DE2244019A1 - Schaltbauelement, insbesondere zur verwendung als speicher, und herstellungsverfahren - Google Patents

Schaltbauelement, insbesondere zur verwendung als speicher, und herstellungsverfahren

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DE2244019A1
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doped
layer
electrode
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Pending
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DE2244019A
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Inventor
Joseph Borel
Vincent Le Goascoz
Guy Rigaud
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Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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    • H—ELECTRICITY
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