DE2243011C3 - Verfahren zum Herstellen eines Thermokompressionskontaktes - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Thermokompressionskontaktes

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Wolfgang 7800 Freiburg Kraft
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4066485A (en) * 1977-01-21 1978-01-03 Rca Corporation Method of fabricating a semiconductor device
FR2510307A1 (fr) * 1981-07-24 1983-01-28 Hitachi Ltd Dispositif a semi-conducteurs et procede de fabrication d'un tel dispositif
US4705204A (en) * 1985-03-01 1987-11-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of ball forming for wire bonding
JP2000133672A (ja) * 1998-10-28 2000-05-12 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

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