DE2256528A1

DE2256528A1 - Schaltungsanordnung fuer anzeigetafeln

Info

Publication number: DE2256528A1
Application number: DE2256528A
Authority: DE
Inventors: Tsunekiyo Iwakawa; Akira Yano
Original assignee: Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1971-11-17
Filing date: 1972-11-17
Publication date: 1973-06-07
Also published as: JPS4856348A; JPS5521355B2; US3808501A

Description

Schaltungsanordnung für Anzeigetafeln

Die Erfindung bezieht sich auf eine Steuerschaltung für eine Plasma-Anzeigetafel und insbesondere auf eine auf Zeitselektions-Steuersignale ansprechende Schaltung für das Führen einer Plasma-Anzeigetafel von einer elektrischen Spannungsquelle in Zeitselektionsweise.

Eine Plasma-Anzeigetafel weist grundsätzlich eine dünne Glasplatte mit einer Mehrzahl von Bohrungen an vorbestimmten Stellen und zwei dünne Glasplatten, die an beiden Seiten der perforierten Glasplatte dicht aufgebracht sind, auf. Die drei zusammengesetzten Glasplatten sind entlang ihres Randes luftdicht verbunden. Das Innere der Bohrungen wird zuerst evakuiert und dann mit Neon oder einem ähnlichen inerten · Gas oder solchen Gasen gefüllt. Zeilen- und Spaltenelektroden,, die zusammen als Matrixelektrode bezeichnet werden, sind an den entsprechenden Seiten der zusammengesetzten Glasplatten derart angebracht, dass die Zeilen- und Spaltenelektroden sich in bezug auf die Bohrungen kreuzen. Bei Anlegen einer hinreichend hohen Hochfrequenzspannung an ein ausgewähltes Paar von Zeilen- und Spaltenelektroden tritt Gasentladung in einer Bohrung auf in Deckung mit den ausgewählten

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sich kreuzenden Elektroden. Als Verbesserung in solchen Plasma-Anzeigetafeln wird in der Praxis anstelle der beiden Aussenplatten der genannten drei Glasplatten eine verhältnismässig dicke Glasplatte verwendet und die Zeilen- und Spaltenelektroden an den inneren Oberflächen der entsprechenden verhältnismässig dicken Glasplatten angebracht und die freien Oberflächen der Zeilen- und Spaltenelektroden werden mit dünnen Glas- oder anderen dielektrischen Filmen beschichtet. Die zentrale Glasplatte kann weggelassen werden. In Alternative dazu kann eine Plasma-Anzeigetafel eine Mehrzahl von gepaarten Segmentelektroden anstelle der Matrix-artigen Elektrode aufweisen. In jedem Fall umfasst eine solche Plasma-Anzeigetafel eine Mehrzahl von entgegengesetzten Elektroden, die angeordnet sind zur Bildung eines in einer Ebene liegenden Feldes von Plasma-Entladungszellen auf beiden Seiten des Feldes au ssen von den Zellen, wobei jedes Paar der entgegengesetzten Elektroden in Deckung mit einer Zelle oder mit verschiedenen vorbestimmten Zellen angeordnet ist.

Es ist möglich, die Entladung durch eine Plasma-Entladungszelle zu zünden durch Anlegen einer Gleichspannung an die Zelle, die höher ist als die Zündspannung (wobei der Spannungsabfall als Folge der dielektrischen Filme vernachlässigt ist). Die so begonnene Entladung erzeugt geladene Teilchen in der Zelle, die die dielektrischen Filme aufladen in umgekehrter Richtung, um das elektrische Feld zu schwächen, welches durch die Gleichspannung in der Zelle aufgebaut ist. Als Ergebnis bricht die Entladung zusammen, wenn die algebraische Summe der angelegten Gleichspannung und der umgekehrten Spannung, die von den geladenen dielektrischen Filmen herrührt, die die Entladung tragende Spannung unterschreitet. Es ist möglich, die Entladung wieder beginnen zu lassen durch Anlegen einer umgekehrten Gleichspannung, die wenigstens so hoch ist wie die Zündspannung minus der umgekehrt gerichteten Spannung, die durch die geladenen dielektrischen Filme erzeugt wird. Auf diese Weise ist es möglich, die Zelle aufleuchten zu lassen mit hinreichender Helligkeit durch aufeinanderfolgendes momentanes Anlegen einer · Gleichspannung an die Zelle mit schnellem Wechsel, etwa zehntausendmal pro Sekunde, der Polarität und sich daraus ergebender Anzeige einer ge-

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wünschten Figur oder eines Buchstaben durch Auswählen derjenigen Elektrodenpaare, welche die in dem Feld in der Form, der gewünschten Anzeige angeordneten Zellen durchsetzen.

Eine Plasma-Anzeigetafel kann gelenkt werden zum Anzeigen einer gewünschten Anzeige in einer Zeitmultiplexweise. Für die Beschreibung werde angenommen, dass die Tafel eine solche sei/ bei der die Elektroden matritzenartig angeordnet sind. In diesem Fall sind entweder die Zeilen- oder die Spaltenelektroden horizontal abgelenkt durch eine Gruppe von verschiedenen sukzessiven Impulsen vorbestimmter Höhe. Während der Zeit wird die Impulsgruppe einer gewünschten Elektrode, nämlich im Verlauf eines gewünschten Zeitdurchganges zugeführt; eine gleiche Gruppe von Impulsen mit umgekehrter Polarität wird der ausgewählten einen der entgegengesetzten Elektroden zugeführt. Dadurch tritt Entladung durch die Zelle oder die Zellen auf, die zwischen den ausgewählten Elektroden angelegt sind.

Es soll darauf hingewiesen werden, dass die Wellenform des durch die Plasma-Entladungszelle hindurchfliessenden Entladungsstromes von der Ausgangsimpedanz der Antriebs schaltung für die Plasma-Anzeigetafel abhängt und dass die Helligkeit der Entladung von der Form des Entladungsstromes abhängig ist. Ist die Ausgangsimpedanz hinreichend klein im Vergleich zu der Impedanz der Zelle im Zustand der Entladung, dann wird die Form des Entladungs stromes nur bestimmt durch die Eigenschaften der Zelle. Beispielsweise kann der Entladungs strom die Form eines Impulses mit einer Spitze und einer Impulsbreite von ungefähr 0,1 Mikrosekunde haben. Für den Fall, dass die Ausgangsimpedanz der Antriebs schaltung verhältnis— massig gross ist, wird der Entladungs strom unterdrückt durch den Spannungsabfall, der durch die Ausgangsimpedanz hervorgerufen wird, zum Verkleinern des Spitzenwertes des Entladungs stromes und zur Vergrösserung der Impulsbreite. Die StromwelLenform hängt weiter ab von dem Anstieg des Impulses der Spannung, der bei Beginn der Entladung auftritt. Ist der Anstieg steiler, dann wird der Spitzenwert des Stromes höher. Auf der anderen Seite ist die Helligkeit der Entladung beinahe proportional dem Spitzenwert des

Entladungs ströme s. Daher sollte die Antriebs schaltung für das Zuführen der Impuls spannung an die Zellen eine niedrige Ausgangsimpedanz besitzen und der Anstieg der Entladungs-Anfangsimpulse so gross wie möglich sein.

Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Schaltungsanordnung zu schaffen, die eine Plasma-Anzeigetafel mit hinreichender Helligkeit betreibt. Die Ausgangsimpedanz soll vernachlässigbar sein für den Fall der Versorgung einer Plasma-Entladungszelle von einer Plasma-Anzeigetafel mit der Spannung zur Zündung der Zelle.

Diese Aufgabe wird durch eine Schaltungsanordnung für das Zusammenwirken einer elektrischen Spannungsquelle und eines Steuersignalgenerators zum Treiben einer Plasma-Anzeigetafel mit einem in einer Ebene liegenden Feld von Plasma-Entladungszellen, einer Mehrzahl von ersten Elektroden und einer Mehrzahl von zweiten Elektroden, wobei die ersten und zweiten Elektroden an beiden Seiten des Feldes an der Aussenseite der Zellen angeordnet sind, gelöst, die sich gemäss der Erfindung dadurch kennzeichnet, dass eine Mehrzahl von PNP-Transistoren, verbunden mit den entsprechenden der ersten Elektroden, und eine gleiche Anzahl von NPN-Transistoren, verbunden mit den entsprechenden der zweiten Elektroden, vorgesehen sind, dass die PNP- und NPN-Transistoren weiter verbunden sind mit der Spannungsquelle und dem Steuersignalgenerator und zusammen eine Hochfrequenz spannung erzeugen zur Zuführung derselben an ein Elektrodenpaar, von dem je eine Elektrode von den ersten Elektroden und von den zweiten Elektroden ausgewählt ist. in Antwort auf Steuersignale, die durch den Steuersignalgenerator erzeugt worden sind.

Die Kollektoren der PNP-Transistoren sind verbunden mit den entsprechenden ersten Elektroden. Die Kollektorelektroden der NPN-Transistoren sind verbunden mit den entsprechenden zweiten Elektroden. Die Steuersignal-erzeugenden Mittel erzeugen Steuersignale, die Hochfrequenzkomponenten besitzen und selektiv einem Paar von PNP- und NPN-Transistoren zugeführt werden zum Anschalten eines Paares. Das ausgewählte Paar von PNP- und NPN-Transistoren wirkt zusammen zum Liefern eines Hochfrequenz-Spannungimpulses von der Spannungsquelle an die erste und zweite mit ihren

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Kollektoren verbundenen Elektroden.

Während der Zuführung der Hochfrequenzimpulse an eine ausgewählte Plasma-Entladungszelle der Plasma-Anzeigetafel hat die Antreib schaltung nur eine vernachlässigbare Ausgangsimpedanz wegen des Einstellens der ausgewählten PNP- und NPN-Transistoren. Weitere Merkmale und Zweckmässigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:

Fig. la, Ib in einem Diagramm die zum Starten und Aufrechterhalten

und Ic

einer Gasentladung durch eine Plasma-Entladungszelle einer Plasma-Anzeigetafel verwendeten Hochfrequenzimpulse;

Fig. 2 ein Diagramm, das ein typisches Verhältnis zwischen dem

durch eine Plasma-Entladungszelle fliessenden Spitzenentladungsstrom und der Helligkeit der Zelle zeigt;

Fig. 3 die Helligkeit einer Plasma-Entladungszelle als Funktion der

Ausgangsimpedanz einiger typischer Antreib schaltungen; und

Fig. 4-6 Ausführungsformen der Erfindung.

Anhand der Figuren la, Ib und Ic wird die Wellenform der Impulse, die der ausgewählten Elektrode einer Plasma-Anzeigetafel zugeführt werden, im einzelnen diskutiert, worauf einige Ausführungsformen der Erfindung beschrie-^ ben werden. Die in Fig. la gezeigte Impulsfolge besteht aus Impulsen, die von der Spannung Null anwachsen bis auf einen vorbestimmten positiven Spannungswert V_n. Eine andere in Fig. Ib gezeigte Impulsfolge besteht aus Impulsen, die abfallen von dem vorbestimmten Niveau V_ft bis zur Spannung Null. Werden solche Impulsfolgen koinzident an ein Paar entgegengesetzter Elektroden einer Plasma-Anzeigetafel zugeführt, dann wird der Plasma-Entladungszelle zwischen dem Elektrodenpaar eine Impulsfolge zugeführt, deren Impulse gemäss Fig. Ic den absoluten Wert von 2V- haben» In diesem Fall tritt Gasentladung durch die Zelle auf und wird unterstützt, wenn der Spannungswert V_ft höher ist als die Zündspannung der Zelle, Wird eine Impulsfolge gestoppt, dann wird die Entladung unterbrochen, wenn der Wert V_n kleiner

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ist als das Zweifache der die Ladung unterstützenden Spannung der Zelle. Das ist deshalb der Fall , weil die Summe aus der Impuls spannung V₀, die nur an einer der Elektroden anliegt, und aus der umgekehrten Spannung, die von der bei der hervorgehenden Entladung auf den dielektrischen Filmen erzeugten Ladung kleiner ist als die Zündspannung. Dadurch wird es möglich, durch Verminderung der Differenz zwischen der Zündspannung und der die Entladung aufrecht erhaltenden Spannung der Zellen und durch Minimalisie rung der Abweichungen in den elektrischen Charakteristika der Zellen den Bereich der Impulshöhe V_n zu erweitern, die die Anzeige bewirkt, wenn sie koinzident einem Paar der Zeilen- oder Spaltenelektroden, jedoch nicht nur einer Elektrode eines Paares, angelegt wird.

Gemäss Fig. 2 ist die Helligkeit der Anzeige im wesentlichen linear proportional der Spitzenspannung des durch die Zellen fliessenden Entladungsstromes, wie es bereits beschrieben worden ist.

Im weiteren wird auf Fig. 3 Bezug genommen. Die Kurve (a) zeigt das Verhältnis zwischen der Helligkeit der Anzeige und dem Ausgangswiderstand der Antriebs schaltung für den Fall, dass beide Impulsfolgen der in den Fig. la und Ib gezeigten Art durch die Antriebs schaltung mit demselben Widerstand abgeleitet sind. Die Kurve (b) zeigt den Fall, in dem die Ausgangsimpedanz für eine der Reihen gleich der für die Kurve (a) und die Ausgangsimpedanz für die andere Reihe ungefähr Null ist. Vorzugareise soll also die Ausgangsimpedanz für wenigstens eine der Impulsreihen kleinstmöglich sein, um eine hinreichend helle Anzeige zu erhalten.

In Fig. 4 ist eine Schaltung gemäss einer ersten AusfUhrungeform der Erfindung gezeigt, die mit einer Gleichstrom Spannungsquelle 11 und einem Steuersignalgenerator 12 verbunden ist und die eine Plasma-Anzeigetafel mit entgegengesetzten Elektroden, wie beispielsweise Spaltenelektroden 13 und Zeilenelektroden 14, steuert. Die Gleichspannungsquelle 11 liefert eine Gleichspannung der oben erwähnten Spannung V_ an einen ersten Leiter 16 in bezug auf einen zweiten, geerdeten Leiter 17. Der Steuersignalgenerator

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erzeugt eine kontinuierliche Reihe von positiven Impulsen φ , eine gleichartige Reihe negativer Impulse φ, eine Zeitselektions-Impulsreihe von zyklisch positiv werdenden Impulsen ¹L, ..., t und negativ werdenden Zellenauswahlimpulsen a, b ... . Die durch den Steuersignalgenerator 12 erzeugten Steuerimpulse werden später in ihren Einzelheiten beschrieben. Die erste Ausführungsform umfasst eine Mehrzahl von PNP-Schalttransistoren Ql, ..., Qn, die mit den entsprechenden Spaltenelektroden 13 gekoppelt sind, und eine gleiche Anzahl von mit den entsprechenden Zeilenelektroden verbundenen NPN-Schalttransistoren Ql, ..., Qn. Jeder der Schalttransistoren Ql, ..., Qn und Ql, ..., Qn ist angepasst zum Schalten einer relativ hohen Gleichspannung und weist einen Emitter, einen Kollektor und eine Basis auf. Die Emitte!elektroden der PNP-Transistoren Ql, ..., Qn sind direkt verbunden mit dem ersten Leiter 16. Die Kollektorelektroden der PNE-TransistoienQ 1, ..., Qn sind direkt verbunden mit den zugehörigen Spaltenelektroden 13 und mit dem zweiten Leiter 17 über Widerstände 21. Die Emitterelektroden der NPN-Transistoren Ql, ..., Qn sind verbunden mit dem zweiten Leiter 17. Die Kollektorelektroden der NPN-Transistoren Ql, ..., Qn sind direkt verbunden mit den betreffenden Zeilenelektroden 14 und über Widerstände 22 mit dem ersten Leiter 16. Die erste Ausführungsform weist ferner eine Mehrzahl von NPN-HiIf stransistoren Q' 1, ..., Q* η und eine gleiche Anzahl von PNP-Hilfstransistoren Q* 1,..., Q' η auf, die jeweils einen Emitter, einen Kollektor und eine Basis besitzen. Die Emitter der NPN-HiIfstransistoren Q' 1, ..., Q* η sind direkt verbunden mit dem zweiten Leiter 17. Die Kollektorelektroden dieser Transistoren sind verbunden mit einem dritten Leiter 23 mit der Kollektor spannung V über

CC

Widerstände 24. Die Emitterelektroden der PNP-Hilfstransistoren Q' 1, ..,, Q^J η sind direkt mit dem dritten Leiter 23 verbunden. Die Kollektoren dieser Transistoren sind verbunden mit dem zweiten Leiter 17 über Widerstände Die Basen der PNP-Schalttransistoren Ql bis Qn sind verbunden mit dem ersten Leiter 16 über entsprechende Widerstände 26 und mit den entsprechenden Kollektoren der NPN-Hilfstransistoren Q' 1 bis Q' η über Kapazitäten 27. Die Basen der NPN-Schalttransistoren Ql bis Qn sind verbunden mit den Kollektoren der PNP-Hilfstransistoren Q* 1 bis Q' η über Parallel -

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schaltungen 28 jeweils aus Widerstand und Kapazität.

Die in Fig. 4 gezeigte erste Ausführungsform umfasst ferner eine Mehrzahl positiver logischer UND-Schaltungen Al,..., An, die jede eine erste Diode 31, eine zweite Diode 32 und einen mit dem dritten Leiter verbundenen Widerstand 33 aufweisen, und eine gleiche Anzahl von negativen logischen UND-Schaltungen Al, ... , An, die jede eine erste Diode 36, eine zweite Diode 37 und einen mit dem zweiten Leiter 17 verbundenen Widerstand 38 aufweisen. Jede der UND-Schaltungen Al bis An und Al bis An dient so als eine Zwei-Eingangs-UND-Schaltung mit einem ersten und einem zweiten Eingangskontaktpunkt. Die ersten Eingangskontaktpunkte der positiven und negativen logischen UND-Schaltungen Al bis An und Al bis An, die durch die ersten Dioden 31 und 36 gebildet sind, werden gleichzeitig beaufschlagt mit den positiv und negativ werdenden Impulsen φ bzw. φ. Die zweiten Eingangskontaktpunkte der positiven logischen UND-Schaltungen aus den zweiten Dioden 32 werden zyklisch beaufschlagt mit den Zeitselektionsimpulsen t₁ bis t . Die zweiten Eingangskontakte der negativen logischen UND-Schaltungen Al bis An, die in ähnlicher Weise durch die zweiten Dioden 36 gebildet werden, werden selektiv beaufschlagt mit den Zellenauswahlimpulsen, etwa a und b. Jetzt wird klar, dass die positiv werdenden Impulse φ und die Zeitselektionsimpulse t.. bis t von der Spannung Null bis zu der Kollektorspannung V anwachsen sollten und dass die nach demNegativen gehenden Impulse φ und die Zellenauswahlimpulse a, b usw. von der Kollektorspannung V bis zum Wert Null abfallen sollten. Die Basiselektroden der NPN-HiIfstransistoren Q* 1 bis Q * η sind verbunden mit den Ausgangskontaktpunkten der positiven logischen UND-Schaltungen Al bis An über Schaltungen 39 aus jeweils parallel geschaltetem Widerstand und Kapazität. Die Basiselektroden der PNP-Hilfstransistoren Q' 1 bis Q' η sind direkt verbunden mit den Ausgangskontaktpunkten der entsprechenden negativen logischen UND-Schaltungen Al bis An.

Im Betrieb der ersten in Fig. 4 gezeigten Ausführungsform antworten die positiven logischen UND-Schaltungen Al bis An auf die positiv werdenden hochfrequenten Impulse φ, und die Zeitselektionsimpulse t₁ bis t erzeugen zyklisch erscheinende Gruppen von hochfrequenten Impulsen, welche strom-

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verstärkt werden durch die entsprechenden NPN-Hilfstransistoren Q' 1 bis Q* n, um den Basen der entsprechenden PNP-Schalttransistoren Ql bis Qn zugeführt zu werden. Bei Zuführung der Hochfrequenzkomponenten werden die PNP-Schalttransistoren Ql bis Qn angeschaltet in Zeitmultiplex- bzw. Zeitselektionsweise, um sprungweise die Spannung V„ von der Gleichspannungs· quelle 11 den in Verbindung stehenden Spaltenelektroden 13 zuzuführen. In Antwort auf die abfallenden Hochfrequenzimpulse φ und auf einen der Zellenaus wahlimpulse oder Adressimpulse a, b und andere in Koinzidenz mit einem der Zeitselektionsimpulse t₁ bis t auftretenden Impulse erzeugt die ausgewählte, mindestens eine, der negativen logischen UND-Schaltungen Al bis An eine Gruppe von Hochfrequenzimpulsen, die stromverstärkt sind durch die entsprechenden, wenigstens einer, der PNP-Hilfstransistören Q* 1 bis Q' n. Als Antwort auf die stromverstärkten Ho chfrequenzimpulse, die in Koinzidenz mit den einen der PNP-Schalttransistoren Ql bis Qn zugeführten Hochfrequenzimpulsen auftreten, schaltet wenigstens einer der NPN-Schalttransistoren Ql bis Qn an zur Verringerung der Spannung auf nahezu Erde, die der betreffenden wenigstens einen der Zeilenelektroden 14 zugeführt wird. Als Folge wird eine hochfrequente Spannung mit dem Wert V_n angelegt an eine Plasma-Entladungszelle oder Zellen (nicht gezeigt), die zwischen wenigstens einem der Zeilenleiter 14 angeordnet sind, die sprungweise geerdet sind in Antwort auf den Adressenimpuls, und einem der Spaltenleiter 13, der sprungweise mit der Spannung V_ beaufschlagt wird als Antwort auf den einen der Zeitselektionsimpulse t bis t , mit dem in Koinzidenz der Adressenimpuls zugeführt wird zu der ausgewählten, wenigstens einen, der negativen logischen UND-Schaltungen Al bis An. Es soll darauf hingewiesen werden, dass die Ausgangsimpedanz der Spaltenantriebs schaltung für die zyklisch in Gruppen den Spaltenelektroden 13 zugeführten hochfrequenten Impulsen und der der Zeilenantriebs schaltung für die sprungweise geerdeten der ausgewählten, wenigstens einen, der Zeilenelektroden 14 extrem niedrig, nahezu Null ist, weil die beteiligten der Schalttransistoren Ql bis @n und Ql bis Qn angeschaltet sind. Es soll auch darauf hingewiesen werden, dass die nach positiv hin ansteigenden Adressenimpulse der ausgewählten, wenigstens einen, der positiven logischen UND-Schaltungen Al bis An zugeführt werden können

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anstelle der Zeitselektionsimpulse t₁ bis t , so dass die gewünschte Zelle oder die gewünschten Zellen mit Hochfrequenzimpulsen beaufschlagt werden in Kombination mit den abfallenden Adressenimpulsen a, b oder anderen. Auf jeden Fall liefert die erste Ausführungsform hinreichende Helligkeit der Anzeige vermöge der niedrigen Ausgangsimpedanz.

Es wird weiter auf Fig. 4 bezug genommen. Es ist notwendig, dass die Kapazitäten 27 eine Wider stands spannung haben sollten, die grosser ist als die Spannung V , weil an den Kapazitäten 27 die Spannung V_ anliegt, wenn der betreffende der PNP-Schalttransistoren Ql bis Qn anschaltet. Die von dem Widerstand 26/der Kapazität 27 abhängige Zeitkonstante sollte hinreichend grosser sein als die Breite des Hochfrequenzimpulses φ. Weiter ist es notwendig, dass der Widerstand des Kollektorwiderstandes 21 so ausgewählt ist, dass die Zeitkonstante, die von dem Wert jedes der Widerstände 21 und der Kapazität, die zwischen den zusammenwirkenden der Spaltenelektroden 13 und der anderen Elektroden besteht, abhängt, kleiner ist als das Intervall der Hochfrequenz im pul se φ. Das ist deshalb, weil bei Abschalten jedes der PNP-Schalttransistoren Ql bis Qn die Spannung der betreffenden einen der Spaltenelektroden 13, die grundsätzlich durch ihren Kollektorwiderstand auf das Erdpotential gespannt ist und tatsächlich exponentiell auf Erdpotential abfällt, im wesentlichen auf die Nullspannung gehen soll, ehe der PNP-Schalttransistor angeschaltet wird durch den nächstfolgenden der Hochfrequenzimpulse φ. In diesem Zusammenhang soll daraufhingewiesen werden, dass der Widerstand des Kollektorwiderstandes 21 merklich gross sein soll, um die in dem Widerstand 21 verbrauchte Leistung zu vermindern, wenn die Transistoren Ql bis Qn zyklisch angeschaltet werden. Beispielsweise kann angenommen werden, dass die Kapazität zwischen jeder der Elektroden 13 und den anderen der Elektroden 13 und 14 30 pF ist und dass die Frequenz und die Impulsbreite der Hochfrequenzimpulse φ 50 kHz und 5 Mikrosekunden sind. Unter diesen Umständen kann der Widerstandswert von jedem der Kollektorwiderstände 21 100 kilohm, sein. Die Zeitkonstante ist dann gleich 3 Mikrosekunden, was hinreichend kleiner ist als der Abstand von 15 Mikrosekunden der Hochfrequenzimpulse φ.

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Im weiteren wird auf Fig. 5 bezug genommen. Dort ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt, in der die Schaltung NPN-Schalttransistoren Ql, ..., Qn und PNP-Schalttransistoren Ql, ..., Qn aufweist. Die Emitterelektroden der NPN-Transistoren Ql bis Qn sind direkt verbunden mit dem zweiten Leiter 17. Die Kollektorelektroden dieser Transistoren sind direkt mit den entsprechenden Spaltenelektroden 13 und über entsprechende Widerstände 41 mit dem ersten Leiter 16 verbunden. Die Emitterelektroden der PNP-Transistoren Ql bis Qn sind direkt verbunden mit dem ersten Leiter 16. Die Kollektorelektroden dieser Transistoren sind direkt verbunden mit den entsprechenden Zeilenelektroden 14 und über entsprechende Widerstände 42 mit dem zweiten Leiter 17. Die zweite ■Ausführungsform weist ferner positive logische UND-Schaltungen Al, ,.., An auf, die jede Dioden 44 und 45 und einen mit dem dritten Leiter 23 verbundenen Widerstand 46 besitzen. Die zweite Ausführungsform umfasst ferner negative logische UND-Schaltungen Al, ..., An, die jede Dioden 47 und 48 und einen mit dem zweiten Leiter 17 verbundenen Widerstand 49 aufweisen. Die ersten^Eingangskontaktpunkte der positiven logischen UND-Schaltungen Al bis An werden simultan beaufschlagt mit den ins Positive ansteigenden Hochfrequenzimpulsen φ. Die zweiten Eingangskontaktpunkte dieser UND-Schaltungen werden beaufschlagt mit den ins Positive ansteigenden Zeitselektionsimpulsen t- bis t in Zeitmultiplexweise. Die ersten Eingangskontaktpunkte der negativen logischen UND-Schaltungen Al bis An werden beaufschlagt mit den negativ werdenden Hochfrequenzimpulsen φ, die gleichzeitig mit den positiv werdenden Impulsen φ auftreten. Die zweiten Eingangskontaktpunkte dieser letzteren UND-Schaltungen werden selektiv beaufschlagt mit negativ werdenden Zellenauswahl- oder Adressenimpulsen a, b, usw., die in Koinzidenz mit den gewünschten der Zeitselektionsimpulse t₁ bis t auftreten. Die Basen der NPN-Transistoren Ql bis Qn sind verbunden mit den Ausgangskontaktpunkten der positiven logischen UND-Schaltungen Al bis An über Schaltungen 51 aus jeweils einem Widerstand und dazu parallel geschalteter Kapazität. Die Basen der PNP-Transistoren Ql bis Qn sind verbunden mit den Ausgangskontaktpunkten der negativen logischen UND-Schaltungen Al bis An über entsprechende

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Kapazitäten 52.

Bei Betrieb der zweiten Ausführungsform gemäss Fig. 5 schalten die positiv werdenden Hochfrequenzimpulse φ, die in der positiven Periode von einem der Zeitselektionsimpulse t, bis t auftreten, sprungweise den entsprechenden einen der NPN-Transistoren Ql bis Qn an, um die zugehörige eine der Spaltenelektroden 13 zu erden mit der Frequenz gleich der Hochfrequenzimpulse φ. Gleichzeitig schalten die negativ werdenden Hochfrequenzimpulse φ, die in den negativen Perioden an ei nem der Adressenimpulse a, b und anderen erscheinen, den betreffenden wenigstens einen der PNP-Transistoren Ql bis Qn sprungweise an zur Zuführung der Spannung V_n an die zugehörige wenigstens eine der Zeilenelektroden 14 mit der der Hochfrequenzimpulse φ oder φ entsprechenden Frequenz, Auf diese Weise wirken der zyklisch ausgewählte eine der NPN-Transistoren und wenigstens einer der PNP-Transistoren, der in Koinzidenz mit dem zyklisch ausgewählten NPN-Transistor ausgewählt ist, zusammen zum Anlegen einer Hochfrequenzkomponente der Steuersignale an die ausgewählte Zelle oder die ausgewählten Zellen. Es ist so möglich, die Schalttransistoren Ql bis Qn und Ql bis Qn ohne die Hilfstransistoren Q* 1 bis Q* η und Q' 1 bis Q' η für die Stromverstärkung der Ausgangs signale der UND-Schaltungen Al bis An und Al bis An zu treiben, wenn die Ausgangsimpedanz des Steuersignalgenerators 12 hinreichend klein ist.

In Fig. 6 ist eine Schaltung gemäss einer dritten Ausführungsform der Erfindung dargestellt, die NPN-Schalttransistoren Ql, ..., Qn, PNP-Schalttransistoren Ql, ..., Qn und NPN-HiIfstransistoren Q' 1, ..,, Q' η aufweist. Die Emitterelektroden der NPN-Schalttransistoren sind simultan beaufschlagt mit den ins Negative gehenden Hochfrequenzimpulsen φ . Die Kollektoren dieser NPN-Transistoren sind direkt verbunden mit den entsprechenden Spaltenelektroden 13 und mit dem ersten Leiter 16 über entsprechende Widerstände 41. Die Basen dieser NPN-Transistoren sind verbunden mit dem zweiten Leiter 17 über entsprechende Widerstände 55 und sind zyklisch beaufschlagt mit den positiv werdenden Zeitselektionsimpulsen t₁ bis t über

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entsprechende Widerstände 56. Die Emitter der PNP-Transistoren sind direkt verbunden mit dem ersten Leiter 16. Die Kollektorelektroden der PNP-Transistoren sind direkt verbunden mit den entsprechenden Zeilenelektroden 14 und mit dem zweiten Leiter über entsprechende Widerstände 42. Die Basen der PNP-Transistoren sind verbunden über Kapazitäten 52 mit den Kollektoren der NPN-Hilfstransistoren, welche gemeinsam verbunden sind mit dem dritten Leiter 23 über entsprechende Widerstände 61. Die Emitterelektroden der NPN-Hilfstransistoren werden simultan beaufschlagt mit den nach negativ gehenden Hochfrequenzimpulsen φ .-" Die Basen der NPN-Transistoren sind mit dem zweiten Leiter 17 über entsprechende Widerstände 62 verbunden und werden wahlweise beaufschlagt mit den positiv werdenden Zellenauswahl- oder Adressenimpulsen a, b* usw. über entsprechende Widerstände 63. Es wird jetzt klar, dass die NPN-Schalttransistoren Ql bis Qn gleichzeitig als UND-Schaltungen wirken, die durch die negativ werdenden Hochfrequenzimpulse jt und die positiv werdenden Zeitselektionsimpulse t₁ bis t eingestellt werden. Genauer gesagt vermindern die negativ werdenden Hochfrequenzimpulse j> sprungweise das Emitterpotential dieser NPN-Transistoren nahezu bis auf den Wert Null. Andererseits erhöhen die positiv werdenden Zeitselektionsimpulse t. bis t das Basispotential dieser NPN-Transistoren auf periodisch auftretende Vorspannung zu den Basis-Emitterverbindungen der NPN-Transistoren« Auf diese Weise schalten die NPN-Schaltfcransistoren zyklisch und sprungweise an zur Zuführung der Spannung V„ zu der zugehörigen einen der Spaltenelektroden 13 bei der Frequenz von der Hochfrequenzkomponente der Steuersignale. Es ist auch zu sehen, dass die NPN-Hilfstransistoren Q* 1 bis Q⁴ η als UND-Schaltungen arbeiten, die als Antwort auf die negativ werdenden Hochfrequenzimpulse φ und die positiv werdenden Adressenimpulse a, b, usw. ansprechen. Diese NPN-Transistoren haben weiter die Stromverstärkungsfunktion. Wenn die Basen und Emitter dieser NPN-Transistoren wahlweise beaufschlagt werden mit den Hochfrequenzimpulsen φ bzw. den Adressenimpulsen, dann schalten die NPN-Transistoren an, verstärken die Hochfrequenzimpulse φ und führen die Stromverstärkten Impulse der Basis des zugehörigen PNP-Transistors zum zeitweisen Anschalten des ausgewählten PNP-Transistors zu. Auf diese Weise Wirken jeder der NPN-Schält-

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transistoren Ql bis Qn und die gleichzeitig ausgewählten - wenigstens einer - der PNP-Transistoren Ql bis Qn zusammen zur Zuführung der Spannung V_n zu dem zugeordneten wenigstens einem Paar der Elektroden 13 und 14 bei der Frequenz von der Hochfrecpienzkomponente der Steuersignale. Die in Fig. 6 gezeigte Schaltung ist vorteilhaft für den Fall, dass die Ausgangsimpedanzen des Steuersignalgenerators 12 für negativ werdende Hochfrequenzimpulse j> , die positiv werdenden Zeitselektionsimpulse t.. bis t und die positiv werdenden Adressenimpulse a, b, usw. relativ gross sind.

Die vorliegende Erfindung ist anwendbar auf Plasma-Anzeigetafeln mit entgegengesetzten Segmentelektroden. Es sind 'verschiedene Kombinationen der Ausführungsformen und ihrer Modifikationen möglich, und die Schaltungsanordnung kann ausgeführt werden mit einer integrierten Schaltung mit Paaren von PNP- und NPN-Transistoren, die aus Gruppen von komplementären Transistoren gebildet sind.

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Claims

Patentansprüche

( 1./Schaltungsanordnung für das Zusammenwirken einei' elektrischen Spannungsquelle iind eines Steuersignalgenerators zum. Treiben einer Plasma«» Anzeigetafel mit einem in einer Ebene liegenden Feld von Plasma-Entladung szellen, einer Mehrzahl von ersten Elektroden und einer Mehrzahl von zweiten Elektroden, wobei die ersten und zweiten Elektroden an beiden Seiten des Feldes an der Aussenseite der Zellen angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass

eine Mehrzahl von PNP-Transistoren (Ql, ...., Qn), verbunden mit den entsprechenden der ersten Elektroden (13), und eine gleiche Anzahl von NPN-Transistoren-(Ql, ..., Qn), verbunden mit den entsprechenden der zweiten Elektroden (14), vorgesehen sind,

dass die PNP-und NPN-Transistoren (Ql, .„., Qn, Ql, .„„, Qn) weiter verbunden sind mit der Spannungsquelle (11) und dem Steuersignalgenerator (12) und zusammen eine Hochfrequenzspannung erzeugen zur Zuführung derselben an ein Elektrodenpaar, von dem je eine Elektrode von den ersten Elektroden (13) und von den zweiten Elektroden (14) ausgewählt ist in Antwort auf Steuersignale, die durch den Steuersignalgenerator (12) erzeugt worden sind.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Spannungsquelle einen ersten Leiter (16) und einen zweiten Leiter (17) aufweist, zwischen denen eine Gleichspannung besteht, dass jeder der PNP- und NPN-Transistoren einen Emitter, einen Kollektor und eine Basis aufweist, dass der Steuersignalgenerator (12) Hochfrequenzimpulse-erzeugende Mittel und Adressenimpulse-erzeugende Mittel aufweist, dass die Emitter der PNP-Transistoren (Ql, ..., Qn) direkt mit dem ersten Leiter (16) und die Kollektoren der PNP-Transistoren (Ql, ..., Qn) mit den entsprechenden der ersten Elektroden (13) direkt und mit dem zweiten Leiter

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(17) über Widerstände (21) verbunden sind,

dass die Emitter der NPN-Transistoren (Ql, ,,,,Qn) direkt mit den zweiten Leitern (17), die Kollektoren der NPN-Transistoren (Ql,..., Qn) mit den entsprechenden der zweiten Elektroden (14) direkt und mit dem ersten Leiter (16) über Widerstände (22) verbunden sind,

und dass die Basen der PNP- und NPN-Transistoren (Ql,,.., Qn, Ql,,.,, Qn) mit den Hochfrequenzimpulse-erzeugenden Mitteln und den Adres serum pulse erzeugenden Mitteln verbunden sind, wodurch einer der PNP-Transistoren und einer der NPN-Transistoren, die ausgewählt werden durch einen durch die Adressenimpulse-erzeugenden Mittel erzeugten Adressenimpuls, zusammen Hochfrequenzimpulse verstärken,/durch die Hochfrequenzimpulse-erzeugenden Mittel erzeugt sind, um die verstärkten Hochfrequenzimpulse abzugeben an ein Paar von Elektroden, das direkt mit den Kollektoren der ausgewählten PNP- und NPN-Transistoren verbunden ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Hochfrequenzimpuls-erzeugenden Mittel erste und zweite Hochfrequenzimpuls-erzeugende Mittel für sukzessive simultane Erzeugung erster bzw. zweiter Hochfrequenzimpulse,

und die Adressenimpuls-erzeugenden Mittel erste und zweite Adressenimpuls-er zeugende Mittel für die sukzessive simultane Erzeugung erster bzw. zweiter Adressenimpulse aufweisen

und dass die Schaltungsanordnung weiter UND-Schaltungen besitzt, von denen jede einen ersten Eingangskontaktpunkt, einen zweiten Eingangskontaktpunkt und einen Ausgangskontaktpunkt besitzt, wobei die Ausgangskontaktpunkte mit den entsprechenden Basen der PNP- und NPN-Transistoren verknüpft und die ersten Eingangskontaktpunkte der UND-Schaltungen, die mit den PNP- und NPN-Transistoren verbunden sind, mit den ersten und zweiten Hochfrequenzimpuls-erzeugenden Mitteln verknüpft sind und so mit den ersten und zweiten Hochfrequenzimpulsen simultan beaufschlagt werden, und dass die zweiten Eingangskontaktpunkte der UND-Schaltungen, die mit

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den PNP- und NPN-Transistoren verbunden sind, verknüpft sind mit den ersten und zweiten Adressenimpuls-erzeugenden Mitteln, um selektiv beaufschlagt zu werden mit ersten bzw. zweiten Adressenimpulsen.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass jede der Basen der PNP-Transistoren (Ql, ..., Qn) mit dem ersten Leiter (16) über einen Widerstand (26) und mit dem Ausgangskontaktpunkt der UND-Schaltung über eine Kapazität (27) verbunden ist und dass die von dem letztgenannten Widerstand und der Kapazität abhängige Zeitkonstante grosser ist als die Breite des ersten Hochfrequenzimpulses.
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die mit den PNP- und NPN-Transistoren verknüpften UND-Schaltungen positive logische UND-Schaltungen und negative logische UND-Schaltungen sind, wobei jeder der Ausgangskontaktpunkte der positiven logischen UND-Schaltungen verbunden ist mit den Basen der PNP-Transistoren über eine Inverterschaltung zum Umkehren des am Ausgangskontaktpunkt der positiven logischen UND-Schaltung erzeugten Signales

und dass jedes der Aus gangs signale der negativen logischen UND-Schaltungen verknüpft ist mit der Basis des NPN-Transistors über eine Inverterschaltung zum Umkehren des an dem Ausgangskontaktpunkt der negativen logischen UND-Schaltung erzeugten Signales.
6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 mit zur Spannungsquelle gehörigem ersten und zweiten Leiter, zwischen denen die Gleichspannung anliegt und bei der jeder der PNP- und NPN-Transistoren Emitter, Kollektor und Basis aufweisen, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuersignalgenerator Hochfrequenzimpuls-erzeugende Mittel zur Erzeugung von Hochfrequenzimpulsen, erste Adressenimpuls-erzeugende Mittel und zweite Adressenimpuls-erzeugen» de Mittel besitzt, die sukzessive und simultan erste und zweite Adressenimpulse erzeugen,

dass UND-Schaltungen vorgesehen sind, die jede einen ersten Eingangs-

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kontaktpunkt, einen zweiten Eingangskontaktpunkt und einen Ausgangskontaktpunkt aufweisen,

dass die Emitter der PNP-Transistoren direkt mit dem ersten Leiter, die Kollektoren der PNP-Transistoren direkt mit den entsprechenden ersten Elektroden und über Widerstände mit dem zweiten Leiter und die Basen der PNP-Transistoren mit den entsprechenden Ausgangskontaktpunkten der UND-Schaltungen verbunden sind,

dass die Kollektoren der NPN-Transistoren mit den entsprechenden der zweiten Elektroden direkt und mit dem ersten Leiter über Widerstände verbunden sind und

dass die Emitter der NPN-Transistoren und die ersten Eingangskontaktpunkte der UND-Schaltungen verbunden sind mit den Hochfrequenzimpulserzeugenden Mitteln, um gleichzeitig beaufschlagt zu werden mit den Hochfrequenzimpulsen, und dass die Basen der NPN-Transistoren und die zweiten Eingangskontaktpunkte der UND-Schaltungen mit den ersten und zweiten Adressenimpuls-erzeugenden Mitteln verbunden sind, um selektiv beaufschlagt zu werden mit den ersten und zweiten Adressenimpulsen.
7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass jede der UND-Schaltungen einen NPN-Transistör mit Emitter, Kollektor und Basis aufweist und dass der Emitter als erster Eingangskontaktpunkt, der Kollektor als Aus gangs kontaktpunkt und die Basis als zweiter Eingangskontaktpunkt dient.

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