DE2256964A1

DE2256964A1 - Transistorverstaerkerschaltung

Info

Publication number: DE2256964A1
Application number: DE2256964A
Authority: DE
Inventors: Veikko Reynold Saari
Original assignee: Western Electric Co Inc
Current assignee: AT&T Corp
Priority date: 1971-11-24
Filing date: 1972-11-21
Publication date: 1973-06-14
Also published as: AT337252B; CA948720A; KR780000360B1; DE2256964C3; FR2163043A5; HK35576A; NL7215669A; SE381149B; NL162263C; CH545038A; US3739293A; GB1389715A; JPS4860850A; BE791687A; IT975808B; NL162263B; DE2256964B2; JPS5333026B2; ATA985972A

Description

Western Electric Company, Inc. Saari 13

Transistorverstärkerschaltung

Die Erfindung betrifft eine Transistorverstärkerschaltung mit einer Eingangsdifferentialverstärkerstufe, deren einer Eingang mit dem Schaltungseingang und deren anderer Ein-.gang mit Erde verbunden sind, einer Basisschaltungsstufe, die einen mit einer Spannungsquelle verbundenen ersten Ausgang und einen zweiten Ausgang aufweist, ferner mit einem zwischen einem ersten Ausgang der Differentialverstärkerstufe und einem ersten Eingang der Baässchaltungsstufe liegenden ersten Widerstand, einem zwischen einem zweiten Ausgang der Differentialverstärkerstufe und einem zweiten Eingang der Basisschaltungsstufe eingeschalteten zweiten Widerstand mit einer Ausgangsstufe, deren Eingang mit dem zweiten Ausgang der Basisschaltungsstufe und deren Ausgang mit dem Schaltungsausgang verbunden sind.

Während der letzten Jahre folgte die Entwicklung integrierter Operationsverstärker allgemein bestimmten, zuvor aufgestellten •Prinzipien. Diese Verstärkerschaltungen weisen gewöhnlich eine Differentialverstärker-Eingangsstufe und eine nachfolgende Emitterschaltungsstufe auf. Der Ausgang der Emitterschaltungsstufe wird danach pegelverschoberi und zur Ansteuerung entweder;

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eines Einzeltransistors oder einer komplementären Ausgangsstufe der Klasse B verwendet.

Diese Art von integrierten Operationsverstärkern hat jedoch in der Regel eine begrenzte Bandbreite und Nachführgeschwindigkeit, wobei die Nachführgeschwindigkeit als diejenige maximale Spannungsänderung definiert ist, welche die Schaltung in einem vorgegebenen Zeitintervall hervorzurufen vermag, d.h. V/us. Die relativ geringe Bandbreite und Nachführgeschwindigkeit sind auf die niedrigen Vorspannströme zurückzuführen, welche für eine geringe Eingangsversetzung bzw. -korrektur der Eingangsstufen des Verstärkers erforderlich sind. Die Eingangsversetzung bzw. -korrektur ist diejenige Größe der Eingangsspannung, welche am Eingang zur Erzeugung einer Ausgangsspannung Null erforderlich ist. In einem idealen Verstärker wäre diese Eingangsspannungsgröße Null. Aufgrund unvermeidbarer Fehlanpassungen zwischen den Komponenten einer realisierbaren Schaltung gibt es jedoch diese Spannung. Sie wird in der Regel mit Hilfe eines Vorspann-Netzwerkes kompensiert, wobei jedoch ihr Einfluß mit der Temperatur und der Versorgungsspannung veränderlich ist. Die niedrigen Vorspannströme in den Eingangsstufen des Verstärkers verhindern, daß große Ladungsmengen innerhalb kurzer Zeitintervalle übertragen werden. Dadurch werden große und rasche Spannungsänderungen am Verstärkerausgang verhindert, und der Frequenzgang des Verstärkers bei einem relativ niedrigen Wert gehalten.

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Die zuvor beschriebenen Probleme werden bei einer Transistorverstärkerschaltung der eingangs angegebenen Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß eine erste Stromquelle so angeordnet ist, daß sie der Eingangsdifferentialverstärkerstufe Vorspannstrom entnimmt, und eine zweite Stromquelle derart angeordnet ist, daß sie den zweiten Ausgang der Basisschaltungsstufe Vorspannstrom zuführt, wobei die Ausgangsströme der ersten und zweiten Stromquellen in einem im wesentlichen konstanten gegenseitigen Verhältnis gehalten sind.

Die Erfindung schafft also einen neuen monolithischen, integrierten Operationsverstärker mit extrem.hoher "Nachführge-: schwindigkeit, einer großen Bandbreite und einer stabilen Eingangsversetzung bzw. -korrektur.

In der Zeichnung zeigen:

Fig. 1 ein Schaltbild eines Ausführungsbeispiels der Erfindung;

Fig. 2 und 3 detailliertere TeilSchaltbilder der Schaltung gemäß Fig- I; und

Fig. 4 ein schematisches Schaltbild eines Ausführungsbeispiels der Erfindung unter Verwendung einer anderen Ausführungsform eines kiaizgekoppelten Verstärkers.

Bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist die Eingangs stufe der Schaltung ein Diffeimtialverstärker, dar mit zwei Darlington-gekoppelten Transistorpaaren gebildet ist. Das

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Eingangssignal wird der Basis des ersten Transistorpaares zugeführt, während die Basis des zweiten Transistorpaares geerdet ist. Die Emitter des Differentialverstärkers sind mit einer herkömmlichen negativen Stromquelle gekoppelt. Die Differenzausgangssignale der Eingangsstufe, welche von den Kollektoren der ersten und zwdten Transistorpaare abgenommen werden, werden den Emittern erster und zweiter, Basis gekoppelter Transistoren in Basisschaltung über erste bzw. zweite Widerstände zugeführt. Der Kollektor des ersten Basisschaltungstransistors ist mit einer Spannungsquelle und der Kollektor des zweiten Basisschaltungstransistors mit einer positiven Stromquelle verbunden, welch letztere mit der an der Eingangsstufe liegenden negativen Stromquelle starr gekoppelt ist. Ein kreuzgekoppelter Transistorverstärker liegt parallel zu dem zweiten Widerstand. Diese Schaltung tastet das Signal am Kollektor des zweiten Transistorpaares ab und liefert einen zusätzlichen Strom an den zweiten Basisschaltungstransistor in Abhängigkeit von dem Signal.

Der Kollektor des zwiten in Basisschaltung vorgesehenen Transistorsist ebenfalls mit einer Darlington-Verstärkerschaltung verbunden, welche eine Spannungspegel-Schieberschaltung steuert. Der Ausgang dieses Verstärkers wird von einem Einzeltransistor in Emitterschaltung abgenommen, der mit dem Ausgang der Spannungspegel-Schieberschaltung verbunden ist.

V/ie bereits erwähnt, ist die positive Stromquelle, welche mit dem Kollektor des zweiten Basisschaltungstransistors verbunden ist, mit der negativen Stromquelle der Eingangsdifferential-

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schaltung starr gekoppelt. Diese starre Kopplung ermöglicht es, nach einer Einstellung der Schaltung die Eingangsversetzung bzw. —korrektur auf einem niedrigen Wert aufrecht zu erhalten.

Kondensatoren liegen zwischen dem Eingang der Schaltung und dem Emitter des zweiten Basisschaltungstransistors, sowie zwischen dem Kollektor des zweiten .Basisschaltungstransistors und der Basis des Ausgangstransistors. Diese "feed-'forward" Kondensatoren bilden für hohe Frequenzen einen Beipaß zur Eingangsstufe und zur Darlington—Stufe des Verstärkers. Dieses Merkmal des Verstärkers ermöglicht hohe Nachführgeschwindigkeiten und große Bandbreiten und bildet die Mittel zur raschen Übertragung großer Ladungsmengen zur Basis des Ausgangstransistors. , ■-■.._.

Ein vereinfachtes Schaltbild eines Ausführungsbeispiels der Erfindung ist in Fig. 1 gezeigt. Diese vereinfachte Darstellung dient zur Verbesserung der Übersichtlichkeit der in Fig. 2 und 3 dargestellten vollständigen Schaltung. Die Eingangsstufe der Schaltung ist ein Differentialverstärker, bei dem Darlington—verbundene Transistorenpaare verwendet sind. Das erste dieser Paare besteht aus Transistoren 104 und 105. Der Eingang dieses ersten Paares, d.h. die Basis des Transistors 104, ist mit dem Schaltungseingang verbunden, und der Ausgang wird von dem gemeinsamen Kollektorpunkt der beiden Transistoren (104 und 105) abgenommen. Das Signal am Emitter des Transistors 104 wird an die Basis des

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Transistors 105 angelegt, und eine Stromquelle 107 ist so angeordnet, daß sie den Emitterstrom des Transistors 104 abzieht.

Das zweite Transistorpaar besteht aus Transistoren 102 und 103, welche in ähnlicher Weise wie die Transistoren 104 und 105 geschaltet sind. Der Eingang dieses zweiten Transistorpaares ist geerdet, und sein Ausgang ist ebenso wie bei dem ersten Transistorpaar am Kollektor-Verbindungspunkt der beiden Transistorenpaare auf 102 und 103 vorgesehen. Eine Stromquelle 106 dient dem Emitterstrom des Transistors 102 als Stromfaden. Außerdem sind die Emitter der Transistoren 103 und 105 mit dem Ausgang einer negativen Stromquelle verbunden, welche aus Transistoren 112 und 113 aufgebaut ist. Diese Eingangsstufe wirkt ähnlich einem herkömmlichen Differentialverstärker mit komplementären Ausgangssignalen an den Kollektoren der beiden Transistorpaare. Der Ausgang des ersten Transistorpaares ist über einen Widerstand 109 mit dem Emitter eines Transistors 111 verbunden, der Bestandteil der Basisschaltungsstufe des Verstärkers ist. In ähnlicher Weise ist auch der Ausgang des zweiten Transistorpaares über einen Widerstand 108 mit dem Emitter eines Transistors 110 der Basisschaltungsstufe des Verstärkers verbunden.

Der Kollektor des zur negativen Stromquelle der Eingangsstufe gehörigen Transistors 112 ist an einen gemeinsamen Emitterpunkt der Transistoren 103 und 105 angeschaltet; sein Emitter ist über einen Widerstand 114 mit einem Anschluß 141 verbunden,

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OfMGtNAL INSPECTED

an welchem eine negative Spannung V- ansteht. Die Basis des Transistors 112 ist mit der Basis und dem Kollektor eines Transistors 113 gekoppelt. Außerdem liegt der Emitter des Transistors 113 üher einen Widerstand 115 an der über den Anschluß 141 zur Verfügung gestellten negativen Spannung V₃. Ein einstellbarer Widerstand 170 liegt zwischen dem Kollektor des Transistors 113 und dem Anschluß 141 und dient zum Abgleich der Schaltung. Mit Hilfe dieses Widerstandes kann die anfängliche Eingangsversetzung der Schaltung auf NuXl korrigiert werden, indem das geometrische Mittel der Stromdichten der Basis-Emitter-Strecken in den beiden Transistorpaaren gleich gemacht wird. Da die Transistoren 112 und 113 zu einer integrierten Schaltung gehören, haben sie im wesentlichen die gleichen Charakteristiken. Aus diesem Grunde bewirkt die Kopplung ihrer Basiselektrode, daß das Verhältnis der sie durchfließenden Ströme von dem Verhältnis der Widerstände . 114 und 115-und ihrer relativen Emitterflächen abhängig ist. Der absolute Strom durch den Transistor 113 ist gleich der Differenz zwischen den Spannungen an den Anschlüssen 140 und 141 abzüglich.der V_c„ des Transistors 113, dividiert durch die Summe· der Widerstände 120, 118 und 115. Daher bestimmt der Strom I₁ durch den Widerstand 120 den durch den Tran-^ sasbor 112 von den Emittern der Transistoren 103 und 105 gezogenen Strom, da die Differenz zwischen der Basisspannung des Transistors und der Spannung am Anschluß 141.durch die V^- des Transistors 113 + I„ R_-1._c bestimmt ist. Das Verhältnis der die Transistoren 1.12 und 113 durchfließenden Ströme hängt außerdem zum Teil von ihren relativen Emitterflächen ab.

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Die Widerstände 114 und 115 tragen auch zum Vermischen Rauschen bei, indem sie die Rauschströme imöem sie selbst und die Basis-Emitter-Strecken der Transistoren 112 und 113 enthaltenden Netzwerk verringern.

Um zusätzliche Verstärkung in der Eingangsstufe hervorzurufen, ist ein kreuzgekoppelter Verstärker mit Transistoren

116 und 117 parallel zum Widerstand 108 geschaltet. Der Kollektor des Transistors 116 ist mit dem Emitter des Transistors 110 und einer Seite des Widerstandes 108 verbunden. Ali*¹ die Basis des Transistors 117 ist mit dem Ausgang des zweiten Transistorpaares gekoppelt, wobei der Ausgang mit der anderen Seite des Widerstandes 108 verbunden ist. Die Emitter der Transistoren 116 und 117 sind mit einander und über einen Widerstand 119 mit der negativen Speisespannung V_ am Anschluß 141 verbunden. Ein Widerstand 118, dessen Widerstandswert im wesentlichen gleich demjenigen des Widerstandes 108 ist, liegt zwischen dem Kollektor des Transistors

117 und der Basis des Transistors 116. Außerdem liegt ein Widerstand 120 zwischen der Basis des Transistors 116 und dem Kollektor des Transistors 113 der negativen Stromquelle. Die Spannung an den Basiselektroden der Transistoren 110 und 111 ist im wesentlichen gleich der Versorgungsspannung V^ am Anschluß 143 abzüglich zwei V_n., Abfällen. Dies ergibt

durch
sich Verfolgung der Reihen von Basis-Emitte?-Spannungsab-

fallen (Anstiegen) vom Anschluß 143 über die Anschlüsse 153, 154 und 155 zum Anschluß 152. Daher bleiben die Spannungen an den Kollektoren der Transistoren 116 und 117 im wesentlichen

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konstant bei ^vv-^3v _Be* ^Unter Berücksichtigung dieser Zusammenhänge können die S tromver stärkungseigenschafisi des kreuzgekoppe.ten Verstärkers gezeigt werden. Wenn das zweite Transistorpaar zusätzlichen Strom aus dem Transistor 110 über den Widerstand 108 in Abhängigkeit vom anstehenden Eingangssignal abzieht, so wird die Spannung an der Basis des Transistors 117 geringer. Dadurch sinkt die Spannung an den Emittern der Transistoren 116 und 117 und der Kollektor strom des Transistors 116 nimmt zu, da dessen Bäsisspannung im wesentlichen konstant bleibt. Demzufolge wird zusätzlicher Strom dem Transistor 110 entnommen und eine Stromverstärkung erreicht.

Die Basisschaltungsstufe des Verstärkers besteht aus den beiden Basis-gekoppelten Transistoren 110 und 111. Der Kollektor des Transistors 111 ist mit einer am Anschluß 142 liegenden positiven Spannungsquelle V. verbunden. Dagegen ist der Kollektor des Transistors 110 mit einer positiven Strom— quelle verbunden. Wie zuvor erwähnt, wird die Basisspannung der Transistoren 110 und 111 auf einer im wesentlichen konstanten Spannung ^v-i-2V_BE gehalten. Bei dieser Anordnung wird das Ausgangssignal des ersten Transistorpaares des Eingangsdifferentialverstärkers nicht weiter in die Schaltung übertragen. Dagegen wird das Ausgangssignal des zweiten Transistorpaares nach Verstärkung durch den kreuzgekoppelten Verstärker durch den Basisschaltungstransistor 110 durchgelassen. Diese Basisschaltungstransistoren rufen eine niedrige Impedanz an den Kollektoren des Eingangsdifferential-

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Verstärkers hervor, wodurch dessen Stromverstärkung und Abgleich infolge Verringerung der Signalspannung an den Kollektoren der Transistorpaare verbessert werden. Dies hat den Effekt, daß die interne Rückkopplung in den Eingangspaaren, welche die Schaltungsverstärkung begrenzt und die Symmetrie bzw. den Abgleich heraufsetzt, verringert wird.

Die mit dem Kollektor des Transistors 110 verbundene positive Stromquelle umfaßt pnp-Transistoren 121 und 122, deren Emitter an der am Anschluß 143 anstehenden Spannung V^ liegen und deren Basiselektroden miteinander gekoppelt sind. Da diese Schaltung zur Verwendung in einer monolithischen integrierten Schaltung konzipiert wurde, welche für npn-Transistoren optimiert worden ist, haben diese pnp-Transistoren sehr geringe Verstärkung. Wegen dieser geringen Verstärkung können die Transistoren nicht in derselben Weise wie die Transistoren 112 und 113 verbunden werden. Statt dessen müssen Maßnahmen getroffen werden, um die hohen Basisströme dieser Transistoren niedriger Verstärkung von der Steuerspannung am Anschluß 155abzutrennen, während diese Spannung gleichzeitig am Anschluß 153 den Basiselektroden dieser Transistoren zur Verfügung gestellt werden. Dies geschieht durch Kopplung der Steuerspannung am Anschluß mit diesen Basiselektroden über Transistoren 123 und 124. Da die Basiselektroden und Emitter der Transistoren 121 und 122 zusammengeschaltet sind, führen sie im wesentlichen den

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gleichen Kollektorstrom. Der Kollektorstrom des Transistors 122 ist im wesentlichen gleich

^V1^+V3-^4VBE

R₁₁₈ +R₁₂₀ + R₁₁₅ '

wobei V. die Spannung am Anschluß 143; V- die Größe der negativen Spannung am Anschluß 141; V_ßE die Basis-Emitter-Spannung der Transistoren und R₁₁₈» R₁₂O ^{und R}H5 ^{die widerst}andswerte der Widerstände 118, 120 und 115 sind. Daher hat der"Transistor 122 einen im wesentlichen konstanten Kollektorstrom, der zu einem im wesentlichen auf demselben konstanten Wert liegenden Kollektorstrom des Transistors 121 führt.

Die Kollektorströme der Transistoren 121 und 122 würden von den großen Basisströmen beträchtlich verringert, wenn der Anschluß 153 direkt mit dem Anschluß 155 gekoppelt wäre. Die Anordnung zum Abtrennen bzw. Ableiten dieses Basisstroms, welche demzufolge verhindert, daß der Basisstrom dem Kollektorstrom des Transistors 122 überlagert wird, umfaßt eine Verbindung der Basiselektroden der Transistoren 121, 122 und 123. Außerdem ist der Kollektor,des Transistors 123" mit seiner Basis verbunden. Der Emitter des Transistors 123 ist an dem Emitter des Transistors 124 angeschlossen. Die Steuerspannung am Anschluß 155 wird an die Basis des Transistors 124 angelegt, dessen Kollektor mit der positiven Spannungsquelle V. am Anschluß 142 verbunden ist. Eine negative Stromquelle, welche aus Transistoren 126 und 127 aufgebaut ist, wird zur Abführung der Emitterströme der Transistoren 122 und 123 benutzt.

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Bei dieser Anordnung wird die am Anschluß 155 anstehende Steuerspannung über die Basis-Emitter-Strecken der Transistoren 123 und 124 an die Basiselektroden der Transistoren 121 und 122 angelegt. Die hohen Basisströme der Transistoren 121 und 122 gehen jedoch über die Transistoren 123 und 124 nach Erde. Ein Widerstand 128 liegt zwischen der positiven Spannungsquelle V. am Anschluß 142 und den Basiselektroden von Transistoren 126 und 127. Der Kollektor des Transistors 127 ist unter Bildung einer Diode mit seiner Basis verbunden. Die Emitter der Transistoren 126 und 127 sind zusammen an Erde geführt. Da die Basiselektroden und Emitter der Transistoren 126 und 127 zusammengeschlossen sind, führen sie gleiche Kollektorströme, wenn ihre Emitterflächen gleich sind. Dieser Kollektorstrom wird von der Versorgungsspannung V₁, dem Basis-Emitter-Abfall des Transistors 127 und dem Widerstand 128 bestimmt. Daher führen die Emitter der Transistoren 123 und 124 einen konstanten Strom.

Der über den Anschluß 155 der positiven Stromquelle in dem Widerstand 120 fließende Steuerstrom und6er aus dem Widerstand 120 am Anschluß 156 der aus den Transistoren 112 und 113 bestehenden negativen Stromquelle austretende Steuerstrom sind gleich und haben dieselbe Größe, wobei der Stromfad über die Transistoren 125 und 129 und dem Widerstand 118 geschlossen ist. Da diese Steuerströme starr gekoppelt sind, , sind die Ausgänge der beiden Stromquellen zusammengeschlossen, Der Ausgangsstrom der positiven Stromquelle ist im wesentlichen gleich dem Kollektorstrom des Transistors 122. Dieser

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Strom I,, fließt über den in Fig. 1 bezeichneten Strompfad zum Anschluß 156 der negativen Versorgung und entwickelt seine Steuerspannung. Daher ruft eine Erhöhung des Ausgangssignals der positiven Versorgung eine entsprechende Erhching des Ausgangssignals der negativen Versorgung hervor.

Diese Stromkopplungsanordnung ermöglicht es,· die Eingangsversetzung bzvf. -korrektur auf einem niedrigen Wert zu halten, sobald die Schaltung eingestellt ist. Wenn die beiden Stromquellen nicht starr gekoppelt wären und die positive Stromquelle einen erhöhten Strom liefern würde, so würde ein kleinere« Strom durch das erste Tran-sistorpaar im Eingangsdifferentialverstärker aufgrund der durch den Widerstand 138 gebildeten Rückkopplung fließen. Da der Gesamtstrom aus den beiden Transistorpaaren von der negativen Stromquelle gesteuert wird, würde dieser verringerte Strom einen Anstieg desStroms durch das zweite Transistorpaar hervorrufen. Dadurch ergäbe sich eine Versetzung des EingangsdifferentialVerstärkers. Bei der beschriebenen starren Kopplung der beiden Stromquellen wird jedoch jede Änderung dieser Art von der zusätzlichen stromführenden negativen Stromquelle verhindert. Dies bewirkt ein Anwachsen des Vorspannstroms der beiden Transistorpaare und verhindert die Versetzung. Bei dieser Stromkopplungsanordnung sind die Basis und der Kollektor des Transistors 125 mit dem . Anschluß 155 verbunden. Der Emitter des Transistors 125 liegt über dem Anschluß 152 an den Basiselektroden der Transistoren 129, 110 und 111. Dadurch wird die Spannung am Anschluß. 152 ■. gleich der Versorgungsspannung V. - 2 χ V^. Außerdem ist der

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Kollektor des Transistors 129 mit dem Emitter des Transistors 125 gekoppelt, um einen Strompfad für den Strom I₁ zu bilden. Der Emitter des Transistors 129 ist mit dem Verbindungspunkt 150 des Kollektors des Transistors 117 und des Widerstands 118 verbunden. Ferner liegen die Widerstände 118 und 120 in Tandemschaltung zwischen den Anschlüssen 150 und 156.

Das Ausgangssignal der Basisschaltungsstufe des Verstärkers am Kollektor des Transistors 110 wird an einen Darlington-Verstärker angelegt, der aus Transistoren 130 und 131 besteht. Der Kollektor des Transistors 110 ist mit der Basis des Transistors 130 verbunden; die Kollektoren der Transistoren 130 und 131 liegen an der positiven Spannungsquelle V^ am Anschluß 144. Außerdem wird das Ausgangssignal von der Basisschaltungsstufe des Verstärkers zur Basis des Transistors 131 über den Emitter des Transistors 130 gekoppelt. Ein Widerstand 132 liegt zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors 131 und dient zum Abführen des Emitterstroms des Transistors 130. Dieser Darling^on-Ver stärker wirkt im Sinne einer Stromverstärkung des Signals ohne einen Spannungsanstieg, so daß er zum Treiben der Ausgangsstufe geeignet ist.

Eine Spannungspegel-Schieberschaltung 133 verschiebt die Ausgangsspannung am Emitter des Transistors 131 auf einen niedrigeren Mittelwert und legt sie an die Basis des Ausgangstransistors 134. Ein Widerstand 135 liegt zwischen der Basis

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des Transistors 134 und dessen Emitter. Außerdem ist der Emitter des Transistors 134 mit der negativen Spannungs— quelle Vp am Anschluß 145 verbunden. Der Ausgang der Schaltung am Anschluß 101 wird vom Kollektor des Transistors abgeleitet. Der Kollektor des Transistors 134 ist außerdem über einen Widerstand 136 mit einer positiven Spannungsquelle V. und über einen Widerstand 137 mit Erde verbunden.

Die bisher beschriebene Anordnung ist einfach ein Rückkopplungs-freier Difierentialverstärker hoher Verstärkung mit einer besonderen Anordnung zur Verringerung von Versetzungsunterschieden durch gekoppelte Stromversorgung. Das Eingangssignal wird in zwei verstärkte, komplementäre Signale im Eingangsdifferentialverstärker umgesetzt. Eines dieser Signale ist stromverstärkt und wird an eine Transistorstufe in Basisschaltung angelegt, welche es aft einen Darlington-Verstärker überträgt. Der Darlington-Verstärker erhöht die Stromträgerfähigkeit des Signals vor dessen Pegelverschiebung und Verwendung als Treibersignal für die Ausgangsstufe. Durch Einschaltung eines Widerstands 138 zwischen dem Eingang des ersten Transistorpaares am Anschluß 100 und dem Schaltungsausgang am Anschluß 101 wirkt diese Anordnung als Operationsverstärker, wobei der Widerstand 138 einen Rückkopplungswiderstand bildet.

Um die Nachführgeschwindigkeit und die Bandbreite des Verstärkers zu vergrößern, sind Kapazitäten 139 und 140 als Beipaß des Verstärkerabschnitts bzw. der Darlington-Stufe

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vorgesehen. Der Eingangsabschnitt begrenzt normalerweise die Nachführgeschwindigkeit, da er für niedrige Eingangsversetzung vorgespannt ist und daher nur relativ kleine Signale überträgt. Aus diesem Grunde können nur kleine Ladungsmengen durch den Eingangsabschnitt in einem kurzen Zeitintervall übertragen werden.

Bei Einschaltung dieses Kondensators 139 ist ein weiterer Kondensator 160 erforderlich, um die Spannungsverstärkung des nebengeschossenen Teils der Schaltung unter eins zu bringen, bevor die Wirkungen des Kondensators 139 beachtlich werden. Dadurch wird eine positive Rückkopplung über die vom Kondensator 139 geschaffene Schleife verhindert, welche die Schaltung instabil machen würde. Durch Einschaltung des Kondensators 160 zwischen dem gemeinsamen Kollektorpunkt des zweiten Eingangstransistorpaares und dem gemeinsamen Emitterpunkt des kreuzgekoppelten Verstärkers wird die Verstärkung verringert. Der Kondensator 140 überbrückt die Darlington-Stufe und die Spannungspegel-Schieberschaltung für hohe Frequenzen. Diese "feedforward"-Technik trägt auch dazu bei, die Stabilitätsgrenzen des Verstärkers zu vergrößern. Tatsächlich geben diese Kondensatoren den Hochfrequenzkomponenten des Eingangssignals die Möglichkeit, die angegebenen Verstärkerstufen, die einen schlechten Frequenzgang' und eine geringe Nachlaufgeschwindigkeit haben, zu umgehen .

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Fig. 2 und 3 sind v±lständige Schaltbilder eines Ausführungsbeispiels des integrierten Operationsverstärkers. Die meisten Elemente sind die gleichen wie diejenigen in Fig. 1 und tragen demgemäß die gleichen Bezugszeichen. Die verschiedenen Funktionseinheiten des Verstärkers sind strichpunktiert umrandet, und die. gesamten Elemente der integrierten Schaltung selbst sind von unterbrochenen Linien umgeben. Die außerhalb der unterbrochenen Linien dargestellten Komponenten sind externe Komponenten, welche an die integrierte Schaltung angeschlossen sind.

In Fig. 2 ist die Stromquelle 106 der Fig. 1 durch einen Transistor 206 und einen Widerstand 208 ersetzt. Der Kollektor des Transistors 206 ist mit demEmitter des Transistors 102, und sein Emitter über einen Widerstand 208 mit dem Anschluß 141 verbunden. Die Basis des Transistors 206 liegt an der Basis des Transistors 113. Diese Stromquelle wirkt in derselben Weise wie die Stromquelle mit dem Transistor 112 und dem Widerstand 114. Der Transistor 113 und der Widerstand 115 entwickeln eine Steuerspannung an der Basis des Transistors 206 in Abhängigkeit von dem durch die positive Stromquelle gelieferten Strom I.. Diese Steuerspannung ruft ihrerseits den Kollektorstrom des Transistors 206 hervor, der von dem Widerstandswert des Widerstands 208 abhängig ist. In ähnlicher Weise ist die Stromquelle 107 der Ausführungsform gemäß Fig. 1 ersetzt durch einen Transistor 207, dessen Kollektor mit dem Emitter des Transistors 104 und dessen Emitter mit dem Emitter des Transistors 206 verbunden ist. Diese Stromquelle wirkt in derselben Weise wie die vom Transistor 206 gebildete Stromquelle, da die Basiselektroden der Transistoren 206 und zusammengeschlossen sind.

Die negative Stromquelle liefert bei der Ausführungsform gemäß Fig. 2 einen im Vergleich zu derjenigen nach Fig. 1 erhöhten Ausgangsstrom, da ein zusätzlicher Transistor und ein Widerstand 214 parallel zu dem Transistor 112 und

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— Io —

dem Widerstand 114 liegen. Der Kollektor des Transistors 212 ist mit dem Kollektor des Transistors 112 verbunden, und die Basiselektroden der Transistoren 112 und 212 sind zusammengeschlossen. Die negative Spannung am Anschluß liegt über einen Widerstand 214 am Emitter des Transistors 212. Diese Spannung ist angenähert gleich V₃, da der Widerstand 203 einen relativ geringen Widerstandswert tefc.

Die positive Stromquelle gemäß Fig. 2 ist nahezu identisch derjenigen der Ausfihrungsform nach Fig. 1. Die Stromabführung für die Transistoren 123 und 124 wurde jedoch bei dieser Ausführungsform dadurch verstärkt, daß ein Transistor 215 parallel zum Transistor 126 geschaltet wurde. Diese beiden Transistoren sind mit ihren Basiselektroden, Kollektoren und Emittern jeweils zusammengeschlossen.

Die Versorgungsspannung V , welche in der integrierten Schaltung gebracht wird, wird von einer Transistoren 221 und 222 aufweisenden Spannungsquelle erzeugt. Eine externe positive Spannung wird am Anschluß 265 angelegt. Dadurch wird ein Strom durch einen Widerstand 220 geschickt, der zwischen einem Anschluß 265 und dem Kollektor des Basisschaltungstransistors 111 liegt. Widerstände 223 und 224 liegen zwischen dem Kollektor und der Basis bzw. zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors 222. Der Kollektor des Transistors 222 ist mit dem Kollektor des Transistors 111 gekoppelt, und sein Emitter ist mit der Basis des Transistors 221 verbunden. Ein Widerstand 225 liegt zwischen Basis und Emitter des Transistors 221, und der Kollektor des Transistors 221 ist mit dem Kollektor des Transistors 222 gekoppelt. Während des normalen Betriebs fließt ein Strom durch den Widerstand 220 und ruft am Anschluß 142 eine Spannung hervor. Außerdem sind die Transistoren 221 und 222 Strom-führend, da über den Widerstand 223 eine Spannung an der Basis des Transistors 222 ansteht, und der Emitter des Transistors 222 liefert eine Spannung an die Basis des Transistors 221. Wenn eine erhöhte Strommenge -

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von dem übrigen Teil der Schaltung von dem Anschluß 142 gezogen wird, so ergibt sich ein entsprechend Spannungsabfall an diesem Anschluß. Dieser Spannungsabfall wird an die Basiselektroden der Transistoren 221 und 222 angelegt und bewirkt, daß diese Transistoren weniger Strom ziehen. Dadurch wird die Spannung am Anschluß 142 wieder hergestellt. Diese Op-erationsweise bewirkt, daß die Spannung am Anschluß 142 auf einem im wesentlichen konstanten Wert bleibt. ■

Fig. 3 zeigt eine Schaltung, welche für die gesamte integrierte Schaltung die negativen Spannungen V_ und V₃..entwickelt. Die Spannung V₃ wird von einer Reihe von Transistoren 230, 231, 232, 235 und 236, deren Kollektoren an Erde bzw. Masse liegen, erzeugt. Die Basis des Transistors 230 ist ebenfalls geerdet, und sein Emitter ist mit der Basis des Transistors 231 verbunden. In ähnlicher Weise liegt der Emitter des Transistors 231 an. der Basis des Transistors 232; der Emitter des Transistors 232 ist mit der Basis des Transistors 235 verbunden; und der Emitter des Transistors 235 ist mit der Basis des Transistors 236 gekoppelt. Ein Widerstand 234 liegt zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors 232 und dient der Abfuhr des Emitterstroms des Transistors 231. Außerdem ist ein Widerstand 233 zwischen der Basis und demEmitter des Transistors 235 zum Abführen der Ströme der Transistoren 231 und 232 vorgesehen. Der Emitter des Transistors 235 ist ebenso wie der Emitter des Transistors 236 mit dem V_g-Ausgang am Anschluß 261 verbunden. Ein Widerstand 227 liegt zwischen der Basis des Transistors 236 und dessen Emitter. Dieser Widerstand ist jedoch bei der dargestellten Schaltung ebenso wenig wie der Transistor 236 wirksam. Durch Entfernen des Widerstandes 227 kann jedoch die Spannung V₃ erhöht werden. Diese Spannung V₃ wird zur Verwendung in der negativen Stromquelle über den Widerstand 205 verfügbar gemacht.

Die Größe,der Ausgangsspannung V₃ wird von den Basis-Emitterspannungen der Transistoren der Transistorreihe bestimmt.

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Die Ausgangsspannung V» wird jedoch durch Anliegen/der Spannung V- an die Basis des Transistors 237 erzeugt, wobei die Ausgangsspannung V_ von dessen Emitter abgenommen wird. Ein Widerstand 238 liegt zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors 237, dessen Kollektorwiderstand 239 an Masse liegt. Außerdem bildet ein Widerstand 250 zusammen mit der negativen Spannung V₅ am Anschluß 266 eine Schaltung zum Abführen des Emitterstroms von den Transistoren 237 und 134, wobei der Strom durch den Transistor 238 fließt.

Die .Spannungspegel-SchieberscMtung 133 in Fig. 1 wurde durch eine Schaltung mit den Transistoren 240, 242 und 243 ersetzt. Der Kollektor des Transistors 240 ist mit dem Ausgang der Darlington-Schaltung am Emitter des Transistors 131 verbunden, und sein Emitter ist mit der Basis des Ausgangstransistors 134 gekoppelt. Ein Widerstand 241 liegt zwischen der Basis und dem Kollektor des Transistors 240. Eine aus Transistoren 242 und 243 gebildete Stromquelle zieht Strom durch den Widerstand 241 und erzeugt dadurch die Basis-Kollektor -Spannung. Die verbleibende Spannungspegelverschiebung erfolgt durch die im wesentlichen konstante Basis-Emitter-Spannung des Transistors 240. Die Stmnquelle mit den Transistoren 242 und 243 ist in derselben Weise wie die Stromabführschaltung mit den Transistoren 126 und 127 der positiven Stromquelle angeordnet. Intesondere sind die Basiselektroden und die Emitter der Transistoren 242 und 243 jeweils zusammengeschaltet. Der Kollektor des Transistors 242 ist mit der Basis des Transistors 240 und der Kollektor des Transistors 243 mit der Basis des Transistors 242 gekoppelt. Ein Widerstand 244 liegt zwischen der Basis des Transistors 242 und dem Emitter des Transistors 230 der negativen Versorgungsspannungsquelle. Die negative Spannung V„ am Anschluß 262 wird an den gemeinsamen Emitterpunkt der Transistoren 242 und 243 über einen Widerstand 245 angelegt. Da die Basiselektrode und Emitter der Transistoren 242 und 243 zusammengeschaltet sind, haben diese Transistoren angenähert gleiche Kollektorströme. Der Kollektorstrom des Transistors 243 wird

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jedoch von der Spannung V₂, der Basis-Emitter-Spannung der Transistoren 230 und 243 und dem Wert der Widerstände 244 und 245 beeinflusst. Daher bleibt der Strom durch den Widerstand 241 konstant. Ein Temperaturanstieg verursacht aufgrund der Verminderung der Basis-Emitter-Span— nungen in der Versorgungsspannungsschaltung ein Abfallen der Spannung ^v ₂· Daher muß die Spannungspegel-Schieberschaltung diese Verschiebung korrigieren, um die Vorspannungen in anderen Teilen der Schaltung in geeigneter Weise aufrecht zu erhalten. Eine Temperaturerhöhung verursacht auch ein Abfallen der V_ßE des Transistors 240. Diese Spannungsverminderung wird jedoch durch ein Abfallen der V„„ der Transistoren in der Stromquelle kompensiert, welche eine sprunghafte Zunahme des Stroms im Widerstand 241 hervorruft. Diese sprunghafte Stromzunahme wird jedoch durch die viel größere Stromabnahme durch den Widerstand 241 in Folge der Änderung von V^ kompensiert. Dadurch wird die Spannung am Emitter des Transistors 131 auf einem im wesentlichen konstanten Wert gehalten, wodurch die Gesamtspannungsverschiebung eine Änderung mit der Spannung V₂ erfährt, Ein Kondensator 246 liegt zwischen dem Kollektor und dem Emitter des Transistors 240 und dient zur Verbesserung des Frequenzgangs für hohe Frequenzen des Spannungspegel-Schiebeis und zur Verringerung von dessen Rausdheinfluß.

Ein Widerstand 200 liegt zwischen der Eingangssignalquelle und dem Eingang des zweiten Transistorpaares an der Basis

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des Transistors 104. Auch Widerstände 252 und 253 liegen zwischen der Eingangsbasis des Transistors 104 und dem Schaltungsausgang am Kollektor desTransistors 134 in Reihe. Diese Widerstände gehören zur integrierten Schaltungund wirken als Rückkopplungswiderstände. Da sie einen Teil der Schaltung selbst bilden, ermöglichen sie eine Prüfung der Schaltung ohne Anschluß von äußeren Rückkopplungswiderständen. Da diese Widerstände relativ große Widerstandswerte im Vergleich zu normalen Rückkopplungswiderständen haben, kann ihr Einfluß durch Erdung ihres Verbindungspunktes am Anschluß 264 ausgeschaltet werden. Der norma-le Rückkopplungswiderstand 138 hat nach der Darstellung einen parallel geschalteten Kondensator 254. Dieser Kondensator dient der Frequenzformung.

Kondensatoren 226 und 251 bewirken eine Endkopplung der externen Spannungen V. und V,- an den Anschlüssen 142 und 262. Ferner entkoppelt ein Kondensator 270 die Basisschaltungsstufe am Anschluß 152.

Im folgenden werden die Werte für Widerstände, Kondensatoren und Spannungen im Verstärker für ein Ausführungsbeispiel angegeben. Diese Werte wurden in einer bereits realisierten und erfolgreich betriebenen Verstärkerschaltung verwendet. Sie sind jedoch nur als Anhaltspunkte für ein Ausführungsbeispiel anzusehen.

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Tabelle

Spannungen:

^Vl.. ,. -	+3 Volt
^V2	-3,2 Volt
^V3	■ -2,4 Volt
^V4	+8 Volt
^V5	-8 Volt
Externe Widerstände:
^R136	390-A-
^R137	250-TU
^R138	500>A.
^R200	250-0.
^R220	220-TL
·· r\ f" λ	75,TL

Interne	Widerstände:	400-A-
^R108	400-/L
^R109	303-A-
^R114	345 H
^R115	400JL
^R118	. 2,2 k-n_
^R119	4,0 k/L
^R120	750-TL
^R128	2,0 k/L
^R132	1,4 k-O_
^R135	veränderlich
^R170	309824/1050

	-24- 2256964
^R205	15 -Λ-
^R208	2,0 k-Λ.
^R214	303-Π.
^R223	1300-Π-
^R224	600-TU
^R225	300-^-
^R233	2,2 k-A-
^R234	3,3 k-α * ·
^R238	80-TL
^R239	1,0 k-A.
^R241	2,1 kJl
^R244	2,1 kJl
^R245	IOOjO.
^R252	24 kJl
^R253	10 kJT-
Externe	Kondensatoren:
^C139	0,01 μ¥
^Cl40	0,001 ]xF
^Cl60	0,1 μΡ
^C226	1 VF
^C246	1 pF
^C251	1 pF
^C254	4,7 pF
	0,001 pF

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Fig. 4 zeigt ein Ausführungsbeispiel mit einer anderen Verbindung für den kreuzgekoppelten Verstärker. Die meisten Komponenten der Fig. 4 entsprechen denjenigen der Fig. 2 und tragen dieselben Bezugszeichen.

Der kreuzgekoppelte Verstärker mit den Transistoren 116 und

117 wurde zu einer besser abgeglichenen Anordnung abgewandelt. Der Emitterwiderstand 119 dieser Transistoren ist bei diesem Ausführungsbeispiel mit der Basis des Stromquellentransistors 113 und nicht mit der negativen Spannungsquelle V₃ verbunden. Außerdem entfallen der Transistor 129 sowie die Widersiä nde

118 und 120. Der Kollektor des Transistors 117 ist mit dem Emitter des Transistors 111 verbunden , und die Basis des Transistors 116 liegt am Kollektor des Transistors 105. Bei dieser Anordnung liefert der kreuzgekoppelte Verstärker einen erhöhten Verstärkungsfaktor. Bei der Anordnung nach Fig. 2 wurde an die Basis des Transistors 116 eine im wesentlichen konstante Spannung angelegt. Bei der Anordnung gemäß Fig. 4 wird dagegen der Basis des Transistors 116 das Differenzsignal vom Kollektor des Transistors 105 zugeführt. Daher wirken die Transistoren 116 und 117 ähnlich einem Differentialverstärker mit an den beiden Basen anstehenden komplementären Spannungen. Dies ruft einen entsprechenden Anstieg des vom Transistor 116 dem Transistor 110 zugeführten Signalstroms hervor.

Der Steuerstrom aus der positiven Stromquelle, der am Knotenpunkt. 152 eintritt, wird jetzt durch den Transistor 111, der

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als Diode geschaltet ist, geleitet. Die Stromkopplung ist auch bei dieser Anordnung wirksam, da die Spannung am Anschluß 152 innerhalb der Spannungsabfälle an zwei Dioden am Anschluß 302 gehalten wird. Der erste Dioden-Spannung s-Abfall tritt an der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 110 und der zweite Spannungs-Abfall an der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 117 auf. Der Vorspannungsabfall über den Widerstand 108 ist gewöhnlich im Vergleich zu den Spannungsabfällen an diesen Dioden· klein und kann daher außer Betracht bleiben. Wenn der in den Verbindungspunkt 152 aus der positiven Stromquelle eintretende Strom direkt an die Basis des Transistors 113 gelegt würde, so könnte der Transistor 111 mit seinem Kollektor wie in Fig. 2 an die positive Spannungsquelle angeschlossen werden.

Es ergibt sich aus der vorhergehenden Beschreibung, daß die erfindungsgemäß getroffenen Maßnahmen zum Aufbau eines Operationsverstärkers mit verbesserter Eingangs-Versetzungsstabilität, größerer Frequenzbandbreite und Nachführgeschw-indigkeit führen. Im Rahmen der vorliegenden Erfindung sind selbstverständlich viele konstruktive Abwandlungen möglich.

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Claims

Ansprüche

Transistorverstärkerschaltung mit einer Eingangsdifferentialverstärkerstufe, deren einer Eingang mit dem Schaltungseingang und deren anderer Eingang mit Erde verbunden sind, einer Basisschaltungsstufe, de einen mit einer Spannungsquelle verbundenen ersten Ausgang und einen zweiten Ausgang aufweist, ferner mit einem zwischen einem ersten Ausgang der Differentialverstärkerstufe und einem ersten Eingang der Basisschaltungsstufe liegenden ersten Widerstand, einem zwischen einem zweiten Ausgang der Differentialverstärkerstufe und einem zweiten Eingang der Basisschaltungsstufe eingeschalteten zweiten Widerstand und mit einer Auεgangsstufe, deren Eingang mit dem zweiten Ausgang der Basisschaltungsstufe und deren Ausgang mit dem Schaltungsausgang\erbunden sind,
dadurch gekennzeichnet,, daß eine erste Stromquelle (112-115) so angeordnet ist, daß sie der Eingangsdifferentialverstärkerstufe (102-105) Vorspannstrom entzieht, und eine zweite Stromquelle (121-125) derart angeordnet ist, daß sie dem zweiten Ausgang der Basisschaltungsstufe (110, 111) einen Vorspannstrom zuführt, wobei die Ausgangsströme der ersten und zweiten Stromquellen in einem im wesentlichen konstanten gegenseitigen Verhältnis gehalten sind.

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2. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dritte (107)und vierte (106) Stromquellen jeweils so geschaltet sind, daß sie Strom vom Differentialverstärker abziehen.
3. Verstärkerschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangsdifferentialverstärkerstufe aus den folgenden Komponenten aufgebaut ist:

einem ersten Transistorpaar (104-105) mit in einer Darlington-Schaltung angeordneten Differentialtransistoren, wobei die Basis des ersten Differentialtransistors (104) mit dem Schaltungseingang (100) verbunden ist, die Kollektoren beider Transistoren mit dem ersten Ausgang der Differentialverstärkerstufe gekoppelt sind und der Emitter des ersten Differentialtransistors an die Basis des zweiten Differentialtransistors (105) und die dritte Stromquelle (107) angeschaltet ist; und

einem zweiten Transistorpaar (102-103) mit in einer Darlington-Schaltung angeordneten dritten und vierten Differentialtransistoren, wobei die Basis des dritten Differentialtransistors (102) geerdet ist, die Kollektoren sowohl des dritten als auch des vierten Differentialtransistors mit dem zweiten Ausgang der Differentialverstärkerstufe verbunden sind, der Emitter des dritten Differentialtransistors (102) mit der Basis des vierten Differentialtransistors (10?) der vierten Stromquelle (106) gekoppelt ist und der Emitter des vierten Differentialtransistors an den Emitter des zweiten Differential-

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transistors (105) und den ersten Ausgang der ersten Stromquelle angeschaltet ist.
4. Verstärkerschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein erster Kondensator (139) zwischen dem Schaltungseingang (100) und dem zweiten Eingang der Basisschaltungsstufe liegt," daß ein zweiter Kondensator (140) zwischen dem zweiten Ausgang der Basisschaltungsstufe und dem Eingang der Ausgangsstufe eingeschaltet ist; und ein dritter Kondensator (160) zwischen dem zweiten Ausgang der Eingangsdifferentialverstärkerstufe und einem Bezugspotential liegt.
5. Verstärkerschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangsstufe aus den folgenden Komponenten aufgebaut ist:

einem ersten Ausgangstransistor (134), dessen Basis den Eingang und dessen Kollektor den Ausgang bildet; zweite (130) und dritte (131) in Darlington-Schaltung angeordnete Ausgangstransistoren, wobei die Basis des zweiten Ausgangstransistors mit dem Eingang der Ausgangsstufe verbunden ist, die Kollektoren der zweiten und dritten Ausgangstransistoren an einem Bezugspotential (144) liegen und der Emitter des zweiten Aüsgangstransistors mit der Basis des dritten Ausgangstransistors gekoppelt ist;
' einem zwischen der Basis und dem Emitter des dritten Aus-

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gangstransistors liegenden Ausgangswiderstand (132)j einer Spannungspegel-Schieberschaltung (133), deren Eingang mit dem Emitter des dritten Ausgangstransistors und deren Ausgang mit der Basis des ersten Ausgangstransistors verbunden sind;

einem zweiten Ausgangswiderstand (135), der zwischen der Basis und dem Emitter des ersten Ausgangstransistors liegt; und

ein weiteres, mit dem Emitter des ersten Ausgangstransistors verbundenes Bezugspotential (155).
6. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Stromverstärker (116-117) zu dem zweiten Widerstand (108) parallel geschaltet ist.
7. Verstärkerschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Stromverstärker ein kreuzgekoppelter Verstärker mit den folgenden Schaltungskomponenten ist:

einem ersten Stromverstärkertransistor (116), dessen Kollektor mit dem zweiten Eingang der Basisschaltungsstufe und dessen Basis mit einem Bezugspotential verbunden sind;

einem zweiten Stromverstärkertransistor (117), dessen Basis mit dem zweiten Ausgang der Differentialverstärkerstufe und dessen Emitter mit dem Emitter des ersten Stromverstärkertransistors gekoppelt sind; einem ersten Stromverstärkerwiderstand (119), der zwischen dem Emitter des zweiten Stromverstärkertransistors und

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einem anderen Bezugspotential liegtj und einem zweiten Stromverstärkerwiderstand (116), der zwischen dem Kollektor des zweiten Stromverstärkertransistors und der Basis des ersten Stromverstärkertransistors liegt und dessen Widerstandswert im wesentlichen gleich demjenigen des zweiten Widerstandes (108) ist.
8. Verstärkerschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der -Stromverstärker ein kreuzgekoppelter Verstärker ist, der die folgenden Schaltungskomponenten aufweist;

einen ersten Stromverstärkertransistor (116), dessen Kollektor mit dem zweiten Eingang der Basisschaltungs— stufe und dessen Basis mit dem ersten Ausgang der.Eingangs diff er entialver stärk er stufe verbunden sind; einen zweiten'Stromverstärkertransistor (117), dessen Kollektor mit dem ersten Eingang der Basisschaltungs— stufe, dessen Basis mit dem zweiten Ausgang der Eingang*- differentialverstärkerstufe und dessen Emitter mit dem Emitter des ersten Stromverstärkertransistors gekoppelt sind; und

einen ersten Verstärkerwiderstand (119), der zwischen dem Emitter des zweiten Stromverstärkertransistors und einem Bezugspotentional liegt.
9. Verstärkerschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung ein integrierter monolithischer Halbleiter*· verstärker ist.

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10. Verstärkerschaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß erste (252) und zweite (253) Rückkopplungswiderstände in Reihe zwischen dem Eingang und dem Ausgang der Schaltung angeordnet sind, die ein Prüfen des Verstärkers ohne Zuschaltung eines externen Rückkopplungs-Widerstandes ermöglichen.
11. Verstärkerschaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß eine Spannungsregeleinrichtung (220—2*39) zur Erzeugung der verschiedenen Bezugspotentiale aus einer einzigen positiven und einer einzigen negativen Versorgungsspannung vorgesehen ist.

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