DE2247710B2

DE2247710B2 - Fluessigphasen-epitaxieverfahren und vorrichtung zu dessen durchfuehrung

Info

Publication number: DE2247710B2
Application number: DE19722247710
Authority: DE
Inventors: Claus Dr. 8035 Gauting; Winstel Günter Dr.rer.nat 8012 Ottobrunn Weyrich
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1972-09-28
Filing date: 1972-09-28
Publication date: 1977-05-05
Also published as: ATA692873A; LU68508A1; FR2201131B1; BE805406A; CA1004962A; US3880680A; FR2201131A1; DE2247710A1; GB1433161A; IT995486B; NL7313421A; AT341579B; JPS4972182A; JPS5336431B2

Description

)ie l'rliiulung betrifft ein Verfahren zur Herstellung ur ,ml einer Oberfläche eines Substrats epiiaktisch f;eivachsenen Schicht aus Ill/V-Verbindungshalblei-■ Material, wie es im Oberbegriff des Paienunspru :s 1 näher angegeben ist.

s ist bekannt, Halbleitermaterial epitaxial auf einem «trat abzuscheiden. Das Substrat besteht insbesondere aus dem gleichen, gegebenenfalls nur anders dotierten Material wie das abzuscheidende Material. Für die Abscheidung befindet sich z. B. das abzuscheidende Material auf der Oberfläche des Substrates zunächst in Form einer Schmelze. Anschließend läßt man die Schmelze zur Abscheidung des Materials langsam abkühlen.

Die Schmelze wird beispielsweise durch einen Kipp-Prozeß auf die Oberfläche des Substrates ίο »gegossen«. Bei der Epitaxie von Galiumarsenid- und/oder -phosphid-Schichten auf einem Substrat aus Galliumarsenid und/oder -phosphid wird in der Regel eine Schmelze mit Gallium verwendet, in der das Material der Schicht gelöst ist. Die Schmelze wird für den Abscheidungrprozeß zunächst auf eine von dem Material abhängige hohe Arbeitstemperatur von etwa 600° -900⁰C für Galliumarsenid und 900" - 1200⁰C für Galliumphosphid erhitzt. Die auf einer derartigen Temperatur befindliche Schmelze löst dann, auch wenn sie bereits mit Material des Substratkörpers mehr oder weniger gesättigt ist, den Substratkörper an seiner Oberfläche an und bildet dadurch einen innigen Kontakt mit dieser Oberfläche. Beim nachfolgenden Abkühlen der Schmelze wird das in der Schmelze gelöste, abzuscheidende Material epitaktisch aufgewachsen. Weitere ergänzende Einzelheiten zum Stand der Technik sind z. B. aus der Veröffentlichung »RCA-Review«, 24,(19b3),S. iO3 ff zu entnehmen.

In der deutschen Offenlegungsschrift 20 39 172 ist ein als .Schiebeepitaxie bekanntes Verfahren beschrieben. bei dem sich auf einer Substra Ischeibe abzuscheidendes Halbleitermaterial in einer .'■>■. hnu-l/e befindet. Das abzuscheidende Material liegt bereits in der Schmelze vor, ehe de^r Verfahrcnsschrit' des Verschieben durchgeführt wird, d. h. ehe diese Schmelze mit der Oberfläche der Sub-'ratscheibe in Kontakt gebracht wird. Oberhalb der Schmelze befindet sich ein Körper, der die obere Oberfläche der Schmelze berührt, so daß die Schmelze die Form einer dünnen Zone annimmt Über die Dicke der Zone ist nichts Konkretes gesagt. Das auf dei Substratscheibe abzuscheidende Material wird nicht nur aus dem Vorrat in der Schmelze entnommen, so.idern weiteres abzuscheidendes Material wird von dem oberhalb der Schmelze befindlichen Körper als Quelle für dieses Material abgelöst und aul der Substratscheibe abgeschieden. Die Abscheidung erfolgt bei zeitlich gleichbleibenden Temperaturverhältnissen. Zur Abscheidung ist ein Temperaturgradient vorgesehen, wobei der Körper oberhalb der Schmelze 5P auf einer höheren Temperatur als die Substratscheibe gehalten wird, so daß der Transport des abzuscheidenden Materials dort durch Thermodiffusion bewirkt wird Soweit dort oberhalb der Schmelze ein Korpei verwendet wird, der selbst nicht als Quelle für das 5s Halbleiter-Material dient, ist vorgesehen, daß dieser Körper porös ist und daß das als Nachschub vorgesehene Halbleitermaterial in gasförmigem Zustand durch den Körper hindurch in die Schmelz« hereingebracht wird.

^ft0 Es ist eine Aufgabe der f.rl'indung, ein neues gegenüber dem Stand der 1 cehnik vorteilhafteres Epitax.ieverfahrcu anzugeben.

Diese Aufgabe wird fur ein im Oberbegriff de; Patentanspruches 1 angegebenes Verfahren erfimliings gemäß nach der im kennzeichnenden Teil de Patentanspruches I angegebenen Weise gelöst.

Uei der Erfindung wird das epitaktisch abzuscheiden de Material zunächst ve η der Substratscheibc abgelösi

und dann aus der Schmelze, in der es gelöst ist, durch Ttitiperaturabsenkung wieder auf dem Substrat abgeschieden.

Gemäß der Erfindung wird eine abgemessene Menge des mit der Oberfläche des Substratkörpers in Kontakt 2U bringenden Materials für die Schmelze auf die Oberfläche des Substratkörpers aufgebracht und de· erwähnte Körper auf dieses Material aufgelegt Bei der erwähnten hohen Arbeitstemperatur, von der für die Abkühlung zur Einleitung und Durchführung der Abscheidung ausgegangen wird, liegt das Material dann in der Schmelze vor. Gemäß dieser Ausgestaltung der Erfindung ist der Körper bezüglich seines Gewichtes und seiner der Schmelze zugewandten Grundfläche so bemessen, daß er auf der Schmelze schwimmt. Tatsachlich liegt der Körper auf dem in flüssiger Phase befindlichen Material auf, wobei die Kohäsions- und Adhäsionskräfte dieses Materials verhindern, daß der Körper mit seinem Druck dieses Material völlig wegquetscht. Durch das Auflegen dieses Körpers wird eine erfindungsgemäß gleichmäßig dünne Schicht der flussigen Phase auf der Oberfläche des Substratkörpers erreicht. Sofern eine zu groß bemessene Menge Materials der Schmelze aufgebracht worden war, wird dieses durch den Körper im Zustand der flüssigen Phase über den Rand des Körpers und/oder über den Rand der Substratscheibe hinaus weggedrückt. Vorteilhafterweise wird aber wie oben angegeben bereits von vornherein nur eine abgemessene Menge des mit der Oberfläche des Substratkörpers in Kontakt zu bringenden Materials auf dieser aufgebracht.

Voneilhafterweise liegt der vorgesehene Körper derart auf Abstandshaltern über der Oberfläche des Siibstratkörpers, daß zwischen Körper und Substratscheibe der vorgegebene gleichmäßige Abstand eingestellt ist. Hei dieser Ausfühningsform hat der Körper ein so hohes Gewicht und einen Querschnitt, der derart bemessen ist, daß durch die bereits erwähnten Kohäsions- und Adhäsionskräfte der Schmelze der vorgegebene Abstand des Körpers von der Substratscheibe nicht verändert werden kann. Bei Gallium als Bestandteil der Schmelze ist es vorteilhaft, von diesem soviel in den Zwischenraum zwischen Siibstratscheibe und Körper einzuführen, bis dieser Zwischenraum ausgefüllt ist. Dief.e Maßnahme kann in besonders definierter Weise mittels einer geeichten Injektionsspritze erfolgen, da Gallium bereits bei 29° C flüssig ist. In entsprechender Weise kann diese letztbeschriebene Maßnahme auch für andere Materialien der Schmelze unter Berücksichtigung des jeweiligen Schmelzpunktes durchgeführt werden, sofern in dem geschmolzenen Material befindliches zusätzliches Material, z. B. DotierungssLoffe, bereits bei der Einfülltemperatur in genügend fein verteilter Form in der Schmelze vorliegt.

Bei Verwendung der oben angeführten dünnen Schicht der Schmelze kann vorteilhafterweise ein Dotieren auch über dem Gasraum erfolgen. Unter entsprechender Ausnutzung des Erfindungsgedankens kann dies sogar in einem Arbeitsgang vorgenommen werden, d. h. man kann auf einfache Art nacheinander Schichtfolgen ungleichen Leitungscharakters aufwach sen lassen. Scliichtfolgen einander entgegengesetzten Leitungscharakters sind z. B. für Lumines/.cnzdiodcn und Laserdioden erforderlich. Die Einfachheit, die sich aus der Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens ergibt, liegt aarin, daß trotz Anwendung des Prinzips der Flüssigphasen-Epitaxie ein Wechsel der Dotierung Ober dem Gasraum möglich ist. Diese Maßnahmen können sowohl in einem offenen System als auch in einem System mit einem mehr oder weniger abgeschlossenen Gefäß durchgeführt werden. F i g. 1 zeigt schematisch, wie sich eine begrenzte Menge des Materials der Schmelze 1 auf der Oberfläche 2 eines Substratkörpers 3 verteilen würde, und zwar aufgrund der Kohäsionskräfte des Materials der Schmelze in flüssiger Phase und der Adhäsionskräfte zwischen diesem Material und dem Material des Substratkörpers. Es ist zwar denkbar, daß es Fälle gibt, in denen die Verhältnisse von Kohäsions- und Adhäsionskräften zu einem anderen Ergebnis führen, nämlich zu einer Verteilung zu einem dünnen Film auf der Oberfläche 2. Deiser Fall liegt insbesondere bei Gallium als Grundbestandteil der Schmelze, das in der Regel für die epitaktische Schichtherstellung von Galliumarsenid und Galliumphosphid verwendet wird, nicht vor. Mit 4 ist ein Trägerkörper bezeichnet. Er besteht aus einem auch bei höchsen Arbeitstemperaturen auch gegen die jeweilig vorhandenen Gase oder Dämpfe resistenten, foimbeständigen Material. Dieses Material ist auch so gewählt, daß es keine Störunge! durch Reaktionen mit dem Material des Substraikörpers 3. dem Material der Schmelze t und gasförmig vorliegenden anderen Materialien verusacht.

Die F i g. 2, 3 und 4 zeigen spezielle Ausführungsformen bzw. Einzelheiten von Vorrichtungen zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens. In F 1 g. 2 ist wieder ein Traj-'erkörper 4 vorgesehen, auf dem sich in einer Vertiefung 5 der Substratkörper 3 befindet. Die Oberfläche 2 des Substratkörpers ist beim Ausführungs beispiel nach F i g. 5 jedoch vollständig mit dem Material der Schmelze 21 bedeckt. Bei der Schmelze 21 handelt es sich um dieselbe Menge wie bei der Schmelze

1. Infolge des auf der Schmelze 21 aufliegenden, sozusagen schwimmenden Körpers 26 nimmt die Schmelze 21 oberhalb der Oberfläche 2 hier die Form einer wie dargestellten dünnen Schicht ;in. Wie oben erwähnt, sind die Maße und Eigenschatten des Körpers 26 auf die physikalischen Eigenschaften der Schmelze abgestimmt. Überschüssiges Material der Schmelze 21 wird seitlich über den Rand des Substratkörpo's 3 hinaus weggedrückt, wie dies mit dem Bezugszeichen 211 gekennzeichnet ist. In der Fig. 2 sind Einzelheiten, wie /,. B. Mittel, die ein Verrutschen des Körpers 26 verhindern, weggelassen worden.

In entsprechender Weise, wie beim bisher bekannten Flüssigphasen-LÜpitaxieverfahren, wird bei ausreichend hoher Erhitzung der dargestellten Anordnung (und insbesondere der Schmelze 21) der Substratkorper von der Oberfläche her durch die Schmelze angelöst. Je höher die Temperatur der Schmelze wird, umso mehr Material des Substratkörpers wird in dieser gelöst. Bei nachfolgender Wiederabkühlung der Schmelze scheidet sich dann das zuvor gelöste Material des Substratkörpers als epitaxial aufgewachsene Schicht auf den Substratkorper in bekannter Weise wieder ab.

Der Körper 26 oder wenigstens dessen Oberfläche 261, "lit der dieser auf der Schmelze 21 aufliegt, besteht aus einem Material, das gegenüber der Schmelze und den anderen Materialien im Reaktionsraum, und /w ir auch bei den höchsten vorkommenden Temperaturen, inert ist.

Für ein spezielles Ausführungsbeispiel mit einem

<>? Substratkorper aus Galliumarsenid und/oder -phosphid und einer Schmelze 221 aus Gallium empifhiehlt es sich, für den Trägerkörper 4 und für den Körper 26 beispielsweise Graphit. Quarz, Aluminiumoxid, Silizium-

karbid oder Bornitrid zu verwenden.

F.in wesentlicher Gesichtspunkt der Erfindung besteht darin, daß infolge der sehr dünnen, beispielsweise nur I mm dicken Schicht der Schmelze 21 auf der Oberfläche 2 des Substratkörpers, dort nur eine derartig geringe Menge des Materials der Schmelze vorliegt, die die Oberfläche 2 des Substrates zwar anlösen kann, was für die nachfolgende epitaxiale Abscheidung günstig ist, die aber nicht den gesamten Subslratkörper auflösen kann. Bei dem (bekannten) Beispiel nach Fig. 1 konnte der gesamte Substratkörper im Bereich der Schmelze I von dieser lokal vollständig aufgelöst worden sein, ehe durch Zuführung von Wärme von außen diejenige hohe Temperatur erreicht worden ist, von der aus die Abkühlung erfolgt. Deshalb ist bisher die Schmelze erst bei der maximalen Temperatur auf die Substratscheibe »gekippt« worden.

Die obere Grenze der Schichtdicke ist durch den Wert des Weges bestimmt, den das in der flüssigen Phase gelöste, abzuscheidende Material während der Zeit des Aufwachsens in der flüssigen Phase durch Diffusion zurücklegt. Die untere Grenze ist durch die vorgegebene Dicke der aufzuwachsenden Schicht gegeben.

Der mit der Erfindung verbundene Vorteil liegt nicht nur darin, daß man hier das technisch schlecht zu handhabende Kippverfahren und die dafür notwendigen Vorrichtungen einsparen kann. Insbesondere ist ein Vorteil auch darin zu sehen, daß bei dem erfindungsgemäßen Verfahren die gesamte Substratoberfläche bereits von Anbeginn des wesentlichen Abschnittes der Aufheizung an, bei Gallium bereits von dessen Schmelzpunkt 29°C ab, von der Schmelze bedeckt ist. Somit ist bei dem erfindungsgemäßen Verfahren die gesamte Oberfläche des Substratkörpers gegenüber der Umgebungsatmosphäre auch während der Aufheizzeit stets geschützt. Dies ist insbesondere wichtig, wenn in der Gasatmosphäre reaktive Dotierungsstoffe, wie z. B. Sauerstoff, eingebracht werden sollen.

In vorteilhafter Weise kann mit dem erfindungsgemä-Ben Verfahren durch Einstellen des Abstandes zwischen Substrat und dem die Dicke der Schicht der Schmelze begrenzenden Körper eine besonders gleichmäßige Dicke der aufzuwachsenden Schicht erzielt werden.

Bei den Ausführungsformen nach den F i g. 3 und 4 liegt der Körper 36 bzw. 46 mit seinem Rand auf einem Rand des Trägerkörpers 34 bzw. 44 auf.

Beim Beispiel der F i g. 3 ist ein Ausgleichsvolumen 37 vorgesehen, das sich zwischen dem Körper 36 und dem Trägerkörper 34 an einer oder mehreren Stellen des Randes befindet Nachdem die Schmelze 31 auf die Substratscheibe 3 aufgebracht und der Körper 36 aufgesetzt worden ist, wird überschüssiges Material 311 der Schmelze 31 durch das Gewicht des Körpers in den Überlauf 37 gedrängt. Es befindet sich die Schmelze 31 erfindungsgemäß als dünne Schicht über dem Substratkörper 3. Bei dieser Ausführungsform, wie auch bei der Ausführungsform nach F i g. 2 und der noch zu beschreibenden Ausführungsform nach F i g. 4, kann das Material der Schmnelze 31 anfänglich auch ein Pulver oder ein körniges Material sein oder in breiiger Form vorliegen, das im Laufe des Aufheizens in die flüssige Phase übergeht. Sofern eine den Substratkörper beeinträchtigende Atmosphäre vorhanden ist, ist durch entsprechende Auswahl dafür zu sorgen, daß sich das Material der dünnen Schicht spätestens zu dem Zeitpunkt in der flüssigen Phase befindet, in dem diese Atmosphäre auf das Material des Substratkörpers 3 schädlich einwirken könnte.

F i g. 4 zeigt eine Ausführungsform, bei der ebenso wie bei F i g. 3 der Körper 46 auf dem Trägerkörper 44 am Rande aufliegt. Bei diesem Ausführungsbeispie! weist der Körper 46 wenigstens ein Loch 461 auf. Durch ein solches Loch kann das Material der Schmelze 41 ir den Raum zwischen dem Trägerkörper 44 bzw. der Substratscheibe 3 und dem Körper 46 eingebrachl werden. Sofern das Matenal der Schmelze bereits zuvor in diesen Raum eingebracht worden ist, wird überschüssiges Material der Schmelze durch das Loch 461 hindurch infolge des Auflagedruckes des Körper herausgedrückt. Ein Loch 461 im Körper 45 kann somit abhängig vom Einzelfall, verschiedene Funktioner haben. Der Abstand der Unterseite des Körpers von der Vertiefung des Trägerkörpers 44 bzw. von der Oberfläche 2 der Substratscheibe 3 entspricht wieder der Dicke, die gemäß eines Merkmals der Erfindung für die Schicht der Schmelze vorzusehen ist.

Gemäß einer speziellen Weiterbildung der Erfindung sind in dem Körper 46 eine große Anzahl Löcher vorgesehen. Abgesehen von der bereits vorangehend geschilderten Bedeutung solcher Löcher sind viele Löcher besonders günstig, um das Eindringen eine.¹ gasförmigen Dotierungsstoffes in das Material der Schmelze 46 und damit den Einbau des Dolierungsstof fes in die auf die Oberfläche 2 aufzuwachsende Epitaxialschicht zu ermöglichen. Hierfür kommen ζ. Β für eine Galliumphosphid-Epitaxialschicht für Lumines zenzdioden als besonders vorteilhaft Sauerstoff unc Stickstoff, sowie Zinkdampf oder eine gasförmige Zn-Verbindung in Betracht. Dazu befindet sich die vorangehend beschriebene Anordnung nach F i g. 4 ir einem mehr oder weniger dicht abgeschlossener Volumen innerhalb eines Gefäßes 48. In dieses GefäC können in an sich bekannter Weise Gase durch die Öffnung 49, oder verdampfbare flüssige oder feste Materialien eingebracht werden.

Fig. 5 zeigt eine Anordnung, bei der sich eine zui Durchführung der Erfindung vorgesehene Ausführungs form beispielsweise nach Fig.4 in einem Ofen 51 befindet. Einzelheiten, die bereits im Zusammenhang mit der Vorrichtung nach F i g. 4 beschrieben worder sind, tragen in Fi g. 5 übereinstimmende Bezugszeichen Mit 149 ist ein mehr oder weniger dicht abgeschlossene: Gefäß bezeichnet, in dem sich der Trägerkörper 44 befindet, in dessen Vertiefung die Substratscheibe liegt Der Trägerkörper 44 wird von einem Träger 52 gehalten, mit dem der Trägerkörper in Längsrichtung ir dem Ofen und aus dem Ofen heraus verschoben werder kann. Der Träger 52 reicht durch eine mehr odei weniger dicht abgeschlossene Durchführung 53 aus derr Gefäß 149 heraus. Zur Zuführung und Ableitung vor Gasen sind Leitungen 54 und 55 an dem Gefäß 14S vorgesehen. Es ist beispielsweise die Zuführung vor Argon als Schutzgas und von Sauerstoff als Dotierungs stoff durch die Leitung 54 hindurch vorgesehen.

Es ist beispielsweise noch eine weitere Durchführung

56 vorgesehen, durch die hindurch ein weiterer Trägei

57 in das Gefäß 149 hineinragt Dieser weitere Träger 5i kann axial im Bereich des Ofens 51 in dem Gefäß 149 hir und her verschoben werden. Mit Hilfe dieses weiterer Trägers kann an dessen Spitze 157 angeordnete! Material in den Bereich des Ofens 51 hereingeschober werden.

Fig.6 zeigt ein Diagramm, aus dem der zeitlich« Verlauf der Temperatur hervorgeht, wie er sich für di( Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens zui

Hebung von e_oi,a_tler, Schieß j* ro. leuchtende G.P-Dioden .Is guml.g «™'««"™'^^A™ de, Abszisse 61 is, die ZeU und au der Orm.« 62»

Temperatur, beisp.elswe.se UOO C me«er Schmelze zusätzlich douerenden -u r ο fhah.g^n Atmosphäre aufgehe.zt wird Nach bnwne Temperatur tr.tt eine Phase der Abkumung ν,

Marke M ein. Diese Phase «ta^*'*°£üS" f

ptoph

_{lcndcm Maleri},i. Bei der Marke 66 is,

wird^^^ der dotierenden Atmosphäre durchgejuh . dieser Phase folgt eine ep.takt ^^ ^A^_a ^C™material wird in der Schmelze enthaltenes^ Halb e ter

abgeschieden. Wahrend ^des _H;^XemDeratur konstant

Marke (55 wird be.sp.elswe.se d.e Temperatur Kon^

gehalten und eine Ve^mpfun^ Z,jk m dem Oe ,49 vorgenommen. Dieser Ab^tt dauert be ρ weise 15 min und es erfolgt wahrend dieser /. praktischem Stillstand der epitaxiaIe ^™™^g _n ^e _och Zinkdotierung des noch ^^ξ^^Ά, das in flüssiger Phase befindlichen.fiteren Vlate

Bearbeitung e.ner Vielzahl von Substratgeh ^ ^g ^ _werden ^ _emwede

_{entsprechende} Anzahl von Substratkorpern und em _TräKerkörper mit einer flächenmäß.g entsprechend _g oßen Vertiefung zur Aufnahme einer Vielzahl von |_{ubstratscheiben oder entsprechen}d viele einze ne Ve. tiefungen vorzusehen. Außerdem .st dazu ein Ofen 51 zu verwenden, der ein für die von den Substratschei_angenommenen Gesamtfläche ausre.chend langes Plateau konstanter Temperatur aufwe.st.

erfindungsgemäße Verfahren ist .nsbesonderc

Herstellung rot leuchtender GaHiumphosph.d-Lu.

_{mineszenzdioden gee}i_gnet. Bisher sind d.ese D.oder

^^ _{aufwendigen Dop}p_el_epitax.e-Ver

_fahren hergestellt worden, bei dem der pn-Ubergan_t

^$ durch sukzessives Aufwachsen zweier Schmelzep.tax.e

_Schichten. _{die in} getrennten Apparaturen aufgebrach

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zur Herstellung einer auf eintr Oberfläche eines Substrats epitaktisch aufgewachsenen Schicht aus 111/V-Verbindungshalbleiter-Material. bei dem das aufzuwachsende Material als Lösung mittels eines schmelzflüssigen Lösungsmittels bei einer hohen Temperatur mit der Oberfläche des Substrats so in Kontakt gebracht wird, daß die Lösung mittels eines Körpers, dessen Material an der Oberfläche, mit der dieser die Schmelze berührt, gegenüber der Schmelze inert ist, auf das Substrat in die Form einer dünnen Schicht gezwungen wird und die Schieb.« durch Temperaturabsenkung der Schnielzlösung abgeschieden wird, dadurch gekennzeichnet, daß so auf die hohe Temperatur erhitzt wird, daß sich das Material des Substrats in der Schmelze löst und daß die Dicke der Schicht der Schmelzlösung zwischen einer oberen und einer unteren Grenze gehalten wird, wobei die obere Grenze durch die Länge des Weges bestimmt ist. den das in der Schmelze bei der hohen Temperatur gelöste, abzuscheidende Material während der Zeit des Aufwachsens in der flüssigen Phase durch Diffusion zurücklegt, und die untere Grenze durch die Dicke der aufzuwachsenden Schicht gegeben ist.

2. Verführen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Lösungsmittel gewählt wird, das spätestens zu dem Zeitpunkt des Aufheizens flüssig ist, zu dem die Umgebungs-Atrnosphäre auf das Substrat schädlich einwirkt.

3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet.daß der Sch mclzlösung mindestens ein Dolierstoff zugegeber, wird, der bei der Arbeitstemperatur in der Schmelze löslich ist.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der (die) Dotierstoff(e) über die Gasphase zugeführt wird (werden).

5. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Trägerkörper mit wenigstens einer Vertiefung zur Aufnahme wenigstens eines Substrates vorgesehen ist, wobei die Vertiefung der Summe aus der Dicke des Substrates und der einzuhaltenden Dicke der Schicht der Schmelzlösung gleich ist und daß ein Körper (26,36,4ό) vorgesehen ist.

6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein Ausgleichsvolumen (37) vorgesehen ist.

7. Vorrichtung nach den Ansprüchen 5 und 6. dadurch gekennzeichnet, daß der Körper (26,36,46) ein oder mehrere Löcher aufweist, die in ihrem Durchmesser so bemessen sind, daß die Schmelze nicht an der Innenwand der Löcher hochsteigt.

8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Löcher gleichmäßig verteilt sind.