DE2256964B2

DE2256964B2 - Transistorverstärkerschaltung

Info

Publication number: DE2256964B2
Application number: DE2256964A
Authority: DE
Inventors: Veikko Reynold Spring Lake Heights N.J. Saari (V.St.A.)
Original assignee: Western Electric Co Inc
Current assignee: AT&T Corp
Priority date: 1971-11-24
Filing date: 1972-11-21
Publication date: 1974-08-22
Also published as: SE381149B; BE791687A; KR780000360B1; JPS4860850A; US3739293A; ATA985972A; JPS5333026B2; CA948720A; IT975808B; GB1389715A; HK35576A; AT337252B; NL7215669A; NL162263C; DE2256964A1; CH545038A; FR2163043A5; NL162263B; DE2256964C3

Description

grund unvermeidbarer Fehlanpassungen zwischen den sistor in Emitterschaltung abgenommen, der mit dem

Komponenten einer realisierbaren Schaltung tritt Ausgang der Spannungspegel-Schieberschaltung ver-

jedoch eine Spannungsversetzung auf. Sie wird in der bunden ist.

Regel mit Hilfe eines Vorstrom-Netzwerkes kompen- Wie bereits erwähnt, ist die an positivem Potential siert, wobei jedoch ihr Einfluß mit 4er Temperatur 5 liegende Stromquelle, die mit dem Kollektor des zwei- und der Versorgungsspannung veränderlich ist Die ten Transistors der zweiten Differentialverstärkerniedrigen Vorströme in den Eingangsstufen des Ver- schaltung verbunden ist, mit der an negativem Potenstärkers verhindern, daß große Ladungsmengen tial liegenden Stromquelle der Eingangsdiffereatialinnerhalb kurzer Zeitintervalle übertragen werden. verstärkerstufe starr gekoppelt. Diese starre Kopp-Dadurch werden große und rasche Spannungsände- io lung ermöglicht es, nach einer Einstellung der Schalrungen *>ra Verstärkerausgang verhindert und der tung die Spannungssetzung am Eingang auf einem Frequenzgang des Verstärkers bei einem relativ niedrigen Wert zu halten,
niedrigen Wert gehalten. Kondensatoren liegen zwischen dem Eingang der

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltung und dem Emitter des zweiten Transistors

Transistorverstärkerschaltung verfügbar zu machen, 15 der zweiten Differentialverstärkerstufe sowie zwi-

bei dem die Spannungsversetzung am Eingang kon- sehen dem Kollektor dieses Transistors und der Basis

stant ist. d_es Ausgangstransistors. Diese Kondensatoren bilden

Diese Aufgabe wird bei der Eingangs definierten für hohe Frequenzen einen Nebenschluß zur Einschaltung dadurch gelöst, daß eine erste Konstant- gangsstufe und zur Darlington-Stufe des Verstärkers. Stromquelle an die gemeinsame Emitterverbindung 20 Diese Maßnahme ermöglicht hohe Nachführgeder Transistoren der Eingangsdifferentialverstärker- schwindigkeiten, große Bandbreiten und gewährstufe angeschaltet ist und daß eine zweite Konstant- leistet eine rasche Übertragung großer Ladungsmen-Stromquelle an die gemeinsame Basisverbindung der gen zur Basis des Ausgangstransistors.
Transistoren der zweiten Differentialverstärkerstufe Ein vereinfachtes Schaltbild eines Ausführungsangeschaltet ist. ₂₅ beispiels der Erfindung ist in F i g. 1 gezeigt. Diese

Durch die Maßnahmen gemäß der Erfindung ist vereinfachte Darstellung dient zur Verbesserung der es möglich, bei einem monolithischen, integrierten Übersichtlichkeit der in Fig.2 und 3 dargestellten Operationsverstärker die Spannungsversetzung auf vollständigen Schaltung. Die Eingangsstufe der Schalder Eingangsseite stabil zu halten und zusätzlich bei tung ist ein Differentialverstärker, bei dem zwei Traneiner extrem hohen Nachführgeschwindigkeit eine 30 sistorenpaare in Darlington-Sfhaltung vorliegen. Das große Bandbreite zu gewährleisten. In der Zeichnung erste dieser Paare besteht aus Transistoren 104 und zeigt 105. Der Eingang dieses ersten Paares, d. h. die

F i g. 1 ein Schaltbild eines Ausführungsbeispiels Basis des Transistors 104. ist mit dem Schaltungs-

der Erfindung, eingang verbunden, und der Ausgang wird von dem

F i g. 2 und 3 detailliertere Teilschaltbilder der 35 gemeinsamen Kollektorpunkt der beiden Transistoren

Schaltung gemäß F i g. 1 und 104 und 105 abgenommen. Das Signal am Emitter

F i g. 4 ein schematisches Schaltbild eines Aus- des Transistors 104 wird an die Basis des Transistors

führungsbeispiels der Erfindung unter Verwendung 105 angelegt, und eine Stromquelle 107 ist so ange-

ciner anderen Ausführungsform eines kreuzgekop- ordnet, daß sie den Emitterstrom des Transistors 104

pelten Verstärkers. 40 abzieht.

Bei der Eingangsdifferentialverstärkerstufe in Dax- Das zweite Transistorpaar besteht aus Transistoren lington-Schaltung wird das Eingangssignal der Basis 102 und 103, welche in ähnlicher Weise wie die des ersten Transistorpaares zugeführt, während die Transistoren 104 und 105 geschaltet sind. Der EinBasis des zweiten Transistorpaares geerdet ist. Die gang dieses zweiten Transistorpaares ist geerdet, und Emitter der beiden Transistorpaare sind mit einer 45 sein Ausgang ist ebenso wie bei dem ersten Tranherkömmlichen, an negativem Potential liegender sistorpaar am Kollektor-Verbindungspunkt der beiStromquelle gekoppelt. Die Ausgangssignale der Ein- den Transistorenpaare 102 und 103 vorgesehen. Eine gangsstufe, die von den Kollektoren der beiden Tran- Stromquelle 106 ist mit dem Emitterstrom des Transistorpaare abgenommen werden, werden über Wider- sistors 102 verbunden. Außerdem sind die Emitter stände einer zweiten Differentialverstärkerstufe aus 50 der Transistoren 103 und 105 mit dem Ausgang einer einem ersten und einem zweiten, in Basisschaltung auf negativem Potential liegenden Stromquelle verbetriebenen Transistor zugeführt. Der Kollektor des bunden, welche aus Transistoren 112 und 113 aufersten Transistors ist mit einer Spannungsquelle und gebaut ist. Diese Eingangsstufe wirkt ähnlich einender Kollektor des zweiten Transistors mit einer an herkömmlichen Differentialverstärket· mit komplepositivem Potential liegenden Stromquelle verbunden, 55 mentären Ausgangssignalen an den Kollektoren dei die mit der auf negativem Potential liegenden Strom- beiden Transistorpaare. Der Ausgang des erster quelle der Eingangsstufe starr gekoppelt ist. Ein Transistorpaares ist über einen Widerstand 109 mi kreuzgekoppelter Transistorverstärker liegt parallel dem Emitter eines Transistors 111 verbunden, de zu einem der beiden Koppelwiderstände. Diese Schal- Bestandteil der zweiten Differentialverstärkerstufe ist tung tastet das Signal am Kollektor des zweiten 60 Tn ähnlicher Weise ist auch der Ausgang des zweitei Transistorpaares ab und liefert in Abhängigkeit von Transistorpaares über einen Widerstand 108 mit den diesem Signal einen zusätzlichen Strom an den zwei- Emitter eines Transistors 110 der zweiten Differen ten Transistor der zweiten Differentialverstärkerstufe. tialverstärkerstufe verbunden.

Der Kollektor des zweiten Transistors der zweiten Der Kollektor des zur auf negativem PotentiE Differentialverstärkerctufe ist ebenfalls mit einer 65 liegenden Stromquelle der Eingangsstufe gehörige Darimgton-Verstärkerschaltung verbunden, die eine Transistors 112 ist in einen gemeinsamen Emittei Spannungspegel-Schieberschaltung steuert. Der Aus- punkt der Transistoren 103 und 105 angeschalte' gang dieses Verstärkers wird von einem Einzeltran- sein Emitter ist über einen Widerstand 114 mit einer

Anschluß 141 verbunden, an welchem eine negative Stromverstärkungseigenscliiaften des kreuzgekoppel Spannung V₃ ansteht. Die Basis des Transistors 112 ten Verstärkers aufgezeigt werden. Wenn das zweiti ist mit der Basis und dem Kollektor eines Transistors Transistorpaar zusätzlichen Strom aus dem Tran 113 gekoppelt. Außerdem liegt der Emitter des Tran- sistor Π0 über den Widerstand 108 in Abhängigkei sistors 113 über einen Widerstand 115 an der über 5 vom anstehenden Eingangssignal abzieht, so wird di den Anschluß 141 zur Verfügung gestellten negativen Spannung an der Basis des Transistors 1117 geringer Spannung V₃. Ein einstellbarer Widerstand 170 liegt Dadurch sinkt die Spannung an den Emittern de zwischen dem Kollektor des Transistors 113 und dem Transistoren 116 und 117 und der Kollektorstrod Anschluß 141 und dient zum Abgleich der Schaltung. des Transistors 116 nimmt zu, da dessen Basisspan Mit Hilfe dieses Widerstandes kann die anfängliche io nung im wesentlichen konstant bleibt. Demzufolg« Eingangsspannungsversetzung der Schaltung auf Null wird zusätzlich Strom dem Transistor 110 entnom korrigiert werden, indem das geometrische Mittel der men und eine Stromverstärkung erreicht. Stromdichten der Basis-Emitter-Strecken in den bei- Die zweite Differential verstärkerstufe besteht au:

den Transistorpaaren gleich gemacht wird. Da die den beiden Basisschaltung betriebenen Transistorer Transistoren 112 und 113 zu einer integrierten Schal- 15 HO und 111. Der Kollektor des Transistors 111 isi tung gehören, haben sie im wesentlichen die gleichen mit einer am Anschluß 142: Hegenden positiven Span-Charakteristiken. Aus diesem Grunde bewirkt die nungsquelle V₁ verbunden. Dagegen ist der Kollektoi Kopplung ihrer Basiselektroden, daß das Verhältnis des Transistors 1Ϊ0 mi ι einer an positivem Potential der sie durchfließenden Ströme von dem Verhältnis liegenden Stromquelle verbunden. Wie zuvor erwähnt, der Widerstände 114 und 115 und ihrer relativen 20 wird die Basisspannung der Transistoren 110 und Emitterflächen abhängig ist. Der absolute Strom 111 auf einem im wesentlichen konstanten Wert durch den Transistor 113 ist gleich der Differenz V₁ -2 V_BE gehalten. Bei dieser Anordnung wird das^ zwischen den Spannungen an den Anschlüssen 150 Ausgangssignal des ersten Transistorpaares des Ein und 141 abzüglich der V_BE des Transistors 113, divi- gangsdrfferentialverstärkers nicht weiter in die Schal diert durch die Summe der Widerstände 120, 118 35 tung übertragen. Dagegen wird das Ausgangssigna: und 115. Daher bestimmt der StTOmZ₁ durch den des zweiten Transistorpaares nach Verstärkung durc! Widerstand 120 den durch den Transistor 112 von den kreuzgekoppdten Verstärker von dem Transisto den Emittern der Transistoren 103 und 105 gezo- IJO durchgelassen. Diese Transistoren in Basisschal genen Strom, da die Differenz zwischen der Basis- tung rufen eine niedrige Impedanz an den Kollek spannung des Transistors und der Spannung am An- 30 toren des Eingangsdifferentialverstärkers hervor, woschlußl41 durch die V_BE des Transistors 113 + /, R_us durch dessen Stromverstärkung und Abgleich infolge bestimmt ist. Das Verhältnis der die Transistoren 112 Verringerung der Signalspannung an den Kollektoren und 113 durchfließenden Ströme hängt außerdem der Transistorpagire verbessert weiden. Dies hat deü zum Teil von ihren relativen Emitterflächen ab. Effekt, daß die interne Rückkopplung in den Ein-

Die Widerstände 114 und 115 tragen auch zum 35 gangspaaren, weiche die Schalfcingsverstärkung bethermischen Rauschen bei, indem sie die Rausch- grenzt und die Symmetrie bzw. den Abgleich heraufströme in dem sie selbst und die Basis-Emitter- setzt, verringert wird. Strecken der Transistoren 112 und 113 enthaltenden Die mit dem Kollektor des Transistors 110 ver-

Netzwerk verringern. btindene an positivem Potential liegende Stromquelle

Um zusätzliche Verstärkung in der Eingangsstufe 40 umfaßt pnp-Transistoren 121 und 122, deren Emitter hervorzurufen, ist ein kreuzgekoppelter Verstärker an der am Anschluß 143 Einstehenden Spannung V₁ mit Transistoren 116 und 117 parallel zum Wider- liegen und deren Basiselektroden miteinander gekopstand 108 geschaltet. Der Kollektor des Transistors pelt sind. Da diese Schaltung zur Verwendung in

116 ist mit dem Emitter des Transistors 110 und einer einer monolithischen integrierten Schaltung konzi-Seite des Widerstandes 108 verbunden. Auch die 45 piert wurde, welche für npn-Transistoren optimiert Basis des Transistors 117 ist mit dem Ausgang des worden ist, haben diese pnp-Transistoren sehr geringe zweiten Transistorpaares gekoppelt, wobei der Aus- Verstärkung. Wegen dieser geringen Verstärkung gang mit der anderen Seite des Widerstandes 108 ver- können die Transistoren nicht in derselben Weise wie bunden ist Die Emitter der Transistoren 116 und die Transistoren 112 und 113 verbunden werden.

117 sind miteinander und über einen Widerstand 119 50 Statt dessen müssen Maßnahmen getroffen werden, mit der negativen Speisespannung V₃ am Anschluß um die hohen Basisströime dieser Transistoren 141 verbunden. Ein Widerstand 118, dessen Wider- niedriger Verstärlnmg von der Steuerspannung am standswert im wesentlichen gleich demjenigen des Anschluß 155 abzutrennen, während diese Spannung Widerstandes 108 ist, liegt zwischen dem Kollektor gleichzeitig am Anschluß 153 den Basiselektroden des Transistors 117 und der Basis des Transistors 55 dieser Transistoren zur Verfügung gestellt wird. Dies 116. Außerdem liegt ein Widerstand 120 zwischen geschieht durch Kopplung der Steuerspannung am der Basis des Transistors 116 und dem Kollektor des Anschluß 155 mit diesen Basiselektroden über Tran-Transistors 113 der negativen Stromquelle. Die Span- sistoren 123 und 124. Da die Basiselektroden und nung an den Basiselektroden der Transistoren 110 Emitter der Transistoren 121 und 122 zusammen- und 111 ist im wesentlichen gleich der Versorgungs- 60 geschaltet sind, -führen sie im wesentlichen den spannung V₁ am Anschluß 143 abzüglich der doppel- gleichen Kol'ektorstrom. Der Kollektorstrom des ten Spannung V_BE. Dies ergibt sich aus dem Umlauf Transistors 122 ist im wesentlichen gleich der Basis-Emitter-Spannungsabfällen (Anstiegen)

vom Anschluß 143 über die Anschlüsse 153, 154 und J₁ — ^vt ⁺ *3 ~ ⁴ ^vbe .

155 zum Anschluß 152. Daher bleiben die Spannun- 65 R₁₁₈ + i?₁₂₀ + Ti₁₁₅

gen an den Kollektoren der Transistoren 116 und

117 im wesentlichen konstant bei V₁—3V_BE. Unter wobei V₁ die Spannung am Anschluß 143; V₃ die

Berücksichtigung dieser Zusammenhänge können die Größe der negativen Spannung am Anschluß 141:

V_BE die Basis-Emitter-Spannung der Transistoren und A₁₁₈, i?₁₂₀ und .R₁₁₅ die Widerstandswerte der Widerstände 118, 12(1 und 115 sind. Daher hat der Transistor 122 einen im wesentlichen konstanten KoUektorstrom, der zu einem im wesentlichen auf demselben konstanten Wert liegenden KoUektorstrom des Transistors 121 führt.

Die Kollektorströmie der Transistoren 121 und 122 würden von den großen Basisströmen beträchtlich verringert, wenn der Anschluß 153 direkt mit dem Anschiuß 155 gekoppelt wäre. Die Anordnung zum Abtrennen bzw. Ableiten dieses Basisstroms, welche demzufolge verhindert, daß der Basisstrom dem KoI-lektorstrom des Transistors 122 überlagert wird, umfaßt eine Verbindung der Basiselektroden der Transistoren 121, 122 und 123. Außerdem ist der KoI-lektor des Transistors 123 mit seiner Basis verbunden. Der Emitter des Transistors 123 ist an dem Emitter des Transistors 124 angeschlossen. Die Steuerspannung am Anschluß 155 wird an die Basis des Transistors 124 angelegt, dessen Kollektor mit der positiven Spannungsquelle V_x am Anschluß 142 verbunden ist. Eine am negativem Potential liegende Stromquelle, welche aus Transistoren 126 und 127 auf gebaut ist, wird zur Abführung der Emitterströme der Transistoren 122 und 123 benutzt.

Bei dieser Anordnung wird die am Anschluß 155 anstehende Steuerspannung über die Basis-Emitter-Strecken, der Transistoren 123 und 124 an die Basiselektroden der Transistoren 121 und 122 angelegt. Die hohen Basisströme der Transistoren 121 und 122 gehen jedoch über die Transistoren 123 und 124 nach Erde. Ein Widerstand 128 liegt zwischen der positiven Spannungsquelle V₁ am Anschluß 142 und den Basiselektroden von Transistoren 126 und 127. Der Kollektor des Transistors 127 ist unter Bildung einer Diode mit seiner Basis verbunden. Die Emitter der Transistoren 126 und 127 sind zusammen an Erde geführt. Da die Basiselektroden und Emitter der Transistoren 126 und 127 zusammengeschlossen sind, führen sie gleiche Kollektorströme, wenn ihre Emitterflächen gleich sind. Dieser KoUektorstrom wird von der Versorgungsspannung V₁, dem Basis-Emitter-Abfall des Transistors 127 und dem Widerstand 128 bestimmt. Datier führen die Emitter der Transistoren 123 und 124 einen konstanten Strom.

Der über den Anschluß 155 der an positivem Potential liegenden Stromquelle in dem Widerstand 120 fließende Steuerstrom und der aus dem Widerstand 120 am Anschluß 156 der aus den Transistoren 112 und 113 bestehenden, am negativen Potential liegenden StromqueUe austretende Steuerstrom sind gleich und haben dieselbe Größe, wobei der Stromweg über die Transistoren 125 und 129 und dem Widerstand 118 geschlossen ist. Da diese Steuerströme starr gekoppelt sind, sind die Ausgänge der beiden StromqueUen zusammengeschlossen. Der Ausgangsstrom der an positivem Potential liegenden StromqueUe ist im wesentlichen gleich dem KoUektorstroim des Transistors 122. Dieser StTOmZ₁ fließt über den in Fig. 1 bezeichneten Strompfad zum Anschluß 156. Daher ruft eine Erhöhung des Ausgangssignals am Anschluß 155 eine entsprechende Erhöhung des Ausgangssignals am Anschlufί 156 hervor.

Diese Stromkopplungsanordnung ermöglicht es, die Eingangsspannungsversetzung bzw. -korrektur auf einem niedrigen Wert zu halten, sobald die Schaltung eingesteUt ist. Wenn die beiden Stromquellen nicht starr gekoppelt wären und die am positivem Pptential liegende Stromquelle einen erhöhten Strom liefern würde, so würde ein kleinerer Strom durch das erste Transistorpaar im Eingangsdifferentialverstärker aufgrund der durch den Widerstand 138 gebildeten Rückkopplung fließen. Da der Gesamtstrom aus den beiden Transistorpaaren von der am negativem Potential liegenden Stromquelle gesteuert wird, würde dieser verringerte Strom einen Anstieg des Stroms durch das zweite Transistorpaar hervorgerufen. Dadurch ergäbe sich eine Spannungsversetzung des EingangsdifferentialVerstärkers. Bei der beschriebenen starren Kopplung der beiden Stromquellen wird jedoch jede Änderung dieser Art von der zusätzlichen stromführenden, am negativem Potential liegenden Stromquelle verhindert. Dies bewirkt ein Anwachsen des Vorstroms der beiden Transistorpaare und verhindert die Spannungsversetzung. Bei dieser Stromkopplungsanordnung sind die Basis und der Kollektor des Transistors 125 mit dem Anschluß 155 verbunden. Der Emitter des Transistors 125 liegt über dem Anschluß 152 an den Basiselektroden der Transistoren 129, 110 und 111. Dadurch wird die Spannung am Anschluß 152 gleich der Versorgungsspanas nung V₁ — 2 · V_BE. Außerdem ist der Kollektor des Transistors 129 mit dem Emitter des Transistors 125 gekoppelt, um einen Strompfad für den Strom Z₁ zu bilden. Der Emitter des Transistors 129 ist mit dem Verbindungspuakt 150 des Kollektors des Transistors 117 und des Widerstands 118 verbunden. Ferner liegen die Widerstände 118 und 120 in Tandemschaltung zwischen den Anschlüssen 150 und 156.

Das Ausgangssignal der zweiten Differentialverstärkerstufe des Verstärkers am Kollektor des Transistors 110 wird an einen Darlington-Verstärker angelegt, der aus Transistoren 130 und 131 besteht. Der Kollektor des Transistors 110 ist mit der Basis des Transistors 130 verbunden; die Kollektoren der Transistoren 130 und 131 liegen an der positiven Spannungsquelle V₁ am Anschluß 144. Außerdem wird das Ausgangssignal von der zweiten Differentialverstärkerstufe zur Basis des Transistors 131 über den Emitter des Transistors 130 gekoppelt. Ein Widerstand 132 liegt zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors 131 und dient zum Abführen des Emitterstroms des Transistors 130. Dieser Darlington-Verstärker wirkt im Sinne einer Stromverstärkung des Signals ohne einen Spannungsanstieg, so daß er zum Treiben der Ausgangsstufe geeignet ist.
Eine Spannungspegel-Schieberschaltung 133 verschiebt die Ausgangsspannung am Emitter des Transistors 131 auf einen niedrigeren Mittelwert und legt sie an die Basis des Ausgangstransistors 134. Ein Widerstand 135 liegt zwischen der Basis des Transistors 134 und dessen Emitter. Außerdem ist der Emitter des Transistors 134 mit der negativen Spannungsquelle V₂ am Anschluß 145 verbunden. Der Ausgang der Schaltung am Anschluß 101 wird vom KoUektor des Transistors 134 abgeleitet. Der KoUektor des Transistors 134 ist außerdem über einen Widerstand 136 mit einer positiven SpannungsqueUe K₄ und über einen Widerstand 137 mit Erde verbunden.

Die bisher beschriebene Anordnung ist einfach ein rückkopplungs-freier Differentialverstärker hoher Verstärkung mit einer besonderen Anordnung zur Verringerung von Versetzungsunterschieden durch gekoppelte Stromversorgung. Das Eingangssignal wird in zwei verstärkte, komplementäre Signale im Ein-

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gangsdifferentialverstärker umgesetzt. Eines dieser Kollektorstrom des Transistors 206 hervor, der von

Signale wird stromverstärkt und an eine Transistor- dem Widerstandswert des Widerstandes 208 abhän-

stufe in Basisschaltung angelegt, welche es an einen gig ist. In ähnlicher Weise ist die Stromquelle 107

Darlington-Verstärker überträgt. Der Darlington- der Ausführungsform gemäß F i g. 1 ersetzt durch

Verstärker erhöht die Stromstärke des Signals vor 5 einen Transistor 207, dessen Kollektor mit dem Emit-

dessen Pegelverschiebung und Verwendung als Trei- ter des Transistors 104 und dessen Emitter mit dem

bersignal für die Ausgangsstufe. Durch Einschaltung Emitter des Transistors 206 verbunden ist. Diese

eines Widerstandes 138 zwischen dem Eingang des Stromquelle wirkt in derselben Weise wie die vom

ersten Transistorpaares am Anschluß 100 und dem Transistor 206 gebildete Stromquelle, da die Basis-

Schaltungsausgang am Anschluß 101 wirkt diese An- io elektroden der Transistoren 206 und 207 zusammen-

ordnung als Operationsverstärker, wobei der Wider- geschlossen sind,

stand 138 einen Rückkopplungswiderstand bildet. Die negative Stromquelle liefert bei der Ausfüh-

Um die Nachführgeschwindigkeit und die Band- rungsform gemäß F i g. 2 einen im Vergleich zu derbreite des Verstärkers zu vergrößern, sind Kapazitä- jenigen nach F i g. 1 erhöhten Ausgangsstrom, da ein ten 139 und 140 als Nebenschluß des Verstärkerab- 15 zusätzlicher Transistor 212 und ein Widerstand 214 Schnitts bzw. der Darlington-Stufe vorgesehen. Der parallel zu dem Transistor 112 und dem Widerstand Eingangsabschnitt begrenzt normalerweise die Nach- 114 liegen. Der Kollektor des Transistors 212 ist mit führgeschwindigkeit, da er für niedrige Eingangsver- dem Kollektor des Transistors 112 verbunden, und setzung vorgespannt ist und daher nur relativ kleine die Basiselektroden der Transistoren 112 und 212 Signale überträgt. Aus diesem Grunde können nur ao sind zusammengeschlossen. Die negative Spannung kleine Ladungsmengen durch den Eingangsabschnitt am Anschluß 141 liegt über einen Widerstand 214 in einem kurzen Zeitintervall übertragen werden. am Emitter des Transistors 212. Diese Spannung ist

Bei Einschaltung dieses Kondensators 139 ist ein angenähert gleich F₃, da der Widerstand 205 einen weiterer Kondensator 160 erforderlich, um die Span- relativ geringen Widerstandswert hat.
nungsverstärkung des nebengeschlossenen Teils der 35 Die positive Stromquelle gemäß F i g. 2 ist nahezu Scnaltung unter eins zu bringen, bevor die Wirkun- identisch derjenigen der Ausfuhrungsform nach gen des Kondensators 139 beachtlich werden. Da- Fig. 1. Die Stromabführung für die Transistoren 123 durch wird eine positive Rückkopplung über die und 124 wurde jedoch bei dieser Ausführungsforrn vom Kondensator 139 geschaffene Schleife verhin- dadurch verstärkt, daß ein Transistor 215 parallel dert, welche die Schaltung instabil machen würde. 30 zum Transistor 126 geschaltet wurde. Diese beiden Durch Einschaltung des Kondensators 160 zwischen Transistoren sind mit ihren Basiselektroden, Kollekdem gemeinsamen Kollektorpunkt des zweiten Ein- toren und Emittern jeweils zusammengeschlossen,
gangstransistorpaares und dem gemeinsamen Emit- Die Versorgungsspannung V₁, welche in der inteterpunkt des kreuzgekoppelten Verstärkers wird die grierten Schaltung gebracht wird, wird von einer Verstärkung verringert. Der Kondensator 140 über- 35 Transistoren 221 und 222 aufweisenden Spannungsbrückt die Darlington-Stufe und die Spannungspegel- quelle erzeugt. Eine externe positive Spannung wird Schieberschaltung für hohe Frequenzen. Diese trägt am Anschluß 265 angelegt. Dadurch wird ein Strom auch dazu bei, die Stabilitätsgrenzen des Verstärkers durch einen Widerstand 220 geschickt, der zwischen zu vergrößern. Tatsächlich geben diese Kondensato- einem Anschluß 265 und dem Kollektor des Transiren den Hochfrequenzkomponenten des Eingangs- 40 stors 111 liegt. Widerstände 223 und 224 liegen zwisignals die Möglichkeit, die angegebenen Verstärker- sehen dem Kollektor und der Basis bzw. zwischen stufen, die einen schlechten Frequenzgang und eine der Basis und dem Emitter des Transistors 222. Der geringe Nachlaufgeschwindigkeit haben, zu umgehen. Kollektor des Transistors 222 ist mit dem Kollektor

Fig. 2 und 3 sind vollständige Schaltbilder eines des Transistors 111 gekoppelt, und sein Emitter ist Ausführungsbeispiels des integrierten Operationsver- 45 mit der Basis des Transistors 221 verbunden. Ein stärkers. Die meisten Elemente sind die gleichen wie Widerstand 225 liegt zwischen Basis und Emitter des diejenigen in Fig. 1 und tragen demgemäß die glei- Transistors221, und der Kollektor des Transistors chen Bezugszeichen. Die verschiedenen Funktions- 221 ist mit dem Kollektor des Transistors 222 gekopeinheiten des Verstärkers sind strichpunktiert umran- peh. Während des normalen Betriebs fließt ein Strom det und die gesamten Elemente der integrierten 50 durch den Widerstand 220 und ruft am Anschluß 142 Schaltung selbst sind von unterbrochenen Linien um+ eine Spannung hervor. Außerdem sind die Tränsistogeben. Die.außerhalb der unterbrochenen Linien dar- ren 221 und 222 strömführend, da über den Widergestellten Komponenten sind externe Komponenten, stand 223 eine Spannung an der Basis des Transiwelche an die. integrierte Schaltung angeschlossen stors 222 ansteht, und der Emitter des Transistors 222 sind. - -■-■_ · - 35 liefert eine Spannung an die Basis des Transistors

In Fig. 2 ist die Stromquelle 106 der Fig. 1 221. Wenn eine erhöhte Strommenge von dem übridurch einen Transistor 206 und einen Widerstand 208 gen Teil der Schaltung von dem Anschluß 142 gezoersetzt. Der Kollektor des Transistors 206 ist mit dem gen wird, so ergibt sich ein entsprechender Span-Emitter des Transistors 102, unJ sein Emitter über nunpsabfall an diesem Anschluß. Dieser Spannungseinen Widerstand 208mit dem Anschluß 141 verbun- 60 abfall wird an die Basiselektroden der Transistoren den.. Die Basis des Transistors 206 liegt an der Basis 221 und 222 angelegt und bewirkt, daß diese Transides Transistors 113. Diese Stromquelle widct in der- stören weniger Strom ziehen. Dadurch wird die Spanseiben Weise wie die Stromquelle mit dem Transi- nung am Anschluß 142 wieder hergestellt. Diese Opestor 112 und dem Widerstand 114. Der Transistor 113 rationsweise bewirkt, daß die Spannung am Anschluß und der Widerstand 115 entwickeln eine Steuerspan- 65 142 auf einem :im wesentlichen konstanten Wert nung an der Basis des Transistors206 in Abhängig- bleibt: ■ . ...^ keit von dem durch die positive Stromquelle geliefer- . F i.g. 3 zeigt-eirie Schaltung, welche für die gesamte ten Ström I₁. Diese Steuerspannung ruft ihrerseits den integrierte Schaltung die. negativen · Spannungen Vi,

und V₃ entwickelt. Die Spannung V₃ wird von einer Reihe von Transistoren 230, 231, 232, 235 und 236, deren Kollektoren an Erde bzw. Masse liegen, erzeugt. Die Basis des Transistors 230 ist ebenfalls geerdet, und sein Emitter ist mit der Basis des Transistors 231 verbunden. In ähnlicher Weise liegt der Emitter des Transistors 231 an der Basis des Transistors 232; der Emitter des Transistors 232 ist mit der Basis des Transistors 235 verbunden; und der Emitter des Transistors 235 ist mit der Basis des Transistors 236 gekoppelt. Ein Widerstand 234 liegt zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors 232 und dient der Abfuhr des Emitterstroms des Transistors 231. Außerdem ist ein Widerstand 233 zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors 235 zum Abführen der Ströme der Transistoren 231 und 232 vorgesehen. Der Emitter des Transistors 235 ist ebenso wie der Emitter des Transistors 236 mit dem F₃-Ausgang am Anschluß 261 verbunden. Ein Widerstand 227 liegt zwischen der Basis des Transistors 236 und dessen Emitter. Dieser Widerstand ist jedoch bei der dargestellten Schaltung ebenso wenig wie der Transistor

236 wirksam. Durch Entfernen des Widerstandes 227 kann jedoch die Spannung V₃ erhöht werden. Diese Spannung V₃ wird zur Verwendung in der negativen Stromquelle über den Widerstand 205 verfügbar gemacht.

Die Größe der Ausgangsspannung V₃ wird von den Basis-Emitterspannungen der Transistoren der Transistorreihe bestimmt.

Die Ausgangsspannung V₂ wird jedoch durch Anliegen der Spannung V₃ an die Basis des Transistors

237 erzeugt, wobei die Ausgangsspannung V., von dessen Emitter abgenommen wird. Ein Widerstand

238 liegt zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors 237, dessen Kollektorwiderstand 239 an Masse liegt. Außerdem bildet ein Widerstand 250 zusammen mit der negativen Spannung V₅ am Anschluß 266 eine Schaltung zum Abführen des Emitterstroms von den Transistoren 237 und 134, wobei der Strom durch den Transistor 238 fließt.

Die Spannungspegel-Schieberschaltung 133 in F i g. 1 wurde durch eine Schaltung mit den Transistoren 240, 242 und 243 ersetzt. Der Kollektor des Transistors 240 ist mit dem Ausgang der Darlington-Schaltung am Emitter des Transistors 131 verbunden, und sein Emitter ist mit der Basis des Ausgangstransistors 134 gekoppelt. Ein Widerstand 241 liegt zwischen der Basis und dem Kollektor des Transistors 240. Eine aus Transistoren 242 und 243 gebildete Stromquelle zieht Strom durch den Widerstand 241 und erzeugt dadurch die Basis-Kollektor-Spannung. Die verbleibende Spannungspegelverschiebung erfolgt durch die im wesentlichen konstanten Basis-Emitter-Spannung des Transistors 240. Die Stromquelle mit den Transistoren 242 und 243 ist in derselben Weise wie die Stromabführschaltung mit den Transistoren 126 und 127 der positiven Stromquelle angeordnet. Insbesondere sind die Basiselektroden und die Emitter der Transistoren 242 und 243 jeweils zusammengeschaltet. Der Kollektor des Transistors 242 ist mit der Basis des Transistors 240 und der Kollektor des Transistors 243 mit der Basis des Transistors 242 gekoppelt. Ein Widerstand 244 liegt zwischen der Basis des Transistors 242 und dem Emitter des Transistors 230 der negativen Versorgungsspannungsquelle. Die negative Spannung V„ am Anschluß 262 wird an den gemeinsamen Emitterpunkt der Transistoren 242 und 243 über einen Widerstand 245 angelegt. Da die Basiselektrode und Emitter der Transistoren 242 und 243 zusammengeschaltet sind, haben diese Transistoren angenähert gleiche Kollektorströme. Der Kollektorstrom des Transistors 243 wird jedoch von der Spannung V₂, der Basis-Emitter-Spannung der Transistoren 230 und 243 und dem Wert der Widerstände 244 und 245 beeinflußt. Daher bleibt der Strom durch den Widerstand 241 konstant.

ίο Ein Temperaturanstieg verursacht aufgrund der Verminderung der Basis-Emitter-Spannungen in der Versurgungsspannungsschaltung ein Abfallen der Spannung V₂. Daher muß die Spannungspegel-Schieberschaltung diese Verschiebung korrigieren, um die Vorspannungen in anderen Teilen der Schaltung in geeigneter Weise aufrecht zu erhalten. Eine Temperaturerhöhung verursacht auch ein Abfallen der V_BF des Transistors 240. Diese Spannungsvermindemng wird jedoch durch ein Abfallen der V_BF der Iransiao stören in der Stromquelle kompensiert, welche eine sprunghafte Zunahme des Stromes im Widerstand 241 hervorruft. Diese sprunghafte Stromzunahme wird jedoch durch die viel größere Stromabnahme durch den Widerstand 241 in Folge der Änderung von V₂ kompensiert. Dadurch wird die Spannung am Emitter des Transistors 131 auf einem im wesentlichen konstanten Wert gehalten, wodurch die Gesamtspannungsverschiebung eine Änderung mit der Spannung V₂ erfährt. Ein Kondensator 246 liegt zwischen dem Kollektor und dem Emitter des Transistors 240 und dient zur Verbesserung des Frequenzganges für hohe Frequenzen des Spannungspegel-Schiebers und zur Verringerung von dessen Rauscheinfluß.

Ein Widerstand 200 liegt zwischen der Eingangssignalquelle und dem Eingang des zweiten Transistorpaares an der Basis des Transistors 104. Auch Widerstände 252 und 253 liegen zwischen der Eingangsbasis des Transistors 104 und dem Schaltungsausgang am Kollektor des Transistors 134 in Reihe. Diese Widerstände gehören zur integrierten Schaltung und wirken als Rückkopplungswiderstände. Da sie einen Teil der Schaltung selbst bilden, ermöglichen sie eine Prüfung der Schaltung ohne Anschluß von äußeren Rückkopplungswiderständen. Da diese Widerstände relativ große Widerstandswerte im Vergleich zu normalen Rückkopplungswiderständen haben, kann ihr Einfluß durch Erdung ihres Verbindungspunktes am Anschluß 264 ausgeschaltet werden. Der normale Rückkopplungswiderstand 138 hat nach der Darstellung einen parallel geschalteten Kondensator 254. Dieser Kondensator dient der Frequenzformung.

Kondensatoren 226 und 251 bewirken eine Entkopplung der externen Spannungen V₁ und V₅ an den Anschlüssen 142 und 262. Ferner entkoppelt ein Kondensator 270 die Basisschaitungsstufe am Anschluß 152.

Im folgenden werden die Werte für Widerstände, Kondensatoren und Spannungen im Verstärker für ein Ausführungsbeispiel angegeben. Diese Werte wurden in einer bereits realisierten und erfolgreich betriebenen Verstärkerschaltung verwendet. Sie sind jedoch nur als Anhaltspunkt für ein Ausführungsbeispiel anzusehen.

⁶S Spannungen

F₁ +3VoIt

F, -3,2VoIt

V, -2,4VoIt

F₄ +8VoIt

V. -8VoIt

Externe Widerstände

K₁₃₆ 390Ω

A₁₃₇ 250 Ω

A₁₃₈ 500 Ω

R₉₀₀ 250 Ω

iC₀ 220 Ω

K₂^₀ 75 Ω

Interne Widerstände

R₁^ 400 Ω

R,_w 400 Ω

A₁₁₄ 303 Ω

/j 345 Ω

RnI "..''· 400Ω

i?₁₁₉ 2.2 kQ

R₁₂₀ 4,OkQ

K_t,₈ 750 Ω

K₁₃₂ 2,OkQ

K₁₃₅ 1,4 kQ

K₁₇₀ veränderlich

K₂₀₅ 15 Ω

K₂₀₈ 2,0 kΩ

K₂₁₄ 303 Ω

K₂₂₃ 1300 Ω

A₂₂₄ 600 Ω

K₂₂₅ 300 Ω

K₂₃₃ 2,2 kQ

Κ_2Μ 3,3 kQ

A₂₃₈ 80 Ω

K₂₃₉ 1,0 kΩ

K₂₄₁ 2,1 kΩ

K₂₄₄ 2.1 kΩ

K₂₄₅ 100 Ω

K₂₅₂ 24 kΩ

K₂₅₃ 10 kΩ

Externe Kondensatoren

C₁₃₉ 0,01 μΡ

C₁₄₀ 0,001 μΡ

C₁₆₀ 0,1 μΡ

C₂₄₆ 1 μΡ

C₂₅₁ 1 μΡ

C₂₅₄ 4,7 μΡ

C₂₇₀ 0,001 μΡ

Fig. 4 zeigt ein Ausführungsbeispiel mit einer anderen Verbindung für den kreuzgekoppelten Verstärker. Die meisten Komponenten der F i g. 4 entsprechen denjenigen der Fig. 2 und tragen dieselben Bezugszeichen.

Der kreuzgekoppelte Verstärker mit den Transistoren 116 und 117 wurde zu einer besser abgeglichenen Anordnung abgewandelt. Der Emitterwiderstand 119 dieser Transistoren ist bei diesem Ausführungsbeispiel mit der Basis des Stromquellentransistors 113 und nicht mit der negativen Spannungsquelle V₃ verbunden. Außerdem entfallen der Transistor 129 sowie die Widerstände 118 und 120. Der Kollektor des Transistors 117 ist mit dem Emitter des Transistors 111 verbunden, und die Basis des Transistors 116 liegt am Kollektor des Transistors 105. Bei dieser Anordnung liefert der kreuzgekoppelte Verstärker einen erhöhten Verstärkungsfaktor. Bei der Anordnung nach F i g. 2 wurde an die Basis des Transistors 116 eine im wesentlichen konstante Spannung angelegt. Bei der Anordnung gemäß F i g. 4 wird dagegen der Basis des Transistors 116 das Differeuzsignal vom Kollektor des Transistors 105 zugeführt. Daher wirken die Transistoren 116 und 117 ähnlich einem Differentialverstärker mit an den beiden Basen ansiehenden komplementären Spannungen. Dies ruft einen entsprechenden Anstieg des vom Transistor 116 dem Transistor 110 zugeruhrten Signalstroms hervor.

Der Steuerstrom aus der positiven Stromquelle, der am Knotenpunkt 152 eintritt, wird jetzt durch den Transistor 111, der als Diode geschaltet ist, geleitet. Die Stromkopplung ist auch bei dieser Anordnung wirksam, da die Spannung am Anschluß 152 innerhalb der Spannungsabfälle an zwei Dioden am A,;-schIuß302 gehalten wird. Der erste Dioden-Spannungs-Abfall tritt an der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 110 und der zweite Spannungs-Abfall an der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 117 auf. Der Vorspannungsabfall über den Widerstand 108 ist gewöhnlich im Vergleich zu den Spannungsabfällen an diesen Dioden klein und kann daher außer Betracht bleiben. Wenn der in den Verbindungspunkt 152 aus der positiven Stromquelle eintretende Strom direkt an die Basis des Transistors 113 gelegt würde, so könnte der Transistor 111 mit seinem Kollektor wie in F i g. 2 an die positive Spannungsquelle angeschlossen werden.

Es ergibt sich aus der vorhergehenden Beschreibung, daß die erfindungsgemäß getroffenen Maßnahmen zum Aufbau eines Operationsverstärkers mit verbesserter Spannungsversetzungsstabilität, größerer Frequenzbandbreite und Nachführgeschwindigkeit führen. Im Rahmen der vorliegenden Erfindung sind selbstverständlich viele konstruktive Abwandlungen möglich.

Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims

Schaltungsmittel (123, 124) vorgesehen sind, die Patentansprüche: große Basisströme aus den pnp-Transistoren von der ersten Bezugsspannung (155) wegleiten, wäli-

1. Transistorverstärkerschaltung mit einer ersten rend gleichzeitig diese Spannung an den Basen der Eingangsdifferentiaiverstärkerstufe in Darlington- 5 pnp-Transistoren (121, 123) liegen, um die Schaltung, deren Eingangsanschlüsse mit dem niedrige Verstärkung der pnp-Transistoren (121, Schaltungseingang bzw. mit Masse verbunden 122) auszugleichen.

sind, mit einer nachfolgenden zweiten Differen- 6. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch ge-

tialverstärkerstufe, die einen ersten und einen kennzeichnet, daß ein Widerstand (120) zwischen

zweiten, je in Basisschaltung betriebenen Tran- io dem Kollektor des zweiten Transistors (113) der

sistor aufweist, deren Basen mit einer ersten ersten Stromquelle und über einen Widerstand

Bezugsspannung verbunden sind, wobei der KoI- (118) und zusätzliche Transistoren (129, 125)

lekxor des ersten Transistors an einer zweiten dem Kollektor des zweiten Transistors (122) der

Bezugsspannung liegt, mit einem ersten, zwischen zweiten Stromquelle liegt,
einem ersten Ausgangsanschluß der Eingangs- 15
differentialverstärkerstufe und dem Emitter des

ersten Transistors der zweiten Differentialver-

stärkerstufe liegenden ersten Widerstand mit
einem zweiten, zwischen dem zweiten Ausgangsanschluß der Eingangsdifferentialverstärkerstufe 20 Die Erfindung betrifft eine Transistorverstärkerund dem Emitter des zweiten Transistors der schaltung mit einer ersten Eingangsdifferentialverzweiten Differentialverstärkerstufe liegenden zwei- stärkerstufe in Darlington-Schaltung, deren Eingangsten Widerstand und mit einer Ausgangsstufe, anschlüsse mit dem Schaltungseingang bzw. mit deren Eingang mit dem Kollektor des zweiten Masse verbunden sind, mit einer nachfolgen-Transistors der zweiten Differentialverstärkerstufe 35 den zweiten Differentialverstärkerstufe, die einen und deren Ausgang mit dem Lastkreis verbunden ersten und zweiten, je in Basisschaltung betriebenen sind, dadurch gekennzeichnet, daß eine Transistor aufweist, deren Basen mit einer ersten erste Konstant-Stromquelle (112 bis 115) an die Bezugsspannung verbunden sind, wobei der Kollekgemeinsame Emitterverbindung (e) der Transi- tor des ersten Transistors an einer zweiten Bezugsstoren der Eingangsdifferentialverstärkerstufe (102 30 spannung liegt, mit einem ersten, zwischen einem bis 105) angeschaltet ist und daß eine zweite Kon- ersten Ausgangsanschluß der Eingangsdzfferentialstant-Stromquelle (121, 122) an die gemeinsame verstärkerstufe und dem Emitter des ersten Tran-Basisverbindung der Transistoren der zweiten sistors der zweiten Differentialverstärkerstufe liegen-Differentialverstärkerstufe angeschaltet ist. den ersten Widerstand, mit einem zweiten, zwischen

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch ge- 35 dem zweiten Ausgangsanschluß der Eingangsdiffekennzeichnet, daß die erste Stromquelle (112 bis leutialverstärkerstufe und dem Emitter des zweiten 115) an einem negativen Potential (F_?) und die Transistors der zweiten Differentialverstärkerstufe zweite Stromquelle (121 bis 125) an einem posi- liegenden zweiten Widerstand und mit einer Austiven Potential (V₁) liegt. gangsstufe, deren Eingang mit dem Kollektor des

3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch ge- 40 zweiten Transistors der zweiten Differentialverstärkennzeichnet, daß die erste Stromquelle einen kerstufe und deren Ausgang mit dem Lastkreis verersten (112) und einen zweiten (113) Transistor bunden sind.

aufweist, deren Basen miteinander verbunden Während der letzten Jahre folgte die Entwicklung (156) sind und deren Emitter über einen ersten integrierter Operationsverstärker allgemein bestimm- (114) bzw. über einen zweiten (115) Widerstand 45 ten, zuvc aufgestellten Prinzipien. Diese Verstärkeran einer negativen Bezugsspannung (141) liegen, schaltung weisen gewöhnlich eine Eingangsdifferendaß der Kollektor des zweiten Transistors (113) tialverstärkerstufe, die als Darlington-Schaltung ausüber einen veränderbaren Widerstand (170) einer- geführt sein kann (US-PS 3 510 791), und einen nachseits mit der negativen Bezugsspannung (141) und folgenden Emitterfolger auf. Der Ausgang des Emitandererseits mit den Basen (156) verbunden ist 5° terfolgers wird danach pegelverschoben und zur An- und daß der Kollektor des ersten Transistors steuerung entweder eines Einzeltransistors oder eines (112) an der gemeinsamen Emitterverbindung (e) komplementären B-Verstärkers verwendet,
der Eingangsdifferentialverstärkerstufe liegt. Diese Art von integrierten Operationsverstärkerr

4. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch ge- hat jedoch in der Regel eine begrenzte Bandbreit« kennzeichnet, daß die zweite Stromquelle einen 55 und Nachführgeschwindigkeit, wobei die Nachführ ersten (121) und einen zweiten (122) Transistor geschwindigkeit als diejenige maximale Spannungs aufweist, deren Emitter mit einer positiven Be- änderung definiert ist, welche die Schaltung in einen zugsspannung (143) und deren Basen miteinander vorgegebenen Zeitintervall hervorzurufen vermag (153) verbunden sind, daß der Kollektor des zwei- gemessen z. B. in V//;s. Die relativ geringe Band ten Transistors (122) mit der ersten Bezugsspan- 60 breite und Nachführgeschwindigkeit sind auf di( nung (155) und der Kollektor des ersten Tran- niedrigen Vorströme zurückzuführen, welche fü sistors (121) mit dem Kollektor des zweiten Tran- eine geringe Eingangsspannungsversetzung bzw sistors (110) der zweiten Differentialverstärker- -korrektur der Eingangsstufen des Verstärkers erfor stufe verbunden sind. derlich sind. Als Spannungsversetzung wird im fol

5. Schaltung nach Anspruch 2 und 3. dadurch 65 genden diejenige Größe der Eingangsspannung ver gekennzeichnet, daß die Transistoren der zweiten standen, welche am Eingang zur Erzeugung der Aus Stromquelle pnp-Transistoren und alle übrigen gangsspannung Null erforderlich ist.

In einem idealei Transistoren npn-Transistoren sind und daß Verstärker wäre diese Eingangsspannung Null. Auf