DE2242505C3 - Bistabiler Multivibrator - Google Patents

Bistabiler Multivibrator

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen bistabilen Multivibrator mit zwei Schaltstufen, die mit je einem Schaltransistor und einem Steuertransistor vom gleichen Leitfähigkeitstyp mit parallel geschalteten Kollektor-Emitter-Strecken versehen sind, wobei die Basis des Steuertransistors jeder der beiden Schaltstufen über ein kapazitives Element mit einem gemeinsamen Triggereingang des Multivibrators und die Basis des Schaittransistors jeder Schaltstufe mit dem Kollektor des Schalttransistors der anderen Schaltstufe verbunden ist, während die Kollektor-Basis-Strecke des Steuertransistors jeder der beiden Schaltstufen von einem Überbrückungskreis überbrückt ist, der die Emitter-Kollektor-Strecke eines Hilfstransistors enthält, dessen Leitfähigkeitstyp dem der Schalt- und Steuertransisto-
ren entgegengesetzt ist.
Ein bistabiler Multivibrator der beschriebenen Art ist z.B. aus der Zeitschrift Radiomotor«, Juli 1971, S.423 bekannt Derartige Multivibratoren empfangen im allgemeinen an ihrem Triggereingang Triggerimpulse, wobei sich die Lage des Multivibrators ζ. Β. stets beim Erscheinen der Vorderflanke des Triggerimpulses ändern soll. Um diese gewünschte Umschaltung des Multivibrators zu erhalten ist es erforderlich, den Multivibrator vorzubereiten, d.h., daß die Basisspannung des Steuertransistors in der gesperrten Schaltstufe bereits vor dem Erscheinen des Triggerimpulses auf einen derartigen Wert gebracht sein muß, daß beim Erscheinen des Triggerimpulses dieser Transistor stark leitend wird, wodurch ein Umklappen des Multivibrator s bewirkt wird. Bei dem bekannten Multivibrator wird dies dadurch erreicht, daß die Basis des Hilfstransistors in jeder der beiden Schaltstufen mit den Kollektoren des Steuer- und des Schalttransistors in der anderen Schaltstufe verbunden ist Dies hat zur Folge, daß der Hilfstransistor in der gesperrten Schaltstufe leitend ist, weil seine Emiuer-Basis-Spannung gleich der Basis-Emitter-Spannung des sich im leitenden Zustand befindenden Schalttransistors ist. Dies bringt mit sich, daß die Kollektorspannung des erwähnten Hilfstransistors und somit auch die Basisspannung des Steuertransistors in dieser Schaltstufe annähernd gleich der Basisspannung des leitenden Schalttransistors in der anderen Schaltstufe ist. In der Periode zwischen zwei Triggerimpulsen, in der die Spannung am Triggereingang niedrig (z, B. 0 V) ist, wird dadurch das mit der Basis dieses Steuertransistors verbundene kapazitive Element auf diesen Spannungswert aufgeladen. Infolgedessen wird beim Erscheinen eines Triggerimpulses die Spannung an der Basis des genannten Steuertransistors sprungweise zunehmen, wodurch dieser Steueuertransistor stark leitend wird und ein Umklappen des Multivibrators eingeleitet wird.
Diese bekannte Multivibratorschaltung weist den Nachteil auf, daß unter bestimmen ungünstigen Bedingungen (worst case condition), d. h. bei bestimmten Größen der Parameter der verwendeten Elemente, ihre Stabilität zu wünschen übrig läßt. Dies ist der Tatsache zuzuschreiben, daß in jeder Lage des Multivibrators die Basis-Emitter-Spannung eines der Steuertransistoren bereits annähernd gleich der Basis-Emitter-Spannung des leitenden Schalttransistors ist. Dies hat jedoch zur Folge, daß kleine Störsignale bereits genügend sind, um diesen Steuertransistor in den leitenden Zustand zu bringen und ein unerwünschtes Umklappen des Multivibrators herbeizuführen.
Ein zweiter Nachteil besteht darin, daß beim Erscheinen eines Triggerimpulses der Triggerstrom teilweise über den Kollektor-Basis-Übergang des Hilfstransistors abgeführt wird, v/odurch die benötigte Amplitude des Triggerimpulses beeinträchtigt wird.
Ein sich bei Integration ergebender Nachteil dieser Multivibratorschaltung ist das Vorhandensein der kapazitiven Elemente. Diese Elemente können zwar als pn-Übergänge in einem Halbleiterbaustein integriert werden, aber sie beanspruchen bei dieser bekannten Multivibratorschaltung doch eine erhebliche Oberfläche der Halbleiterfläche.
Die Erfindung bezweckt, einen bistabilen Multivibrator der erwähnten Art zu schaffen, bei dem die obenerwähnten Nachteile größtenteils beseitigt werden.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die
Basis jedes der beiden Hilfstransistoren mit dem Triggereingang des Multivibrators verbunden ist.
Die Multivibratorschaltung nach der Erfindung unterscheidet sich zunächst durch eine größere Stabilität als die bekannte Schaltung. Dies wird durch die abweichende Schaltung der Hilfstransistoren und insbesondere die abweichende Verbindung der Basis-Elektroden dieser Transistoren erzielt. Diese Basis-Elektroden sind ja mit dem Triggereingang verbunden, wodurch beide Hüfstransistoren während des Triggerimpulses gesperrt sind, während bei der bekannten Multivibratorschaltung der Hilfstransistor in der gesperrten Schaltstufe leitend war.
Wie oben bereits erwähnt wurde, entspricht die Emitterspannung des Hilfstransistors in der gesperrten Schaltstufe in guter Annäherung der Basisspannung des leitenden Schalttransistors. Da bei der Schaltung nach der Erfindung die Basis dieses Hilfstransistors mit dem Triggereingang verbunden ist, der während des Triggerimpulses eine positive Spannung aufweist, ist die Emitter-Basis-Spannung dieses Hilfstransistors zu niedrig, um diesen Transistor in den leitenden Zustand zu bringen. Dies bedeutet jedoch, daß die Kollekuirspannung dieses Hilfstransistors und als ebenfalls die Basisspannung des Steuertransistors in dieser Schaltstufe niedrig, d. h. praktisch gleich 0 V, ist Die Basisspannung der beiden Steuertransistoren beträgt also während des Triggerimpulses annähernd 0 V, so daß Störsignale praktisch keinen Einfluß ausüben und ein unerwünschtes Umklappen des Multivibrators bestimmt
Ein zweiter Vorteil der Multivibratorschaltung nach der Erfindung ergibt sich dadurch, daß der bei der bekannten Schaltung auftretende Leckstrom über die Kollektor-Basis-Strecke des Hilfstransistors nicht auftreten kann. Dies hat zur Folge, daß für die kapazitiven Elemente ein niedrigerer Wert gewählt werden kann, was insbesondere bei Integration ein wesentlicher Vorteil ist.
Bei Integration ergibt sich noch ein weiterer Vorteil der Schaltung nach der Erfindung. Bei einer bevorzugten Ausführungsform in integrierter Schaltungstechnik ist jeder der Hilfstransistoren zusammen mit dem zu seiner Basis-Kollektor-Strecke parallel geschalteten kapazitiven Element in einer Halbleiterinsel untergebracht, wobei das kapazitive Element durch das Anbringen einer zusätzlichen Diffusion vom gleichen Typ wie die Basisdiffusion des als lateraler Transistor ausgebildeten Hilfstransistors erhalten ist, wobei diese zusätzliche Diffusion eine höhere Dotierung als die erwähnte Basisdiffusion aufweist und sich sowohl in einem Teil der Basiszone als auch in einem Teil der Kollektorzonedes Hilfstransistors erstreckt.
Diese Möglichkeit zur Integration der kapazitiven Elemente ist unmittelbar auf den Aufbau der Multivibratorschaltung nach der Erfindung zurückzuführen und weist den Vorteil auf, daß die für diese kapazitiven Elemente benötigte Halbleiteroberfläche erheblich herabgesetzt ist.
Nach einer weiteren Ausführungsform können sogar beide Hilfstransistoren zusammen mit den beiden kapazitiven Elementen in einer einzigen Halbleiterinsel untergebracht werden, wobei sich die zusätzliche Diffusion in der Kollektor- und in der Basiszone jedes der beiden Hilfslransistoren erstreckt, wodurch ein sehr gedrängter Aufbau der integrierten Schaltung erhalten wird.
Einige Ausführungsforru.n der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigt
Fig. 1 die aus der erwähnten Veröffentlichung bekannte Multivibratorschaltung,
F i g. 2 und 3 zwei Ausführungsformen der Multivibratorschaltung nach der Erfindung, und
Fig.4 eine Ausführungsform der Schaltung nach F i g. 2 in integrierter Schaltungstechnik.
Die bekannte Multivibratorschaltung nach F i g. 1
ίο enthält eine erste Schaltstufe mit den Transistoren TJ, T3 und T5 und eine zweite Schaltstufe mit den Transistoren T2, Ta und T6, wobei 7Ί, T2, T3 und 7; npn-Transistoren und T5 und 7J pnp-Transistoren sind. Die Kollektor-Emitter-Strecken der Transistoren 71 und T3 sind, gleich wie die Kollektor-Emitter-Strecken der Transistoren T2 und 7«, parallel geschaltet Ferner sind die Kollektoren der Transistoren Ti und T3 über eine Stromquelle Λ und die Kollektoren der Transistoren T2 und T4 über eine Stromquelle I2 mit der positiven Klemme + V8 der Speisespannungsquelle verbunden, während die Emitter dieser Transi- :oren mit der anderen Klemme dieser SpeisequeUc, z. B. Erde, verbunden sind. Das eigentliche Flip-Flop wird durch die Kombination der Schalttransistoren gebildet, deren Basis- und Kollektor-Elektroden kreuzweise miteinander gekoppelt sind. Die Triggerimpulse für den Multivibrator werden einer Klemme A zugeführt, die über Kapazitäten Q und C2 mit den Basis-Elektroden der Steuertransistoren T3 und Ti, verbunden ist. Ein
μ Ausgangssignal kann der Klemme B entnommen werden, die mit dem Kollektor des Transistors 7; verbunden ist, während ein komplementäres Ausgangssignal einer Klemme B' entnommen werden kann, die mit dem Kollektor des Transistors T] verbunden ist.
Ji Der Hilfstransistor 7j vom pnp-Typ ist mit seiner Emitter-Kollektor-Strecke zu der Kollektor-Basis-Strecke des Transistors Ti parallel geschaltet, während seine Basis mit dem Kollektor des Transistors T2 verbunden ist. Ferner ist der Hilfstransistcr T6 ;om pnp-Typ mit seiner Emitter-Kollektor-Strecke zu der Kollektor-Basis-Strecke des Transistors Ti parallel geschaltet und ist seine Basis mit dem Kollektor des Transistors T1 verbunden. Wie bereits erwähnt wurde, dienen die Hilfstransistoren T5 und Tt zusammen mit
■*·> den Kapazitäten dazu, das Umklappen des Multivibrators vorzubereiten, was nachstehend näher auseinander gesetzt werden wird.
Es wird angenommen, daß sich der Multivibrator im stabilen Zustand befindet, in dem der Transistor 7Ί
i» leitend und der Transistor T2 gesperrt ist. Die Stromquelle h erzeugt dann an der Basis des sich im Sättigungszustand befindenden Transistors Ti eine Spannung von etwa 0,6 V. Dies hat zur Folge, daß an dem lO'.Irktor des Transistors Tt ebenfalls annähernd
« diese Spannung von 0,6 V auftritt, weil dieser Transistor Ti leitend ist infolge e'er Tatsache, daß seine E/nitter-Basis-Spannung etwa 0,6 V beträgt, welche Spannung der Basis-Kollektor-Spannung des Transistors 71 entspricht. Die Basisspannun^ des Transistors Ta beträgt also
W) gleichfalls praktisch j,% V. Der Transistor T% ist gesperrt, weil über seiner Emitter-Basis-Strecke eine Spannung von 0,6 V in der Sperrichtung steht. Dies hat zur Folge, daß die Basis des Transistors Tj etwa eine Spannung von 0 V aufweist.
h■"> Wie bereits erwähnt wurde, wird dem Triggereingang A eine impulsförmigt Trifegerspannung zugeführt, deren beide diskrete Spannungswerte z. B. bei 0 V und 0,3 V liegen. Es sei angenommen, daß in dem
angegebenen stabilen Zustand des Multivibrators die Hinterflanke des Triggerimpulses, der dem zuzuführenden Triggerimpuls vorangeht, erscheint, so daß die Spannung an der Klemme A gleich 0 V wird. Über der Kapazität Ci steht dann eine Spannung von 0,6 V, so daß diese Kapazität aufgeladen wird. Über der Kapazität Q steht keine Spannung, weil die Basisspannung des Transistors 7j ebenfalls 0 V beträgt, so daß diese Kapazität C\ nicht aufgeladen wird. Wenn angenommen wird, daD die Zeitdauer zwischen dem Auftrittszeitpunkt der erwähnten Hinterflanke und dem Auftrittszeitpunkt der Vorderflanke des folgenden Triggerimpulses genügend ist, wird die Kapazität Ci beim Erscheinen dieser Vorderflanke auf eine Spannung von elwa 0,6 V aufgeladen sein, während die Kapazität Q ungeladen ist. Beim Erscheinen der Vorderflanke des Triggerimpulses steigt die Spannung am Triggereingang A z. B. plötzlich auf 0,3 V an. Dies hat zur Folge, daß die Basisspannung des Transistors Ta plötzlich auf 0,9 V ansteigt, wodurch dieser Transistor 7} stark leitend wird. Die Basisspannung des Transistors Ts steigt nur auf 0,3 V an, so daß dieser Transistor Tj gesperrt bleibt. Durch das Leitendwerden des Transistors Ti nimmt seine Kollektorspannung und somit auch die Basisspannung des Transistors Ti auf 0 V ab, wodurch der Transistor T\ gesperrt wird, was wieder zur Folge hat, daß seine Kollektorspannung und somit die Basisspannung des Transistors Ti ansteigt, wodurch der letztere Transistor in den leitenden Zustand gelangt. Dadurch wird der Hilfstransistor T·, leitend und der Hilfstransistor Tf, gesperrt sein. Die Kapazität Ci wird sich entladen, wodurch die Basisspannung des Transistors Tt abfällt und dieser Transistor endgültig gesperrt wird und der andere stabile Zustand des Multivibrators erreicht ist.
Ein Nachteil dieser bekannten Multivibratorschaltung ist der, daß unter bestimmten ungünstigen Bedingungen (worst case condition) diese Schaltung unstabil sein kann. Wie oben bereits beschrieben wurde, ist der Hilfstransistor Ts sofort nach dem Umklappen des k^a'lt iiftUfot"·-? lailan/l en An(X Ata D noipenn nnt mn Aae
-· ' — ι o
Transistors T] dann sofort wieder etwa 0,6 V beträgt. Bei gewissen ungünstigen Größenverhältnissen der Transistorparameter kann dies zur Folge haben, daß der Transistor Ti leitend wird. Dies führt aber das Umklappen des Multivibrators zu einem unerwünschten Zeitpunkt herbei. Dies trifft selbstverständlich auch für den Transistor Ti in dem anderen Zustand des Multivibrators zu.
Ein zweiter Nachteil besteht darin, daß beim Erscheinen der Vorderflanke des Triggerimpulses über den Hüfstransistor in der bisher gesperrten Schaltstufe ein Leckstrom auftritt. Bei der obenbeschriebenen Umschaltung wird beim Erscheinen des Triggerimpulses die Basis des Steuertransistors Ti, also ebenfalls der Kollektor des Hilfstransistors 76, stark positiv (0,9 V). Solange die Umschaltung noch nicht stattgefunden hat, ist die Basisspannung dieses Hilfstransistors noch gleich 0 V, so daß der Koüektor-Basis-Übergarig diesesHüfstransistors T6 in der Durchlaßrichtung betrieben wird. Dies hat zur Folge, daß ein Teil des von der Kapazität Ci zugeführten und für den Transistor Ti bestimmten Stromes über diese Kollektor-Basis-Strecke des Transistors Tt abgeführt wird. Es ist einleuchtend, daß dadurch die Umschaltgeschwindigkeit beeinträchtigt wird. Beim Entwerfen eines Multivibrators muß demzufolge zum Erreichen einer bestimmten Umschaltgeschwindigkeit in Verbindung mit der Größe der zuzuführenden Triggerimpulse für die Kapazitäten G und Ci ein größerer Wert gewählt werden als ohne diesen Streueffekt notwendig gewesen wäre.
Um auch Triggerimpulse mit einer größeren Amplitude, z. B. 0,6 V, dem Triggereingang zuführen zu können. können die Schalttransistoren T\ und Ti mit einem zusätzlichen Emitter er bzw. e?' erweitert werden, die mit den Basis-Elektroden der Steuertransistoren T\ und Ti verbunden sind. Ohne diese Maßnahmen besteht die Gefahr, daß beim Erscheinen eines Triggerimpulses die beiden Steuertransistoren T] und Ti infolge der großen Amplitude der Triggerimpulse leitend werden. Dadurch, daß der zusätzliche Emitter des Schalttransistors in der leitenden Schaltstufe stets eine Spannung von etwa 0 V aufweist (eigentlich wirkt dieser zusätzliche Emitter als Kollektor) wird erreicht, daß die Basisspannung des Steuertransistors in dieser Schaltstufe stets gleich 0 V bleibt, bis dieser Schaittransistor gesperrt wird und das Umklappen also vollendet ist. Diese Maßnahme beeinflußt das Verhalten des Steuertransistors in der gesperrten Schaltstufe nicht, so daß die Stabilität unter ungünstigen Bedingungen nicht verbessert wird.
F i g. 2 zeigt eine erste Ausführungsform der Multivibratorschaltung nach der Erfindung, wobei entsprechende Transistoren mit den gleichen Bezugsziffern wie in F i g. 1 bezeichnet sind. Die beiden in den F i g. 1 und 2 gezeig-.ϊπ Schaltungen weisen große Übereinstimmung auf. Der wesentliche Unterschied besteht darin, daß die Basis-Elektroden der Hilfstransistoren Tj und Tt bei der Schaltung nach Fig. 2 mit dem Triggereingang A verbunden sind, statt mit den Kollektoren der Transistoren T2 und 71. Durch diese Maßnahme wird eine bessere Stabilität erhalten und sind kleinere Kapazitäten genügend, die außerdem bei Integration nur wenig zusätzlichen Raum beanspruchen, wie nachstehend nachgewiesen werden wird.
Es wird wieder von dem stabilen Zustand ausgegangen, in dem der Transistor T\ leitend und der Transistor T7 gesperrt ist, während angenommen wird, daß an dem Triggereingang ein Triggerimpuls von 0,3 V vorhanden ict T\\e- Raciccn4nniino
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wieder etwa gleich 0,6 V und die Basisspannung des Transistors Ti etwa gleich 0 V sein. Der Hilfstransistor 7s ist gesperrt, weil in dieser Situation über seiner Emitter-Basis-Strecke eine Spannung von etwa 0,3 V in der Sperrichtung steht. Im Gegensatz zu der Schaltung nach F i g. 1 ist nun aber auch der Hilfstransistor Tf, gesperrt, weil über seiner Emitter-Basis-Strecke nur eine Spannung von etwa 0,3 V in der Durchlaßrichtung steht, was nicht genügend ist, um diesen Transistor in den leitenden Zustand zu bringen. Dies hat zur Folge, daß die Koückiorspannungen der beiden Hüfstransistoren Ts und T% und also auch die Basisspannungen der beiden Steuertransistoren T3 und Ti etwa gleich 0 V sind. Dies bedeutet, daß die Gefahr eines unerwünschten Umklappens des Multivibrators drastisch unterdrückt ist, weil eine Störspannung von mehr als 0,6 V nur imstande wäre, einen der Steuertransistoren leitend zu machen.
Wenn beim Erscheinen der Hinterflanke des Triggerimpulses die Spannung an der Klemme A gleich 0 V wird, wird der Hilfstransistor T6 leitend, weil dann seine Emitter-Basis-Spannung &,6 V beträgt Die Basisspannung des Steuertransistors T4 wird dann gleich 0,6 V und die Kapazität Ct wird aufgeladen. Beim Erscheinen der Vorderflanke eines nächsten Triggerimpulses nimmt die Basisspannung des Transistors 7i plötzlich zu, so daß dieser Transistor leitend wird und das Umklappen des
Multivbrators einleitet. Dabei ergibt sich ein weiterer Vorteil der Schaltung nach F i g. 2. Beim Erscheinen des Triggerimpulses wurJe bei der bekannten Schaltung die Kollektor-Basis-Strecke des llilfstransistors T6 stark in der Durchlaßrichtung wirksam (höchstens 0,9 V), wodurch ein Leckstrom auftreten konnte. Bei der Schaltung nach Fig. 2 steht über der Kollektor-Basis-Strecke dieses Transistors die Spannung an der Kapazität C2, die höchstens 0,6 V betragen kann, so daß der etwa auftretende Leckstrom erheblich ';,'einer ist. Der von der Kapazität C2 gelieferte Strom wird also völlig der Basis des Transistors T4 zugeführt, wodurch für diese Kapazität ein kleinerer Wert als in der Schaltung nach F i g. 1 gewählt werden kann.
Um auch mit größeren Triggerimpulsen steuern zu können, können die Schalttransistoren Ti und T2 wieder mit einem zusätzlichem Emitter e/ und e2 erweitert v/erden, die wieder mit den Bssic-E!ektrodpn der Steuertransistoren Tj und T4 verbunden sind.
Fig. 3 zeigt eine zweite Ausführungsform der Multivibratorschaltung nach der Erfindung. Die in dieser Figur gezeigte Schaltung ist eine Kombination der Schaltungen nach den Fig. 1 und 2, wodurch die Vorteile dieser beiden Schaltungen kombiniert werden. Statt eines einzigen Hllfstransistors in jeder Schaltstufe ist nun in jeder Schaltstufe die Reihenschaltung zweier Hilfstransistoren T5, T5' bzw. Tb. Tb angeordnet, wobei diese Reihenschaltung die Kollektor-Basis-Strecke des betreffenden Steuertransistors Tj bzw. T4 überbrückt. Die Bas -Elektroden der Transistoren Tsund T6 sind auf entsprechende Weise wie in F i g. 2 mit dem Triggereingang A verbunden, während die Basis-Elektroden der Transistoren Ts' und Td auf gleiche Weise wie in F i g. 1 mit den Basis-Elektroden der Schalttransistoren Ti und T2 verbunden sind. Dabei können die Transistoren T5 und T5' gleich wie die Transistoren T6 und 7V auch untereinander verwechselt werden.
Ein wesentlicher Vorteil einer Multivibratorschaltung nach der Erfindung ergibt sich bei deren Ausführung in integrierter Schaltungstechnik. F i g. 4 zeigt beispielsweise eine Ausführungsform der Schaltung nach F i g. 2 in integrierter Schaltungstechnik.
Der dargestellte Halbleiterbaustein enthält drei Inseln, die durch p-leitende Inseldiffusion (strichpunktierte Linie) voneinander getrennt sind. Die n-leitenden Kollektorzonen der Transistoren Ti und T) füllen die Inselfläche auf der Unterseite links aus, während die Kollektorzonen der Transistoren T2 und T4 die Inselfläche auf der Unterseite rechts ausfüllen. In diesen Kollektorzonen sind die Basiszonen (durch strichlierte Linien angegebene p-leitende Zonen) mit den Basiskontakten b\ — b4 der Transistoren T\ — T4 untergebracht. In diesen Basiszonen sind wieder die η-leitenden Emitterzonen mit den Emitterkontakten ei — e4 der Transistoren Ti — T4 angebracht, wobei durch das Anbringen zusätzlicher Emitterzonen mit Kontakten e\ und e? in den Basiszonen der Transistoren Ti und T2 die zusätzlichen Emitter dieser Transistoren erhalten sind. Die F.mitterkontakte e\ — et sind über schraffiert dargestellte Kontaktierungsbahnen und Fenster W| — W4 mit der Inseldiffusion verbunden, während die weiteren Verbindungen ebenfalls über schraffiert dargestellte Kontaktierungsbahnen hergestellt werden.
In der dritten Insel (oben) sind die beiden lateralen pnp-Transistoren Ti und Tt, angeordnet, wobei die p-leitenden Kollektor- und Emitterzonen mit vollen Linien 2n°egeben sind. Der Aufbau der Srh?.i'I|niT narh der Erfindung weist nun den Vorteil auf, daß die beiden Kapazitäten Ci und C2 auf wirtschaftliche Weise gleichfalls in dieser Insel angebracht werden können. Wie aus Fig. 2 ersichtlich ist, überbrücken diese Kapazitäten die Kollektor-Basis-Strecken der Transistoren Ti und Tt. Dies ergibt die Möglichkeit, diese Kapazitäten dadurch zu erhalten, daß eine zusätzliche η+ -leitende Diffusion angebracht wird, die sich über einen Teil der Kollektor- sowie der Basiszonen der Transistoren T5 und Ts erstreckt, wie in F i g. 4 mit einer gestrichelten Linie angegeben ist. Auf diese Weise bilden sich zwischen den Kollektorzonen und dieser zusätzlichen Diffusion pn-Übergänge mit stark kapazitiver Wirkung, die durch die Verbindung dieser zusätzlichen Diffusion mit den Basiszonen eine zu den Kollektor-Basis-Strecken der Transistoren parallele Kapazität herbeiführen. Über eine Kontaktierungsbahn wird die η+ -leitende Schicht mit dem Kontakt A verbunden, der den Triggereingang bildet. Da die Basis-Elektroden der Transistoren T5 und Te mit einem gemeinsamen Punkt, und zwar dem Triggereingang A, verbunden sind, ist nur ein einziger Basiskontakt 65, fcs erforderlich, weil die wirksamen Basiszonen der Transistorer. T5 und T6 über die niederohmige η+ -Schicht mit diesem Kontakt verbunden sind.
Es ist einleuchtend, daß diese Integration der Kapazitäten viel Raum erspart und daß diese Integrationsmöglichkeit unmittelbar auf den Aufbau der Multivibratorschaltung nach der Erfindung zurückzuführen ist.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Bistabiler Multivibrator, der zwei Schaltstufen mit je einem Schalttransistor und einem Steuertransistor vom gleichen Leitfähigkeitstyp mit parallel geschalteten Kollektor-Emitter-Strecken enthält wobei die Basis des Steuertransistors jeder der beiden Schaltstufen über ein kapazitives Element mit einem gemeinsamen Triggereingang des Multivibrators und die Basis des Schalttransistors jeder Schaltstufe mit dem Kollektor des Schalttransistors der anderen Schaltstufe verbunden ist während die Kollektor-Basis-Strecke des Steuertransistors jeder der beiden Schaltstufen von einem Überbrückungskreis überbrückt ist der die Emitter-Kollektor-Strecke eines Hilfstransistors enthält dessen Leitfähigkeitstyp dem der Schalt- und Steuertransistoren entgegengesetzt ist dadurch gekennzeichnet, daß die Basis jedes der beiden Hilfstransistoren mit dem Triggereingang des Multivibrators verbunden isl.
2. Bisiabiicr Multivibraior nach Anspruch !,der in integrierter Schaltungstechnik ausgeführt ist, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der beiden Hilfstransistoren zusammen mit dem zugehörigen kapazitiven Element in einer einzigen Halbleiterinsel angebracht ist, wobei das kapazitive Element mit Hilfe einer zusätzlichen Zone vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie, aber mit einer größeren Dotierung als die Basiszone des Hilfstransistors erhalten ist, welche zusätzliche Zone sich über einen Teil dzr Basiszone sow über einen Teil der Kollektorzone des Hilfstransistors erstreckt.
3. Bistabiler Multivibrator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Hilfstransistoren zusammen mit den beiden kapazitiven Elementen in einer einzigen Halbleiterinsel angebracht sind, wobei die beiden zusätzlichen Zonen als eine einzige ununterbrochene Zone ausgebildet sind.
4. Bistabiler Multivibrator nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in jedem der Überbrückungskreise in Reihe mit der Kollektor-Emitter-Strecke des Hilfstransistors die Kollektor-Emitter-Strecke eines weiteren Transistors vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie der Hilfstransistor angebracht ist, wobei die Basis dieses weiteren Transistors mit dem Kollektor des Schalttransistors in der anderen Schaltstufe verbunden ist.
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