrierskondensators bei , einer Nullpunktverschiebungsspannung eines Verstärkerkreises gehalten, die der Frequenz entspricht, deren Periode langer ist als die längste Verschlußperiode, z.B. etwa 1 Sekunde, d.h. eine Nullpunktverschiebungsspannung von mehreren 100 Millivolt* die der Periode von 1 Sekunde in,Fig. 6 entsprechen. Bei der Verstärkung dieser winzigen Spannung wird ein Nullpunktverschiebungssignal von langer Periode in Fig. 6 in deni zuvor erwähnten Kondensator gehalten und seine Spannung wird nicht auf den Verstärkerkreis aufgegeben und dieses Nullpunkt-Verschiebungssignal wird auf den Verstärkerkreis als Signal aufgegeben, das eine Nullpunktverschiebung der Betätigungsperiode des Verschlusses anschliesst»

Der Integrierkondensator ist mit dem ferstärkerkreis gekoppelt, durch den das Nullpunktverschiebungssignal innerhalb des Bereichs einer kleinen lullpiinktverschiebung benutzt wird. Für ein Nullpunkt-Verschiebungssignal einer langen Periode wird eine Schaltung zur -automatischen Korrektur vorgesehen und der Korrekturkreis wird von dem Verstärkerkreis unmittelbar vor der Betätigung des Verschlusses getrennt. Zugleich wird unmittelbar vor dieser Betätigung die Grosse der Korrektur in einem Kondensator festgehalten und die Nullpunktverschiebung einer kurzen Periode für die Verschlußbetätigung, d.h. eine Periode für die Signalgabe, wird sehr wenig verringert und die winzige Spannung des Integrierkondensators wird von

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dem Verstärkerkreis verstärkt. In der Zeiohnung wird durch die verschiedenen Abbildungen die Erfindung und zusammen damit auch der Stand der Technik illustriert. Es sind:

Figur 1 A die graphische Darstellung in der

Beziehung der Ausgangsspannung einer Si-Zelle und einer ihr aufgedrückten Aussenspannung zum logarithmischen Wert eines Ausgangsstromes der Zelle,

Figur 1 B das Diagramm einer Schaltung, woraus man diese Beziehung erhält, für den Fall, daß keine Aussenspannung auf die Si-Zelle aufgedrückt wird,

Figur 1 C das Diagramm einer Schaltung, woraus man diese Beziehung erhält, für den Fall, daß die Aussenspannung geändert wird,

Figur 3,

und 5 herkömmliche Verstärkerkreise für die

fotovoltaische Zelle,

Figur 6 die graphische Darstellung der Beziehung zwischen der Grosse und der Periode der Nullfehler-Verschiebung in dem Verstärkerkreis,

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²⁵ -226035Λ-

Figur 7 eine Schaltung als Beispiel einer bekannten elektrischen Steuerschaltung mit einer fotovoltäischen Zelle,

Figur 8 eine graphische Darstellung der Grundkonzeption der Erfindung,

Figur 9 die graphische Darstellung der Ladespannung des integrierenden Kondensators nach Fig.8 über der Zeit,

Figur 10 .

bis 13 Schaltbilder von Ausführungsbeispielen der ■ Erfindung,

Figur 14 die Darstellung der Änderung des Verstärkungsfaktors über der Frequenz eines Eingangssignals in-der Schaltung nach Fig. 13,

Fig. 15 A das Schaltbild eines weiteren Ausführungsbeispiels und

Fig. 15 B,

C und ;·

D verschiedene Ausführungsformen des Ausführungsbeispiels nach Fig_e 15 A.

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Mit den Zeichnungen wird eine Beschreibung Ton Schaltbildern gegeben, die den grundsätzlichen Aufbau anwenden, der zuvor beschrieben worden ist.

Figur 10 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel dieser Erfindung, bei dem der Ausgang zwischen den Klemmen 84 und 85 in Fig. 8 direkt auf einen Triggerkreis 90 aufgegeben wird. Die Widerstände 96 und 97 sind dazu da, die Si-Zelle 92 zu stützen, und zur gleichen Zeit wird der Widerstand 96 als Potentiometer zum Einstellen der Trig- · gerschwelle des Triggerkreises 90 verwendet und der miderstandswerfr des Schiebers 98 an den Widerstand 96 wird zu 1/10 der Spannung V des offenen Kreises an der unteren Helligkeitsgrenze gewählt, das ist V /.«, Beim Öffnen eines Zeitgeberschalters 33 zu Beginn des Integrierens wird ein Kondensator 91 mit V -/-in des Ausgangsstromes I , aus der Si-Zelle 22 aufgeladen, und wenn die Ladung die obige Spannung erreicht hat, bewirkt der Yriggerkreis 90 einen Ausgang an seiner Ausgangsklemme 99, mit der es möglich wird, eine Zeit im umgekehrten Verhältnis zur Intensität des Lichtes zu erhalten, das in die Si-Zelle 92 im Augenblick des Öffnens des Zeitgeberschalters 93 einfällt. In diesem Fall ist es ideal, wenn die Impedanz zwischen den Klemmen 84 und 85 in Fig. 8 oder zwischen den Klemmen 94 und 95 in Fig. 9 zur Zeit des Öffnens des Zeitgeberschalters unbegrenzt ist,

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■■.·■■- 27 -

weil aber der Triggerkreis 90 in dem Beispiel nach Figur 10 üblicherweise von einem dipolaren Transistor gebildet wird, ist seine Eingangsimpedanz niedrig und wenn ein einfallendes licht von geringer Stärke ist, ist der Strom I , des Kurzschlußkreises sehr gering, so daß er den integrierenden Kondensator 91 nicht auflädt, sondern stattdessen in den iriggerkreis 90 s-fcrömt.

In Fig. 11 ist ein zweites Ausführungsbeispiel der.Erfindung dargestellt, das diesen Mangel nicht aufweist.

In Fig. 11 ist mit 116 ein Feldeffekttransistor bezeichnet, dessen Toreingangsimpedanz wie bekannt sehr hoch ist und eine Klemme 114, die der Klemme 184 in Fig. 8 entspricht, ist mit dem Tor des Transistors 116 verbunden. 117 ist eine Quelle konstanten Stromes₉ die mit dem Abgang (drain) des Feldeffekttransistors 116 verbunden ist, wo stets ein konstanter Strom i gtreat_s so äaB ©in Impedanzumwandlungskreis besteht.

Eine fluktuierende Spannung am Tor des Feldeffekttransistors 116 dient nämlich, wie sie ist, als Stromquellenspannung für den Transistor. Parallel zu den Klemmen 114 und 115 liegt eine Si-Zelle 112, ein integrierender Kondensator 111 und ein Zeitgebersöhalter 113 wie bei?, dem ersten Ausführungsbeispiel.Potentiometer 118 und 119 sind zum Festsetzen der Schwelle des .Triggerkreises 120 eingestellt und sie sind gleichzeitig auf 1/10 der Spannung V

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an der unteren ü-renze der Helligkeit eingestellt, d.h. auf V /-Q wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel.

Bei dem zweiten Ausführungsbeispiel verhindert die Ausbildung des Impedanzwandlungskreises aus dem Feldeffekttransistor 116 und der Quelle 117 konstanten Stromes, daß der Ausgangsstrom aus der Zelle 112 zur Zeit der schwachen Helligkeit in den^Triggerkreis 120 strömt, ohne daß ein integrierender Kondensator 111 aufgeladen wird.

Eine dritte Ausführungsform der Erfindung (Fig. 12) gewährleistet den Ausgang mit einer Frequenz, die der Helligkeit proportional ist, die die lichtempfangende Fläche der Si-Zelle empfängt. An die Stelle des Zeitgeberschalters aus Fig. 8 sind der Kollektor und de-r Emitter des Transistors 133 mit einer Si-Zelle 132 und einem integrierenden Kondensator 131'parallelgeschaltet, und die Basis des Transistors 133 ist mit dem Ausgang 143 eines Triggerkreises 140 verbunden. Die Transistoren 136 und 137 und die Widerstände 138 und 139 zeigen den klaren Aufbau der Quelle konstanten Stromes in der zweiten Ausführungsfonn nach Fig. 11 und stellen eine Quelle konstanten Stromes dar.

Fällt Licht auf die Si-Zelle 132, dann lädt der davon auabgehende Strom den integrierenden Kondensator 131 auf. Wenn

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die Ladespannung die Spannung V_οώ/-ιλ des ffriggerkreises erreicht hat, der durch die Potentiometer 141 und 142 eingestellt ist, dann wird der Triggerkreis 140 zur Abgabe eines Signals an seiner Ausgangsklemme 143 erregt. Mit dem Ausgangssignal ist der Transistor 133 rapide aktiviert und entlädt die in dem integrierenden Kondensator 131 aiigespeicherte Spannung bis auf Mull; zur gleichen Zeit verschwindet das Aus gangs signal an der Ausgangsklemme 143 des Triggerkreises 140 und macht den Transistor .133 inaktiv»

Durch die Wiederholung dieses Vorganges entsteht eine Rechteckwelle an der Ausgangsklemme 143 und eine Sägezähnwelle an der Eingangsklemme 135 des .Triggerkreises 140, welcher Ausgang eine Frequenz proportional der Helligkeit der lichtempfangenden Fläche der Si-Zelle hat. Mit 134 ist ein Feldeffekttransistor bezeichnet, der die gleiche Funktion ausübt» wie der, der bei dem zweiten Ausführungsbeispiel verwendet wird.

Ein fünftes Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in Fig. 13 dargestellt. Ein Bntladeschalter 151 für einen integrierenden Kondensator, der zusammen mit einer Si-Zelle 152 und einem integrierenden Kondensator 153 einen Kreis bildet, ist mit der Si-Zelle 152 parallel geschaltet*

154 ist ein Feldeffekt transistor zum Vergrößern der Spannung des integrierenden Kondensators 153» Sin Kreis,

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der aus einem Transistor 155, einem mit seinem Emitter verbundenen Widerstand 157, einem mit seiner Basis verbundenen Transistor 157, einem zwischen der Basis und dem Kollektor des Transistors 157 angeschlossenen Widerstand 158 und einem Widerstand 159 besteht, der zwischen seiner Basis und einem Hauptschalter 157 angeschlossen ist, der in Serie mit der positiven Seite einer Stromquelle 176 liegt, dient als Kreis mit konstantem Strom zur Aufgabe des konstanten Stromes auf die Quelle des Feldeffekttransistors 154.

Der integrierende Kondensator 153 parallel zu der Si-Zelle 152 liegt parallel mit der Kondensatorkomponente C, der in den äquivalenten Kreis der Si-Zelle in Fig. 2 gezeigt ist und die zusammengesetzte Kapazitanz übt die Integrierfunktion aus, wenn es auch möglich ist, sie ganz alleine mit der Kondensatorkomponente C durchzuführen.

Ein Transistor 160 dient der Verstärkung der Spannung der Quelle, die auf den Feldeffekttransistor 154 aufgegeben wird und der Transistor 160 erhält Unterstützung» die durch einen veränderlichen Widerstand, der mit seinem Emitter : verbunden ist, einen Widerstand 162, der damit in Serie liegt und einen Widerstand 165, der mit seinem Kollektor verbunden ist, eingestell1$*ind der Verstärkungsfaktor des Transistors 160 wird durch das Verhältnis der Widerstände seines Ennitiers und seines Kollektors bestimmt.

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Ein Kondensator 163, der mit dem Widerstand 162 parallel -geschaltet ist, bildet mit dem Letzteren zusammen einen Zeitkonstantenkreis, der so aufgebaut ist, daß wenn in den Emitter des Transistors 160 ein sich ändernder Strom" fliesst, die Spannung über den Emitter nicht unmittelbar proportional dem Strom wird, sondern sich über die Zeit des Ladens und Entladens des Kondensators 163 mit dem Widerstand 162 mit Verzögerung ändert.

Ein T_ransistor 171 dient der Verstärkung der Kollektorspannung des Transistors 160, und die Basis des vorgenannten Transistors ist mit dem Kollektor des nachgenannten Transistors verbunden. Eine Diode 166 parallel zu dem Widerstand 165 sorgt für die Kompensation der Temperatur. Ein Widerstand 167 und ein veränderlicher Widerstand 169, die mit dem Emitter des Transistors 171 Verbunden sind und ein Widerstand 164, der mit seinem Kollektor verbunden ist, sind Widerstände, die den Transistor 171 stützen.

Der Verstärkungsfaktor des Transistors 171 hängt von dem Verhältnis der Widerstandswerte an seiner Emitter- und an seiner Kollektorseite ab, wie es bei dem Transistor 16o der Fall ist. Ferner bildet ein Kondensator 168 zusammen mit dem Widerstand 167 einen Zeitkonstanten Kreis.

Die Triggerspannung eines Triggerkreises 173 wird mit den Widerstandswerten der Widerstände 170 und 172 festgesetzt. Der iriggerkreis 173 erhält von dem Transislor

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dessen Kollektorspannung, und sein Ausgang wird auf ein Relay: 174 gegeben, um die Verschlußtätigkeit in Gang zu setzen.

In der hier -beschriebenen Schaltung befinden sich der Schalter 151 und der Hauptschalter 175 zunächst in der geschlossenen Stellung. Beim Öffnen des Verschlusses mittels des nicht dargestellten Drückers wird der Schalter 151 geöffnet. Zu dieser Zeit wird ein Fotostrom, der dem einfallenden Licht entspricht, das von der Si-Zelle umgewandelt wird, die in einer Position ist, die der Belichtung der Filmoberfläche entspricht, auf den integrierenden Kondensator aufgeladen und diese aufgeladene Spannung wird durch den Feldeffekttransistor 154 in eine Impedanz umgewaöelt und alsdann von den Transistoren 160 und 171 zu einer Spannung vergrössert, die einen Spannungswechsel über den Widerstand 164 verursacht. Wird dieser Spannungswechsel gleich der Spannung, die durch die Widerstände 170 und 172 eingestellt ist, dann wird das Relay 174 betätigt und schliesst den Verschluß nach der gewünschten Belichtungsdauer.

Werden in dieser Verstärkerabteilung des Kreises mit dem Transistoren 160 und den abstützenden Widerständen 165, 161 und 162, wenn ihre Widerstände mit IL,-, R₁- und R.ρ angenommen werden und wenn der Strom der in dem Kreis fliesst, mit I angenommen wird und der Kondensator vernachlässigt wird, ist das Emitterpontential des

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Transistors 160 so, daß (R₁₁ + R₁?) * ■*% liegt und wenn die Spannung der Diode 166 mit V^ angenommen wird, wird das Kollektorpotehtial des Transistors 160 ein Potential, das von der positiven Seite her um V-jg + ILc χ Iq verringert ist.

Ändert sich die Basisspannung des Transistors 160 um AV und ändert sich öein Emitterstrom um A I . dann

o'

ändert sich (R₁₁ + ILp * Iq) in (B-- + Β-,ρ) ^x

Vernachlässigt man die Spannungsänclerung der Diode, weil sie sehr klein ist, dann ändert sich CV^g +.ILc χ I₀ in.B₁₅ χ ₀

Vernachlässigt man einen Spannungswechsel zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors 160, dann ist die Änderung seiner Emitterspannung'die bleiche wie die der Basisspannung, woraus sich ergibt:

+ B₁₂) c AI₀ = AV.

Deshalb wird der Verstärkungsfaktor H als Verhältnis zwischen den Änderungen in den Basis- und Kollektorspannungen ausgedrückt und wird infolgedessenσ

. -η

15

R-n + B-

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Dies zeigt, daß der Verstärkungsfaktor ü das Verhältnis zwischen den Widerständen auf der Emitterseite und der Kollektorseite ist, wie schon zuvor beschrieben.

Wo sich das Eingangssignal sehr langsam ändert, ist reichlich Zeit zum Aufladen des Kondensators 163 mit dem Strom I , so daß die Spannung des zeitkonstanten Kreises, die von dem Widerstand 162 und dem Kondensator 163 herrührt, nicht hinter dem Eingangssignal verzögert wird. Der Verstärkungsfaktor ist in diesem Fall wie folgt:

H ■

Wo das Eingangssignal sich rapide ändert, ist der Wechsel rapider als das Aufladen des Kondensators 163 mit dem Strom Iq, so daß die Spannung über dem Wider* stand 162 sich nicht mit der Änderung in der Basisspannung 160 ändert und der Verstärkungsfaktor M ist in diesem Falle wie folgt:

H 150 ° 15Q ^H15

Jj[ β — — ■ .ι— — — — -ρ IIiρ» S* ■»

AV B_{110 11}

Nimmt man den Widerstandswert R₁₂ des Widerstandes 162 in Toller Grosse und B₁₁ des Widerstandes 161 kleiner als B₁C des Widerstandes 167, dann ist es möglich,

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daß man folgende Verstärkungsfaktoren erhält:

- -¹

•p '

15 „• 1 (Verstärkungsfaktor im Falle einer •n . ρ β langsamen Signaländerung)

Xt- - *(* χι- λ

15 > 10 . (Verstärkungsfaktor im Falle einer

-- rapiden Signaländerung).

Das Gleiche gilt.für die Abstützung des Transistors 171.

Diese Beziehung, d.h. die Änderung.des Verstärkungsfaktors mit der Eingangssignalfrequenz ist in Fig. 14 dargestellt. Der Verstärkungsfaktor ist groß bei hohen Frequenzen und klein bei geringen Frequenzen, die Konstante wird^bestimmt durch den zeitkonstanten Kreis.

Deshalb wird in diesem Verstärkerkreis eine grosse liuilpunkt-Verschiebung der niedrigen Frequenz nicht immer verstärkt und nur eine kleine Nullpunktverschiebung einer hohen Frequenz wird verstärkt.

So kann man die Spannung des integrierenden Kondensators 153 in gleichem Grad heruntersetzen wie oSerp'urikts-eiischiebungsspannung der hohen Frequenz, und die Spannung, die

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auf die Si-Zelle 152 gegeben wird, kaniFüreniger als einige Hundertstel 'Spannung reduziert werden, die in den Kreis nach Fig. 5 gezeigt ist.

Mit Fig. 15 A wird eine Schaltung gezeigt, die ein fünftes Ausführungsbeispiel der Erfindung ist, und deren einzelne Elemente die gleichen Bezugszeichen tragen wie die entsprechenden Elemente in Fig. 13.

Wie im Falle des viertes Ausführungsbeispieles wird die Spannung des integrierenden Kondensators 153, der mit der Si-Zelle 152 parallel liegt, duroh den Feldeffekttransistor 154 in eine Impedanz umgewandelt und von den Transistoren 160 und 171 verstärkt, so daß man an der Klemme a des Kollektors des Transistors 171 einen Ausgang erhält. In diesem Falle ist jedoch kein Zeitkonstantenkreis mit den Emittern der- Transistoren 160 und 171 verbunden und nur die Widerstände 161 und sind jeweils damit verknüpft, so daß eine Nullpunkt-Verschiebung einer langen Periode und damit ein grosser Wert ebenfalls gleichförmig verstärkt wird und infolgedessen die Spannung an der Klemme a eine Änderung erleidet, die grosser ist als die Eingangsspannung.

In dem fünften Ausführungsbeispiel ist der Kollektor!.· des verstärkenden Transistors 171 mit einem Kondensator 178 von grosser Kapazitanz verbunden, der mit dem stützenden Widerstand 160 parallel geschaltet ist und

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in Serie mit einem Schalter 177 liegt, so daß ein Zeitkonstantenkreis zusammen mit dem Widerstand 164 gebildet ist. Der Verbindungspunkt des Kondensators 178 und des Schalters 177 ist mit dem Tor des Feldeffekttransistors 180 verbunden. ·

Infolgedessen erscheint eine NullpunktYerschiebung langer Periode als eine Änderung der Spannung an der Klemme a, aber diese Spannung wird auf den Kondensator 178 aufgeladen, und die Torspanmmg des Feldeffekttransistors 18 ist stets Null, ohne Rücksicht auf die Spannung an der Klemme a, und die lullpunktyerschiebung der langen Periode wird abgeschnitten. Ber Ausgang aus dem Feldeffekttransistor 180 wird in dem Triggerkreis 173 angegeben.

Wird der Verschluß geöffnet und öffnet die Schalter und 177, dann wird der Fotostrom aus der Si-Zelle auf den integrierenden Kondensator 153 aufgeladen und die aufgeladene Spannung wird durch die Verstärkungstransistoren 160 und 177 verstärkt_v was eine änderung der Spannung an der Klemme a und der lullpunktYerschiebung bewirkt. Im Augenblick, wo der Schalter 177 geöffnet wird, ist die Torspannung des Feldeffekttransistors 180 β lull und die Torspanmmg ändert sieh ebenfalls mit der Änderung der Spannung an der Klemme a, aber die Spannung des Kondensators 178 iadert sich, nicht wesentlich in der kurzen Zeit währenl der ¥®rs©hluß in. '

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Tätigkeit ist, so daß die Spannung an der Klemme a ' als Änderung der Torspannung des Feldeffekttransistors 180 a in Erscheinung tritt. Da die Zeit der Öffnung des Verschlusses sehr kurz ist, ist die Nullpunktverschiebung in diesem Fall sehr gering und die Spannung des integrierenden Kondensators 153 kann stark verringert werden wie im Falle des vierten Ausführungsbeispieles nach Fig. 13. Ein Widerstand 179 ist der Stützungswiderstand für den Feldeffekttransistor 180.

Das fünfte Ausführungsbeispiel nach Fig. 15 A unterscheidet sich von dem vierten Ausführungsbeispiel nach Fig. 13 dadurch, daß der Schalter 177 in den zeitkonstanten Kreis vorgesehen ist, der den Widerstand 164 und den Kondensator 178 enthält. Deshalb muß bei dem vierten Ausführungsbeispiel die Kapazitanz des Kondensators 168 zwecks Entladens während der Belichtung groß sein, aber in dem fünften Ausführungsbeispiel ist keine Möglichkeit dafür vorhanden, daß der Kondensator 178 durch Öffnen des Schalters 177 während der Belichtung entladen wird, so daß die Kapazitanz des Kondensators 178 nicht so groß sein muß. Als Folge davon wird in dem vorangegangenen Ausführungsbeispiel die Zeitkonstante des Zeitkonstantenkreises groß und ein beträchtlicher Teil der Zeit wirä verbraucht bis die Kullpunktversohiebung der langen Periode von dem Kondensator nach dem Fotografieren absorbiert ist, während bei dem letzten Ausführungsbeispiel die Nullpunktverschiebung der langen Periode von dem Kondensator

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des Hauptverstärkerkreises unmittelbar nach dem Fotografieren absorbiert wird.

Fig. 15 B zeigt den Teilkreis I, der in einer gebrochenen linie in Fig. 15 A eingeschlossen ist und der mit Faktoren für die Belichtung, beispielsweise der Film- — empfindlichkeit versehen wird, um den Vorgang durchzuführen. Parallel mit dem Schalter 177 des Zeitkonstantenkreises ist ein veränderlicher Widerstand 182 verbunden, mit dessen Hilfe die Spannungsänderung an der Klemme a geteilt wird und auf den Feldeffekttransistor 180 aufgegeben wird, was zu derselben Wirkung führt, wie die Änderung des Verstärkungsfaktors des Kreises in dem vierten Ausführungsbeispiel.

Fig. 15 C zeigt eine abgeänderte Form des Teilkreises II, der von strichpunktierten Linie in Fig. 15 A eingekreist ist, in welchem die Dioden 183 und 184 in Serie mit dem Kondensator 178 und dem Schalter 177 und parallel mit dem Widerstand 164 verbunden sind und die Dioden 183 und '184 mit der Stromquelle 176 in Serie mit einem Wi-' derstand 185 liegen, damit eine konstante Spannung der Klemme b des Verbindungspunktes, der die Dioden 183 und mit dem Widerstand 185 aufrechterhalten wird. Ein Widersband 187 ist der Stützwiderstand für einen Transistor 188, und der Transistor 188 erhält ■',. einen konstanten Strom, und seine Basis ist ÄiVeinem Kreis in der gleichen Beziehung verbunden wie im Falle der Basis des Transistors 155 nach Fig. 15 A (nicht dargestellt).

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Zwei Transistoren 186 und 187 bilden einen Differentialverstärkerkreis und Widerstände 190 und 191, die mit ihren Kollektoren verbunden sind, sind Widerstände, mit denen ein Ausgang erhalten wird, welcher in den Triggerkreis in Fig. 15 A gegeben wird. Die Kollektoren der beiden Transistoren 186 und 189 sind mit dem Kollektor des vorerwähnten Transistors 188 verbunden.

In dem oben beschriebenen Kreis erscheint die Nullpunktverschiebung einer langen Periode als Wechsel in der Spannung zwischen den Klemmen a und b, und diese Spannung wird auf dem Kondensator 178 aufgeladen, und wenn der Schalter 177 geöffnet wird, wird die Spannung des Kondensators 178 zu dieser Zeit auf einem Wert gehalten. Deshalb wird nur die Spannungsänderung an der Klemme a nach dem Öffnen des Schalters 177 durch den Differentialverstärkerkreis verstärkt, und die Zeit bis zum Schließen des Verschlußes nach dem Öfnen des Schalters 177 ist extrem kurz wie im Fall der Fig. 15 A, so daß die Nullpunk tver Schiebung mit diesem Fall sehr klein ist und ein kleines Eingangssignal ebenfalls verstärkt werden kann.

Fig. 15 D zeigt eine Änderung des Teilkreises IH, die mit Doppelpunktlinien in Fig. 15 A eingekreist ist, worin die gleichen Bezugszeichen, wie in Fig. 15 für gleiche Teile verwendet werden.

Ein Transistor 193 mit seinem Stützwiderstand 192 bewirkt einen konstanten Strom, und seine Basis ist mit einem Kreis in der gleichen Weise verbunden, wie im

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Falle der Basis des Transistors 155 in Fig. 15 A. Die beiden Transistoren 194 und 195 bilden einen Differentialverstärkerkreis, und ihre Emitter sind beide mit den Kollektoren des genannten Transistors 193 verbundene Die Basis des Transistors 194 liegt an der Quelle des Feldeffekttransistors 154 in Fig. 15 A, und die Basis des anderen Transistors 195 ist mit /8em.Verbindungspunkt zwischen den Kondensator 178 und dem Schalter 171 des Zeitkonstantenkreises angeschlossen. Die Widerstände 198 und 200 dienen der Ableitung eines Ausganges aus dem Differentialverstärkerkreis.

Zwei Transistoren 196 und 197 und ein Widerstand 199, der mit ihren Emittern verbunden ist, bilden einen anderen Differentialverstärkerkreis/ Der Kollektor des einen Transistors 197 ist mit dem Zeitkonstantenkreis verbunden, der aus dem Widerstand 164, dem Kondensator 178 und dem Schalter 177 besteht, und die Basis des anderen Transistors 196 ist verbunden mit dem Kollektor des zuvor erwähnten Transistors 195, und bewirkt dadurch eine negative Abströmung zu dem Diff erentialverstärker-r kreis, der mit den Transistoren 194 und 195 gebildet ist.

Ein Widerstand 201 ist mit dem Kollektor des Transistors 196 verbunden und dient dazu einen verstärkten Ausgang zusammen mit dem Widerstand 164 des Zeitkonstantenkreises abzugeben, und die Kollektoren beider Transistoren und 197 sind mit dem Triggerkreis 173 verbunden, der in Fig. 15 A dargestellt ist.

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Bei der soeben beschriebenen Anordnung, wird, da der , Schalter 177 vor dem Öffnen des Verschlußes geschlossen wird, die Nullpunktverschiebung der langen Periode auf die Basis des Transistors 194 aufgegeben, und wird insgesamt negativ auf die Basis des Transistors 195 zurückgeleitet, so daß der Verstärkungsfaktor des Differentialverstärkerkreises 1 wird und an den Ausgängen der Widerstände 164 und 201 eine Nullpunktverschiebung erscheint, die nicht völlig verstärkt worden ist.

Wird der Verschluß geöffnet, und öffnet sich hiermit der Schalter 177, dann wird das Potential des Kondensators 178 unmittelbar vor dem öffnen des Schalters 177 auf einem Wert gehalten und die negative Bückleitung wird dadurch abgeschnitten, so daß der Verstärkungsfaktor des Kreises rapide vergrößert wird.

Unter solchen Bedingungen werden das Signal und die Nullpunktverschiebung, die auf die Basis des Transistors aufgegeben werden, verstärkt, und erscheinen als die Spannungsdifferenz zwischen den Widerständen 164 und 201. Da aber die Nullpunktverschiebung eine Periode innerhalb der Verschlußöffnungszeit hat, ist sie sehr klein, und die Spannung die auf die Si-Zelle 152 aufgegeben wird, kann wie im Falle der Fig. 15 A sehr niedrig gehalten werden. Man sieht, daß das Mittel zur Umwandlung des Belichtungsfaktors, das in Fig. 15 B dargestellt ist, natürlich auch auf die Schaltung nach den Fig. 15 C und 15 D angewendet werden kann. Auch ist es möglich in jeder

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der Schaltungen nach den Fig. 15 A, 15 C und 15 D den . Belichtungsfaktor in Abhäiglgkeit von dem Verstärkungsfaktor des Kreises zu ändern, indem man den Widerstand ändert, der den Verstärkungsfaktor bestimmt, wie in dem vierten Ausführungsbeispiel nach Fig. 13. Dies ist auch möglich durch Änderung der Kapazitanz des integrierenden Kondensators 153.

Aus alledem ergibt sich, daß die vorliegende Erfindung solche Vorteile hat, daß eine Verzögerung im Ansprechen der fotovoltaisehen Zelle aufgrund der Kondensatorkompönente der Zelle dadurch vermieden wird, daß der Kondensator unmittelbar mit der fotovoltaisehen Zelle verbunden wird; daß ferner eine winzige Spannung, die von der fotovolta%isehen Zelle erzeugt wird, und die man bisher unmöglich verstärken konnte, sehr genau dadurch verstärkt werden kann, daß man einen Kondensator in den herkömmlichen Verstärkerkreis einbaut; daß der Bereich der Helligkeit einer aufzunehmenden Szene, der in einem elektronischen Verschluß einer EE-Kamera mit einer fotovoltai sehen Zelle als lichtaufnehmendem Element erkannt und gesteuert werden kann auf weniger als ein Zehntel der Spannung des offenen Kreises an der unteren Beleuchtungsgrenze festgesetzt werden kann, wodurch ein extrem ausgeweiteter Bereich der Fotometrie bei geringer Beleuchtungsstärke erfaßt werden kann; und daß das Fotografieren mit einem Blitzlicht oder mit einer einstellbaren Strobolampe gesteuert werden kann.

Patentansprüche: ., - 44 -

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Claims

Patentansprüche :

f i

(J.'Schaltung für einen Belichtungsmesser, mit der das in den Belichtungsmesser einfallende Licht integriert wird, mit einem HauptStromkreis aus einer fotovoltaischen Zelle, einem Kondensator und einem Zeitgeberschalter für die Integration, sowie mit einem Triggerkreis, dadurch gekennzeichnet, daß die fotovoltaisches Zelle, der Kondensator und der Zeitgeberschalter parallel geschaltet sind, und daß, wenn die Spannung in dem Hauptstromkreis innerhalb des Bereiches einer Spannung, die mit einem Ladestrom aufgeladen wird, der einem Kurzschlußstrom in der fotovoltaischen Zelle gleich ist, eine vorbestimmte Größe erreicht hat, der Triggerstromkreis erregt wird, so daß die Charakteristik der Zeitdauer des Ausgangsstromes der Helligkeit des Lichtes, das in die fotovoltaische Zelle einfällt, umgekehrt proportional ist.
2. Schaltung für einen Belichtungsmesser, mit der das in den Belichtungsmesser einfallende Licht integriert wird, mit einer Fotozelle, einem Kondensator, der den Ausgangsstrom aus der Fotozelle integriert und einem Verstärker, der die Ladespannung des Kondensators verstärkt, g-ekennzeichnet durch einen Zeitkonstantenkreis zum Absorbieren einer Nullpunktverschiebung des Verstärkers in einer langen Periode.

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3. Schaltung mit einer fotovoltaisehen Zelle, einem Integrierkondensator und einem Zeitgeberschalter für den Beginn der Integration, die in einem Hauptkreis parallel liegen, nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Verstärker die Spannung in dem Hauptkreis verstärkt.
4. Schaltung nach den Ansprüchen 1 und 2, gekennzeichnet durch einadotovoltaische Zelle, in die das Licht einfällt, einen Entladeschalter und einen Integrierkondensator für den Fotostrom, die miteinander parallel geschaltet sind, einen Feldeffekttransistor zur Umwandlung der Spannung des Integrierkondensators, einen Kondensator zum Absorbieren der Nullpunktverschiebung einer langen Periode vor einer Fotoaufnähme, einen Hauptverstärkerkreis zur Verstärkung der Änderung der Leistung, die der Feldeffekttransistor abgibt, nachdem der Entladeschalter im Zusammenhang mit dem Verschlußlösevorgang geöffnet wird, einen von dem Ausgang des Hauptverstärkerkreises gesteuerten Schalterkreis und einen von dem Ausgang des Schalterkreises gesteuerten Elektromagneten.
5. Elektronischer Schalterkreis für einen Kameraverschluß nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Hauptverstärkerkreis, einen Zeitkonstantenkreis mit einem Kondensator zum Absorbieren der Nullpunktverschiebung in einer langen Periode vor dem Fotografieren und einen Widerstand enthält.

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6. Elektronischer Schalterkreis für einen Kaaeraver schluß nach Anspruch 4, d a d u r cn gekennzeichnet, daß der Hauptverstärkerkreis einen Zeitkonstantenkreis enthält, der aus einem Widerstand und einem Kondensator besteht, und daß ein Teil der Konstante des Hauptverstärkerkreises zur inderung seines Verstärkungsfaktors entsprechend einer Inderung der Gegebenheiten der Belichtung (z, B. der Filmempfindlichkeit) veränderbar ist.

7. Elektrischer Schalterkreis für einen Kameraverschluß nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Zeitkonstantenkreis mit einem

die'^% darin parallel liegenden Widerstand und Kondensatoryaen einen Teil der Emitterunterstützung eines Verstärkertranistors des Hauptverstärkerkreises bilden, über den Widerstand eine Spannung proportional der Nullpunktverschiebung über eine lange Periode herstellt, die den Verstärkungsfaktor des Transistors niedrig hält und daß im Falle einer kurzen Nullpunktverschiebung ein Lade- und Entladestrom des Kondensators des Zeitkonstantenkreises die Spannung vernichtet, die über den Widerstand des Zeitkonstantenkreises entsteht, und den Verstärkungsfaktor des Transistors vergrößert.

8. Elektronischer Schalterkreis für einen Kameraverschluß nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch einen Hauptverstärkerkreis mit einem Zeitkonstantenkreis, der einen Kondensator, einen Widerstand und einen Schalter enthält, welcher unmittelbar vor dem Lösen des KameraverSchlußes geöffnet wird.

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%. Elektronischer Schalterkreis für einen Kamera-^ Verschluß nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Zeitkonstantenkreis in dem Hauptverstärkerkreis einen Kondensator und einen Schalter enthält und daß ein Schalter mit dem Kondensator in Serie liegt, der beim Lösen der Kameraverschlußes oder dergl. in Verknüpfung mit dem Entladeschalter geöffnet wird.

10. Elektronischer Schalterkreis für einen Kamera-' Verschluß nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,· daß der Zeitkonstantenkreis in dem Hauptverstärkerkreis einen Kondensator, einen Widerstand und einen Schalter enthält, daß der Schalter parallel zu einem veränderlichen Widerstand liegt, so daß eine. Änderung des Widerstandes den Gegebenheiten bei der Belichtung (z.B. Filmepfindlichkeit) entspricht·

11. Elektronischer Schalterkreis für einen Kameraverschluß nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch einen Differentialverstärkerkreis in dem Hauptverstärkerkreis, dessen eine Eingangsklemme an einer Klemme des Schalters liegt, der in Serie mit dem Kondensator in den Zeitkonstantenkreis geschaltet ist und eine Bezugsspannung aus der Teilung der Spannung einer Stromquelle -erhält, und dessen andere Eingangsklemme mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Kondensator und dem Schalter des Zeitkonstantenkreises verbunden ist.

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12. Elektronischer Schalterkreis für einen Kamera-. Verschluß nach Anspruch 9, gekennz e ichne t durch einen Differentialverstärkerkreis in dem Hauptverstärkerkreis, dessen eine Eingangsklemme an den Ausgang einer vorgeschalteten Stufe, dessen andere Eingangsklemme an den Verbindungspunkt zwischen dem Kondensator und dem Zeitkonstantenkreis angeschlossen ist, und durch die Versorgung des Zeitkonstantenkreises mit einem verstärkten Signal^Phase mit einem Eingangssignal auf den Differentialverstärkerkreis.

13. Elektronischer Schalterkreis für eine Fotokamera nach Anspruch 2, d a d u r c h gekennzeichnet, daß die Fotozelle eine fotovoltaische Zelle ist, und daß die Konstante des Verstärkerkreises entsprechend den Belichtungsgegebenheiten (z.B. Filmempfindlichkeit) veränderbar ist.

14. Elektronischer Schalterkreis für eine Fotokamera nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Zeitkonstantenkreis mit prallel geschaltetem Widerstand und Transistor, der einen Teil der Emitterunterstützung eines Verstärkertfänsitors des Hauptverstärkerkreises abgibt, über den Widerstand eine Spannung erzeugt, die der Nullpunktverschiebung einer langen Periode proportional ist und den Verstärkungsfaktor des Transistors niedrig hält, und daß im Falle einer Nullpunktverschiebung einer kurzen Periode ein Lade- und Entladestrom des Kondensators des Zeitkonstantenkreises die Spannung über den Widerstand vernichtet und den Verstärkungsfaktor des Transistros vergrößert.

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15. Elektronischer Schalterkreis für eine Fotokamera nach Anspruch 2, d a & u r c h g e k e η η ζ e i c h η et, daß ein Hauptverstärkerkreis einen Zeitkonstantenkreis mit einem Kondensator, einem Widerstand und einem Schalter enthält, welcher unmittelbar vor der.Öffnung des Verschlußes geöffnet wird.

1.6. Elektronischer Schalterkreis für eine Fotokamera nach Anspruch E, dadurch gekennzeichnet, daß der Hauptverstärkerkreis einen Zeitkonstaritenkrels mit einem Kondensator, einem Widerstand und einem Schalter enthält, welcher mit dem Kondensator parallel geschaltet ist, und welcher durch einen ¥erschlußöffnungsvorgang oder dergl. unter Verknüpfung mit dem Entladeschalter geöffnet wird.

17. Elektronischer Schalterkreis für eine Fotokamera, dadurch gekennzeichnet, daß in einem Hauptverstärkerkreis mit einem Zeitkonstantenkreis aus einem Kondensator, einem Widerstand und einem Schalter ein veränderlicher Widerstand mit dem Schalter parallel geschaltet ist* und daß der Widerstandswert des veränderlichen Widerstandes einer Belichtungsgegebenheit (z»B. der Filmempfindlichkeit) entspricht.

18. Elektronischer Schalterkreis nach Anspruch 16-, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil des Hauptverstärkerkreises einen Bifferentialverstärkerkreis enthält, dessen eine"Eingangsklemme mit einer Klemme des mit dem Schalter des Zeltkonstantenkrei&es-parallel

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liegenden Kondensators verbunden ist und eine Vergleichs spannung erhält, die durch die Teilung der Spannung einer Stromquelle entsteht, und dessen andere Eingangsklemme an den Verbindungspunkt des Kondensators mit dem Schalter des Zeitkonstantenkreises liegt.

19. Elektronischer Schalterkreis für eine Fotokamera nach Anspruch 16, mit einem Differentialverstärkerkreis in dem Hauptverstärkerkreis, dessen eine Eingangsklemme am Ausgang einer vorgeschalteten Stufe anliegt, und dessen andere Eingangsklemme an den Verbindungspunkt des Kondensators mit dem Schalter des Zeitkonstäntenkreises angeschlossen ist, wobei der Zeitkonstantenkreis ein verstärktes Signal erhält, das mit einem Eingangssignal in den Differentialverstärkerkreis phasengleich ist.

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